JPS60165713A - 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 - Google Patents
分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造Info
- Publication number
- JPS60165713A JPS60165713A JP59022313A JP2231384A JPS60165713A JP S60165713 A JPS60165713 A JP S60165713A JP 59022313 A JP59022313 A JP 59022313A JP 2231384 A JP2231384 A JP 2231384A JP S60165713 A JPS60165713 A JP S60165713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heater
- block
- molecular beam
- constitution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/22—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using physical deposition, e.g. vacuum deposition or sputtering
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、超高真空のチャンバ内にウェハを装填し、こ
のウェハには分子線の形で、Ｇａ、Ａｔ、Ａｓ等の材料
を入射して膜生長させる分子線エピタキシャル装置にお
けるウェハ装着構造に係り、特にはモリブデンブロック
にウェハを固定して成るウェハ装着構造に関する。
のウェハには分子線の形で、Ｇａ、Ａｔ、Ａｓ等の材料
を入射して膜生長させる分子線エピタキシャル装置にお
けるウェハ装着構造に係り、特にはモリブデンブロック
にウェハを固定して成るウェハ装着構造に関する。
第１図は、分子線エピタキシャル装置の原理を説明する
ための図である。同図において、１は内部が超高真空の
チャンバ、２はこのチャンバ１内に装填されたＧａＡｓ
のウェハ、３はウェハ加熱用ヒータ、４はウェハ２に分
子線の形で入射されるＧａ、 Ａｚ、 Ａｓ等の材料供
給源、５はヒータ線、６はシャッタ、７は電子銃、８は
質量分析器、９はＲＨＥＥＤ（高速反射電子線回折の略
称）スクリーン、Ａはビューポート、Ｂはウェハの温度
測定用のパイロメータである。
ための図である。同図において、１は内部が超高真空の
チャンバ、２はこのチャンバ１内に装填されたＧａＡｓ
のウェハ、３はウェハ加熱用ヒータ、４はウェハ２に分
子線の形で入射されるＧａ、 Ａｚ、 Ａｓ等の材料供
給源、５はヒータ線、６はシャッタ、７は電子銃、８は
質量分析器、９はＲＨＥＥＤ（高速反射電子線回折の略
称）スクリーン、Ａはビューポート、Ｂはウェハの温度
測定用のパイロメータである。
第２図は−に記チャンバ１の一部破断斜視図である。第
２図において、９′はシャッタ６の操作用ノブ、１０は
液体窒素の容器、１１はチャンバ１のウェハ装填穴１２
からチャンバ１内に装填されたウェハ２を分子線入射側
に向けるなどの操作用ノブである。このウェハ２は第３
図に示すように、モリブデンブロック１３の表面１４に
インジウム等の張り付は用部材１５を介して張り付られ
る場合がこれまでの技術で゛あったが、これに改良を加
えた場合（特顆間５８−１．９０２１０）にはＩｎを介
さず抑圧部材にて固定され、この状態でチャンバ１内に
装填される。
２図において、９′はシャッタ６の操作用ノブ、１０は
液体窒素の容器、１１はチャンバ１のウェハ装填穴１２
からチャンバ１内に装填されたウェハ２を分子線入射側
に向けるなどの操作用ノブである。このウェハ２は第３
図に示すように、モリブデンブロック１３の表面１４に
インジウム等の張り付は用部材１５を介して張り付られ
る場合がこれまでの技術で゛あったが、これに改良を加
えた場合（特顆間５８−１．９０２１０）にはＩｎを介
さず抑圧部材にて固定され、この状態でチャンバ１内に
装填される。
一方、チャンバ１内には、前記装填位置にあるモリブデ
ンブロック１３を支持する部材１６とヒータ３とが設け
られる。したがって、モリブデンブロック１３がチャン
バ１内の所定の位置に装填されると、モリブデンブロッ
ク１３の裏面１８側にはヒータ３が配置されることにな
る。ヒータ３により加熱されるウェハ２の温度は、ビュ
ーポー）Ａに取付けられたパイロメータＢにより検知さ
れる。
ンブロック１３を支持する部材１６とヒータ３とが設け
られる。したがって、モリブデンブロック１３がチャン
バ１内の所定の位置に装填されると、モリブデンブロッ
ク１３の裏面１８側にはヒータ３が配置されることにな
る。ヒータ３により加熱されるウェハ２の温度は、ビュ
ーポー）Ａに取付けられたパイロメータＢにより検知さ
れる。
このような改良された従来例のウェハ装着構造では、ウ
ェハ２は、モリブデンブロック１３が加熱された後にモ
リブデンブロック１３からの輻射熱によって加熱されて
いる。このようにウェハ２の加熱が、モリブデンブロッ
ク１３を介して行なわれるので、ウェハ２の温度を充分
に上げることができず、結晶性の良好な生長層を得るこ
とが出来なかった。
ェハ２は、モリブデンブロック１３が加熱された後にモ
リブデンブロック１３からの輻射熱によって加熱されて
いる。このようにウェハ２の加熱が、モリブデンブロッ
ク１３を介して行なわれるので、ウェハ２の温度を充分
に上げることができず、結晶性の良好な生長層を得るこ
とが出来なかった。
本発明は」二連の点に鑑・みてなされたものであって、
ウェハ２の温度を充分上げることによって結（３） 品性の良好な生長層を得ることを目的とする。
ウェハ２の温度を充分上げることによって結（３） 品性の良好な生長層を得ることを目的とする。
以下、図面によって本発明の実施例について詳細に説明
