JPH0136979B2 - - Google Patents
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- JPH0136979B2 JPH0136979B2 JP1268384A JP1268384A JPH0136979B2 JP H0136979 B2 JPH0136979 B2 JP H0136979B2 JP 1268384 A JP1268384 A JP 1268384A JP 1268384 A JP1268384 A JP 1268384A JP H0136979 B2 JPH0136979 B2 JP H0136979B2
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- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 32
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、超高真空のチヤンバ内にウエハを装
填し、このウエハには分子線の形でGa、Al、As
等の材料を入射して膜成長させる分子線エピタキ
シヤル装置におけるウエハ装着構造に係り、特に
はモリブデンブロツクにウエハを張り付けてなる
ウエハ装着構造に関する。
填し、このウエハには分子線の形でGa、Al、As
等の材料を入射して膜成長させる分子線エピタキ
シヤル装置におけるウエハ装着構造に係り、特に
はモリブデンブロツクにウエハを張り付けてなる
ウエハ装着構造に関する。
分子線エピタキシヤル装置は、一般に原理的に
は第１図に示すようになつている。第１図におい
て、符号１は内部が超高真空のチヤンバ、２はこ
のチヤンバ１内に装填されたGaAsのウエハ、３
はウエハ加熱用のヒータ、４はウエハ２に分子線
の形で入射されるGa、Al、As等の材料供給源、
５はヒータ線、６はシヤツタ７は電子銃、８は質
量分析器、９はRHEED（高速反射電子回折の略
称）スクリーンである。そこで、このエピタキシ
ヤル装置における分子線源は、材料供給源４、ヒ
ータ線５およびシヤツタ６によつて構成されるこ
とになる。第２図は、チヤンバ１の一部破断斜視
図である。第２図において、符号９はシヤツタ６
の操作用ノブ、１０は液体窒素の容器、１１はチ
ヤンバ１のウエハ装填穴からチヤンバ１内に装填
されたウエハ２を分子線入射側に向けるなどの操
作用ノブである。このような分子線エピタキシヤ
ル装置では、ウエハ２上の膜成長の厚さを精度良
く制御できるものであるが、従来、このウエハ２
は第３図に示すように、モリブデンブロツク１３
の表面１４にインジウム等の張り付け材料１５を
介して張り付けられた状態でチヤンバ１内に装填
される。一方、チヤンバ１内には、前記装填位置
にあるモリブデンブロツク１３を支持する部材１
６とヒータ３および感温素子としての熱電対１７
とが設けられる。したがつて、モリブデンブロツ
ク１３がチヤンバ１内の所定の位置に装填される
と、モリブデンブロツク１３の裏面１８側にはヒ
ータ３と熱電対１７とが配置されることになる。
この熱電対１７はヒータ３により加熱されるウエ
ハ２の温度を検知し、その検知出力を図示しない
温度制御回路に与えるものである。また、この温
度制御回路はこの検知出力に応答してヒータ３の
加熱動作を制御し、ウエハ２が常に摂氏550度な
いし700度程度の温度に保たれるようにする。
は第１図に示すようになつている。第１図におい
て、符号１は内部が超高真空のチヤンバ、２はこ
のチヤンバ１内に装填されたGaAsのウエハ、３
はウエハ加熱用のヒータ、４はウエハ２に分子線
の形で入射されるGa、Al、As等の材料供給源、
５はヒータ線、６はシヤツタ７は電子銃、８は質
量分析器、９はRHEED（高速反射電子回折の略
称）スクリーンである。そこで、このエピタキシ
ヤル装置における分子線源は、材料供給源４、ヒ
ータ線５およびシヤツタ６によつて構成されるこ
とになる。第２図は、チヤンバ１の一部破断斜視
図である。第２図において、符号９はシヤツタ６
の操作用ノブ、１０は液体窒素の容器、１１はチ
ヤンバ１のウエハ装填穴からチヤンバ１内に装填
されたウエハ２を分子線入射側に向けるなどの操
作用ノブである。このような分子線エピタキシヤ
ル装置では、ウエハ２上の膜成長の厚さを精度良
く制御できるものであるが、従来、このウエハ２
は第３図に示すように、モリブデンブロツク１３
の表面１４にインジウム等の張り付け材料１５を
介して張り付けられた状態でチヤンバ１内に装填
