JPH02160692A - ホットウォールエピタキシャル成長装置 - Google Patents
ホットウォールエピタキシャル成長装置Info
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- JPH02160692A JPH02160692A JP31587788A JP31587788A JPH02160692A JP H02160692 A JPH02160692 A JP H02160692A JP 31587788 A JP31587788 A JP 31587788A JP 31587788 A JP31587788 A JP 31587788A JP H02160692 A JPH02160692 A JP H02160692A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ホットウォールエピタキシャル成長装置に関し、エピタ
キシャル成長用ソースを収容する坩堝上に設置した遮蔽
蓋に付着したソース材料が、他のソース坩堝内に落下し
ないような装置を目的とし、真空室内に設置され、エピ
タキシャル層形成用ソースが収容され、側壁部が加熱さ
れる複数の坩堝と、該坩堝に対向した複数の開口部を有
し、該開口部上にエピタキシャル成長用基板を設置する
回転可能な基板設置台とを含み、蒸発したソースの成分
を前記基板に付着させる装置に於いて、前記基板設置台
の基板を設置した開口部を除く他の開口部上にそれぞれ
坩堝遮蔽蓋を設けるとともに、該遮蔽蓋を加熱する加熱
手段を設けたことで構成する。
キシャル成長用ソースを収容する坩堝上に設置した遮蔽
蓋に付着したソース材料が、他のソース坩堝内に落下し
ないような装置を目的とし、真空室内に設置され、エピ
タキシャル層形成用ソースが収容され、側壁部が加熱さ
れる複数の坩堝と、該坩堝に対向した複数の開口部を有
し、該開口部上にエピタキシャル成長用基板を設置する
回転可能な基板設置台とを含み、蒸発したソースの成分
を前記基板に付着させる装置に於いて、前記基板設置台
の基板を設置した開口部を除く他の開口部上にそれぞれ
坩堝遮蔽蓋を設けるとともに、該遮蔽蓋を加熱する加熱
手段を設けたことで構成する。
本発明はホットウォールエピタキシャル成長装置に係り
、特にソース坩堝上に設けた遮蔽蓋に付着したソース材
料が他のソース坩堝内に落下しないようにしたホットウ
ォールエピタキシャル成長装置に関する。
、特にソース坩堝上に設けた遮蔽蓋に付着したソース材
料が他のソース坩堝内に落下しないようにしたホットウ
ォールエピタキシャル成長装置に関する。
ホットウォールエピタキシャル成長装置は、鉛テルル（
ＰｂＴｅ）や、鉛・錫・テルル（ＰｂＳｎＴｅ）等の■
−■族の化合物半導体結晶や、ガリウム砒素（Ｇａ＾Ｓ
）に代表される■−■族化合物半導体結晶や、カドミウ
ムテルル（ＣｄＴｅ）等のＴＩ−Ｖｌ族化合物半導体結
晶を用いた光デバイスの形成、および集積回路の結晶製
造技術として確立しつつある。
ＰｂＴｅ）や、鉛・錫・テルル（ＰｂＳｎＴｅ）等の■
−■族の化合物半導体結晶や、ガリウム砒素（Ｇａ＾Ｓ
）に代表される■−■族化合物半導体結晶や、カドミウ
ムテルル（ＣｄＴｅ）等のＴＩ−Ｖｌ族化合物半導体結
晶を用いた光デバイスの形成、および集積回路の結晶製
造技術として確立しつつある。
このホットウォールエピタキシャル成長装置は高真空に
排気された室内に、形成すべき化合物半導体結晶のソー
スを収容し、かつ側壁が加熱されたソース坩堝を所定個
数配設し、該坩堝の開口部に対向してエピタキシャル層
を形成する基板を設置し、その坩堝内の蒸発した成分を
基板にエピタキシャル層として付着させるようにしてい
る。そのため、閉管型気相成長方法と類似しており、ソ
ースの蒸発した成分がホラ・トウオールの側壁に衝突し
ながら基板上に到達するため、熱平衡に近い状態で成長
でき、形成される結晶層内に偏析を発生しない均一な組
成、およびキャリア濃度のＴｉ１ｌ状態の結晶が得られ
る。
排気された室内に、形成すべき化合物半導体結晶のソー
スを収容し、かつ側壁が加熱されたソース坩堝を所定個
数配設し、該坩堝の開口部に対向してエピタキシャル層
