JPS6291491A - ２−６族化合物半導体の分子線エピタキシ法 - Google Patents
２−６族化合物半導体の分子線エピタキシ法Info
- Publication number
- JPS6291491A JPS6291491A JP23025185A JP23025185A JPS6291491A JP S6291491 A JPS6291491 A JP S6291491A JP 23025185 A JP23025185 A JP 23025185A JP 23025185 A JP23025185 A JP 23025185A JP S6291491 A JPS6291491 A JP S6291491A
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- Japan
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- molecular beam
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｉｔ−ＶＩ族化合物半導体の分子線エピタキ
シ法に関するものである。
シ法に関するものである。
１′従来の技術〕
従来行なわれていた■−■族化音物半導体基板を用いた
■−■族化合物半導体の分子線エピタキシ法では、成長
直前に超高真空中で基板を加熱することにより基板表面
の清浄化を行なっていた（ジャーナル オフ ザ エレ
クトロケミカル ソサイエテイ−，１ｏｕｒｎａｌ
ｏｆ ｔｈｅ Ｅ ｌｅｃｔｒｏｒｈｅｍｉｃａｔ
５ｏｃｉｅｔ、ｙ） 、第１２７巻７９３７ペーシ）
、〔発明が解決しようとする問題点１ しかしながら、基板温度が高くなると、葵気圧の高い■
族原子が基板から解離し、また、ＩＩ族原子もわずかな
がら解離するため、基板表面が荒れてしまい、ト分な基
板表面の清浄化が行なえず、成長した結晶の質や再現性
が悪いという欠点を有していた。
■−■族化合物半導体の分子線エピタキシ法では、成長
直前に超高真空中で基板を加熱することにより基板表面
の清浄化を行なっていた（ジャーナル オフ ザ エレ
クトロケミカル ソサイエテイ−，１ｏｕｒｎａｌ
ｏｆ ｔｈｅ Ｅ ｌｅｃｔｒｏｒｈｅｍｉｃａｔ
５ｏｃｉｅｔ、ｙ） 、第１２７巻７９３７ペーシ）
、〔発明が解決しようとする問題点１ しかしながら、基板温度が高くなると、葵気圧の高い■
族原子が基板から解離し、また、ＩＩ族原子もわずかな
がら解離するため、基板表面が荒れてしまい、ト分な基
板表面の清浄化が行なえず、成長した結晶の質や再現性
が悪いという欠点を有していた。
本発明の目的は、このような欠点を収り除いた高品位の
■−■族化合物半導体結晶を再現性良く得られる分子線
エピタキシ法を提供することにある。
■−■族化合物半導体結晶を再現性良く得られる分子線
エピタキシ法を提供することにある。
本発明の■−■族化合物２１′導体１．（板を用いたＩ
Ｉ−■族化合物半導体の分子線エピタキシ法は、ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体結晶の成長直前Ｇこ、゛１′−導体
基板表面に基板を構成する■族原子の解離を抑えるのに
十分な量のＶＩ族分子線と、基板から解離する■族原子
の数と同程度の微ドのＩＩ族分子線とを照射しながら基
板を加熱し、１．（板の脱ガスと基板表面の清浄化を行
なう二り稈を含むことを特徴とする。
Ｉ−■族化合物半導体の分子線エピタキシ法は、ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体結晶の成長直前Ｇこ、゛１′−導体
基板表面に基板を構成する■族原子の解離を抑えるのに
十分な量のＶＩ族分子線と、基板から解離する■族原子
の数と同程度の微ドのＩＩ族分子線とを照射しながら基
板を加熱し、１．（板の脱ガスと基板表面の清浄化を行
なう二り稈を含むことを特徴とする。
し作用〕
本発明は上述の方法により、従来技術の問題点を解決し
た。
た。
■−■族半導体基板表面にＶＩ族分子線を１分強く照射
することにより基板を加熱した場合にも基板からの■族
原子の解離をＩＩＨぐことかできる。
することにより基板を加熱した場合にも基板からの■族
原子の解離をＩＩＨぐことかできる。
しかしながらＶＩ族分子線のｔ！＜？、射たけてはＩｌ
族原子かわずかながら基板から解離するなめ、数原子層
程度の基板表面の荒れが生じる。■族原子線とＪＩ：に
、基板から解離するＴ１族原子の数と同程度の微量グ）
■成分子線を照射すると、基板表面に到達した１１族原
子が余分に持っている熱エネルギーにより基板表面を動
き回り、エネルギーの低い基板表面の凹んだ格子位置に
おさまるため、常に平坦な基板表面がＣ）られる。この
ため、高温で長時間の某板脱カスと基板表面の清浄化か
行なえる９［、実施例」 次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
族原子かわずかながら基板から解離するなめ、数原子層
程度の基板表面の荒れが生じる。■族原子線とＪＩ：に
、基板から解離するＴ１族原子の数と同程度の微量グ）
■成分子線を照射すると、基板表面に到達した１１族原
子が余分に持っている熱エネルギーにより基板表面を動
き回り、エネルギーの低い基板表面の凹んだ格子位置に
おさまるため、常に平坦な基板表面がＣ）られる。この
ため、高温で長時間の某板脱カスと基板表面の清浄化か
行なえる９［、実施例」 次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
図は本発明の分子線エピタキシ法を実施するための分子
線エピタキシ装置の概念図である。基板ボルダ−１に取
りイ」けられたＺ ｎ Ｔ ｅからなる基板２をヒータ
ー３により加熱し室温から３００°Ｃまて徐々に昇温し
ｆＳ後、ＴｅシＡ・ツタ−４を開け′「（＝分子線源５
から分子線強度２ Ｘ １０ ｌ４ｃｍ−２３ｅ（・１