される。一方、チヤンバ１内には、前記装填位置
にあるモリブデンブロツク１３を支持する部材１
６とヒータ３および感温素子としての熱電対１７
とが設けられる。したがつて、モリブデンブロツ
ク１３がチヤンバ１内の所定の位置に装填される
と、モリブデンブロツク１３の裏面１８側にはヒ
ータ３と熱電対１７とが配置されることになる。
この熱電対１７はヒータ３により加熱されるウエ
ハ２の温度を検知し、その検知出力を図示しない
温度制御回路に与えるものである。また、この温
度制御回路はこの検知出力に応答してヒータ３の
加熱動作を制御し、ウエハ２が常に摂氏550度な
いし700度程度の温度に保たれるようにする。
ところで、モリブデンブロツク１３の熱ふく射
率は0.28であるのに対し、ウエハ２に成長する
GaAsの成長層のそれは、0.7である。また、モリ
ブデンブロツク１３のウエハ２を除く表面にも
GaAsの成長層が生成されてくる。したがつて、
膜成長開始時のウエハ温度は、モリブデンブロツ
ク１３の該表面１４にGaAs成長層が生成されて
くるにしたがつて低下し、成長終了時のそれと比
較して摂氏40度ないし50度あるいはそれ以上低下
してくる。しかるに、熱電対１７は、モリブデン
ブロツク１３の局部的な温度をウエハ温度として
いる。このため、実際のウエハ温度が大きく低下
しているのに、モリブデンブロツク１３の局部的
な温度が一定であることによりウエハ温度も一定
であるとしてウエハ温度を制御するおそれがあつ
た。このような不安定な温度制御では、ウエハ上
に所定の諸特性を満足するGaAs成長を得ること
ができないという難点があつた。このような難点
を解決するため、本出願人は特願昭58−160071号
（特開昭60−51696号）の発明「分子線エピタキシ
ヤル装置のウエハ装着構造」を提案している。こ
の提案に係る発明は、第４図に示すようにモリブ
デンブロツク１３には、ウエハを張り付ける部分
を除く該モリブデンブロツク１３の表面を覆うよ
うにして遮蔽板１９（防着板）をねじ２０などで
取り付け、この遮蔽板１９により分子線の形で入
射されてくる膜成長用の材料が該表面に付着する
ことを防止するようにしている。したがつて、本
出願人が提案した発明により従来の難点の解消が
図れたが、その代わり遮蔽板１９がウエハ２の表
面よりも上側に位置するので、モリブデンブロツ
ク１３上のウエハ２の成長中の表面状態の観察が
困難になるとともに、該モリブデンブロツク１３
へのウエハ２の張り付けが困難になるという新た
な問題点が発生した 本発明は、前述の従来例の難点を解消するとと
もに、本出願人が提案した前記発明の問題点の解
消を図ることを目的とする。
率は0.28であるのに対し、ウエハ２に成長する
GaAsの成長層のそれは、0.7である。また、モリ
ブデンブロツク１３のウエハ２を除く表面にも
GaAsの成長層が生成されてくる。したがつて、
膜成長開始時のウエハ温度は、モリブデンブロツ
ク１３の該表面１４にGaAs成長層が生成されて
くるにしたがつて低下し、成長終了時のそれと比
較して摂氏40度ないし50度あるいはそれ以上低下
してくる。しかるに、熱電対１７は、モリブデン
ブロツク１３の局部的な温度をウエハ温度として
いる。このため、実際のウエハ温度が大きく低下
しているのに、モリブデンブロツク１３の局部的
な温度が一定であることによりウエハ温度も一定
であるとしてウエハ温度を制御するおそれがあつ
た。このような不安定な温度制御では、ウエハ上
に所定の諸特性を満足するGaAs成長を得ること
ができないという難点があつた。このような難点
を解決するため、本出願人は特願昭58−160071号
（特開昭60−51696号）の発明「分子線エピタキシ
ヤル装置のウエハ装着構造」を提案している。こ
の提案に係る発明は、第４図に示すようにモリブ
デンブロツク１３には、ウエハを張り付ける部分
を除く該モリブデンブロツク１３の表面を覆うよ
うにして遮蔽板１９（防着板）をねじ２０などで
取り付け、この遮蔽板１９により分子線の形で入
射されてくる膜成長用の材料が該表面に付着する
ことを防止するようにしている。したがつて、本
出願人が提案した発明により従来の難点の解消が
図れたが、その代わり遮蔽板１９がウエハ２の表
面よりも上側に位置するので、モリブデンブロツ
ク１３上のウエハ２の成長中の表面状態の観察が
困難になるとともに、該モリブデンブロツク１３
へのウエハ２の張り付けが困難になるという新た
な問題点が発生した 本発明は、前述の従来例の難点を解消するとと
もに、本出願人が提案した前記発明の問題点の解
