JPS60157216A - 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 - Google Patents
分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造Info
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- JPS60157216A JPS60157216A JP1268384A JP1268384A JPS60157216A JP S60157216 A JPS60157216 A JP S60157216A JP 1268384 A JP1268384 A JP 1268384A JP 1268384 A JP1268384 A JP 1268384A JP S60157216 A JPS60157216 A JP S60157216A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、遁高真空のチャンバ内（ニウエハを装填し、
このウェハには分子線の形で（、ａ、ｌ＼１．〕＼！−
等の材料を入射して膜成長させる分子線エピタキシャル
装置におけるウェハ装＊′ｉ構遺に係１）、特１こ１土
モリ７デ゛ンフ゛ロンクに′ンエハを弓長り（１１（す
てなるウェハ装着構造に関する。
このウェハには分子線の形で（、ａ、ｌ＼１．〕＼！−
等の材料を入射して膜成長させる分子線エピタキシャル
装置におけるウェハ装＊′ｉ構遺に係１）、特１こ１土
モリ７デ゛ンフ゛ロンクに′ンエハを弓長り（１１（す
てなるウェハ装着構造に関する。
分子線エピタキシャル装置は、一般に原理的には第１図
に示すよう１こなっている。第１図において、符号１は
内部が超高真空のチャンバ、２は、−のチャンバ１内に
装」眞された（： ａ Ａ ｓのウェハ、；（はウェハ
加熱用のヒータ、・′［はウニ／Ｘ２に分１’ｌＪｉ’
。
に示すよう１こなっている。第１図において、符号１は
内部が超高真空のチャンバ、２は、−のチャンバ１内に
装」眞された（： ａ Ａ ｓのウェハ、；（はウェハ
加熱用のヒータ、・′［はウニ／Ｘ２に分１’ｌＪｉ’
。
の形で入射されるＧ ａ 、 Ａ Ｉ 、 ／＼Ｓ等の
材料供給；１６！、５はヒータ線、６はシャッタ７は電
子銃、吃；は貿ｆｉ分Ａｉｉ器、’：３１ｉ ＲＩ Ｉ
ＩＥ”、 ＩＥ Ｉ） （高速反則毛γ線同１）１の
略称）スクリーンである。第２し１は、チ）−ツノ＜１
の一部破断斜視図である。第２図（、ニ第５いて、符号
っけシャンク６の操作用ノブ、１（）は牧Ｉ４，１７素
の容器、１１はチャンバ１のウェハ装填穴からチ■ンハ
１内に装填されたウエノ１２を分子線入射側に向けるな
との操作用／ブである。このような分子線エピタキシャ
ル装置では、ウエノＸ２」二の膜成長の厚さを粘度良く
制御できるものであるが、従来、このウェハ２は第３図
に示すように、モリブデン７０ツク１３の表面１４にイ
ンシ゛ウム簀の張すイ１１け用材料１５を介して張り（
＝］けられた状態でチャンバ１内に装」眞される。一方
、チャンバ１内には、前記装填位置にあるモリブデンブ
ロック１３を支持する部材１６とヒータ３および感温素
子としての熱電対１７とか設けられる。したがって、モ
リ７デンブロ／り１３かチャンバ１内の所定の位置に装
填されると、モリブデン７０ツク１３の裏面１８１１１
１１にはヒータ：（と熱電対１７とか配置されることに
なる。この熱電対１７はヒータ３により加熱されるウェ
ハ２の温度を検知し、その検知出力を図示しない’ＬＷ
度制御回路に勾えるものである。
材料供給；１６！、５はヒータ線、６はシャッタ７は電
子銃、吃；は貿ｆｉ分Ａｉｉ器、’：３１ｉ ＲＩ Ｉ
ＩＥ”、 ＩＥ Ｉ） （高速反則毛γ線同１）１の
