JPS6291493A - ３−５族化合物半導体の分子線エピタキシ法 - Google Patents
３−５族化合物半導体の分子線エピタキシ法Info
- Publication number
- JPS6291493A JPS6291493A JP23269085A JP23269085A JPS6291493A JP S6291493 A JPS6291493 A JP S6291493A JP 23269085 A JP23269085 A JP 23269085A JP 23269085 A JP23269085 A JP 23269085A JP S6291493 A JPS6291493 A JP S6291493A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular beam
- substrate
- iii
- group
- shutter
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ｍ−ｖ族化合物半導体の分７−線エピタキシ
法に関するものである。
法に関するものである。
従来行なわれていた■−Ｖ族化合物半導体の分子線エピ
タキシ法では、結晶成長直前に、■族分子線を大量に基
板表面に当てて■族原子の解離を防ぎながら基板温度を
」１昇さぜることにより基板表面の清浄化を行なってい
た。
タキシ法では、結晶成長直前に、■族分子線を大量に基
板表面に当てて■族原子の解離を防ぎながら基板温度を
」１昇さぜることにより基板表面の清浄化を行なってい
た。
し、発明が解決しようとする問題点゛１この清浄化は高
温で長時同行なうほど有効であるが、特定の温度以−し
ては基板を構成する■族原子の解離が起こり、基板表面
の平坦性が失なわれるため、高温で長時同行なうことが
できず、結晶の質が悪く、再現性も悪いという欠点を有
していた。
温で長時同行なうほど有効であるが、特定の温度以−し
ては基板を構成する■族原子の解離が起こり、基板表面
の平坦性が失なわれるため、高温で長時同行なうことが
できず、結晶の質が悪く、再現性も悪いという欠点を有
していた。
本発明の目的は、このような欠点をとりのぞき高品位の
■−ｖ族化合物半導体結晶を再現性良く得られる分子線
エピタキシ法を提供することにある。
■−ｖ族化合物半導体結晶を再現性良く得られる分子線
エピタキシ法を提供することにある。
本発明の■−■族化合物半導体の分子線エピタキシ法は
、半導体結晶成長直前にＶ族分子線とともに基板を構成
する■族原子の解離する原子数と同程度の微量のＩＩＩ
族分子線を基板表面に当てながら基板温度を高温にし、
基板の脱ガスと基板表面の清浄化を行なうことを特徴と
する。
、半導体結晶成長直前にＶ族分子線とともに基板を構成
する■族原子の解離する原子数と同程度の微量のＩＩＩ
族分子線を基板表面に当てながら基板温度を高温にし、
基板の脱ガスと基板表面の清浄化を行なうことを特徴と
する。
本発明は一１１述の方法により、ＵＣ来技術の問題点を
解決した。
解決した。
半導体基板表面に■族分子線を当ててＩＩＩ族分子線を
当てない状態で基板の温度を上げると、基板を構成する
■族原子の解雛かわずかに起こり、基板表面が荒れてし
まう。これに対し、解阿する■族原子の数と同程度であ
る微量なＩＩＩ族分子線を当てておくと、分子線として
基板表面に到達したＩＩＩ族原子が基板表面を動き回り
基板表面を平らにするため基板表面を荒らさず十分な脱
ガスと表向の清浄化を行なうことかできる。これは、基
板表面に到達した原子が余分に楯っている熱エネルギー
により表面を激しく動き同わっだ後にエネルギーの低い
表面のへこんな格子位置におさまって、表面を平らにし
ようとするからである。
当てない状態で基板の温度を上げると、基板を構成する
■族原子の解雛かわずかに起こり、基板表面が荒れてし
まう。これに対し、解阿する■族原子の数と同程度であ
る微量なＩＩＩ族分子線を当てておくと、分子線として
基板表面に到達したＩＩＩ族原子が基板表面を動き回り
基板表面を平らにするため基板表面を荒らさず十分な脱
ガスと表向の清浄化を行なうことかできる。これは、基
板表面に到達した原子が余分に楯っている熱エネルギー
により表面を激しく動き同わっだ後にエネルギーの低い
表面のへこんな格子位置におさまって、表面を平らにし
ようとするからである。
〔実施例〕
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
図は本発明の分子線エピタキシ法に用いる分−ｒ−線エ
ピタキシ装置の概念図である。
ピタキシ装置の概念図である。
基板ホルタ−１に取り付けられたＩ ｎ Ｆ’からなる
基板２をヒーター３により加熱し室温から３５０℃まで
徐ノ？に昇温した後、Ａ、 ｓシャッター・１を開けＡ
ｓ分子線源５から分子線強度２Ｘ１０”Ｐｏ １− ｒ
のＡｓ分子線を照射する。Ａｓ分子線を照射したままさ
らに基板２を加熱し５２０℃になった時に、Ｉ ｎシャ
・ツタ−６を開けＩ ｎ分子線源７から分子線強度ＩＸ
１．０−９ＴｏｒｒのＩｎ分子線を照射し始め、さらに
基板温度を６００ ’（”まて上昇さぜる。Ａｓ分子線
とＩ ｎ分子線を照射し７たまま２０分間基板温度を６
００℃に保つ。基板温度を６００℃に２０分間保つこと
により、基板ホルダー１などからの脱カスは３分の１に
減り大きな脱カス効果か得られた。また、基板２の表面
の荒れは全く起こらず十分清浄な基板表面を得ることが
てきた。基板温度を６００’Ｃに２０分間保持したのち
基板温度を５００℃に下げ、Ｔ ｎシャッター６を閉じ
、ＧａシＡ” ツタ−８とＩｎｎシャッター］Ｏ開けて
