JPS6143413A - 化合物半導体単結晶薄膜の形成方法 - Google Patents
化合物半導体単結晶薄膜の形成方法Info
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- JPS6143413A JPS6143413A JP16482584A JP16482584A JPS6143413A JP S6143413 A JPS6143413 A JP S6143413A JP 16482584 A JP16482584 A JP 16482584A JP 16482584 A JP16482584 A JP 16482584A JP S6143413 A JPS6143413 A JP S6143413A
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- single crystal
- layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は原子単位の精度で厚み制御と同時に化学量論的
組成の制御を行なうに好適な化合物半導体単結晶薄膜の
形成力法に関する。
組成の制御を行なうに好適な化合物半導体単結晶薄膜の
形成力法に関する。
従来より、気相エピタキシャル法もしくはＣＶＤ法と呼
ばれる薄膜形成方法が知られているが、これらの方法は
供給ガスの量、成長温度および成長時間等の制御により
膜厚をコントロールせざるを得ず、再現性等を考えると
、原子単位の精度の薄膜を形成することは非常に困難で
ある。
ばれる薄膜形成方法が知られているが、これらの方法は
供給ガスの量、成長温度および成長時間等の制御により
膜厚をコントロールせざるを得ず、再現性等を考えると
、原子単位の精度の薄膜を形成することは非常に困難で
ある。
一方、真空蒸着法を発展させ、超高真空中での結晶成長
させるＭ［３１！法は比較的厚さ制御の出来る方法であ
るが、真空蒸着を基礎としているため。
させるＭ［３１！法は比較的厚さ制御の出来る方法であ
るが、真空蒸着を基礎としているため。
結晶の品質が表面欠陥密度やトラップ密度が高い等、化
学反応を利用した気相成長法に劣る。また。
学反応を利用した気相成長法に劣る。また。
膜厚の均一性も悪く、分子線の指向性を調整する方法が
未開発で、蒸着中に試料を回転させる工夫等が必要であ
り、膜厚の制御も基本的には蒸発量の制御などによるも
のであるから、長時間にわたって蒸発量を一定に保てな
いあるいは分子線強度モニタの安定性が良く無い等の理
由から、解決すべき問題が多い。
未開発で、蒸着中に試料を回転させる工夫等が必要であ
り、膜厚の制御も基本的には蒸発量の制御などによるも
のであるから、長時間にわたって蒸発量を一定に保てな
いあるいは分子線強度モニタの安定性が良く無い等の理
由から、解決すべき問題が多い。
前記ＭＢＥ法は同時に各構成元素を真空蒸着するもので
あり、各構成元素を独立に制御しがたく。
あり、各構成元素を独立に制御しがたく。
化合物半導体の化学量論的組成の制御が困難である。こ
れを改良したのが原子層エピタキシー法（以後ＡＬＥ法
と呼ぶ）で、Ｔ、５ｕｎｔｏｌａがｕ、ｓ、ｐ。
れを改良したのが原子層エピタキシー法（以後ＡＬＥ法
と呼ぶ）で、Ｔ、５ｕｎｔｏｌａがｕ、ｓ、ｐ。
Ｎｏ、４０５８４３０ （’７７）で詳しく説明してい
るように。
るように。
単元素の層を一層ずつ交互に蒸着することにより単原子
層ずつ成長するもので、各成分元素を独立に制御し得る
為、化学量論的組成の制御も容易である。この方法によ
り、 ＣｄＴｅ、およびＺｎＴａ等の■−■族化合物半
導体の薄膜成長に成功している。
層ずつ成長するもので、各成分元素を独立に制御し得る
為、化学量論的組成の制御も容易である。この方法によ
り、 ＣｄＴｅ、およびＺｎＴａ等の■−■族化合物半
導体の薄膜成長に成功している。
しかし、 ＭＢＥ法と同様、真空蒸着を基礎としている
ため、結晶性が悪い。一方、蒸着で無く化学反応を利用
したＡｌ２法も試みられてはいるが、ＺｎＳのようなＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体の多結晶、もしくはＴａ、 ０
．のような化合物のアモルファスで、単結晶成長には成
功していない。
ため、結晶性が悪い。一方、蒸着で無く化学反応を利用
したＡｌ２法も試みられてはいるが、ＺｎＳのようなＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体の多結晶、もしくはＴａ、 ０
．のような化合物のアモルファスで、単結晶成長には成
功していない。
このように、従来技術の気相エピタキシー法。