略称）スクリーンである。第２し１は、チ）−ツノ＜１
の一部破断斜視図である。第２図（、ニ第５いて、符号
っけシャンク６の操作用ノブ、１（）は牧Ｉ４，１７素
の容器、１１はチャンバ１のウェハ装填穴からチ■ンハ
１内に装填されたウエノ１２を分子線入射側に向けるな
との操作用／ブである。このような分子線エピタキシャ
ル装置では、ウエノＸ２」二の膜成長の厚さを粘度良く
制御できるものであるが、従来、このウェハ２は第３図
に示すように、モリブデン７０ツク１３の表面１４にイ
ンシ゛ウム簀の張すイ１１け用材料１５を介して張り（
＝］けられた状態でチャンバ１内に装」眞される。一方
、チャンバ１内には、前記装填位置にあるモリブデンブ
ロック１３を支持する部材１６とヒータ３および感温素
子としての熱電対１７とか設けられる。したがって、モ
リ７デンブロ／り１３かチャンバ１内の所定の位置に装
填されると、モリブデン７０ツク１３の裏面１８１１１
１１にはヒータ：（と熱電対１７とか配置されることに
なる。この熱電対１７はヒータ３により加熱されるウェ
ハ２の温度を検知し、その検知出力を図示しない’ＬＷ
度制御回路に勾えるものである。
また、この温度制御回路はこの検知出力に応答してヒー
タ３の加熱動作を制御し、ウエノ＼２が常に１（（民５
５０度ないし７００度程度の所定の温度に保たれるよう
にする。
タ３の加熱動作を制御し、ウエノ＼２が常に１（（民５
５０度ないし７００度程度の所定の温度に保たれるよう
にする。
ところで、モリブデンブロック１３の熱ふ＜ ！ｌ］＝
１率は０．２８て゛あるのに太ｑし、・ンエノＸ２にｊ
反艮→−るにａ Ａ ｓの成長層のそれは、０．７であ
る。、ｌ：た、モリ７デンブロ／り１３のウエノ＼２を
除く表１ｒｉｉにもＧ ａ Ａ ｓの成長層か”生成さ
れてくる。したがって、膜成長開始時のウェハ温度は、
モリブデンブロック１３の該表面１４にＧ ａ Ａ ｓ
成長層が生成されてくるにしたがって低下し、成長終了
時のそれと比較して摂氏４０度ないし５０度あるν・は
それ以１１低下してくる。しかるに、熱電対１７は、モ
リ７デンブロック１３の局部的な温度をウニ／’を温度
としている。このため、実際のウエノ＼温度か大きく低
下しているのに、モリブデン７０ンク］３の局部的な温
度か一定であることによりウエノ脅晶度も一定であると
してウェノ＼温度を制御するおそれかあった。このよう
な不安定な温度制御では、ウェハ上に所定の緒特性を＞
６１足する（−ａ Ａ ｓ成長を得ろことかて゛きない
というＳ点かあった。、二のような難点を解消するため
、本出願人は特願昭５８−１６００７１号の発明「分子
線エピタキシャル装置のウェハ装着構造」を提案してい
る。この提案に係る発明は、第４図に示すようにモリ７
デンブロ・ンク］３には、ウェハを張り（−１ける部分
を除く該モリ７デン７０ンク１３の表面を覆うようにし
て遮蔽板１３）（防着板）をねし２０などで取すイ」げ
、このＪ蔽板１９により分子線の形で入射されてくる膜
成長用の材料が該表面に１７１着することを防止するよ
うにしている。したかって、本出願人が提案した発明に
Ｊ、り従来のｉｌＥ点の解消が図れたか、その代わり遮
蔽４反〕０がウェノ＼２の表面よりも」二側（口位置す
るので、モリフデ゛ンフロック１３上のウエハンの成長
中の表面状態の観シＡか国力１になるとともに、該モリ
７テン７０ツク１３へのウェハ２の張りイ目すか困り１
１になるという新たな問題点か発生した 本発明は、１）；」述の従来例の難点を解消するととも
に、本出願！（か］ｊＩ案した前記発明の問題点の解消
をしｊることをＬ１的とする。
１率は０．２８て゛あるのに太ｑし、・ンエノＸ２にｊ
反艮→−るにａ Ａ ｓの成長層のそれは、０．７であ
る。、ｌ：た、モリ７デンブロ／り１３のウエノ＼２を
除く表１ｒｉｉにもＧ ａ Ａ ｓの成長層か”生成さ
