JPS59152296A - 分子線エピタキシヤル成長における分子線強度制御方法 - Google Patents

分子線エピタキシヤル成長における分子線強度制御方法

Info

Publication number
JPS59152296A
JPS59152296A JP58023808A JP2380883A JPS59152296A JP S59152296 A JPS59152296 A JP S59152296A JP 58023808 A JP58023808 A JP 58023808A JP 2380883 A JP2380883 A JP 2380883A JP S59152296 A JPS59152296 A JP S59152296A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crucible
growth
cell
molecular beam
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58023808A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Iguchi
井口　信一
Yuichi Matsui
松居　祐一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP58023808A priority Critical patent/JPS59152296A/ja
Publication of JPS59152296A publication Critical patent/JPS59152296A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/002—Controlling or regulating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １〔技術分野〕 本発明は、分子線エピタキシャル（以下ＭＢＥと略す）
成長における分子線強度制御方法に関する。
〔従来技術と問題点〕
従来の分子線強度制御方法は、成長層構成材料の入った
るつぼ温度を調整することにより、成長層構成材料の蒸
発量を加減し、その結果、分子線強度の調整を行うとい
う方法を採っている。
ところで、一般に成長構成材料の入ったるつぼの熱容量
は大きく、このためるつぼ温度を調整した後の成長層構
成材料の蒸発量が、調整後の温度に対応した蒸発量に安
定するまで、たとえば３°Ｃ変化させた場合、通常約２
〜３分の過渡時間を要する。この結果、成長途中に分子
線強度を調整して、組成の異なる層を連続して成長させ
ヘテロ構造を形成する場合、そのヘテロ界面に組成が連
続的に変化する層が、少なくとも約１ＯＯＸ（敷１０原
るつぼ温度調整後、分子線強度が安定するまで、′；”
基板とるつぼとの間をシャッターでさえぎり、へ′１１
テロ界面において、組成が連続的に変化する層が゛、成
長するのを防止しようとすると、シャッターでニー、１
１ さえぎっている間に、それまでに成長した層の表面が熱
劣化を受けてしまい、その後の成長層とのヘテロ界面に
欠陥を形成してしまい、電気的・光学的特性が劣化する
。このように、従来の分子線強度制御方法は、ヘテロ界
面の急４性を損ったり、欠陥の多いヘテロ接合を形成し
てしまい、その結果、良好な電気的・光学的特性が得ら
れないという欠点を有する。
〔発明の構成と実施例〕
本発明は、上述の点に鑑みなされたもので、分子線強度
が安定するまでの過渡時間を低減するための分子線制御
方法を提供するもので、第１図に実施例を示して、これ
に基づいて発明の詳細な説明する。
第１図（イ）は（ロ）の点線円の部分の拡大図である。
るつぼ６内に成長層構成材料７を内蔵した、従来構造の
セル５を支持する中空ロッド３に対して７板状マクネ　
ト２を２枚並列番取り付け　さらガイド４を設け、セル
５が外壁１１に対して傾かいようにした。中空ロッド３
内を通してフランさ ジ１０に溶着取り付けされたるつぼ加熱用ヒーターｒｆ
−８ならびにるつぼ温度制御熱電対用端子９へそれぞれ
専用リード線（図示省略）を結線した。
このような構造を備えたセル５に対して、外壁１１の外
側に挿入された円筒状のマグネット１を、外部から操作
し、マグネット２と連動させることによって、るつぼ６
を外壁１１に沿って自由に動か１、゛すト１１とができ
る。この結果、ＭＢＥ成長装置１２内において、成長層
を形成しようとする下地の基板１３≠、るつぼ６との距
離を変化させることができる。なお、（イ）の」二方の
矢印は分子線方向を示している。
ところで、基板１３の位置での分子線強度Ｆは一般に次
の関係式で示される。
たくし　Ｆ；フラックス強度（個／ｃｒｊ　ｓｅｅ　）
ｒ：るつぼ半径（α） Ｌ：基板とるつぼとの距離（α） Ｐ：成長層構成材料の蒸気圧（’ｒｏｒｒ）Ｔ：るつぼ
温度（Ｋ） Ｍ：成長層構成材料の／グラム原子質量上式より、下地
の基板１３とるつぼ６との距離りを変化させることによ
り、分子線強度Ｆを変化させられることが分かる。しか
も第１図の方法を用いることにより、Ｌを変化させるた
めに要する過渡時間は２〜３秒であり、この間に形成さ
れる組ずに外部からの力によって、基板とるつぼの間の
距離を変化させ得る機構であれば、本発明の分子線強度
制御方法に同様に適用できる。
〔効果〕
本発明の効果は、基板とる。つぼとの距離を成長途中に
おいて極めて短時間の内に変化させることができるため
に、ヘテロ界面を接合した際に、界Ｑ−ｒの組成変化を
著しく急岐にすることができ、゛そ：の結果、ヘテロ界
面での電気的・光学的特性を１【、１ 尚′上させることができることである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の詳細な説明図で、（ロ）はＭＢＥ成長
装置の簡略図、（０は（ロ）の点線内部分の拡大説明図
である。 １・・・外部操作用マグネット、２・・・セル取り付は
マグネット、３・・・セル支持中空ロッド、４・・・ガ
イド、５・・・セル、６・・・るつぼ、７・・・成長層
構成材料、８・・・るつぼ加熱ヒーター用端子、９・・
・るつぼ温度制御熱電対用端子、１０・・・フランジ、
１１・・・ＭＢＥ成長装置外壁、１２・・・ＭＢＥ成長
装置、１３・・・基板。 アｌ目 （イ） ４５１−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、　分子線エピタキシャル成長装置内において、成長
    層を形成しようとする下地の基板と、成長層構成材料の
    入ったるつぼとの距離を、るつぼを、その距離方向に前
    後させることによって変化させ、これにより成長途中に
    おける分子線強度を高速に変化させることを特徴とする
    分子線エピタキシャル成長における分子；ｉｊ　　ｆｉ
    ！強度制御方法。
JP58023808A 1983-02-17 1983-02-17 分子線エピタキシヤル成長における分子線強度制御方法 Pending JPS59152296A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58023808A JPS59152296A (ja) 1983-02-17 1983-02-17 分子線エピタキシヤル成長における分子線強度制御方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58023808A JPS59152296A (ja) 1983-02-17 1983-02-17 分子線エピタキシヤル成長における分子線強度制御方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59152296A true JPS59152296A (ja) 1984-08-30