ＣＶＤ法では単原子精度の膜厚制御は困難である一方、
ＭＢＥ＆では結晶性に問題があり、また化学量論的組
成の制御も困難で、蒸着によりＡｌ２法は結晶性に問題
があり、化学反応によるＡｌ２法でも単結晶成長出来な
いという欠点があった。
ＭＢＥ＆では結晶性に問題があり、また化学量論的組
成の制御も困難で、蒸着によりＡｌ２法は結晶性に問題
があり、化学反応によるＡｌ２法でも単結晶成長出来な
いという欠点があった。
本発明は上記従来技術の欠点を除き、ＪＭ子単位の精度
での膜厚制御と同時に、化学量論的組成の制御を可能に
して、高品質な単結晶薄膜が形成できる方法を提供する
ことを目的とする。
での膜厚制御と同時に、化学量論的組成の制御を可能に
して、高品質な単結晶薄膜が形成できる方法を提供する
ことを目的とする。
本発明は化合物半導体の各成分元素を含む分子状ガスを
それぞれ交互に導入し、真空排気するサイクルを繰り返
すことにより、原子単位の精度で膜厚制御を行なって単
結晶を成長させるが、その際、少なくとも一方の分子状
ガスの蒸気圧を一分子層吸着相当分よりも極く僅か高め
にし、一分子層吸着層を作る時間を短かくすると共に、
分子状ガスの蒸気圧又は導入時間を調整することにより
。
それぞれ交互に導入し、真空排気するサイクルを繰り返
すことにより、原子単位の精度で膜厚制御を行なって単
結晶を成長させるが、その際、少なくとも一方の分子状
ガスの蒸気圧を一分子層吸着相当分よりも極く僅か高め
にし、一分子層吸着層を作る時間を短かくすると共に、
分子状ガスの蒸気圧又は導入時間を調整することにより
。
高品質な単結晶薄膜が形成できるようにしたものである
。
。
即ち、本発明はＡｌ２法と同様に、ソースガスの交互導
入による結晶成長ではあるが、Ａｌ２法は基板表面に単
元素の層を一層ずつ蒸着して成長するのに対し１本発明
では、基板の各成分元素を含む分子のガスを交互に導入
し、分子の吸着層を一層ずつ積み、吸着分子の表面泳動
過程や表面反応過程を用いて−サイクルー分子層ずつ単
結晶成長させている点がＡｌ２法と異なる。
入による結晶成長ではあるが、Ａｌ２法は基板表面に単
元素の層を一層ずつ蒸着して成長するのに対し１本発明
では、基板の各成分元素を含む分子のガスを交互に導入
し、分子の吸着層を一層ずつ積み、吸着分子の表面泳動
過程や表面反応過程を用いて−サイクルー分子層ずつ単
結晶成長させている点がＡｌ２法と異なる。
その際１表面吸着分子層が一層形成されるためのソース
ガスの蒸気圧、導入時間、導入量を調べ、短時間で成長
でき、しかも化学量論的組成制御可能な条件も見い出し
たものである。
ガスの蒸気圧、導入時間、導入量を調べ、短時間で成長
でき、しかも化学量論的組成制御可能な条件も見い出し
たものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る化合物半導体単結晶成
長装置の構成図を示したもので、１は成長槽で材質はス
テンレス等の金属、２はゲートバルブ、３は成長槽ｌ内
を超高真空に排気するための排気装置、４，５は例えば
■−Ｖ族化合物半導体の■族、Ｖ族の成分元素のガス状
の化合物を導入するノズル、６，７はノズル４，５を開
閉するバルブ、８は■族の成分元素を含むガス状の化合
物、９は■族の成分元素を含むガス状の化合物、１０は
基板加熱用のヒーターで石英ガラスに封入したタングス
テン（Ｗ）線であり、電線等は省略して図示していない
、１１は測温用の熱電対、１２は化合物半導体の基板、
１３は成長槽内の真空度を測るための圧力計である。
長装置の構成図を示したもので、１は成長槽で材質はス
テンレス等の金属、２はゲートバルブ、３は成長槽ｌ内
を超高真空に排気するための排気装置、４，５は例えば
■−Ｖ族化合物半導体の■族、Ｖ族の成分元素のガス状
の化合物を導入するノズル、６，７はノズル４，５を開
閉するバルブ、８は■族の成分元素を含むガス状の化合
物、９は■族の成分元素を含むガス状の化合物、１０は
基板加熱用のヒーターで石英ガラスに封入したタングス
テン（Ｗ）線であり、電線等は省略して図示していない
、１１は測温用の熱電対、１２は化合物半導体の基板、
１３は成長槽内の真空度を測るための圧力計である。
以上の構成で、成長槽１内の圧力、基板１２の加熱温度
、ガスの導入量等をパラメータとして結晶成長状態を調
べた結果、下記の条件にて結晶成長させると、高品質の
単結晶薄膜を原子単位の精度で形成できることが実験的
に確認できた。即ち、Ｇａｐｓの単結晶をＧａＡｓ基板
１上にエピタキシャル成長させるには、先ずゲートバル
ブ２を開けて超高真空排気装置３により、成長槽ｌ内を
１０″″７〜１０″″＠Ｐａ５ｃａｌ（以下、Ｐａと略