れてくる。したがって、膜成長開始時のウェハ温度は、
モリブデンブロック１３の該表面１４にＧ ａ Ａ ｓ
成長層が生成されてくるにしたがって低下し、成長終了
時のそれと比較して摂氏４０度ないし５０度あるν・は
それ以１１低下してくる。しかるに、熱電対１７は、モ
リ７デンブロック１３の局部的な温度をウニ／’を温度
としている。このため、実際のウエノ＼温度か大きく低
下しているのに、モリブデン７０ンク］３の局部的な温
度か一定であることによりウエノ脅晶度も一定であると
してウェノ＼温度を制御するおそれかあった。このよう
な不安定な温度制御では、ウェハ上に所定の緒特性を＞
６１足する（−ａ Ａ ｓ成長を得ろことかて゛きない
というＳ点かあった。、二のような難点を解消するため
、本出願人は特願昭５８−１６００７１号の発明「分子
線エピタキシャル装置のウェハ装着構造」を提案してい
る。この提案に係る発明は、第４図に示すようにモリ７
デンブロ・ンク］３には、ウェハを張り（−１ける部分
を除く該モリ７デン７０ンク１３の表面を覆うようにし
て遮蔽板１３）（防着板）をねし２０などで取すイ」げ
、このＪ蔽板１９により分子線の形で入射されてくる膜
成長用の材料が該表面に１７１着することを防止するよ
うにしている。したかって、本出願人が提案した発明に
Ｊ、り従来のｉｌＥ点の解消が図れたか、その代わり遮
蔽４反〕０がウェノ＼２の表面よりも」二側（口位置す
るので、モリフデ゛ンフロック１３上のウエハンの成長
中の表面状態の観シＡか国力１になるとともに、該モリ
７テン７０ツク１３へのウェハ２の張りイ目すか困り１
１になるという新たな問題点か発生した 本発明は、１）；」述の従来例の難点を解消するととも
に、本出願！（か］ｊＩ案した前記発明の問題点の解消
をしｊることをＬ１的とする。
以１ζ、本発明をし１面に示す実施例に基ついて詳細に
説明する。第５図は本発明の実施例の要部の断面図であ
り、第３図および第４図と対応する７１（分には同一の
符号を（＝ｊす。第５図において、２はＧａＡｓのウェ
ハ、３はヒータ、１３はモリ７デンブａンク、１５は張
り（＝Ｉけ用部祠、１６は支］）部材、１７は熱電対、
１９は防着板、２０はねしである。ここで、この防着板
１９はモリ７デン７０ンク］３上のウェハ張りイτｊけ
部２２にヌ・］応して形成された分子線入射窓２１を有
しがっ、このウェハ張りＩ；Ｉけ部２２を除く該モリ７
デン７０．り１：）の表面１４を覆って分子線の形で人
η・ｊされる膜成長用の材料か該表面に付着することを
防１１４−るちのである。この構ｔまでは第・・１し１
と同村て′あ１）、したがって前記従来例のテ１１点か
解７１；］ざ・れる。
説明する。第５図は本発明の実施例の要部の断面図であ
り、第３図および第４図と対応する７１（分には同一の
符号を（＝ｊす。第５図において、２はＧａＡｓのウェ
ハ、３はヒータ、１３はモリ７デンブａンク、１５は張
り（＝Ｉけ用部祠、１６は支］）部材、１７は熱電対、
１９は防着板、２０はねしである。ここで、この防着板
１９はモリ７デン７０ンク］３上のウェハ張りイτｊけ
部２２にヌ・］応して形成された分子線入射窓２１を有
しがっ、このウェハ張りＩ；Ｉけ部２２を除く該モリ７
デン７０．り１：）の表面１４を覆って分子線の形で人
η・ｊされる膜成長用の材料か該表面に付着することを
防１１４−るちのである。この構ｔまでは第・・１し１
と同村て′あ１）、したがって前記従来例のテ１１点か
解７１；］ざ・れる。
この実施例で注目すべきは、モリ７デン７０ツク１３の
構成にある。即ち、モリ７デン７０／り１３は、そのウ
ェハ張り（；Ｉげ部２２か］１１」泥分子線入射窓２１
方向に台状に盛り」−１９で形成される。
構成にある。即ち、モリ７デン７０／り１３は、そのウ
ェハ張り（；Ｉげ部２２か］１１」泥分子線入射窓２１
方向に台状に盛り」−１９で形成される。
