JPS6245017A - 半導体成長装置 - Google Patents
半導体成長装置Info
- Publication number
- JPS6245017A JPS6245017A JP18474085A JP18474085A JPS6245017A JP S6245017 A JPS6245017 A JP S6245017A JP 18474085 A JP18474085 A JP 18474085A JP 18474085 A JP18474085 A JP 18474085A JP S6245017 A JPS6245017 A JP S6245017A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermocouple
- crucible
- temperature
- recessed part
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置に関して、特に半導体素子の製造等
に用いられる分子線エピタキシャル装置に関するもので
ある。
に用いられる分子線エピタキシャル装置に関するもので
ある。
（従来の技術）
従来、高集積回路、半導体レーザ及び光検知等の微細構
造を有する半導体装置を作成するにあたシ、薄膜成長は
きわめて重要な工程の一つである。
造を有する半導体装置を作成するにあたシ、薄膜成長は
きわめて重要な工程の一つである。
然るに薄膜成長方法として気相成長法、液相成長法及び
分子線エピタキシャル法が用いられているが、分子線エ
ピタキシャル法は超高真空中での原料から結晶基板への
直接蒸着という有利さから高純度であり、制御性の点で
最も優れている。
分子線エピタキシャル法が用いられているが、分子線エ
ピタキシャル法は超高真空中での原料から結晶基板への
直接蒸着という有利さから高純度であり、制御性の点で
最も優れている。
従来の分子線エピタキシャル法において材料は窒化ボロ
ン（Ｂ Ｎ）等の反応性のすくないるつぼに収納加熱さ
れ蒸発する。結晶基板は原料を収納したるつほに対向し
て配置、加熱され蒸発した原料分子は前記基板上に到達
し、エピタキシャル成長する。
ン（Ｂ Ｎ）等の反応性のすくないるつぼに収納加熱さ
れ蒸発する。結晶基板は原料を収納したるつほに対向し
て配置、加熱され蒸発した原料分子は前記基板上に到達
し、エピタキシャル成長する。
前記原料の蒸発量を一定に保つため原料はるつぼととも
通常その周囲に位置する抵抗加熱ヒータにより一定の温
度に加熱される。通常その温度は熱電対により測定され
設定温度と比較しその差に応じ抵抗加熱ヒータに電力を
加えたシ、減じたりする。
通常その周囲に位置する抵抗加熱ヒータにより一定の温
度に加熱される。通常その温度は熱電対により測定され
設定温度と比較しその差に応じ抵抗加熱ヒータに電力を
加えたシ、減じたりする。
（発明が解決しようとする問題点）
したがって、原料の蒸発量の安定性は熱電対による温度
測定の精度によシ大きく影響するが、熱電対の先端はる
つぼに接するのみでちり、接点の位置や接点の大きさに
より熱電対の出力は敏感に変動しさらに接点はるつぼ以
外からの輻射熱が影響するという欠点がある。とくにる
つほの温度を変化させる場合るつほの形状が変化し接点
がずれ長装置を提供することにある。
測定の精度によシ大きく影響するが、熱電対の先端はる
つぼに接するのみでちり、接点の位置や接点の大きさに
より熱電対の出力は敏感に変動しさらに接点はるつぼ以
外からの輻射熱が影響するという欠点がある。とくにる
つほの温度を変化させる場合るつほの形状が変化し接点
がずれ長装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は超高真空中において原料を加熱、蒸発させて半
導体薄膜を成長させる半導体成長装置において原料を収
納するるつぼに凹型の部分を設け該凹部に熱電対が収容
されてなることを特徴とする半導体成長装置である。
導体薄膜を成長させる半導体成長装置において原料を収
納するるつぼに凹型の部分を設け該凹部に熱電対が収容
されてなることを特徴とする半導体成長装置である。
（作用）
原料を収納するるつほの凹型の部分の温度は外部との輻
射熱の影響が低減することにより安定になシしたがって
熱電対を凹型の部分に導入することより熱電対は外部の
輻射熱の変動をうけない。
射熱の影響が低減することにより安定になシしたがって
熱電対を凹型の部分に導入することより熱電対は外部の
輻射熱の変動をうけない。
さらに凹型の部分の温度はより均一になることにより接
点の位置が多少変動しても測定している温度の変動はす
くない。したがってるつぼの温度測定は安定しそれＫよ
って制御される原料の温度さらには原料の蒸発量は安定
する。
点の位置が多少変動しても測定している温度の変動はす
くない。したがってるつぼの温度測定は安定しそれＫよ
って制御される原料の温度さらには原料の蒸発量は安定
