JPS63119220A - 薄膜製造方法 - Google Patents
薄膜製造方法Info
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- JPS63119220A JPS63119220A JP26457086A JP26457086A JPS63119220A JP S63119220 A JPS63119220 A JP S63119220A JP 26457086 A JP26457086 A JP 26457086A JP 26457086 A JP26457086 A JP 26457086A JP S63119220 A JPS63119220 A JP S63119220A
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Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザーを用いた薄膜の製造方法に関する。
従来の技術
薄膜の形成法として、抵抗加熱蒸着や電子ビーム蒸着等
の蒸着法や、スパッタリング法、各種ＣＶＤ法、ＭＢＥ
等の方法がある。
の蒸着法や、スパッタリング法、各種ＣＶＤ法、ＭＢＥ
等の方法がある。
発明が解決しようとする問題点
抵抗加熱蒸着法では、高融点材料の蒸着が不可能であり
、また蒸発物質を入れる容器を高温に加熱するため、で
きた膜中には不純物が混入しやすい。
、また蒸発物質を入れる容器を高温に加熱するため、で
きた膜中には不純物が混入しやすい。
２・−７
電子ビーム蒸着法ではＸ線を発し、膜質に影響を与える
。
。
スパッタリング法では、スパッタに用いるガスが膜中に
閉じ込められ、これが膜の特性に大きく影響する。また
高速イオン等による損傷がある。
閉じ込められ、これが膜の特性に大きく影響する。また
高速イオン等による損傷がある。
問題点を解決するための手段
真空槽内にターゲットおよび基板を配置し、排気系を用
いて真空に引いた後、ターゲットに真空槽外からレーザ
を照射する。
いて真空に引いた後、ターゲットに真空槽外からレーザ
を照射する。
作 用
ターゲットにレーザーを照射した時、レーザーのエネル
ギーによってターゲット表面が高温に加熱され、ターゲ
ット材料が蒸発する。この蒸発した原子・分子等が基板
に付着し薄膜が形成される。
ギーによってターゲット表面が高温に加熱され、ターゲ
ット材料が蒸発する。この蒸発した原子・分子等が基板
に付着し薄膜が形成される。
実施例
図に本発明の薄膜を形成するための装置を示す。
真空槽１内にターゲット２例えばシリコンおよび基板３
例えば石英ガラスをほぼ対向させて配置し、排気系４を
用いて、真空槽１内を排気し、真空にする。このターゲ
ット２に、真空槽１の外にある３１、−７ 高出力のアルゴンレーザー５を照射する。レーザー照射
によってターゲット材料が蒸発し、この蒸発した原子・
分子７が基板３まで到着して付着し薄膜が形成される。
例えば石英ガラスをほぼ対向させて配置し、排気系４を
用いて、真空槽１内を排気し、真空にする。このターゲ
ット２に、真空槽１の外にある３１、−７ 高出力のアルゴンレーザー５を照射する。レーザー照射
によってターゲット材料が蒸発し、この蒸発した原子・
分子７が基板３まで到着して付着し薄膜が形成される。
このようにして石英ガラス上にたとえば高品質のシリコ
ン薄膜を形成することができる。
ン薄膜を形成することができる。
照射するレーザーとして、アルゴンレーザー以外にクリ
プトンレーザー等のＣＷレーザーや、ＹＡＧレーザーや
炭酸ガスレーザー等のパルスレーザ−や、Ｑスイッチの
レーザーや、エキシアレーザーを用いても良い。基板３
は、ヒーター６を用いて加熱しても良い。
プトンレーザー等のＣＷレーザーや、ＹＡＧレーザーや
炭酸ガスレーザー等のパルスレーザ−や、Ｑスイッチの
レーザーや、エキシアレーザーを用いても良い。基板３
は、ヒーター６を用いて加熱しても良い。
ターゲットとしてシリコンの代シにゲルマニウムヤカー
ボ７．ＧａＡｓやＡ、／ＧａＡｓ、 ＩｎＰ、Ｚｎ５ｅ
。
ボ７．ＧａＡｓやＡ、／ＧａＡｓ、 ＩｎＰ、Ｚｎ５ｅ
。
ＣｄＳｅ、ＺｎＳ、ＣｄＳ等の化合物半導体、 Ｗ 、
Ｍｏ。
Ｍｏ。
Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ 等の高融点金ＦＡ、コレラ
ノ高融点金属シリサイ下′、５ａｉＮやＳ、ｉＣやＳ
１０２等の絶縁体、当然のことながら、低融点材料等、
作製したい原料を含む固体を用いることができる。
ノ高融点金属シリサイ下′、５ａｉＮやＳ、ｉＣやＳ
１０２等の絶縁体、当然のことながら、低融点材料等、
作製したい原料を含む固体を用いることができる。
基板としては、石英ガラスの代りに、シリコン。
ゲ／Ｌ／ マ、＝−ウムや、ＧａＡｓ、ＳｉＣやＳ ｉ
