JPS62176987A - ２−ｖｉ族化合物半導体の分子線エピタキシ法 - Google Patents
２−ｖｉ族化合物半導体の分子線エピタキシ法Info
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- JPS62176987A JPS62176987A JP1629186A JP1629186A JPS62176987A JP S62176987 A JPS62176987 A JP S62176987A JP 1629186 A JP1629186 A JP 1629186A JP 1629186 A JP1629186 A JP 1629186A JP S62176987 A JPS62176987 A JP S62176987A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明ｉ ｎ −ｖ＋族化合物半導体の分子線エビタキ
シ法に関するものである。
シ法に関するものである。
従来性なわれていた■−ｖ族化合物半導体基板を用いた
１−ｖＩ族化合物半導体分子線エピタキシ法では、結晶
成長直前に超高真空中で基板勿加熱することにより基板
表面の清浄化を行なってい友【ジャーナル・オプ・ザ・
エレクトロケミカル・ソサイエティ−（Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａ１８ｏ
ｃｔｅｔｙ） ａ１２７巻、９３７ページ（１９８０年
）〕。
１−ｖＩ族化合物半導体分子線エピタキシ法では、結晶
成長直前に超高真空中で基板勿加熱することにより基板
表面の清浄化を行なってい友【ジャーナル・オプ・ザ・
エレクトロケミカル・ソサイエティ−（Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａ１８ｏ
ｃｔｅｔｙ） ａ１２７巻、９３７ページ（１９８０年
）〕。
しかしながら、基基板塵が高くなると蒸気圧の高い■族
原子が基板から解離し、また、■族原子もわずかながら
解離するため、基板表面が荒れてしまい、十分な基板表
面の清浄化が行なえず、成長した結晶の質や再現性が悪
いという欠点’に！していた。
原子が基板から解離し、また、■族原子もわずかながら
解離するため、基板表面が荒れてしまい、十分な基板表
面の清浄化が行なえず、成長した結晶の質や再現性が悪
いという欠点’に！していた。
本発明の目的に、このような欠点を取り除いた、高品位
のＵ −Ｖｔ族化合物半導体結晶を再現性良く得られる
分子線エピタキシ法を提供することにある。
のＵ −Ｖｔ族化合物半導体結晶を再現性良く得られる
分子線エピタキシ法を提供することにある。
本発明のＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体基板を用いた■−
ＶＩ族化合物半導体の分子線エピタキシ法に、半導体結
晶成長直前に、半導体基板表面に基板を構成する■族原
子の解離を抑えるのに充分な量の■原発子線と、基板か
ら解離する■族原子の数と同程度の微量の■原発子線と
を照射しながら基＆を加熱し、基板の脱ガスと基板表面
の清浄化全行なう工程を含む構成となっている。
ＶＩ族化合物半導体の分子線エピタキシ法に、半導体結
晶成長直前に、半導体基板表面に基板を構成する■族原
子の解離を抑えるのに充分な量の■原発子線と、基板か
ら解離する■族原子の数と同程度の微量の■原発子線と
を照射しながら基＆を加熱し、基板の脱ガスと基板表面
の清浄化全行なう工程を含む構成となっている。
本発明に上述の方法により従来技術の問題点を解決した
。
。
■＝■族半導体基板表面に■原発子線だけを十分呻く照
射することにより基板を加熱した場合にも基板からの■
族原子の解離を防ぐことができる。
射することにより基板を加熱した場合にも基板からの■
族原子の解離を防ぐことができる。
しかしながら、■原発子線の胛射だけでは■族原子がわ
ずかながら基板から解離するため、数原子層程度の基板
表面の荒れが生じる。■原発子線と共に、基板から解離
する■１族原子の数と同程度の微量の■原発子線勿照射
すると、基板表面に到達した■１族原子が余分に持って
いる熱エネルギーにより基板表面＝２ｔｍき回り、エネ
ルギーの低い基板表面のへこんだ格子位置におさまるた
め、常に平坦な基板表面がイリられる。このため、高温