す）程度に排気する１次に。
、ガスの導入量等をパラメータとして結晶成長状態を調
べた結果、下記の条件にて結晶成長させると、高品質の
単結晶薄膜を原子単位の精度で形成できることが実験的
に確認できた。即ち、Ｇａｐｓの単結晶をＧａＡｓ基板
１上にエピタキシャル成長させるには、先ずゲートバル
ブ２を開けて超高真空排気装置３により、成長槽ｌ内を
１０″″７〜１０″″＠Ｐａ５ｃａｌ（以下、Ｐａと略
す）程度に排気する１次に。
ＧａＡｓ基板１２を３００〜８００℃にヒーターｌＯに
より加熱し、 Ｇａを含むガスとしてＴＭＧ（トリメチ
ルガリウム）８を成長槽１内の圧力が、１０″″１〜１
０−’Ｐａになる範囲で、０．５〜１０秒間バルブ６を
開けて導入する。その後、バルブ６を閉じて成長槽１内
のガスを排気後、今度はム３を含むガスとしてＡｓ１ａ
（アルシン）９を成長槽１内の圧力が１０−１〜１Ｇ
””Ｐａになる範囲で、２〜２００秒間バルブ７を開け
て導入する。これにより、基板１２上にＧａＡｓが１分
子層成長できる０以上の操作を繰り返し、単分子層を次
々と成長させることにより、所望の厚さのＧａＡｓの単
結晶成長層を原子単位の精度で成長させることができる
。
より加熱し、 Ｇａを含むガスとしてＴＭＧ（トリメチ
ルガリウム）８を成長槽１内の圧力が、１０″″１〜１
０−’Ｐａになる範囲で、０．５〜１０秒間バルブ６を
開けて導入する。その後、バルブ６を閉じて成長槽１内
のガスを排気後、今度はム３を含むガスとしてＡｓ１ａ
（アルシン）９を成長槽１内の圧力が１０−１〜１Ｇ
””Ｐａになる範囲で、２〜２００秒間バルブ７を開け
て導入する。これにより、基板１２上にＧａＡｓが１分
子層成長できる０以上の操作を繰り返し、単分子層を次
々と成長させることにより、所望の厚さのＧａＡｓの単
結晶成長層を原子単位の精度で成長させることができる
。
第２図（ａ）〜（Ｃ）は所望の厚さのＧａＡｓ単結晶の
膜厚を以上の方法で形成した時の一すイクル当りの成長
厚みをプロットしたもので、同図（ａ）は導入ガス蒸気
圧に応じた図、同図（ｂ）は導入ガス量（蒸気圧と導入
時間の積）に応じた図、同図（ｃ）は導入時間に応じた
図である。
膜厚を以上の方法で形成した時の一すイクル当りの成長
厚みをプロットしたもので、同図（ａ）は導入ガス蒸気
圧に応じた図、同図（ｂ）は導入ガス量（蒸気圧と導入
時間の積）に応じた図、同図（ｃ）は導入時間に応じた
図である。
同図（ａ）で、 ｐ＝ｐ、の時１丁度一分子層吸着層が
形成される蒸気圧である。さらに蒸気圧を高くしていく
と、ｐ＝ｐ、において二分子層−サイクルで吸着層が形
成されることを示している。ｅ、より少し蒸気圧を高く
して成長させると、導入時間は同図（ｃ）に示すように
大幅に短縮される。−サイクル当りの成長層厚みは、導
入時間に対し、はぼ対数関数的に飽和するのであるから
飽和値の９９．９％から１００％までの時間は非常に長
く、少し時間が不足していれば、吸着分子層に空孔が生
じ、化学量論的組成を満足し得なくなる。基板表面にガ
ス分子を導入し１丁度一分子層吸着層が形成された状態
は、はぼ平衡状態と考えられるが、さらに真空排気する
ことにより、非平衡状態になり少し離脱する吸着分子が
ある。したがって、次の相手の分子のガスが尋人される
までに丁度一分子層形成されている為には、少し、蒸気
圧を余分に加えて、最初は一吸着分子層分より少し多め
に吸着させ。
形成される蒸気圧である。さらに蒸気圧を高くしていく
と、ｐ＝ｐ、において二分子層−サイクルで吸着層が形
成されることを示している。ｅ、より少し蒸気圧を高く
して成長させると、導入時間は同図（ｃ）に示すように
大幅に短縮される。−サイクル当りの成長層厚みは、導
入時間に対し、はぼ対数関数的に飽和するのであるから
飽和値の９９．９％から１００％までの時間は非常に長
く、少し時間が不足していれば、吸着分子層に空孔が生
じ、化学量論的組成を満足し得なくなる。基板表面にガ
ス分子を導入し１丁度一分子層吸着層が形成された状態
は、はぼ平衡状態と考えられるが、さらに真空排気する
ことにより、非平衡状態になり少し離脱する吸着分子が
ある。したがって、次の相手の分子のガスが尋人される
までに丁度一分子層形成されている為には、少し、蒸気
圧を余分に加えて、最初は一吸着分子層分より少し多め
に吸着させ。
真空排気後、丁度−吸着分子層が形成されるようにする
。
。
第３図（ａ）〜（ｄ）はそれを模型的に表わしたもので
１０１は基板、１０２はＧａを含む分子、１０３はＡｓ
を含む分子である。同図（ａ）は短時間で、少し多めの
吸着層を形成したところ、時間が短いので少しむらがあ
り、空孔部も見られるが全数は一吸着層よりも少し多い
、バルブを閉じ真空排気時に１０２が少し離脱し、なら