する。
原料のガリウム１は窒化ポロン製るつぼ２に収容されヒ
ーター３によって加熱される。るつぼの温度は熱″電対
用凹部５の中におさめられた熱電対６纜よシ測定される
。タンタル熱シールド４けヒーターからの熱放出を外部
に出さない作用をする。
ーター３によって加熱される。るつぼの温度は熱″電対
用凹部５の中におさめられた熱電対６纜よシ測定される
。タンタル熱シールド４けヒーターからの熱放出を外部
に出さない作用をする。
このような状態において熱電対用凹型の部分は外部から
の熱輻射の影響が小さく安定した温度を保つことができ
る。
の熱輻射の影響が小さく安定した温度を保つことができ
る。
一方このような熱′電対用の凹型を有しないるつぼを用
いた場合熱電対の位置のずれやシールドからの熱輻射の
影響によジ熱電対のｍ度は大きく変動する。
いた場合熱電対の位置のずれやシールドからの熱輻射の
影響によジ熱電対のｍ度は大きく変動する。
ガリウム及びるつぼの設定温度を１０２０℃に保変動は
３．３ Ｘ １０−７トールを中心に１時度あたり±０
５チ程度であるが従来の熱電対用凹部のないるつぼに用
いたときは１時間あたり±２％になった。
３．３ Ｘ １０−７トールを中心に１時度あたり±０
５チ程度であるが従来の熱電対用凹部のないるつぼに用
いたときは１時間あたり±２％になった。
（発明の効果）
以上述べたとおりるつぼに熱電対用の凹部を設け、熱電
対を用いてその部分の温度を測定することによりより安
定した温度測定が可能となシしたがうて原料の温度をよ
り精度よく制御することができ、薄膜の制御性を向上さ
せることができる。
対を用いてその部分の温度を測定することによりより安
定した温度測定が可能となシしたがうて原料の温度をよ
り精度よく制御することができ、薄膜の制御性を向上さ
せることができる。
第１図は本発明の装置の構成の一例を示す横断面図であ
る。 、 ｌ・・・・・・ガリウム、２・・・・・・パイロ
リ゛ティックボａンナイトライドるつは、３・・・・・
・ヒーター、４・・・・・・タンタル熱シールド、５・
・・・・・熱電対用凹部、６・・・・・・熱電対。 す゛理人ブｒ理ト 内 原 晋 第１図
る。 、 ｌ・・・・・・ガリウム、２・・・・・・パイロ
リ゛ティックボａンナイトライドるつは、３・・・・・
・ヒーター、４・・・・・・タンタル熱シールド、５・
・・・・・熱電対用凹部、６・・・・・・熱電対。 す゛理人ブｒ理ト 内 原 晋 第１図
Claims (1)
- 超高真空中において原料を加熱、蒸発させて半導体薄膜
を成長させる半導体成長装置において、原料を収納する
るつぼに凹型の部分を設け該凹部に熱電対の接点が収容
されてなることを特徴とする半導体成長装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18474085A JPS6245017A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 半導体成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18474085A JPS6245017A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 半導体成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6245017A true JPS6245017A (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=16158525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18474085A Pending JPS6245017A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 半導体成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6245017A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5246058A (en) * | 1990-07-27 | 1993-09-21 | Sintokogia Ltd. | Flaskless molding machine |
-
1985
- 1985-08-21 JP JP18474085A patent/JPS6245017A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5246058A (en) * | 1990-07-27 | 1993-09-21 | Sintokogia Ltd. | Flaskless molding machine |
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