する。第４図は本発明の一実施例の要部の断面図であり
、第５図はその側面図である。これらの図面において、
第３図に対応する部分には、同一の参照符を付す。第４
図において、２はＧａＡＳのウェハ、３はヒータ、１３
′はモリブデンブロック、１６は支持部材である。なお
、この実施例は、第１図および第２図に示す分子線エピ
タキシャル装置に適用される。
する。第４図は本発明の一実施例の要部の断面図であり
、第５図はその側面図である。これらの図面において、
第３図に対応する部分には、同一の参照符を付す。第４
図において、２はＧａＡＳのウェハ、３はヒータ、１３
′はモリブデンブロック、１６は支持部材である。なお
、この実施例は、第１図および第２図に示す分子線エピ
タキシャル装置に適用される。
本発明に従う分子線エピタキシャル装置のウェハ装着構
造では、モリブデンブロック１３′のウェハ２が固定さ
れる部分に、ヒータ３に対向してウェハ２よりも小径な
貫通孔２０が形成される。さらにモリブデンブロック１
３には、その表面１４側に、ウェハ２を取付けるための
段部２５が貫通孔２０の外周に沿って形成される。ウェ
ハ２は、ねじ２１に支持された角変位可能な押圧部拐２
２によって、モリブデンブロック１３′前記段部２５に
押圧されて固定される。
造では、モリブデンブロック１３′のウェハ２が固定さ
れる部分に、ヒータ３に対向してウェハ２よりも小径な
貫通孔２０が形成される。さらにモリブデンブロック１
３には、その表面１４側に、ウェハ２を取付けるための
段部２５が貫通孔２０の外周に沿って形成される。ウェ
ハ２は、ねじ２１に支持された角変位可能な押圧部拐２
２によって、モリブデンブロック１３′前記段部２５に
押圧されて固定される。
（４）
このようにモリブデンブロック１３′には、ウエノ＼２
が固定される部分に、ウェハ２よりも小径な貫通孔２０
を形成したので、ウェハ２がヒータ３によって直接加熱
されることになり、なお、かつモリブデンブロックとは
点接触のためモリブデンブロック全体の温度を上昇させ
なくともウエノ１２のみの温度を充分に高くすることが
でき、これによって結晶性の良好な生長層を得ることが
可能となる。
が固定される部分に、ウェハ２よりも小径な貫通孔２０
を形成したので、ウェハ２がヒータ３によって直接加熱
されることになり、なお、かつモリブデンブロックとは
点接触のためモリブデンブロック全体の温度を上昇させ
なくともウエノ１２のみの温度を充分に高くすることが
でき、これによって結晶性の良好な生長層を得ることが
可能となる。
また、従来例に比べてヒータ３の出力を上げることなく
ウェハ温度を高めることができるので、ヒータ３からの
不要なガスの発生を抑制することも可能となり、チャン
バ１内の雰囲気を良くすることができる。
ウェハ温度を高めることができるので、ヒータ３からの
不要なガスの発生を抑制することも可能となり、チャン
バ１内の雰囲気を良くすることができる。
この実施例では、加熱によってウェハ２から放出される
Ａｓがヒータ３を損傷しないように、ウェハ２の裏面、
即ちヒータ３に臨む側の面にＳｉＯ２゜Ｓ ｉ ３ Ｎ
４ 、 Ａｚ２０３等から成る薄膜２３を形成している
。
Ａｓがヒータ３を損傷しないように、ウェハ２の裏面、
即ちヒータ３に臨む側の面にＳｉＯ２゜Ｓ ｉ ３ Ｎ
４ 、 Ａｚ２０３等から成る薄膜２３を形成している
。
さらにこの薄膜２３の厚みをヒータ３からの赤外線のピ
ーク波長の域にすることによって、薄膜２３を反則防止
膜としても機能させており、これによってウェハ２の熱
の吸収が促進される。
ーク波長の域にすることによって、薄膜２３を反則防止
膜としても機能させており、これによってウェハ２の熱
の吸収が促進される。
以上のように本発明によれば、モリブデンブロックのウ
ェハが固定される部分に、ウェハよりも小径な貫通孔が
形成されたので、ヒータによってウェハが直接加熱され
ることになり、これによってウェハの温度を充分上げる
ことができ、結晶性の良好な生長層を得ることが可能と
なる。
ェハが固定される部分に、ウェハよりも小径な貫通孔が
形成されたので、ヒータによってウェハが直接加熱され
ることになり、これによってウェハの温度を充分上げる
ことができ、結晶性の良好な生長層を得ることが可能と
なる。
第１図は分子線エピタキシャル装置の原理説明に供する
該装置の模式図、第２図はこの装置のチャンバの一部切
欠き斜視図、第３図は従来例の断面図、第４図は本発明
の実施例の断面図、第５図は第４図の側面図である。 ２・・・・・・ウェハ、３・・・・・・ヒータ、１３．
１３’ ・−・・・−モリブデンブロック、２０・・・
・・・貫通孔。 出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士岡田和秀 第１図 第２図 特開昭ＧＯ−ＩＧ５７１３（３） 第３図 第４図 第５図
該装置の模式図、第２図はこの装置のチャンバの一部切
欠き斜視図、第３図は従来例の断面図、第４図は本発明
の実施例の断面図、第５図は第４図の側面図である。 ２・・・・・・ウェハ、３・・・・・・ヒータ、１３．
１３’ ・−・・・−モリブデンブロック、２０・・・
・・・貫通孔。 出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士岡田和秀 第１図 第２図 特開昭ＧＯ−ＩＧ５７１３（３） 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- （１）超高真空のチャンバ内に、モリブデンブロックの
表面に固定されたウェハが装填される一方、このチャン
バ内には該チャンバ内のモリブデンブロックの裏面側に
位置してヒータが設けられる分子線エピタキシャル装置
に適用される該モリブデンブロックには、前記ウェハが
固定される部分に、ウェハよりも小径な貫通孔が形成さ
れたことを特徴とする分子線エピタキシャル装置のウェ