台状のウェハ張り付げ部２２にウェハ２を引＜ ’）
’ｌ’１けたときに該ウェハ２の表面か［りｈ着板１９
表面よつ」−側に位置するようになる。したがって、こ
のウェハ２１の膜成長状態を観察する場合に、ウェハ２
の表面が１ｉＪｊ着板１９よりも旧制に位置するのでＲ
ｌ−Ｉ Ｅ にＤの入射電子および散乱電子が防着板に
妨げられることがなくスクリーン９から前記観察を容易
ｌこ１了なうことかで゛ぎるとともに、ウェハ２のモリ
７デン７０ンク１３への張り刊けも容易に行なうことか
でト、これにより本出願人が提案した前記発明の問題点
を解消することができる。
’ｌ’１けたときに該ウェハ２の表面か［りｈ着板１９
表面よつ」−側に位置するようになる。したがって、こ
のウェハ２１の膜成長状態を観察する場合に、ウェハ２
の表面が１ｉＪｊ着板１９よりも旧制に位置するのでＲ
ｌ−Ｉ Ｅ にＤの入射電子および散乱電子が防着板に
妨げられることがなくスクリーン９から前記観察を容易
ｌこ１了なうことかで゛ぎるとともに、ウェハ２のモリ
７デン７０ンク１３への張り刊けも容易に行なうことか
でト、これにより本出願人が提案した前記発明の問題点
を解消することができる。
１υ、１−のように、本発明によれば、超高真空のチャ
ンバ内に、モリ７デン７０ツクの表面のウエノ１張り（
１げ部に張υＩ＝１けられたウェハか装」眞される一刀
、このチャンバ内には該チャンバ内のモリブデン７０ツ
クの裏面側に位置してヒータおよびウェハの加熱温度を
検知する感温素子が設けられる分子線エピタキシャル装
置に適用されるものであって、モリフチ゛′ンフロンク
」二のウェハ張すイ；］’ ＋ｔ ｇ ｉこヌ・１応し
て形成された分子線入射窓を有しかつ、このウェハ張り
（；１け部を除く該モリ７デン７０ンクの表面を覆って
分子線の形で入射される膜成長用の材料が該表面に［蒐
１着することを防１１−するｌＩＢ ２１Ｔ板を、モリ
フ゛テ゛ン７０ツク−にに配置し、モリ７デンブロック
上のウェハ張す付け部を前記分子線入射窓方向に台状に
形成し、台状のウェハ張１） （＝Ｉけ部にウェハを張
り（＝１けたとぎに該ウェハの表面か１ＩＪｊ着板表面
より」二側に位置するので、このｌｉ、Ｉｉ着板により
分子線の形で入射される膜成長用の利料がウェハを除く
その表面に１τｊ着することがＩυ〕止され、史にモリ
７デンブロック上のウェハ張り１・］げ）（ＩＳに張り
刊けられたウェハか防第４板よりも−にカに装置→−る
ことになり、ウェハの前記張））付は部への張り付けと
そのウェハ上の膜成長の観察とをｆ）易に行なうことが
できる。
ンバ内に、モリ７デン７０ツクの表面のウエノ１張り（
１げ部に張υＩ＝１けられたウェハか装」眞される一刀
、このチャンバ内には該チャンバ内のモリブデン７０ツ
クの裏面側に位置してヒータおよびウェハの加熱温度を
検知する感温素子が設けられる分子線エピタキシャル装
置に適用されるものであって、モリフチ゛′ンフロンク
」二のウェハ張すイ；］’ ＋ｔ ｇ ｉこヌ・１応し
て形成された分子線入射窓を有しかつ、このウェハ張り
（；１け部を除く該モリ７デン７０ンクの表面を覆って
分子線の形で入射される膜成長用の材料が該表面に［蒐
１着することを防１１−するｌＩＢ ２１Ｔ板を、モリ
フ゛テ゛ン７０ツク−にに配置し、モリ７デンブロック
上のウェハ張す付け部を前記分子線入射窓方向に台状に
形成し、台状のウェハ張１） （＝Ｉけ部にウェハを張
り（＝１けたとぎに該ウェハの表面か１ＩＪｊ着板表面
より」二側に位置するので、このｌｉ、Ｉｉ着板により
分子線の形で入射される膜成長用の利料がウェハを除く
その表面に１τｊ着することがＩυ〕止され、史にモリ
７デンブロック上のウェハ張り１・］げ）（ＩＳに張り
刊けられたウェハか防第４板よりも−にカに装置→−る
ことになり、ウェハの前記張））付は部への張り付けと
