JPS58190897A - 分子線結晶成長方法 - Google Patents

分子線結晶成長方法

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Publication number
JPS58190897A
JPS58190897A JP7288682A JP7288682A JPS58190897A JP S58190897 A JPS58190897 A JP S58190897A JP 7288682 A JP7288682 A JP 7288682A JP 7288682 A JP7288682 A JP 7288682A JP S58190897 A JPS58190897 A JP S58190897A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crystal
substrate
molecular beam
heating
molecular
Prior art date
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Pending
Application number
JP7288682A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomonori Ishikawa
石川　知則
Junji Saito
淳二 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS58190897A publication Critical patent/JPS58190897A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）　　発明の技術分野 本発明は、分子線結晶成長方法に関する。
（ｂ）　　技術の背景 分子線結晶成長法は単結晶からなる被処理結晶基板に対
して高真空のもとで結晶の構成元素からなる分子線を分
子線源より投射せしめて基板上に化学吸着させ、一方基
板を適温に加熱しておくことにより結晶軸の揃った結晶
をエピタキシャル成長させる方法である。
第１図は分子線結晶成長装置の基本的な構成を示すもの
で極めて高い真空度を必要とすること、被処理基板のエ
ピタキシャル成長が高効率で行われるように基板が適温
で加熱されるようになっていることおよび結晶を構成す
る各成分元素の分子線を噴出し得る分子線源を備えてい
ることなどが特徴である。
すなわちガリウム砒’＠（ＧａＡｓ）の結晶を成長させ
る実施例に゛つ１八て云えばチャンバ１の内部は１０−
”　ｔｏｒｒ根度の高い真空度に保持して蒸発分子の平
均自由工種を充分大きくすると共に基板表面へのガス吸
着の影響？少くしている。またガリウム分子（Ｇａ）ｋ
投射するための分子線源２と砒ぺ分子（Ａｓ＋　Ａａ２
＋　Ａ３４）ｋ噴出する分子線源３を備えまたその対向
位置にはエピタキシャル成長を行わせるＧａＡａ＆板４
が基板ホルダにより保持されて設けられている。
本考案はか＼る分子線結晶成長装置において結晶基板を
均一に加熱する機構を備えた分子線結晶成長装置に関す
る。
（ｃ）　　従来技術と問題点 分子線結晶成長法によって単結晶をエビタキシャル成員
させる場合、その結晶の良し悪しは基板温度に敏感に左
右される。
第２図およびｉｉｇａ図は従来用いられている基板保持
方法金示すものでＧａＡｓ基板上にエピタキシャル成長
させる実施例においてはモリブデン（Ｍｏ）ブロックか
らなる基板保持体５の上にインジウム（ＩｎＪ全接着剤
６としてＱａＡｓ基板４全固定し、これに分子融像ｊニ
リ分子線金投射し一方基板保持体５の背ｉ［置かれたヒ
ータ７によって間接的に基板’ｔ７７１１然して温度調
節することによってエピタキシャル成長が行われていた
。
か＼る基板保持法の長所は接着剤としてＩｎを使用して
いることで、Ｉｎは融点は］　５６．６３０Ｃと低いが
沸点は約２０００°Ｃと高くそのため基板加熱温度にお
いて液状ｅあり、そのためＧａＡｓ基板４に対し歪金与
えないで保持ができる利点がある。
然し一方ではＩ　・ｒはＧｈＡ＋ｓ基板と容易に合金を
作ると云う欠点をもっている。
すなわちＧａＡｓ基板４の上に分子線結晶法によりＧａ
Ａｓｋエピタキシャル成長させる場合、ＱａＡｓるがこ
の間に深さ２００７４　ｍ程に互って合金化が進行する
。
それ故に半導体デバイス形成のためにはエピタキシャル
成長処理後に合金層を削ることが必要でありそのためこ
れに代る基板保持方法の開発が望まれていた。
第３図はこのような欠点を無くするための方法でリング