ハ装着構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59022313A JPS60165713A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59022313A JPS60165713A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165713A true JPS60165713A (ja) | 1985-08-28 |
| JPH0237691B2 JPH0237691B2 (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=12079240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59022313A Granted JPS60165713A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165713A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012142408A3 (en) * | 2011-04-14 | 2012-12-06 | Veeco Instruments Inc. | Substrate holders and methods of substrate mounting |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5730320A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Fujitsu Ltd | Substrate holder for molecular beam epitaxy |
| JPS58190897A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長方法 |
-
1984
- 1984-02-08 JP JP59022313A patent/JPS60165713A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5730320A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Fujitsu Ltd | Substrate holder for molecular beam epitaxy |
| JPS58190897A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012142408A3 (en) * | 2011-04-14 | 2012-12-06 | Veeco Instruments Inc. | Substrate holders and methods of substrate mounting |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0237691B2 (ja) | 1990-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4203799A (en) | Method for monitoring thickness of epitaxial growth layer on substrate | |
| Leyendecker et al. | Laser induced chemical vapor deposition of carbon | |
| US3982148A (en) | Heat radiating coating and method of manufacture thereof | |
| US5991508A (en) | Thermal processing apparatus with a shield between heater and substrate | |
| US6617539B1 (en) | Laser heating apparatus | |
| JPH08139047A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS60165713A (ja) | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 | |
| TW202436656A (zh) | 基板加熱方法、基板加熱器及熱雷射蒸鍍系統 | |
| JP3332257B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JP3923228B2 (ja) | 基板保持機構およびそれを用いた化合物半導体の製造方法 | |
| JPS6337079B2 (ja) | ||
| JP3323522B2 (ja) | 分子線セル | |
| JPS63122211A (ja) | 分子線発生装置 | |
| JPH0885865A (ja) | レーザ蒸着法による薄膜の作製方法 | |
| JPS63297293A (ja) | 結晶成長法 | |
| JP2850642B2 (ja) | 分子線エピタキシー装置の水銀カドミウムテルル薄膜用基板ホルダー | |
| JPS6142125A (ja) | Ｍｂｅ用基板およびその温度測定法 | |
| JPH04104990A (ja) | 分子線エピタキシャル成長用均熱板 | |
| JPH0215520B2 (ja) | ||
| JPS61139021A (ja) | Ｍｂｅ用基板の温度測定方法 | |
| JP2765880B2 (ja) | Ｍｂｅ装置 | |
| JPS6092607A (ja) | 電子ビ−ムアニ−ル装置 | |
| JP3139045B2 (ja) | 分子線結晶成長装置 | |
| JPH0136976B2 (ja) | ||
| Malyutenko et al. | Infrared emission of free carriers in semiconductors below the fundamental absorption edge |