を形成する基板を設置し、その坩堝内の蒸発した成分を
基板にエピタキシャル層として付着させるようにしてい
る。そのため、閉管型気相成長方法と類似しており、ソ
ースの蒸発した成分がホラ・トウオールの側壁に衝突し
ながら基板上に到達するため、熱平衡に近い状態で成長
でき、形成される結晶層内に偏析を発生しない均一な組
成、およびキャリア濃度のＴｉ１ｌ状態の結晶が得られ
る。
第３図は従来のホットウォールエピタキシャル成長装置
の要部の概略図で、１０−’ｔｏｒｒ程度の高真空に排
気された真空室（図示せず）内には、エピタキシャル結
晶層形成用の鉛・テルル（ＰｂＴｅ）より成るソース１
を収容した有底で側壁部にヒータ２を有し、上部が開放
のＰｂＴｅソース坩堝３と、Ｐ型の鉛・テルル・セレン
（ＰｂＴｅＳｅ）より成るソース４を有し、上部が開放
で側壁にヒータ２を有したＰｂＴｅＳｅソース坩堝５と
、鉛・錫・テルル（ＰｂＳｎＴｅ）よりなるソース６を
収容し、上部が開放で側壁にヒータ２を有したＰｂ５ｎ
Ｔｅソース坩堝７と、Ｎ型の鉛・テルル・セレン（Ｐｂ
Ｔｅ５ｅ）よりなるソース８を収容し上部が開放で側
壁にヒータ２を有したｐｂＳｎＴｅソース坩堝９が所定
の直径寸法の円周に沿って、該円周の内部に所定の間隔
を隔てて坩堝設置台（図示せず）に配置されている。
の要部の概略図で、１０−’ｔｏｒｒ程度の高真空に排
気された真空室（図示せず）内には、エピタキシャル結
晶層形成用の鉛・テルル（ＰｂＴｅ）より成るソース１
を収容した有底で側壁部にヒータ２を有し、上部が開放
のＰｂＴｅソース坩堝３と、Ｐ型の鉛・テルル・セレン
（ＰｂＴｅＳｅ）より成るソース４を有し、上部が開放
で側壁にヒータ２を有したＰｂＴｅＳｅソース坩堝５と
、鉛・錫・テルル（ＰｂＳｎＴｅ）よりなるソース６を
収容し、上部が開放で側壁にヒータ２を有したＰｂ５ｎ
Ｔｅソース坩堝７と、Ｎ型の鉛・テルル・セレン（Ｐｂ
Ｔｅ５ｅ）よりなるソース８を収容し上部が開放で側
壁にヒータ２を有したｐｂＳｎＴｅソース坩堝９が所定
の直径寸法の円周に沿って、該円周の内部に所定の間隔
を隔てて坩堝設置台（図示せず）に配置されている。
またそれぞれの坩堝３，５，７．９上には、該坩堝に対
応する開口部１１，１２，１３．１４を有し、そのうち
の一つの開口部１１上に鉛・テルル（ＰｂＴｅ）のエピ
タキシャル成長用基板１５を設置し、坩堝上を矢印六方
向に沿って回転移動する基板設置台１６が設置されてい
る。
応する開口部１１，１２，１３．１４を有し、そのうち
の一つの開口部１１上に鉛・テルル（ＰｂＴｅ）のエピ
タキシャル成長用基板１５を設置し、坩堝上を矢印六方
向に沿って回転移動する基板設置台１６が設置されてい
る。
そして第３図のｒＶ−ＩＶ ′線に沿った断面図である
第４図に示すように、エピタキシャル成長用基板１５上
には該基板の温度をエピタキシャル成長に必要な温度に
保つために内部にヒータ１７を設けた箱状の蓋１８を基
板設置台１６上に配置している。
第４図に示すように、エピタキシャル成長用基板１５上
には該基板の温度をエピタキシャル成長に必要な温度に
保つために内部にヒータ１７を設けた箱状の蓋１８を基
板設置台１６上に配置している。
また第３図のｖ−ｖ ”線に沿った断面図である第５図
に示すように、エピタキシャル成長用基板Ｉ５を設置し
ていない他の開口部１４には坩堝９内部のソース８の温
度変動を避けるために石英板よりなる遮蔽蓋１９が前記
基板設置台１６上に設けられている。
に示すように、エピタキシャル成長用基板Ｉ５を設置し
ていない他の開口部１４には坩堝９内部のソース８の温
度変動を避けるために石英板よりなる遮蔽蓋１９が前記
基板設置台１６上に設けられている。
更にエピタキシャル成長用基板１５を設置していない他
の開口部１２．１３にも、坩堝５．７の内部のソース４
．６の温度変動を避けるために石英板よりなる遮蔽Ｍ１
９が前記基板設置台１６上に設けられている。
の開口部１２．１３にも、坩堝５．７の内部のソース４
．６の温度変動を避けるために石英板よりなる遮蔽Ｍ１
９が前記基板設置台１６上に設けられている。
そして基板設置台１６を矢印Ａ方向に沿って回転し、各
坩堝３，５，７．９上にエピタキシャル成長用基板１５