で長時間の基板脱ガスと基板表面の清浄化が行なえる。
ずかながら基板から解離するため、数原子層程度の基板
表面の荒れが生じる。■原発子線と共に、基板から解離
する■１族原子の数と同程度の微量の■原発子線勿照射
すると、基板表面に到達した■１族原子が余分に持って
いる熱エネルギーにより基板表面＝２ｔｍき回り、エネ
ルギーの低い基板表面のへこんだ格子位置におさまるた
め、常に平坦な基板表面がイリられる。このため、高温
で長時間の基板脱ガスと基板表面の清浄化が行なえる。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
図に本発明の分子線エピタキシ法を実施した分子線エピ
タキシ装置の概念因である。
タキシ装置の概念因である。
基板ホルダーＩＫ取り付けられたＧ ！ Ａ ｓからな
る基板２をヒーター３により加熱し室温から３５０ｔ：
まで除徐に昇温した後ｂ Ａｓシャッター４′Ｉｋ開け
Ａｓ分子線源５から分子線強度Ｉ Ｘ ｌ □’ Ｔｏ
ｒｒのＡｓ分子ａｙｔ照射し始めた。Ａｓ分子線を照射
したままさらに基板２を加熱し５２０ｔｌ： になっ
た時にＧａシャッター６を開けＧａ分子線源７から分子
線強度Ｉ Ｘ Ｉ Ｗ’ ＴｏｒｒのＧａ分子線を照射
し始め、さらに基板温度に７００１： まで上昇させ
た。Ａｓ分子線とＧａ分子線を照射し友まま２０分間基
板温度會７００℃ に保った。７００Ｃに２０分間保つ
ことにより、基板ホルダー１などからの脱ガスハ１゜分
の１に減り大きな脱ガス効果が得られｆｃ、また、表面
の荒れは全く起こらず十分清浄な基板表面七得ることが
でき九〇この２０分間の保持ののち基板温度？６００℃
に下げ、Ｇａシャッター６を閉じ、さらに基板温度’（
Ｉ−５００℃に下げＡｓシャッター４を閉じた。基板温
度を３００℃に下げた後Ｚｎシャッター８と８ｅシヤツ
ター１（ｌ開けてＺｎ分子線源９からＺｎ分子線を８ｅ
分子線詠から８ｅ分子線を照射しＺｎ８ｅの結晶成長上
行なった。
る基板２をヒーター３により加熱し室温から３５０ｔ：
まで除徐に昇温した後ｂ Ａｓシャッター４′Ｉｋ開け
Ａｓ分子線源５から分子線強度Ｉ Ｘ ｌ □’ Ｔｏ
ｒｒのＡｓ分子ａｙｔ照射し始めた。Ａｓ分子線を照射
したままさらに基板２を加熱し５２０ｔｌ： になっ
た時にＧａシャッター６を開けＧａ分子線源７から分子
線強度Ｉ Ｘ Ｉ Ｗ’ ＴｏｒｒのＧａ分子線を照射
し始め、さらに基板温度に７００１： まで上昇させ
た。Ａｓ分子線とＧａ分子線を照射し友まま２０分間基
板温度會７００℃ に保った。７００Ｃに２０分間保つ
ことにより、基板ホルダー１などからの脱ガスハ１゜分
の１に減り大きな脱ガス効果が得られｆｃ、また、表面
の荒れは全く起こらず十分清浄な基板表面七得ることが
でき九〇この２０分間の保持ののち基板温度？６００℃
に下げ、Ｇａシャッター６を閉じ、さらに基板温度’（
Ｉ−５００℃に下げＡｓシャッター４を閉じた。基板温
度を３００℃に下げた後Ｚｎシャッター８と８ｅシヤツ
ター１（ｌ開けてＺｎ分子線源９からＺｎ分子線を８ｅ
分子線詠から８ｅ分子線を照射しＺｎ８ｅの結晶成長上
行なった。
このようにして得られたＺｎ８ｅｔ！’Ｉｔ気的にも光
学的にも優れた特性を有しており、４＆れた再現性を示
した。
学的にも優れた特性を有しており、４＆れた再現性を示
した。
本実施例でに、ＧａＡｓ基板を用いＺｎ５ｅの結晶成長
を行なうｔが、これに限らず他の■−■化合物半導体基
板を用いて他の［１−ＶＩ化合部半導体の結晶成長上行
なってもよい。
を行なうｔが、これに限らず他の■−■化合物半導体基
板を用いて他の［１−ＶＩ化合部半導体の結晶成長上行
なってもよい。
以上のように、本発明によれば、基板表面を十分清浄に
できるので高品位のｎ −ｖｉ族化合物半導体を再現性
よく得ることができる。
できるので高品位のｎ −ｖｉ族化合物半導体を再現性
よく得ることができる。
図は本発明の実施に用いた分子線エピタキシ装置の概念
口である。 １・・・・・・基板ホルダー、２・・・・・・基板、３
・・・・・・ヒーター、４・・・・・・Ａｓシャッター
１５・・・・・・Ａｓ分分子温源６・・・・・・Ｇａシ
ャッター、７・・・・・・Ｇａ分子線源、８・・・・・
・Ｚｎシャッター、９・・・・・・Ｚｎ分子線源、１０
・・・・・・Ｓｅシャッター、１１・・・・・・８ｅ分
子線諒。