Family

ID=12120622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58023808A Pending JPS59152296A (ja) 1983-02-17 1983-02-17 分子線エピタキシヤル成長における分子線強度制御方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59152296A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6359318U (ja) * 1986-10-07 1988-04-20
EP0271351A2 (en) * 1986-12-10 1988-06-15 Fuji Seiki Inc. Vacuum evaporating apparatus
JPS6479094A (en) * 1987-09-21 1989-03-24 Hitachi Ltd Molecular ray source

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55160423A (en) * 1979-05-31 1980-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and device for thin film growth
JPS5640658B2 (ja) * 1977-07-28 1981-09-22

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5640658B2 (ja) * 1977-07-28 1981-09-22
JPS55160423A (en) * 1979-05-31 1980-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and device for thin film growth

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6359318U (ja) * 1986-10-07 1988-04-20
EP0271351A2 (en) * 1986-12-10 1988-06-15 Fuji Seiki Inc. Vacuum evaporating apparatus
JPS6479094A (en) * 1987-09-21 1989-03-24 Hitachi Ltd Molecular ray source
JPH054956B2 (ja) * 1987-09-21 1993-01-21 Hitachi Ltd

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kaneko et al. Floating zone furnace equipped with a high power laser of 1 kW composed of five smart beams
JPS59152296A (ja) 分子線エピタキシヤル成長における分子線強度制御方法
JPS60245125A (ja) 半導体デバイスの製造方法
JPH01309956A (ja) 酸化物系超電導体の製造方法
JPS58190897A (ja) 分子線結晶成長方法
JP3536915B2 (ja) 複合酸化物系単結晶薄膜の製造方法
JPS59148325A (ja) 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法並びにその装置
JPS60112692A (ja) 分子線エピタキシアル成長法
JPS61220414A (ja) 分子線発生装置
JPH02239102A (ja) 酸化物超電導体の製造方法
JPS60728A (ja) 分子線エピタキシヤル成長法
JPH01305892A (ja) Ｓｉ分子線源
KR100466825B1 (ko) 펄스 레이저를 이용한 박막 증착 장치
JPH01305889A (ja) 分子線セル
JPH03215388A (ja) 分子線エピタキシャル方法および分子線エピタキシャル装置
JPS63122211A (ja) 分子線発生装置
JPH01316940A (ja) 気相エピタキシャル成長装置
JPH0248404A (ja) 超伝導薄膜の形成方法およびその形成装置
JPS5946096B2 (ja) 液相エピタキシヤル成長装置
JPS61140132A (ja) 半導体結晶成長法
JPS6222243B2 (ja)
JPS6353255A (ja) 炭素薄膜の形成方法
Nittono et al. Study of the Dynamic Behavior of Dislocations During the Melt Growth Process of Tin Crystal by Synchrotron X-Ray Topography
JPS63282189A (ja) 分子線エピタキシャル成長装置
JPH0459693A (ja) 分子線結晶成長装置