が設置された時に基板設置台１６の回転を停止し、基板
１５上に各坩堝３，５，７．９の内の各々のソース１，
４，６．８を蒸発させる。
坩堝３，５，７．９上にエピタキシャル成長用基板１５
が設置された時に基板設置台１６の回転を停止し、基板
１５上に各坩堝３，５，７．９の内の各々のソース１，
４，６．８を蒸発させる。
このようにして第６図に示すように、ＰｂＴｅのエピタ
キシャル成長用基板１５上にバッファ層としてのＰｂＴ
ｅの結晶層２１、Ｐ型のＰｂＴｅＳｅの結晶層２２、活
性層としてのＰｂ５ｎＴｅの結晶層２３、Ｎ型のＰｂＴ
ｅＳｅの結晶７１２４を順次エピタキシャル成長して積
層してダブルへテロ構造の半導体レーザ素子を形成して
いる。
キシャル成長用基板１５上にバッファ層としてのＰｂＴ
ｅの結晶層２１、Ｐ型のＰｂＴｅＳｅの結晶層２２、活
性層としてのＰｂ５ｎＴｅの結晶層２３、Ｎ型のＰｂＴ
ｅＳｅの結晶７１２４を順次エピタキシャル成長して積
層してダブルへテロ構造の半導体レーザ素子を形成して
いる。
〔発明が解決しようとする課題〕
然し、従来のホットウォールエピタキシャル成長装置で
は、エピタキシャル成長用基板１５を設置している開口
部１１以外の開口部１２，１３．１４に設置している石
英板よりなる遮蔽蓋１９は特別に加熱されておらず、ソ
ースの加熱温度（５００’Ｃ程度）に比較して低温であ
るので、ソースの蒸発した成分が開口部１２．１３．１
４を通じて遮蔽蓋１９の裏面側に付着するようになる。
は、エピタキシャル成長用基板１５を設置している開口
部１１以外の開口部１２，１３．１４に設置している石
英板よりなる遮蔽蓋１９は特別に加熱されておらず、ソ
ースの加熱温度（５００’Ｃ程度）に比較して低温であ
るので、ソースの蒸発した成分が開口部１２．１３．１
４を通じて遮蔽蓋１９の裏面側に付着するようになる。
そして例えばＰｂ５ｎＴｅのソース６の蒸発成分が付着
した遮蔽蓋がＮ型のＰｂＴｅＳｅソース８の坩堝９上に
到達して、蓋の裏面に付着しているソース６の蒸発成分
がソース坩堝９内に落下し、ソース坩堝９内のソース８
の成分が変動する問題がある。
した遮蔽蓋がＮ型のＰｂＴｅＳｅソース８の坩堝９上に
到達して、蓋の裏面に付着しているソース６の蒸発成分
がソース坩堝９内に落下し、ソース坩堝９内のソース８
の成分が変動する問題がある。
本発明は上記した問題点を解決し、前記した遮蔽蓋の裏
面側にソースの蒸発成分が付着しないようにしたホット
ウォールエピタキシャル成長装置の提供を目的とする。
面側にソースの蒸発成分が付着しないようにしたホット
ウォールエピタキシャル成長装置の提供を目的とする。
上記目的を達成するための本発明のホットウォールエピ
タキシャル成長装置は、真空室内に設置され、エピタキ
シャル層形成用ソースが収容され、側壁部が加熱される
複数の坩堝と、該坩堝に対向した複数の開口部を有し、
該開口部上にエピタキシャル成長用基板を設置する回転
可能な基板設置台とを含み、蒸発したソースの成分を基
板に付着させる装置に於いて、 前記基板設置台の基板を設置した開口部を除く他の開口
部上に設けた坩堝遮蔽蓋に、該遮蔽蓋を加熱する加熱手
段を設ける。
タキシャル成長装置は、真空室内に設置され、エピタキ
シャル層形成用ソースが収容され、側壁部が加熱される
複数の坩堝と、該坩堝に対向した複数の開口部を有し、
該開口部上にエピタキシャル成長用基板を設置する回転
可能な基板設置台とを含み、蒸発したソースの成分を基
板に付着させる装置に於いて、 前記基板設置台の基板を設置した開口部を除く他の開口
部上に設けた坩堝遮蔽蓋に、該遮蔽蓋を加熱する加熱手
段を設ける。
本発明のホットウォールエピタキシャル成長装置は、基
板を設置している開口部以外の開口部に設置している坩
堝の遮蔽蓋に加熱手段を設け、この遮蔽蓋の温度をソー
スの温度に略等しい程度に加熱するとソースの蒸発した
成分が遮蔽蓋の裏面側に付着せず、従って基板設置台を
回転することで遮蔽蓋に付着したソースの蒸発した成分
が他のソースの坩堝内に落下してソースの成分が変化す
ることが無くなり、所望の成分のエピタキシャル結晶が
得られる。
板を設置している開口部以外の開口部に設置している坩
堝の遮蔽蓋に加熱手段を設け、この遮蔽蓋の温度をソー
