JPH0416831A - 非線形光学素子の作製方法 - Google Patents
非線形光学素子の作製方法Info
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- JPH0416831A JPH0416831A JP11977690A JP11977690A JPH0416831A JP H0416831 A JPH0416831 A JP H0416831A JP 11977690 A JP11977690 A JP 11977690A JP 11977690 A JP11977690 A JP 11977690A JP H0416831 A JPH0416831 A JP H0416831A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 34
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は非線形光学素子の作製方法に関し、さらに詳し
くは直接引上法で得られたB−バリウムボレイト(β−
BaB204 :以下、BBOと略記する。)を用いた
第2高調波発生(以下、SHGと略記する。)素子の作
製方法に関する。
くは直接引上法で得られたB−バリウムボレイト(β−
BaB204 :以下、BBOと略記する。)を用いた
第2高調波発生(以下、SHGと略記する。)素子の作
製方法に関する。
[従来の技術]
BBOはSHG素子として非常に重要な結晶でおる。こ
の結晶は従来フラックス法で育成され、育成される結晶
は横に平たい円盤状をしていたため、素子に加工するの
にまずブロック状に切り出したあと、X線により結晶方
位を定め、レーザ光を照射してSHG方位を定めるとい
う非常に多くの工数を要していた。また、この結晶は近
年出現した新しい結晶のため、SHG素子の作製方法か
完全に確立していなかった。
の結晶は従来フラックス法で育成され、育成される結晶
は横に平たい円盤状をしていたため、素子に加工するの
にまずブロック状に切り出したあと、X線により結晶方
位を定め、レーザ光を照射してSHG方位を定めるとい
う非常に多くの工数を要していた。また、この結晶は近
年出現した新しい結晶のため、SHG素子の作製方法か
完全に確立していなかった。
[発明が解決しようとする課題]
近年、BBOを直接引上法で育成する方法か発明された
(特願昭63−325202号)。この育成方法ではC
軸方向に長さ50 mm、直径10 mm程度の単結晶
か得られる。このBBO単結晶から、使用するレーザの
波長に合わせて正確な方位に加工して、歩留まり良<S
HG素子を作製する必要があった。
(特願昭63−325202号)。この育成方法ではC
軸方向に長さ50 mm、直径10 mm程度の単結晶
か得られる。このBBO単結晶から、使用するレーザの
波長に合わせて正確な方位に加工して、歩留まり良<S
HG素子を作製する必要があった。
本発明はこのような従来の事情に対処してなされたもの
で、素子を最適な結晶方位で迅速に歩留まりよく加工す
ることのできる非線形光学素子の作製方法を提供するこ
とを目的とする。
で、素子を最適な結晶方位で迅速に歩留まりよく加工す
ることのできる非線形光学素子の作製方法を提供するこ
とを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明は、β−バリウムボレイト(β−Ba8204
)単結晶を用いた第2高調波発生(SHG)素子の作製
方法において、偏光したレーザ光を用いて、hロエする
結晶方位を決定することを特徴とする非線形光学素子の
作製方法である。
)単結晶を用いた第2高調波発生(SHG)素子の作製
方法において、偏光したレーザ光を用いて、hロエする
結晶方位を決定することを特徴とする非線形光学素子の
作製方法である。
[作用I
BBOは一軸性の結晶であり、通常、位相整合は励起光
の常光線から異常光線の第2高調波を得るTVpe I
の方法をとる。無偏光の光を結晶中に入射すると、結晶
中で光は常光と異常光に別れてしまう。そこでカットす
るために使用するレーザ光を縦方向に偏光させ、予め仮
に表面を研磨した結晶に入射してゴニオメータ上で移動
、回転させて結晶中に入った光を常光成分だけとし、第
2高調波出力が最大になるように方位を定める。こうし
て素子に加工することで、最大の波長変換効率か得られ
る結晶方位を迅速に、かつ簡単に捜すことかできる。
の常光線から異常光線の第2高調波を得るTVpe I
の方法をとる。無偏光の光を結晶中に入射すると、結晶
中で光は常光と異常光に別れてしまう。そこでカットす
るために使用するレーザ光を縦方向に偏光させ、予め仮
に表面を研磨した結晶に入射してゴニオメータ上で移動
、回転させて結晶中に入った光を常光成分だけとし、第
2高調波出力が最大になるように方位を定める。こうし
て素子に加工することで、最大の波長変換効率か得られ
る結晶方位を迅速に、かつ簡単に捜すことかできる。
[実施例]
次に本発明の実施例について説明する。
直接引上法により得られたBBOを、YAGレザの発振
する1、06Il!nに対するSHG素子に加工する方
法について)ボベる。まずC軸方向に引き上げられた結
晶をC軸に垂直にカットしてその面を仮に研磨する。C
軸から約22°傾けたところが位相整合の方向なので、
ゴニオメータ上に横方向に22°に傾けて固定する。縦
方向に偏光したLD助起パルスYAGレーザを結晶に入
射し、結晶を回転、移動させて出力される第2高調波出
力が最大になるように結晶の方位を定め、SHG素子を
作製した。この方法により、作製効率よく、また結晶の
無駄がなく、SHG素子を得ることができた。
する1、06Il!nに対するSHG素子に加工する方
法について)ボベる。まずC軸方向に引き上げられた結
晶をC軸に垂直にカットしてその面を仮に研磨する。C
軸から約22°傾けたところが位相整合の方向なので、
ゴニオメータ上に横方向に22°に傾けて固定する。縦
方向に偏光したLD助起パルスYAGレーザを結晶に入
射し、結晶を回転、移動させて出力される第2高調波出
力が最大になるように結晶の方位を定め、SHG素子を
作製した。この方法により、作製効率よく、また結晶の
無駄がなく、SHG素子を得ることができた。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の方法によれば、非線形光
学素子を最適な結晶方位で迅速に歩留まりよくhロエす
ることができる。
学素子を最適な結晶方位で迅速に歩留まりよくhロエす
ることができる。
Claims (1)
- (1)β−バリウムボレイト(β−BaB_2O_4)
単結晶を用いた第2高調波発生(SHG)素子の作製方
法において、偏光したレーザ光を用いて、加工する結晶
方位を決定することを特徴とする非線形光学素子の作製
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11977690A JPH0416831A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 非線形光学素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11977690A JPH0416831A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 非線形光学素子の作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0416831A true JPH0416831A (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=14769937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11977690A Pending JPH0416831A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 非線形光学素子の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0416831A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5612532A (en) * | 1993-09-01 | 1997-03-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin IC card and method for producing the same |
US5710458A (en) * | 1993-12-20 | 1998-01-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Card like semiconductor device |
EP2065833A1 (en) | 1998-03-24 | 2009-06-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Portable electronic device with contacting and noncontacting interfaces |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP11977690A patent/JPH0416831A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5612532A (en) * | 1993-09-01 | 1997-03-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin IC card and method for producing the same |
US5710458A (en) * | 1993-12-20 | 1998-01-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Card like semiconductor device |
EP2065833A1 (en) | 1998-03-24 | 2009-06-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Portable electronic device with contacting and noncontacting interfaces |
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