JPS63222093A - 化合物半導体の分子線エピタキシ法 - Google Patents
化合物半導体の分子線エピタキシ法Info
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- JPS63222093A JPS63222093A JP5731487A JP5731487A JPS63222093A JP S63222093 A JPS63222093 A JP S63222093A JP 5731487 A JP5731487 A JP 5731487A JP 5731487 A JP5731487 A JP 5731487A JP S63222093 A JPS63222093 A JP S63222093A
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- molecular beam
- molecular
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化合物半導体の分子線エピタキシ法に関する。
従来の化合物半導体の分子線エピタキシ法では、基板温
度を約５５０°Ｃに」１昇させることにより基板表面の
酸化膜を除去し、この面に化合物半導体層を形成するこ
とが一般に行なわれていた。
度を約５５０°Ｃに」１昇させることにより基板表面の
酸化膜を除去し、この面に化合物半導体層を形成するこ
とが一般に行なわれていた。
上述した従来の化合物半導体の分子線エピタキシ法では
、基板表面に出来ている酸化膜を基板温度を上昇させる
ことにより取り除いていたが、その際に基板温度にむら
が生じたり、酸化膜の形成具合が場所により異なる等の
理由から、均一に酸化膜の除去された清浄基板表面を再
現性よく得ることが困難であった。
、基板表面に出来ている酸化膜を基板温度を上昇させる
ことにより取り除いていたが、その際に基板温度にむら
が生じたり、酸化膜の形成具合が場所により異なる等の
理由から、均一に酸化膜の除去された清浄基板表面を再
現性よく得ることが困難であった。
本発明の目的は、このような欠点をとりのぞき、基板の
均一な清浄表面が得られる分子線エピタキシ法を提供す
ることにある。
均一な清浄表面が得られる分子線エピタキシ法を提供す
ることにある。
本発明の化合物半導体の分子線エピタキシ法は、化合物
半導体の結晶を形成する基板表面に電子線を照射し、基
板表面の酸化膜を除去するものである。
半導体の結晶を形成する基板表面に電子線を照射し、基
板表面の酸化膜を除去するものである。
発明者は半導体基板に電子線を照射すると、電子による
還元作用により酸化膜が取り除かれることを見い出した
。これにより従来の基板温度の」１昇のみによる酸化膜
除去法に比べ、より低い温度で酸化膜を取り除くことが
可能であり、その結果基板を構成する原子の解離を従来
より低減させることができ、基板の良質な清浄表面が得
られる。
還元作用により酸化膜が取り除かれることを見い出した
。これにより従来の基板温度の」１昇のみによる酸化膜
除去法に比べ、より低い温度で酸化膜を取り除くことが
可能であり、その結果基板を構成する原子の解離を従来
より低減させることができ、基板の良質な清浄表面が得
られる。
次に図面を参照して本発明を説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための分子線エピ
タキシ装置の概念図である。
タキシ装置の概念図である。
第１図において、基板ホルダー１゜に取り付けられたＩ
ｎＰ基板２をヒータ３により加熱し室温から２５０℃ま
で徐々に昇温し不純分子等を除去した後、Ａｓシャッタ
ー４を開けＡｓ分子線源５から分子線強度３Ｘ １０−
” ＴｏｒｒのＡｓ分子線を照射する。Ａｓ分子線を
照射したままさらに基板２を加熱し５００°Ｃまで昇温
する。
ｎＰ基板２をヒータ３により加熱し室温から２５０℃ま
で徐々に昇温し不純分子等を除去した後、Ａｓシャッタ
ー４を開けＡｓ分子線源５から分子線強度３Ｘ １０−
” ＴｏｒｒのＡｓ分子線を照射する。Ａｓ分子線を
照射したままさらに基板２を加熱し５００°Ｃまで昇温
する。
ここで、基板温度を一定としたまま、電子銃１０から加
速電圧１０ｋｖ、エミッション電流０．１ ｍＡの電子
線を基板−面に５分間照射する。
速電圧１０ｋｖ、エミッション電流０．１ ｍＡの電子
線を基板−面に５分間照射する。
このようにして酸化膜を除去したＩｎＰ基板２上に、Ｉ
ｎシャッター６、Ｇａシャッター８を開け、Ｉｎ分子線
源７からＩｎ分子線を、Ｇａ分子線源９からＧａ分子線
を同時に照射することによりＩ ｎＧａＡｓの結晶成長
を行った。
ｎシャッター６、Ｇａシャッター８を開け、Ｉｎ分子線
源７からＩｎ分子線を、Ｇａ分子線源９からＧａ分子線
を同時に照射することによりＩ ｎＧａＡｓの結晶成長
を行った。
このようにして得られたＩ ｎＧａＡｓは電気的にも光
学的にも優れた特性を有しており、しかも優れた再現性
を示した。
学的にも優れた特性を有しており、しかも優れた再現性
を示した。
尚、本実施例では基板としてＩｎＰ基板を用いた場合に
ついて説明したが、これに限らすＧａＡｓ基板等他の化
合物半導体基板を用いてもよい。また本実施例ては、基
板温度を一定としたが、多少の昇温を行いつつ酸化膜除
去を行うことも可能である。
ついて説明したが、これに限らすＧａＡｓ基板等他の化
合物半導体基板を用いてもよい。また本実施例ては、基
板温度を一定としたが、多少の昇温を行いつつ酸化膜除
去を行うことも可能である。
以上述べたように本発明は、基板表面に電子線を照射し
、基板上の酸化膜を除去することにより清浄な表面が得
られる効果がある。従ってこの基板上に光学的、電気的
に特性の優れた化合物半導体を再現性よく成長すること
ができる。
、基板上の酸化膜を除去することにより清浄な表面が得
られる効果がある。従ってこの基板上に光学的、電気的
に特性の優れた化合物半導体を再現性よく成長すること
ができる。
第１図は本発明の一実施例を説明するための分子線エピ
タキシ装置の概念図である。 １・・・基板ホルダー、２・・・基板、３・・・ヒータ
、４・・・Ａｓシャッター、５・・・Ａｓ分子線源、６
・・・Ｉｎシャッター、７・・・Ｉｎ分子線源、８・・
・Ｇａシャッター、９・・・Ｇａ分子線源、１０・・・
電子銃。 第 １ 面
タキシ装置の概念図である。 １・・・基板ホルダー、２・・・基板、３・・・ヒータ
、４・・・Ａｓシャッター、５・・・Ａｓ分子線源、６
・・・Ｉｎシャッター、７・・・Ｉｎ分子線源、８・・
・Ｇａシャッター、９・・・Ｇａ分子線源、１０・・・
電子銃。 第 １ 面
Claims (1)
- 化合物半導体の結晶を形成する基板表面に電子点を照射
し該基板表面の酸化膜を除去することを特徴とする化合
物半導体の分子線エピタキシ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5731487A JPS63222093A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 化合物半導体の分子線エピタキシ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5731487A JPS63222093A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 化合物半導体の分子線エピタキシ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63222093A true JPS63222093A (ja) | 1988-09-14 |
Family
ID=13052106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5731487A Pending JPS63222093A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 化合物半導体の分子線エピタキシ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63222093A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6014428A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-25 | Toshiba Corp | 選択エピタキシヤル結晶成長法 |
-
1987
- 1987-03-11 JP JP5731487A patent/JPS63222093A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6014428A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-25 | Toshiba Corp | 選択エピタキシヤル結晶成長法 |
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