スの温度に略等しい程度に加熱するとソースの蒸発した
成分が遮蔽蓋の裏面側に付着せず、従って基板設置台を
回転することで遮蔽蓋に付着したソースの蒸発した成分
が他のソースの坩堝内に落下してソースの成分が変化す
ることが無くなり、所望の成分のエピタキシャル結晶が
得られる。
以下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明のホットウォールエピタキシャル成長装
置の要部の説明図、第２図は第１図の■−■′線に沿っ
た断面図である。
置の要部の説明図、第２図は第１図の■−■′線に沿っ
た断面図である。
第１図および第２図に示すように本発明の装置が、従来
の装置と異なる点は、エピタキシャル成長用基板１５が
設置されていない開口部１２．１３．１４上に設置され
ている遮蔽蓋１９上にも、前記したエピタキシャル成長
用基板１５上に設けた蓋１８と同様に内部にヒータ３１
を備えた箱状の蓋３２を設けた点に有る。
の装置と異なる点は、エピタキシャル成長用基板１５が
設置されていない開口部１２．１３．１４上に設置され
ている遮蔽蓋１９上にも、前記したエピタキシャル成長
用基板１５上に設けた蓋１８と同様に内部にヒータ３１
を備えた箱状の蓋３２を設けた点に有る。
このようにすれば、エピタキシャル成長用基板１５が設
置されていない開口部１２．１３．１４上に設けられた
石英製の遮蔽蓋１９が常に加熱されていることになるの
で、例えば該遮蔽１ｉ１９の下部のＰｂＴｅＳｅのソー
ス坩堝５より蒸発してきたＰ型のＰｂＴｅＳｅソース４
の蒸発成分が前記遮蔽蓋１９の裏面側に付着するような
現象がなくなり、この遮蔽蓋１９が他のｐｂＳｎＴｅの
ソース坩堝７へ移動してきても、従来の装置に於けるよ
うに遮蔽１１１９の裏側に付着したＰｂＴｅＳｅのソー
ス４の成分がＰｂ５ｎＴｅのソース坩堝７に落下して、
ソース坩堝７内のＰｂ５ｎＴｅのソースの成分が変動す
ることが無くなるので、所望の組成のエピタキシャル結
晶が安定して得られる。
置されていない開口部１２．１３．１４上に設けられた
石英製の遮蔽蓋１９が常に加熱されていることになるの
で、例えば該遮蔽１ｉ１９の下部のＰｂＴｅＳｅのソー
ス坩堝５より蒸発してきたＰ型のＰｂＴｅＳｅソース４
の蒸発成分が前記遮蔽蓋１９の裏面側に付着するような
現象がなくなり、この遮蔽蓋１９が他のｐｂＳｎＴｅの
ソース坩堝７へ移動してきても、従来の装置に於けるよ
うに遮蔽１１１９の裏側に付着したＰｂＴｅＳｅのソー
ス４の成分がＰｂ５ｎＴｅのソース坩堝７に落下して、
ソース坩堝７内のＰｂ５ｎＴｅのソースの成分が変動す
ることが無くなるので、所望の組成のエピタキシャル結
晶が安定して得られる。
以上述べたように本発明の装置によれば、所望の組成の
エピタキシャル結晶が安定して得られる効果がある。
エピタキシャル結晶が安定して得られる効果がある。
第１図は本発明の装置の要部の説明図、第２図は第１図
のｎ−ｎ ′線に沿った断面図、第３図は従来の装置の
要部の説明図、 第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ ’線に沿った断面図、第
５図は第３図の■−Ｖ″線に沿った断面図、第６図はホ
ットウォール成長装置で形成したエピタキシャル層の断
面図である。 図において、 １はＰｂＴｅソース、２はヒータ、３はＰｂＴｅソース
坩堝、４はＰ型ＰｂＴｅＳｅソース、５はＰｂＴｅＳｅ
ソース坩堝、６はＰｂ５ｎＴｅソース、７はＰｂ５ｎＴ
ｅソース坩堝、８はＮ型ＰｂＴｅＳｅソース、９はＰｂ
ＴｅＳｅソース坩堝、１１，１２．１３゜１４は開口部
、１５はエピタキシャル成長用基板、１６は基板設置台
、１９は遮蔽蓋、３１はヒータ、３２は蓋を示す。 ＋９４＋へｔ−ｊ［ づｒ３ ｒＡＰ Ｖ−Ｖ’ＦＩＩ：５９ｙｒ−＠句（ｆ
Ｊ第５図 オ’−ツｌ−’ブー１゛−ル戊−１％１７−Ｍン１ｓ：
ｂｒ＝ｒヒー７９ヤル層Ｊｆ−ｆｉ１ｍ第６図
のｎ−ｎ ′線に沿った断面図、第３図は従来の装置の
要部の説明図、 第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ ’線に沿った断面図、第
５図は第３図の■−Ｖ″線に沿った断面図、第６図はホ