Ｎ ＋ Ｓ ｚｏ ２等の絶縁膜、ＰＣ等の有機材料等
を用いても良い。
Ｎ ＋ Ｓ ｚｏ ２等の絶縁膜、ＰＣ等の有機材料等
を用いても良い。
発明の効果
本発明によって、Ｘ線や高速イオンによる損傷のない、
しかも不純物やスパッタガス等の含まない薄膜を形成す
ることができる。また、高融点材料による薄膜も容易に
作製することができる。また、レーザーでターゲットを
加熱するため、超高真空にひくことによって真空槽内は
、ターゲットの蒸発物質以外の不純物、ガス等を極力少
な（することができるため、非常に高品質の膜を形成す
ることができ、微細加工が進んでいる半導体集積回路等
のプロセスには最適の薄膜の作成方法と言える。
しかも不純物やスパッタガス等の含まない薄膜を形成す
ることができる。また、高融点材料による薄膜も容易に
作製することができる。また、レーザーでターゲットを
加熱するため、超高真空にひくことによって真空槽内は
、ターゲットの蒸発物質以外の不純物、ガス等を極力少
な（することができるため、非常に高品質の膜を形成す
ることができ、微細加工が進んでいる半導体集積回路等
のプロセスには最適の薄膜の作成方法と言える。
図は本発明の一実施例の薄膜を形成するための装置の概
略図である。 １・・・・・・真空槽、２・・・・・・ターゲット、３
・・・・・・基板、４・・・・・排気系、５・・・・・
・レーザー、６・・・・・・ヒーター、７・・・・・・
蒸発分子。
略図である。 １・・・・・・真空槽、２・・・・・・ターゲット、３
・・・・・・基板、４・・・・・排気系、５・・・・・
・レーザー、６・・・・・・ヒーター、７・・・・・・
蒸発分子。
Claims (1)
- 排気系を含む真空槽内にターゲットおよび基板を配置し
、前記ターゲットに真空槽外からレーザーを照射させる
ことを特徴とする薄膜製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26457086A JPS63119220A (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | 薄膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26457086A JPS63119220A (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | 薄膜製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63119220A true JPS63119220A (ja) | 1988-05-23 |
Family
ID=17405126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26457086A Pending JPS63119220A (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | 薄膜製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63119220A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06283748A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Susumu Yoshitoku | 化合物薄膜の形成方法及び化合物半導体太陽電池の製造方法 |
| US5370709A (en) * | 1990-07-18 | 1994-12-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer processing apparatus having a Bernoulli chuck |
-
1986
- 1986-11-06 JP JP26457086A patent/JPS63119220A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5370709A (en) * | 1990-07-18 | 1994-12-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer processing apparatus having a Bernoulli chuck |
| JPH06283748A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Susumu Yoshitoku | 化合物薄膜の形成方法及び化合物半導体太陽電池の製造方法 |
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