JP3191316B2 - ベーク処理装置 - Google Patents
ベーク処理装置Info
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- JP3191316B2 JP3191316B2 JP14127091A JP14127091A JP3191316B2 JP 3191316 B2 JP3191316 B2 JP 3191316B2 JP 14127091 A JP14127091 A JP 14127091A JP 14127091 A JP14127091 A JP 14127091A JP 3191316 B2 JP3191316 B2 JP 3191316B2
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- Japan
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- wafer
- hot plate
- baking
- temperature
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の製造工
程に関し、特にフォトリソグラフィープロセスにおける
フォトレジスト塗布後あるいは現像後に半導体基板（以
下、ウェハという）のベーク処理を行う装置に関する。
程に関し、特にフォトリソグラフィープロセスにおける
フォトレジスト塗布後あるいは現像後に半導体基板（以
下、ウェハという）のベーク処理を行う装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のベーク処理装置は図２に示すよう
に、ヒータ４と温度センサー５を組み込んだホットプレ
ート２上にウェハ１を乗せ、温度制御回路６の働きによ
りウェハ１に所定の温度でべーク処理を行う。従来よ
り、ウェハ１をホットプレート２上に直接置く方式（い
わゆるコンタクトベーク）が一般的に多く用いられてい
たが、この方式では、ウェハの裏面がホットプレート表
面と密着するためにウェハ裏面へのゴミの付着が問題と
なっている。
に、ヒータ４と温度センサー５を組み込んだホットプレ
ート２上にウェハ１を乗せ、温度制御回路６の働きによ
りウェハ１に所定の温度でべーク処理を行う。従来よ
り、ウェハ１をホットプレート２上に直接置く方式（い
わゆるコンタクトベーク）が一般的に多く用いられてい
たが、この方式では、ウェハの裏面がホットプレート表
面と密着するためにウェハ裏面へのゴミの付着が問題と
なっている。
【０００３】このため、最近では、ウェハとホットプレ
ートを密着せずに０．１〜０．２ｍｍ程度の隙間を設け
てベーク処理を行ういわゆるプロキシミティベークが主
流となってきており、図２に示すようにホットプレート
２上にプロキシミティピン７が設置されており、その上
にウェハ１を乗せてベーク処理を行う方式となってい
る。
ートを密着せずに０．１〜０．２ｍｍ程度の隙間を設け
てベーク処理を行ういわゆるプロキシミティベークが主
流となってきており、図２に示すようにホットプレート
２上にプロキシミティピン７が設置されており、その上
にウェハ１を乗せてベーク処理を行う方式となってい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】コンタクトベークで
は、ホットプレートとウェハが接触しているために、ウ
ェハ温度はホットプレートの表面温度と同一になるが、
プロキシミティベークではホットプレート上にウェハが
接触していないために、ウェハヘの熱の伝わり方がコン
タクトベークが熱伝導なのに対し、プロキシミティベー
クでは熱伝達になるため、効率が悪く、図３に示すよう
にホットプレートとウェハとの間隔（これをプロキシミ
ティギャップと呼ぶ）が大きくなるに従いウェハの表面
温度が低くなるという現象が起こる。
は、ホットプレートとウェハが接触しているために、ウ
ェハ温度はホットプレートの表面温度と同一になるが、
プロキシミティベークではホットプレート上にウェハが
接触していないために、ウェハヘの熱の伝わり方がコン
タクトベークが熱伝導なのに対し、プロキシミティベー
クでは熱伝達になるため、効率が悪く、図３に示すよう
にホットプレートとウェハとの間隔（これをプロキシミ
ティギャップと呼ぶ）が大きくなるに従いウェハの表面
温度が低くなるという現象が起こる。
【０００５】プロキシミティギャップは、プロキシミテ
ィピンにゴミ等が付着することにより容易に変わりやす
く、またウェハ自体のそりの影響によっても、プロキシ
ミティギャップが変わってしまいやすいという特性を持
っている。
ィピンにゴミ等が付着することにより容易に変わりやす
く、またウェハ自体のそりの影響によっても、プロキシ
ミティギャップが変わってしまいやすいという特性を持
っている。
【０００６】上記の理由からプロキシミティベークで
は、ウェハ表面温度を一定に保つのがコンタクトベーク
と比べてかなり困難であるという問題点があった。
は、ウェハ表面温度を一定に保つのがコンタクトベーク
と比べてかなり困難であるという問題点があった。
【０００７】本発明の目的は、プロキシミティベーク方
式の問題点を解決したベーク処理装置を提供することに
ある。
式の問題点を解決したベーク処理装置を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体製造装置は、半導体基板を加熱
されたホットプレートを用いてウェハのベーク処理を行
う半導体製造装置であって、前記ホットプレートは、半
導体基板を挟んで上下に設置され、前記半導体基板は、
前記下のホットプレートのウェハ保持用ピンに保持さ
れ、前記上下のホットプレート内に設置されている各々
の温度センサーは、ヒーターと半導体基板の間に設置さ
れている。
め、本発明に係る半導体製造装置は、半導体基板を加熱
されたホットプレートを用いてウェハのベーク処理を行
う半導体製造装置であって、前記ホットプレートは、半
導体基板を挟んで上下に設置され、前記半導体基板は、
前記下のホットプレートのウェハ保持用ピンに保持さ
れ、前記上下のホットプレート内に設置されている各々
の温度センサーは、ヒーターと半導体基板の間に設置さ
れている。
【０００９】
【作用】本発明のベーク処理装置では、ウェハの下面側
だけでなく、ウェハの上面側にもホットプレートを設置
し、ウェハをこれら２枚の対向させたホットプレートの
中央に位置するように適正な高さのウェハ保持用ピンを
備えている。
だけでなく、ウェハの上面側にもホットプレートを設置
し、ウェハをこれら２枚の対向させたホットプレートの
中央に位置するように適正な高さのウェハ保持用ピンを
備えている。
【００１０】これにより、ウェハが上下のホットプレー
