JPS60165713A - 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 - Google Patents
分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造Info
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- JPS60165713A JPS60165713A JP2231384A JP2231384A JPS60165713A JP S60165713 A JPS60165713 A JP S60165713A JP 2231384 A JP2231384 A JP 2231384A JP 2231384 A JP2231384 A JP 2231384A JP S60165713 A JPS60165713 A JP S60165713A
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- Japan
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- heater
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- molecular beam
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、超高真空のチャンバ内にウェハを装填し、こ
のウェハには分子線の形で、Ga、At、As等の材料
を入射して膜生長させる分子線エピタキシャル装置にお
けるウェハ装着構造に係り、特にはモリブデンブロック
にウェハを固定して成るウェハ装着構造に関する。
のウェハには分子線の形で、Ga、At、As等の材料
を入射して膜生長させる分子線エピタキシャル装置にお
けるウェハ装着構造に係り、特にはモリブデンブロック
にウェハを固定して成るウェハ装着構造に関する。
第1図は、分子線エピタキシャル装置の原理を説明する
ための図である。同図において、1は内部が超高真空の
チャンバ、2はこのチャンバ1内に装填されたGaAs
のウェハ、3はウェハ加熱用ヒータ、4はウェハ2に分
子線の形で入射されるGa、 Az、 As等の材料供
給源、5はヒータ線、6はシャッタ、7は電子銃、8は
質量分析器、9はRHEED(高速反射電子線回折の略
称)スクリーン、Aはビューポート、Bはウェハの温度
測定用のパイロメータである。
ための図である。同図において、1は内部が超高真空の
チャンバ、2はこのチャンバ1内に装填されたGaAs
のウェハ、3はウェハ加熱用ヒータ、4はウェハ2に分
子線の形で入射されるGa、 Az、 As等の材料供
給源、5はヒータ線、6はシャッタ、7は電子銃、8は
質量分析器、9はRHEED(高速反射電子線回折の略
称)スクリーン、Aはビューポート、Bはウェハの温度
測定用のパイロメータである。
第2図は−に記チャンバ1の一部破断斜視図である。第
2図において、9′はシャッタ6の操作用ノブ、10は
液体窒素の容器、11はチャンバ1のウェハ装填穴12
からチャンバ1内に装填されたウェハ2を分子線入射側
に向けるなどの操作用ノブである。このウェハ2は第3
図に示すように、モリブデンブロック13の表面14に
インジウム等の張り付は用部材15を介して張り付られ
る場合がこれまでの技術で゛あったが、これに改良を加
えた場合(特顆間58−1.90210)にはInを介
さず抑圧部材にて固定され、この状態でチャンバ1内に
装填される。
2図において、9′はシャッタ6の操作用ノブ、10は
液体窒素の容器、11はチャンバ1のウェハ装填穴12
からチャンバ1内に装填されたウェハ2を分子線入射側
に向けるなどの操作用ノブである。このウェハ2は第3
図に示すように、モリブデンブロック13の表面14に
インジウム等の張り付は用部材15を介して張り付られ
る場合がこれまでの技術で゛あったが、これに改良を加
えた場合(特顆間58−1.90210)にはInを介
さず抑圧部材にて固定され、この状態でチャンバ1内に
装填される。
一方、チャンバ1内には、前記装填位置にあるモリブデ
ンブロック13を支持する部材16とヒータ3とが設け
られる。したがって、モリブデンブロック13がチャン
バ1内の所定の位置に装填されると、モリブデンブロッ
ク13の裏面18側にはヒータ3が配置されることにな
る。ヒータ3により加熱されるウェハ2の温度は、ビュ
ーポー)Aに取付けられたパイロメータBにより検知さ
れる。
ンブロック13を支持する部材16とヒータ3とが設け
られる。したがって、モリブデンブロック13がチャン
バ1内の所定の位置に装填されると、モリブデンブロッ
ク13の裏面18側にはヒータ3が配置されることにな
る。ヒータ3により加熱されるウェハ2の温度は、ビュ
ーポー)Aに取付けられたパイロメータBにより検知さ
れる。
このような改良された従来例のウェハ装着構造では、ウ
ェハ2は、モリブデンブロック13が加熱された後にモ
リブデンブロック13からの輻射熱によって加熱されて