されて、同図（ｂ）に示すように丁度−吸着分子層形成
される。１０３β少し多めに導入されるが、真空排気後
ならされて１Ｍ果的には同図（ｄ）に示すように、化学
量論的組成を満足した一分子層が形成される。逆に圧力
が少し低めで時間を長くして丁度一分子層形成しようと
すると２桁程度時間を長くせざるを得ない場合もあり。
１０１は基板、１０２はＧａを含む分子、１０３はＡｓ
を含む分子である。同図（ａ）は短時間で、少し多めの
吸着層を形成したところ、時間が短いので少しむらがあ
り、空孔部も見られるが全数は一吸着層よりも少し多い
、バルブを閉じ真空排気時に１０２が少し離脱し、なら
されて、同図（ｂ）に示すように丁度−吸着分子層形成
される。１０３β少し多めに導入されるが、真空排気後
ならされて１Ｍ果的には同図（ｄ）に示すように、化学
量論的組成を満足した一分子層が形成される。逆に圧力
が少し低めで時間を長くして丁度一分子層形成しようと
すると２桁程度時間を長くせざるを得ない場合もあり。
−サイクル一時間で成長するという場合も生じ得るか、
あまり長時間真空中に基板をおくと、逆にＧａもしくは
Ａｓが離脱し、化学量論的組成がずれてしまう、蒸気圧
は２〜３桁変えるのは容易で、したがって短時間で成長
出来、化学量論的組成も制御出来る。
あまり長時間真空中に基板をおくと、逆にＧａもしくは
Ａｓが離脱し、化学量論的組成がずれてしまう、蒸気圧
は２〜３桁変えるのは容易で、したがって短時間で成長
出来、化学量論的組成も制御出来る。
結晶成長時に同時に基板表面からＧａもしくはＡｓが離
脱するが、これを防ぐ為には、各ソースガスの最適の蒸
気圧が存在するので、その各ソースガスの最適蒸気圧で
、しかも−吸着分子層分より少し余分にガスが導入され
るように時間を調整すれば、蒸気圧で化学量論的組成の
制御が出来る。
脱するが、これを防ぐ為には、各ソースガスの最適の蒸
気圧が存在するので、その各ソースガスの最適蒸気圧で
、しかも−吸着分子層分より少し余分にガスが導入され
るように時間を調整すれば、蒸気圧で化学量論的組成の
制御が出来る。
以上のように本発明によれば、蒸気圧を少し高めにする
ことにより、短時間で単結晶薄膜が成長できるので、量
産性が上がると同時に、化合物半導体の一方の元素の離
脱が防げる。また、成長中での格子の乱れが少なく、蒸
気圧と時間の調整で。
ことにより、短時間で単結晶薄膜が成長できるので、量
産性が上がると同時に、化合物半導体の一方の元素の離
脱が防げる。また、成長中での格子の乱れが少なく、蒸
気圧と時間の調整で。
最適蒸気圧で成長出来るので、化学量論的組成の制御が
容易で、結晶性が良くなるという効果が得られる。
容易で、結晶性が良くなるという効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例に係る結晶成長装置の構成図
、第２図は第１図の装置により形成される１サイクル当
りめ成長厚みをプロットした図で、同図（ａ）は対導入
ガス蒸気圧特性図、同図（ｂ）は対ガス導入量特性図、
同図（Ｃ）は対ガス導入時間特性図。第３図（ａ）〜（
ｄ）は一分子層吸着層形成過程説明図である。 １・・・成長槽、２・・・ゲートバルブ、３・・・排気
装置、４，５・・・ノズル、６，７・・・バルブ、８，
９・・・ガス状の化合物、１０・・・ヒーター、１１・
・・熱電体、１２・・・基板、１３・・・圧力計。 第１図 方“°ス４人碕間 □ 第３図
、第２図は第１図の装置により形成される１サイクル当
りめ成長厚みをプロットした図で、同図（ａ）は対導入
ガス蒸気圧特性図、同図（ｂ）は対ガス導入量特性図、
同図（Ｃ）は対ガス導入時間特性図。第３図（ａ）〜（
ｄ）は一分子層吸着層形成過程説明図である。 １・・・成長槽、２・・・ゲートバルブ、３・・・排気
装置、４，５・・・ノズル、６，７・・・バルブ、８，
９・・・ガス状の化合物、１０・・・ヒーター、１１・
・・熱電体、１２・・・基板、１３・・・圧力計。 第１図 方“°ス４人碕間 □ 第３図
Claims (3)
- （１）化合物半導体の各成分元素を含む分子状ガスをそ
れぞれ交互に導入し、真空排気するサイクルを繰り返す
ことにより、原子単位の精度で厚み制御を行なって結晶
成長する方法において、少なくとも一方の前記分子状ガ
スの蒸気圧を一分子層吸着相当分より極く僅か高めにし
、一分子吸着層を形成する時間を短縮することを特徴と
する化合物半導体単結晶薄膜の形成方法。 - （２）化合物半導体の各成分元素を含む分子状ガスをそ
れぞれ交互に導入し、真空排気するサイクルを繰り返す
ことにより、原子単位の精度で厚み制御を行なって結晶
成長する方法において、前記分子状ガスの蒸気圧もしく