トから等しい距離に保持することができ、この中央付近
では上下の高さ方向に対する温度勾配がほぼ０となって
いるためにウェハ保持用ピンにゴミ等が付着したり、ウ
ェハ自体のそりの影響によりウェハの設置位置が多少変
動しても、これらの原因による温度変化をほとんど受け
ずに常に安定した温度条件によるウェハのベーク処理を
行うことができる。
トから等しい距離に保持することができ、この中央付近
では上下の高さ方向に対する温度勾配がほぼ０となって
いるためにウェハ保持用ピンにゴミ等が付着したり、ウ
ェハ自体のそりの影響によりウェハの設置位置が多少変
動しても、これらの原因による温度変化をほとんど受け
ずに常に安定した温度条件によるウェハのベーク処理を
行うことができる。
【００１１】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１２】図１は、本発明の一実施例を示す概略図で
ある。
ある。
【００１３】図において、ウェハ１はウェハ保持用ピン
３上に乗っており、ウェハ１の上下方向には、それぞれ
等しい距離になる位置にホットプレート２，２が対向し
て設置されている。それぞれのホットプレート２内に
は、ヒータ４及び温度センサ５が組み込まれており、温
度制御回路６の働きにより常にあらかじめ設定された一
定温度に保たれている。
３上に乗っており、ウェハ１の上下方向には、それぞれ
等しい距離になる位置にホットプレート２，２が対向し
て設置されている。それぞれのホットプレート２内に
は、ヒータ４及び温度センサ５が組み込まれており、温
度制御回路６の働きにより常にあらかじめ設定された一
定温度に保たれている。
【００１４】これによりウェハ１の位置している上下の
ホットプレート２，２の中間地点の領域では、上下方向
の位置変化に対する温度変化がほぼ０となっているため
にウェハ保持用ピン３にゴミが付着したり、ウェハ１自
体のそりの影響によりウェハの設置位置が多少変動して
も、それらの原因による温度変化をほとんど受けずに常
に安定した温度条件によるウェハのベーク処理を行うこ
とができる。
ホットプレート２，２の中間地点の領域では、上下方向
の位置変化に対する温度変化がほぼ０となっているため
にウェハ保持用ピン３にゴミが付着したり、ウェハ１自
体のそりの影響によりウェハの設置位置が多少変動して
も、それらの原因による温度変化をほとんど受けずに常
に安定した温度条件によるウェハのベーク処理を行うこ
とができる。
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は上下２枚の
ホットプレートに挾まれた空間の中央部の上下位置変化
による温度勾配が０になっている領域にウェハを保持し
てベーク処理を行うために、ウェハ保持用ピンの高さの
ゴミ等の付着による高さ変化や、ウェハ自体のそりによ
る位置変化による温度変化の影響をほとんど受けずに、
常に安定した温度条件によるウェハのベーク処理を行う
ことができるという効果を有する。
ホットプレートに挾まれた空間の中央部の上下位置変化
による温度勾配が０になっている領域にウェハを保持し
てベーク処理を行うために、ウェハ保持用ピンの高さの
ゴミ等の付着による高さ変化や、ウェハ自体のそりによ
る位置変化による温度変化の影響をほとんど受けずに、
常に安定した温度条件によるウェハのベーク処理を行う
ことができるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を示す槻略図である。
【図２】従来のベーク処理装置を示す槻略図である。
【図３】従来のベーク処理装置におけるプロキシミティ
ギャップとウェハ表面温度の関係を示す図である。
ギャップとウェハ表面温度の関係を示す図である。
１ ウェハ ２ ホットプレート ３ ウェハ保持用ピン ４ ヒータ ５ 温度センサ
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板を加熱されたホットプレートを
用いてウェハのベーク処理を行う半導体製造装置であっ
て、 前記ホットプレートは、半導体基板を挟んで上下に設置
され、 前記半導体基板を、上下方向の位置変化に対する温度勾
配がほぼ０となる位置に前記下のホットプレートのウェ
ハ保持用ピンに保持することを特徴とするベーク処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14127091A JP3191316B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ベーク処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14127091A JP3191316B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ベーク処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04342115A JPH04342115A (ja) | 1992-11-27 |
| JP3191316B2 true JP3191316B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=15287991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14127091A Expired - Fee Related JP3191316B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ベーク処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3191316B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150132A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 均熱装置 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP14127091A patent/JP3191316B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04342115A (ja) | 1992-11-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees | ||
| R231 | Written correction (descriptions, etc.) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R231 |