ットウォール成長装置で形成したエピタキシャル層の断
面図である。 図において、 １はＰｂＴｅソース、２はヒータ、３はＰｂＴｅソース
坩堝、４はＰ型ＰｂＴｅＳｅソース、５はＰｂＴｅＳｅ
ソース坩堝、６はＰｂ５ｎＴｅソース、７はＰｂ５ｎＴ
ｅソース坩堝、８はＮ型ＰｂＴｅＳｅソース、９はＰｂ
ＴｅＳｅソース坩堝、１１，１２．１３゜１４は開口部
、１５はエピタキシャル成長用基板、１６は基板設置台
、１９は遮蔽蓋、３１はヒータ、３２は蓋を示す。 ＋９４＋へｔ−ｊ［ づｒ３ ｒＡＰ Ｖ−Ｖ’ＦＩＩ：５９ｙｒ−＠句（ｆ
Ｊ第５図 オ’−ツｌ−’ブー１゛−ル戊−１％１７−Ｍン１ｓ：
ｂｒ＝ｒヒー７９ヤル層Ｊｆ−ｆｉ１ｍ第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空室内に設置され、エピタキシャル層形成用ソース（
１、４、６、８）が収容され、側壁部が加熱される複数
の坩堝（３、５、７、９）と、該坩堝に対向した複数の
開口部（１１、１２、１３、１４）を有し、該開口部の
所定開口部上にエピタキシャル成長用基板（１５）を設
置する回転可能な基板設置台（１６）とを含み、蒸発し
たソースの成分を前記基板に付着させる装置に於いて、 前記基板設置台（１６）の基板を設置した開口部（１１
）を除く他の開口部（１２、１３、１４）上にそれぞれ
坩堝遮蔽蓋（１９）を設けるとともに、該遮蔽蓋を加熱
する加熱手段（３１、３２）を設けたことを特徴とする
ホットウォールエピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31587788A JPH02160692A (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | ホットウォールエピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31587788A JPH02160692A (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | ホットウォールエピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02160692A true JPH02160692A (ja) | 1990-06-20 |
Family
ID=18070676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31587788A Pending JPH02160692A (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | ホットウォールエピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02160692A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5281376A (en) * | 1990-10-12 | 1994-01-25 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for producing polypropylene resin article having skin material lined with foamed layer |
-
1988
- 1988-12-13 JP JP31587788A patent/JPH02160692A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5281376A (en) * | 1990-10-12 | 1994-01-25 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for producing polypropylene resin article having skin material lined with foamed layer |
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