いる。このようにウェハ2の加熱が、モリブデンブロッ
ク13を介して行なわれるので、ウェハ2の温度を充分
に上げることができず、結晶性の良好な生長層を得るこ
とが出来なかった。
ェハ2は、モリブデンブロック13が加熱された後にモ
リブデンブロック13からの輻射熱によって加熱されて
いる。このようにウェハ2の加熱が、モリブデンブロッ
ク13を介して行なわれるので、ウェハ2の温度を充分
に上げることができず、結晶性の良好な生長層を得るこ
とが出来なかった。
本発明は」二連の点に鑑・みてなされたものであって、
ウェハ2の温度を充分上げることによって結(3) 品性の良好な生長層を得ることを目的とする。
ウェハ2の温度を充分上げることによって結(3) 品性の良好な生長層を得ることを目的とする。
以下、図面によって本発明の実施例について詳細に説明
する。第4図は本発明の一実施例の要部の断面図であり
、第5図はその側面図である。これらの図面において、
第3図に対応する部分には、同一の参照符を付す。第4
図において、2はGaASのウェハ、3はヒータ、13
′はモリブデンブロック、16は支持部材である。なお
、この実施例は、第1図および第2図に示す分子線エピ
タキシャル装置に適用される。
する。第4図は本発明の一実施例の要部の断面図であり
、第5図はその側面図である。これらの図面において、
第3図に対応する部分には、同一の参照符を付す。第4
図において、2はGaASのウェハ、3はヒータ、13
′はモリブデンブロック、16は支持部材である。なお
、この実施例は、第1図および第2図に示す分子線エピ
タキシャル装置に適用される。
本発明に従う分子線エピタキシャル装置のウェハ装着構
造では、モリブデンブロック13′のウェハ2が固定さ
れる部分に、ヒータ3に対向してウェハ2よりも小径な
貫通孔20が形成される。さらにモリブデンブロック1
3には、その表面14側に、ウェハ2を取付けるための
段部25が貫通孔20の外周に沿って形成される。ウェ
ハ2は、ねじ21に支持された角変位可能な押圧部拐2
2によって、モリブデンブロック13′前記段部25に
押圧されて固定される。
造では、モリブデンブロック13′のウェハ2が固定さ
れる部分に、ヒータ3に対向してウェハ2よりも小径な
貫通孔20が形成される。さらにモリブデンブロック1
3には、その表面14側に、ウェハ2を取付けるための
段部25が貫通孔20の外周に沿って形成される。ウェ
ハ2は、ねじ21に支持された角変位可能な押圧部拐2
2によって、モリブデンブロック13′前記段部25に
押圧されて固定される。
(4)
このようにモリブデンブロック13′には、ウエノ\2
が固定される部分に、ウェハ2よりも小径な貫通孔20
を形成したので、ウェハ2がヒータ3によって直接加熱
されることになり、なお、かつモリブデンブロックとは
点接触のためモリブデンブロック全体の温度を上昇させ
なくともウエノ12のみの温度を充分に高くすることが
でき、これによって結晶性の良好な生長層を得ることが
可能となる。
が固定される部分に、ウェハ2よりも小径な貫通孔20
を形成したので、ウェハ2がヒータ3によって直接加熱
されることになり、なお、かつモリブデンブロックとは
点接触のためモリブデンブロック全体の温度を上昇させ
なくともウエノ12のみの温度を充分に高くすることが
でき、これによって結晶性の良好な生長層を得ることが
可能となる。
また、従来例に比べてヒータ3の出力を上げることなく
ウェハ温度を高めることができるので、ヒータ3からの
不要なガスの発生を抑制することも可能となり、チャン
バ1内の雰囲気を良くすることができる。
ウェハ温度を高めることができるので、ヒータ3からの
不要なガスの発生を抑制することも可能となり、チャン
バ1内の雰囲気を良くすることができる。
この実施例では、加熱によってウェハ2から放出される
Asがヒータ3を損傷しないように、ウェハ2の裏面、
即ちヒータ3に臨む側の面にSiO2゜S i 3 N
4 、 Az203等から成る薄膜23を形成している
。
Asがヒータ3を損傷しないように、ウェハ2の裏面、
即ちヒータ3に臨む側の面にSiO2゜S i 3 N
4 、 Az203等から成る薄膜23を形成している
。
さらにこの薄膜23の厚みをヒータ3からの赤外線のピ
ーク波長の域にすることによって、薄膜23を反則防止
膜としても機能させており、これによってウェハ2の熱
の吸収が促進される。
ーク波長の域にすることによって、薄膜23を反則防止
膜としても機能させており、これによってウェハ2の熱
の吸収が促進される。
以上のように本発明によれば、モリブデンブロックのウ
ェハが固定される部分に、ウェハよりも小径な貫通孔が
形成されたので、ヒータによってウェハが直接加熱され
ることになり、これによってウェハの温度を充分上げる
ことができ、結晶性の良好な生長層を得ることが可能と
なる。
ェハが固定される部分に、ウェハよりも小径な貫通孔が
形成されたので、ヒータによってウェハが直接加熱され
ることになり、これによってウェハの温度を充分上げる
ことができ、結晶性の良好な生長層を得ることが可能と
なる。
第1図は分子線エピタキシャル装置の原理説明に供する