の”Ｉ” Ｃ分子線を照射する。’７” Ｃ分子線を照
射しなからさらに基板２を加熱し・１５０°Ｃになった
時に、Ｚ ｎシャッター６を開けＺｎ分子線源７から分
子線強度ＩＸ１．０Ｉ２ｃｍ−２ｓｅｃ ’の′Ｆｅ
分子線を照射し始め、さらに基板温度を５５０’Ｃまて
°上昇させる。Ｔｅ分子線とＺ ｒ＋分子線を照射した
まま２０分間基板温度を５５０℃に保つ。基板温度を５
５０℃に２０分間保つことにより、１．（板ホルダー１
なとからの脱ガスは３分の１に減り大きな脱ガス効果が
得られた。また、表面の荒れは全く起こらず七分請浄な
７．５板表面を得ることかできた。この２０分間の保持
ののち基板温度を７′１００℃に下げ、Ｚｎシャッター
６を閉じ、Ｚｎシャッター８を開けてＺ ｎ分子線源９
から７ ｎ分子線を照射し基板２−１−にＺｎＴｅの結
晶成長を行なった。
線エピタキシ装置の概念図である。基板ボルダ−１に取
りイ」けられたＺ ｎ Ｔ ｅからなる基板２をヒータ
ー３により加熱し室温から３００°Ｃまて徐々に昇温し
ｆＳ後、ＴｅシＡ・ツタ−４を開け′「（＝分子線源５
から分子線強度２ Ｘ １０ ｌ４ｃｍ−２３ｅ（・１
の”Ｉ” Ｃ分子線を照射する。’７” Ｃ分子線を照
射しなからさらに基板２を加熱し・１５０°Ｃになった
時に、Ｚ ｎシャッター６を開けＺｎ分子線源７から分
子線強度ＩＸ１．０Ｉ２ｃｍ−２ｓｅｃ ’の′Ｆｅ
分子線を照射し始め、さらに基板温度を５５０’Ｃまて
°上昇させる。Ｔｅ分子線とＺ ｒ＋分子線を照射した
まま２０分間基板温度を５５０℃に保つ。基板温度を５
５０℃に２０分間保つことにより、１．（板ホルダー１
なとからの脱ガスは３分の１に減り大きな脱ガス効果が
得られた。また、表面の荒れは全く起こらず七分請浄な
７．５板表面を得ることかできた。この２０分間の保持
ののち基板温度を７′１００℃に下げ、Ｚｎシャッター
６を閉じ、Ｚｎシャッター８を開けてＺ ｎ分子線源９
から７ ｎ分子線を照射し基板２−１−にＺｎＴｅの結
晶成長を行なった。
このようにして得られたＺ ｎ Ｔ ｅは電気的にも光
学的にも優れた特性を有しており、潰れた再現性を示し
た。
学的にも優れた特性を有しており、潰れた再現性を示し
た。
本実施例ではＺ ｎ Ｔ ｅ基板を用いたが、これに限
らすＺｎ５ｅ基板等他のＩＩ〜■族化合物半導体基板を
用いてもよいことは明らかである。
らすＺｎ５ｅ基板等他のＩＩ〜■族化合物半導体基板を
用いてもよいことは明らかである。
以」二連へたように、本発明によれば、結晶成長前の基
板の脱ガスおよび清浄化の際に、基板から構成元素の解
離を防止できるので平坦て清浄な基板が得られ、基板」
二に質のよい結晶を再現性よく成長させることができる
。
板の脱ガスおよび清浄化の際に、基板から構成元素の解
離を防止できるので平坦て清浄な基板が得られ、基板」
二に質のよい結晶を再現性よく成長させることができる
。
図は本発明の結晶成長に用いた分子線エピタキシ装置の
概念図である。 １・・・基板ホルダー、２・・基板、３ ・ヒーター、
・１・・Ｔ ｅシャッター、５・・・Ｔｅ分子線源、６
．８・・・Ｚｎシャッター、７，９・・・Ｚｎ分子線源
。 ＝ ６−
概念図である。 １・・・基板ホルダー、２・・基板、３ ・ヒーター、
・１・・Ｔ ｅシャッター、５・・・Ｔｅ分子線源、６
．８・・・Ｚｎシャッター、７，９・・・Ｚｎ分子線源
。 ＝ ６−
Claims (1)
- II−VI族化合物半導体基板を用いたII−VI族化合物半導
体の分子線エピタキシ法において、前記II−VI族化合物
半導体結晶の成長直前に前記半導体基板表面に基板を構
成するVI族原子の解離を抑えるのに十分な量のVI族分子
線と、基板から解離するII族原子の数と同程度の微量の
II族分子線とを照射しながら基板を加熱し、基板の脱ガ
スと基板表面の清浄化を行なう工程を含むことを特徴と
するII−VI族化合物半導体の分子線エピタキシ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23025185A JPS6291491A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | ２−６族化合物半導体の分子線エピタキシ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23025185A JPS6291491A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | ２−６族化合物半導体の分子線エピタキシ法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6291491A true JPS6291491A (ja) | 1987-04-25 |
| JPH0352438B2 JPH0352438B2 (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=16904879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23025185A Granted JPS6291491A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | ２−６族化合物半導体の分子線エピタキシ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6291491A (ja) |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP23025185A patent/JPS6291491A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0352438B2 (ja) | 1991-08-09 |
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