口である。 １・・・・・・基板ホルダー、２・・・・・・基板、３
・・・・・・ヒーター、４・・・・・・Ａｓシャッター
１５・・・・・・Ａｓ分分子温源６・・・・・・Ｇａシ
ャッター、７・・・・・・Ｇａ分子線源、８・・・・・
・Ｚｎシャッター、９・・・・・・Ｚｎ分子線源、１０
・・・・・・Ｓｅシャッター、１１・・・・・・８ｅ分
子線諒。
Claims (1)
- III−Ｖ族化合物半導体基板を用いたII−VI族化合物
半導体の分子線エピタキシ法において、前記半導体結晶
成長直前に、前記半導体基板表面に基板を構成するＶ族
原子の解離を抑えるのに充分な量のＶ族分子線と、基板
から解離するIII族原子の数と同程度の微量のIII族分子
線とを照射しながら基板を加熱し、基板の脱ガスと基板
表面の清浄化を行なう工程を含むことを特徴とするII−
VI族化合物半導体の分子線エピタキシ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1629186A JPS62176987A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | ２−ｖｉ族化合物半導体の分子線エピタキシ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1629186A JPS62176987A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | ２−ｖｉ族化合物半導体の分子線エピタキシ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62176987A true JPS62176987A (ja) | 1987-08-03 |
Family
ID=11912440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1629186A Pending JPS62176987A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | ２−ｖｉ族化合物半導体の分子線エピタキシ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62176987A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6113414A (en) * | 1998-04-08 | 2000-09-05 | Yazaki Corporation | Connector having a sliding, locking member for ensuring proper connection |
| US6203351B1 (en) | 1997-07-14 | 2001-03-20 | Yazaki Corporation | Connector locking structure |
| US6234825B1 (en) | 1997-07-14 | 2001-05-22 | Yazaki Corporation | Connector locking construction |
-
1986
- 1986-01-27 JP JP1629186A patent/JPS62176987A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6203351B1 (en) | 1997-07-14 | 2001-03-20 | Yazaki Corporation | Connector locking structure |
| US6234825B1 (en) | 1997-07-14 | 2001-05-22 | Yazaki Corporation | Connector locking construction |
| US6113414A (en) * | 1998-04-08 | 2000-09-05 | Yazaki Corporation | Connector having a sliding, locking member for ensuring proper connection |
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