状の金属製保持体８に留め金９を用いてＧａＡｓ基板４
を保持しこの背後よりヒータ７を用いて直接に基板を加
熱する方法である。
然ｌ〜乍らこの場合は保持体が金属よりなるため熱伝導
がリング状保持体８％に留め金９部に優先的に生ずるた
めＱａＡｌｉ＆板４の温度／ｌＪ−布を一様に保つこと
は困峻で基板保持方法としては充分でない０ （ｄ）　　発明の目的 本発明は分子線を用いて結晶成長を行う場合に結晶基板
の温度全適温に保つと共に結晶成長後に加工処理を必要
としない分子線結晶成長方法を提供すること全目的とす
る。
（ｅ）　　発明の構成 本発明の目的は被処理基板の加熱を高周波加熱により行
うことにより達成できる。
（ｆ）　　発明の実施例 本発明は抵抗率の少い半導体結晶基板に対してエピタキ
シャル成長処理を行す半導体デバイスを形成する場合に
適用で柱るもので、例えば不純物濃度が約１０１１１ｍ
−８のｎ十ＱａＡｓ基板金用いる半導体レーザ等の製造
などに適用できる〇 第４図は本発明の実施に係る分子線結晶成長装置の要部
を示す。同図において、結晶基板１０はアルミナなどの
耐熱性絶縁物よりなる保持板１１にこれと同じ材料から
なる保持具１２により保持されており、一方この保持板
１１の外周には高岡′Ｉ 波コイル１ｊが巻回されて（へて図示してない電源より
高周波電流１３．５６　（ＭＨｚ）が加えられるように
なっている。
か＼る４汀は過蝋流損により結晶基板１０が発変を一定
に保ちこの条件で複数個の分子線源１３より分子線１４
を照射し結晶成長全行えばよい。
（ｇ）　　発明の効果 本発明によれば基板加熱を従来のヒータによる傍熱或は
直熱方式によらず高周波力■熱により行うもので、従来
のＩｎＴｈｈｆ着剤として使用した場合のような爾後処
理を必要としないため製造工程の大幅な短縮が可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は分子−結晶装置の概略構成図、第２図および第
３図は従来の結晶基板保持加熱機構の説明図、第４図は
本発明に係る保持加熱機構の説明図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高周波加熱により、加熱された被処理基板に対し分子線
    源より結晶を構成する成分分子を蒸発せしめ前記被処理
    基板上に薄膜結晶を成長させることを特徴とする分子線
    結晶成長方法。
JP7288682A 1982-04-30 1982-04-30 分子線結晶成長方法 Pending JPS58190897A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60165713A (ja) * 1984-02-08 1985-08-28 Rohm Co Ltd 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造
JPS6135509A (ja) * 1984-07-28 1986-02-20 Anelva Corp 基板加熱方法
JPS6142125A (ja) * 1984-08-03 1986-02-28 Rohm Co Ltd Ｍｂｅ用基板およびその温度測定法
JPS61139021A (ja) * 1984-12-10 1986-06-26 Rohm Co Ltd Ｍｂｅ用基板の温度測定方法
JPH0529140U (ja) * 1992-07-28 1993-04-16 日電アネルバ株式会社 基板装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60165713A (ja) * 1984-02-08 1985-08-28 Rohm Co Ltd 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造
JPH0237691B2 (ja) * 1984-02-08 1990-08-27 Rohm Kk
JPS6135509A (ja) * 1984-07-28 1986-02-20 Anelva Corp 基板加熱方法
JPS6142125A (ja) * 1984-08-03 1986-02-28 Rohm Co Ltd Ｍｂｅ用基板およびその温度測定法
JPS61139021A (ja) * 1984-12-10 1986-06-26 Rohm Co Ltd Ｍｂｅ用基板の温度測定方法
JPH0529140U (ja) * 1992-07-28 1993-04-16 日電アネルバ株式会社 基板装置

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