消を図ることを目的とする。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳
細に説明する。第５図は本発明の実施例の要部の
断面図であり、第３図および第４図と対応する部
分には同一の符号を付す。第５図において、２は
GaAsのウエハ、３はヒータ、１３はモリブデン
ブロツク、１５は張り付け用部材、１６は支持部
材、１７は熱電対、１９は防着板、２０はねじで
ある。ここで、この防着板１９はモリブデンブロ
ツク１３上のウエハ張り付け部２２に対応して形
成された分子線入射窓２１を有しかつ、このウエ
ハ張り付け部２２を除く該モリブデンブロツク１
３の表面１４を覆つて分子線の形で入射される膜
成長用の材料が該表面に付着することを防止する
ものである。この構成までは第４図と同様であ
り、したがつて前記従来例の難点が解消される。
細に説明する。第５図は本発明の実施例の要部の
断面図であり、第３図および第４図と対応する部
分には同一の符号を付す。第５図において、２は
GaAsのウエハ、３はヒータ、１３はモリブデン
ブロツク、１５は張り付け用部材、１６は支持部
材、１７は熱電対、１９は防着板、２０はねじで
ある。ここで、この防着板１９はモリブデンブロ
ツク１３上のウエハ張り付け部２２に対応して形
成された分子線入射窓２１を有しかつ、このウエ
ハ張り付け部２２を除く該モリブデンブロツク１
３の表面１４を覆つて分子線の形で入射される膜
成長用の材料が該表面に付着することを防止する
ものである。この構成までは第４図と同様であ
り、したがつて前記従来例の難点が解消される。
この実施例で注目すべきは、モリブデンブロツ
ク１３の構成にある。即ち、このモリブデンブロ
ツク１３のウエハ張り付け部２２は、前記防着板
１９に形成された分子線入射窓２１に向かつて台
状に盛り上げて形成されており、そのウエハ２が
張り付けられる表面は分子線入射窓２１の内面近
傍まで接近している。そこで、このウエハ張り付
け部２２の表面にウエハ２を張り付けたとき、こ
のウエハ２の表面は防着板１９の表面よりも前述
した分子線源側に向かつて突出することになる。
ク１３の構成にある。即ち、このモリブデンブロ
ツク１３のウエハ張り付け部２２は、前記防着板
１９に形成された分子線入射窓２１に向かつて台
状に盛り上げて形成されており、そのウエハ２が
張り付けられる表面は分子線入射窓２１の内面近
傍まで接近している。そこで、このウエハ張り付
け部２２の表面にウエハ２を張り付けたとき、こ
のウエハ２の表面は防着板１９の表面よりも前述
した分子線源側に向かつて突出することになる。
したがつて、このウエハ２上の膜成長を観察す
る場合に、ウエハ２の表面が防着板１９の表面よ
りも突出しているので、RHEEDの入射電子およ
び散乱電子が防着板に妨げられることがなくスク
リーン９から前記観察を容易に行なうことができ
るとともに、ウエハ２のモリブデンブロツク１３
への張り付けも容易に行なうことができ、これに
より本出願人が提案した前記発明の問題点を解消
することができる。
る場合に、ウエハ２の表面が防着板１９の表面よ
りも突出しているので、RHEEDの入射電子およ
び散乱電子が防着板に妨げられることがなくスク
リーン９から前記観察を容易に行なうことができ
るとともに、ウエハ２のモリブデンブロツク１３
への張り付けも容易に行なうことができ、これに
より本出願人が提案した前記発明の問題点を解消
することができる。
以上のように、本発明によれば、超高真空のチ
ヤンバ内に、モリブデンブロツクの表面のウエハ
張り付け部に張り付けられたウエハが装填される
一方、このチヤンバ内には該チヤンバ内のモリブ
デンブロツクの裏面側に位置してヒータおよびウ
エハの加熱温度を検知する感温素子が設けられる
分子線エピタキシヤル装置に適用されるものであ
つて、モリブデンブロツク上のウエハ張り付け部
に対応して形成された分子線入射窓を有しかつ、
このウエハ張り付け部を除く該モリブデンブロツ
クの表面を覆つて分子線の形で入射される膜成長
用の材料が該表面に付着することを防止する防着
板を、モリブデンブロツク上に配置し、モリブデ
ンブロツク上のウエハ張り付け部を前記分子線入
射窓方向に台状に形成し、台状のウエハ張り付け
部にウエハを張り付けたとき、このウエハの表面
が防着板表面より分子線源側に突出しているの
で、この防着板により分子線の形で入射される膜
成長用の材料がウエハを除くその表面に付着する
ことが防止され、更にモリブデンブロツク上のウ
エハ張り付け部に張り付けられたウエハが防着板
よりも上方に位置することになり、ウエハの前記