は導入時間を調整して化合物半導体の化学量論的組成の
制御を行なうことを特徴とする化合物半導体単結晶薄膜
の形成方法。 - （３）特許請求の範囲第２項記載において、前記分子状
ガスの少なくとも一方の蒸気圧を最適圧力もしくはそれ
よりも極く僅か高めとする一方、その分子状ガスの導入
量を１分子層吸着分より極く僅か高めに調整する化合物
半導体単結晶薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59164825A JPH07120625B2 (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 化合物半導体単結晶薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59164825A JPH07120625B2 (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 化合物半導体単結晶薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6143413A true JPS6143413A (ja) | 1986-03-03 |
| JPH07120625B2 JPH07120625B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=15800631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59164825A Expired - Lifetime JPH07120625B2 (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 化合物半導体単結晶薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120625B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009246405A (ja) * | 2009-07-30 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
| JP2010153795A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| JP2012169645A (ja) * | 2012-04-05 | 2012-09-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理方法並びに基板処理装置 |
| JP2013062541A (ja) * | 2012-12-21 | 2013-04-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55130896A (en) * | 1979-02-28 | 1980-10-11 | Lohja Ab Oy | Method and device for growing compound thin membrane |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP59164825A patent/JPH07120625B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55130896A (en) * | 1979-02-28 | 1980-10-11 | Lohja Ab Oy | Method and device for growing compound thin membrane |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9385013B2 (en) | 2008-11-26 | 2016-07-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method and apparatus of manufacturing a semiconductor device by forming a film on a substrate |
| US10026607B2 (en) | 2008-11-26 | 2018-07-17 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Substrate processing apparatus for forming film including at least two different elements |