該装置の模式図、第2図はこの装置のチャンバの一部切
欠き斜視図、第3図は従来例の断面図、第4図は本発明
の実施例の断面図、第5図は第4図の側面図である。 2・・・・・・ウェハ、3・・・・・・ヒータ、13.
13’ ・−・・・−モリブデンブロック、20・・・
・・・貫通孔。 出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士岡田和秀 第1図 第2図 特開昭GO−IG5713(3) 第3図 第4図 第5図
該装置の模式図、第2図はこの装置のチャンバの一部切
欠き斜視図、第3図は従来例の断面図、第4図は本発明
の実施例の断面図、第5図は第4図の側面図である。 2・・・・・・ウェハ、3・・・・・・ヒータ、13.
13’ ・−・・・−モリブデンブロック、20・・・
・・・貫通孔。 出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士岡田和秀 第1図 第2図 特開昭GO−IG5713(3) 第3図 第4図 第5図
Claims (1)
- (1)超高真空のチャンバ内に、モリブデンブロックの
表面に固定されたウェハが装填される一方、このチャン
バ内には該チャンバ内のモリブデンブロックの裏面側に
位置してヒータが設けられる分子線エピタキシャル装置
に適用される該モリブデンブロックには、前記ウェハが
固定される部分に、ウェハよりも小径な貫通孔が形成さ
れたことを特徴とする分子線エピタキシャル装置のウェ
ハ装着構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2231384A JPS60165713A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2231384A JPS60165713A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60165713A true JPS60165713A (ja) | 1985-08-28 |
JPH0237691B2 JPH0237691B2 (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=12079240
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2231384A Granted JPS60165713A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60165713A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012142408A2 (en) * | 2011-04-14 | 2012-10-18 | Veeco Instruments Inc. | Substrate holders and methods of substrate mounting |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5730320A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Fujitsu Ltd | Substrate holder for molecular beam epitaxy |
JPS58190897A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長方法 |
-
1984
- 1984-02-08 JP JP2231384A patent/JPS60165713A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5730320A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Fujitsu Ltd | Substrate holder for molecular beam epitaxy |
JPS58190897A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012142408A2 (en) * | 2011-04-14 | 2012-10-18 | Veeco Instruments Inc. | Substrate holders and methods of substrate mounting |
WO2012142408A3 (en) * | 2011-04-14 | 2012-12-06 | Veeco Instruments Inc. | Substrate holders and methods of substrate mounting |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0237691B2 (ja) | 1990-08-27 |
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