Ｇａ分子線源９から０２１分子線を、Ｉｎ分子線源１１
からＩ ｎ分子線を照射し■ｎＧａ Ａ Ｓの結晶成長
を行な−）な。
基板２をヒーター３により加熱し室温から３５０℃まで
徐ノ？に昇温した後、Ａ、 ｓシャッター・１を開けＡ
ｓ分子線源５から分子線強度２Ｘ１０”Ｐｏ １− ｒ
のＡｓ分子線を照射する。Ａｓ分子線を照射したままさ
らに基板２を加熱し５２０℃になった時に、Ｉ ｎシャ
・ツタ−６を開けＩ ｎ分子線源７から分子線強度ＩＸ
１．０−９ＴｏｒｒのＩｎ分子線を照射し始め、さらに
基板温度を６００ ’（”まて上昇さぜる。Ａｓ分子線
とＩ ｎ分子線を照射し７たまま２０分間基板温度を６
００℃に保つ。基板温度を６００℃に２０分間保つこと
により、基板ホルダー１などからの脱カスは３分の１に
減り大きな脱カス効果か得られた。また、基板２の表面
の荒れは全く起こらず十分清浄な基板表面を得ることが
てきた。基板温度を６００’Ｃに２０分間保持したのち
基板温度を５００℃に下げ、Ｔ ｎシャッター６を閉じ
、ＧａシＡ” ツタ−８とＩｎｎシャッター］Ｏ開けて
Ｇａ分子線源９から０２１分子線を、Ｉｎ分子線源１１
からＩ ｎ分子線を照射し■ｎＧａ Ａ Ｓの結晶成長
を行な−）な。
このようにしてマ木；−られなＩｎ（−÷ａ Ａ ｓは
電気的にも光学的にも優れた特性を有しており、漱れた
再現性を示した。
電気的にも光学的にも優れた特性を有しており、漱れた
再現性を示した。
本実施例ではｆｎＰ基板を用いたがこれに限らすＧ ａ
Ａ Ｓ基板等地のＩＩ −Ｖ族化合物半導体基板を用
いてもよいことは明らかである。
Ａ Ｓ基板等地のＩＩ −Ｖ族化合物半導体基板を用
いてもよいことは明らかである。
以」二連へたように、本発明によれば、結晶基板の表面
を荒らずことなく十分清浄な基板表面を得ることができ
、光学的、電気的に特性の滑れた化合物半導体を再現性
よく成長させることができる。
を荒らずことなく十分清浄な基板表面を得ることができ
、光学的、電気的に特性の滑れた化合物半導体を再現性
よく成長させることができる。
図は本発明の１実施例に用いた分子線エピタキシ装置の
概念図である。 １・・・基板ホルダー、２・・・基板、３・・・ヒータ
ー、４ ・Ａｓシャッター、５・・・Ａｓ分子線源、６
．１０・ Ｉ ｎシャッター、７，１１・・Ｉｎ分子線
源、８・・ＧＸ（シャッター、９・・・Ｇａ分子線源。
概念図である。 １・・・基板ホルダー、２・・・基板、３・・・ヒータ
ー、４ ・Ａｓシャッター、５・・・Ａｓ分子線源、６
．１０・ Ｉ ｎシャッター、７，１１・・Ｉｎ分子線
源、８・・ＧＸ（シャッター、９・・・Ｇａ分子線源。
Claims (1)
- III−Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキシ法において
、前記III−Ｖ族化合物半導体結晶成長直前にＶ族分子
線とともに基板を構成するIII族原子の解離する原子数
と同程度の微量のIII族分子線を基板表面に当てながら
基板温度を高温にし、基板の脱ガスと基板表面の清浄化
を行なうことを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体の分
子線エピタキシ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23269085A JPS6291493A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | ３−５族化合物半導体の分子線エピタキシ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23269085A JPS6291493A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | ３−５族化合物半導体の分子線エピタキシ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6291493A true JPS6291493A (ja) | 1987-04-25 |
Family
ID=16943255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23269085A Pending JPS6291493A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | ３−５族化合物半導体の分子線エピタキシ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6291493A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04192413A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-10 | Sharp Corp | 化合物半導体の成長方法及び半導体レーザの製造方法 |
-
1985
- 1985-10-17 JP JP23269085A patent/JPS6291493A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04192413A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-10 | Sharp Corp | 化合物半導体の成長方法及び半導体レーザの製造方法 |
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