| US9384967B2 (en) | 2008-11-26 | 2016-07-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device by forming a film on a substrate |
| US9487861B2 (en) | 2008-11-26 | 2016-11-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus capable of forming films including at least two different elements |
| US9312123B2 (en) | 2008-11-26 | 2016-04-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
| US9330904B2 (en) | 2008-11-26 | 2016-05-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
| US9384968B2 (en) | 2008-11-26 | 2016-07-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device by forming a film on a substrate |
| US9384966B2 (en) | 2008-11-26 | 2016-07-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device by forming a film on a substrate |
| US9478417B2 (en) | 2008-11-26 | 2016-10-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device for forming film including at least two different elements |
| JP2010153795A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| US9384971B2 (en) | 2008-11-26 | 2016-07-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device by forming a film on a substrate |
| US9384972B2 (en) | 2008-11-26 | 2016-07-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device by forming a film on a substrate |
| US9384970B2 (en) | 2008-11-26 | 2016-07-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device by forming a film on a substrate |
| US9384969B2 (en) | 2008-11-26 | 2016-07-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device by forming a film on a substrate |
| US9443719B2 (en) | 2008-11-26 | 2016-09-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device for forming film including at least two different elements |
| US9443720B2 (en) | 2008-11-26 | 2016-09-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device for forming film including at least two different elements |
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| JPH07120625B2 (ja) | 1995-12-20 |
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