そのウェハ上の膜成長の観察とをｆ）易に行なうことが
できる。
第１図は、分子線エピタキシャル装置の原理説明に供す
る該装置の模式図、第２し１（、ｔこの装置のチャンバ
の一部切欠斜視図、第３図は従来例のｔｌｌｌｉ面図、
第４図は１ｉｉｊ記従来例の難点をＩ’＋’１消した装
置の断面図、第５図は本発明の寅施例の装置の断面図で
ある。 ］はチャンバ、２はウェハ、３はヒータ、１３はモリ７
デンブロック、１７は熱電対、１５〕は防着板、２１は
窓、２２はウェハ張り（＝ｌけ部。 出願人 口 −ム株式会社 代理人 弁理士 岡１）和秀 第１図 第２図 第３図 第４図 ］８ 第５図
る該装置の模式図、第２し１（、ｔこの装置のチャンバ
の一部切欠斜視図、第３図は従来例のｔｌｌｌｉ面図、
第４図は１ｉｉｊ記従来例の難点をＩ’＋’１消した装
置の断面図、第５図は本発明の寅施例の装置の断面図で
ある。 ］はチャンバ、２はウェハ、３はヒータ、１３はモリ７
デンブロック、１７は熱電対、１５〕は防着板、２１は
窓、２２はウェハ張り（＝ｌけ部。 出願人 口 −ム株式会社 代理人 弁理士 岡１）和秀 第１図 第２図 第３図 第４図 ］８ 第５図
Claims (1)
- （１）超高真空のチャンバ内に、モリ７デンブロノクの
表面のウェハ張すイ：１け部に張り（；ｌけられｔこウ
ェハか′装」眞すれる一力、このチャンバ内にハ該チャ
／ハ内のモリフデン７０ンクの裏面側に位置してヒータ
もよひウェハの加熱温度を検知する感湿素ｒか設（Ｊら
れる分子線エピタキシャル装置に適用さｊしるものて′
あって、モリフチ゛ンフロンク」二の゛ンエハ張す１１
け部にメ・」応して形成された分子線入射窓をイＪしか
つ１．−のウェハ張りＩ；Ｉげ部を除く該モリフデン７
０／りの表面を覆って分子線の形で入射さり、る膜成１
・ζ川の４・４第１か該表面に付着することを１くツノ
１１１゛るＩＩ）ｊλ′１板を、疋り７デン７０ンク」
−に配置し、モリフデン７Ｕツク１、のウェハ張り（・
［け部を１１１」記号Ｊ′線人躬窓）ｊ向に台状に形成
し、台状のウェハ張り１１け部にウェハを張り！、１け
たときに該ウェハの表面か（５ツノ着板表面より−）−
側に位置する、分子線エピタキシャル装置のウェハ装着
構造１．
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1268384A JPS60157216A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1268384A JPS60157216A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60157216A true JPS60157216A (ja) | 1985-08-17 |
| JPH0136979B2 JPH0136979B2 (ja) | 1989-08-03 |
Family
ID=11812169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1268384A Granted JPS60157216A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ装着構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60157216A (ja) |
-
1984
- 1984-01-26 JP JP1268384A patent/JPS60157216A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0136979B2 (ja) | 1989-08-03 |
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