張り付け部への張り付けとそのウエハ上の膜成長
の観察とを容易に行なうことができる。
ヤンバ内に、モリブデンブロツクの表面のウエハ
張り付け部に張り付けられたウエハが装填される
一方、このチヤンバ内には該チヤンバ内のモリブ
デンブロツクの裏面側に位置してヒータおよびウ
エハの加熱温度を検知する感温素子が設けられる
分子線エピタキシヤル装置に適用されるものであ
つて、モリブデンブロツク上のウエハ張り付け部
に対応して形成された分子線入射窓を有しかつ、
このウエハ張り付け部を除く該モリブデンブロツ
クの表面を覆つて分子線の形で入射される膜成長
用の材料が該表面に付着することを防止する防着
板を、モリブデンブロツク上に配置し、モリブデ
ンブロツク上のウエハ張り付け部を前記分子線入
射窓方向に台状に形成し、台状のウエハ張り付け
部にウエハを張り付けたとき、このウエハの表面
が防着板表面より分子線源側に突出しているの
で、この防着板により分子線の形で入射される膜
成長用の材料がウエハを除くその表面に付着する
ことが防止され、更にモリブデンブロツク上のウ
エハ張り付け部に張り付けられたウエハが防着板
よりも上方に位置することになり、ウエハの前記
張り付け部への張り付けとそのウエハ上の膜成長
の観察とを容易に行なうことができる。
第１図は、分子線エピタキシヤル装置の原理説
明に供する該装置の模式図、第２図はこの装置の
チヤンバの一部切欠斜視図、第３図は従来例の断
面図、第４図は前記従来例の難点を解消した装置
の断面図、第５図は本発明の実施例の装置の断面
図である。 １はチヤンバ、２はウエハ、３はヒータ、１３
はモリブデンブロツク、１７は熱電対、１９は防
着板、２１は窓、２２はウエハ張り付け部。
明に供する該装置の模式図、第２図はこの装置の
チヤンバの一部切欠斜視図、第３図は従来例の断
面図、第４図は前記従来例の難点を解消した装置
の断面図、第５図は本発明の実施例の装置の断面
図である。 １はチヤンバ、２はウエハ、３はヒータ、１３
はモリブデンブロツク、１７は熱電対、１９は防
着板、２１は窓、２２はウエハ張り付け部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 超高真空のチヤンバ内に、モリブデンブロツ
クの表面のウエハ張り付け部に張り付けられたウ
エハが装填される一方、このチヤンバ内には該チ
ヤンバ内のモリブデンブロツクの裏面側に位置し
てヒータおよびウエハの加熱温度を検知する感温
素子が設けられる分子線エピタキシヤル装置に適
用されるものであつて、 モリブデンブロツク上のウエハ張り付け部に対
応して形成された分子線入射窓を有し、かつ、こ
のウエハ張り付け部を除く該モリブデンブロツク
の表面を覆つて分子線の形で入射される膜成長用
の材料が該表面に付着することを防止する防着板
をモリブデンブロツク上に配置し、 モリブデンブロツク上のウエハ張り付け部を前
記分子線入射窓方向に台状に形成し、台状のウエ
ハ張り付け部にウエハを張り付けたときに該ウエ
ハの表面が防着板表面より分子線源側に突出する
分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1268384A JPS60157216A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1268384A JPS60157216A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60157216A JPS60157216A (ja) | 1985-08-17 |
| JPH0136979B2 true JPH0136979B2 (ja) | 1989-08-03 |
Family
ID=11812169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1268384A Granted JPS60157216A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60157216A (ja) |
-
1984
- 1984-01-26 JP JP1268384A patent/JPS60157216A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60157216A (ja) | 1985-08-17 |
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