JPH04342115A - ベーク処理装置 - Google Patents
ベーク処理装置Info
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- JPH04342115A JPH04342115A JP14127091A JP14127091A JPH04342115A JP H04342115 A JPH04342115 A JP H04342115A JP 14127091 A JP14127091 A JP 14127091A JP 14127091 A JP14127091 A JP 14127091A JP H04342115 A JPH04342115 A JP H04342115A
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- JP
- Japan
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- wafer
- baking
- hot plate
- baking treatment
- proximity
- Prior art date
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- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の製造工
程に関し、特にフォトリソグラフィープロセスにおける
フォトレジスト塗布後あるいは現像後に半導体基板（以
下、ウェハという）のベーク処理を行う装置に関する。
程に関し、特にフォトリソグラフィープロセスにおける
フォトレジスト塗布後あるいは現像後に半導体基板（以
下、ウェハという）のベーク処理を行う装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のベーク処理装置は図３に示すよう
に、ヒータ４と温度センサー５を組み込んだホットプレ
ート２上にウェハ１を乗せ、温度制御回路６の働きによ
りウェハ１に所定の温度でベーク処理を行う。従来より
、ウェハ１をホットプレート２上に直接置く方式（いわ
ゆるコンタクトベーク）が一般的に多く用いられていた
が、この方式では、ウェハの裏面がホットプレート表面
と密着するためにウェハ裏面へのゴミの付着が問題とな
っている。
に、ヒータ４と温度センサー５を組み込んだホットプレ
ート２上にウェハ１を乗せ、温度制御回路６の働きによ
りウェハ１に所定の温度でベーク処理を行う。従来より
、ウェハ１をホットプレート２上に直接置く方式（いわ
ゆるコンタクトベーク）が一般的に多く用いられていた
が、この方式では、ウェハの裏面がホットプレート表面
と密着するためにウェハ裏面へのゴミの付着が問題とな
っている。
【０００３】このため、最近では、ウェハとホットプレ
ートを密着せずに０．１〜０．２ｍｍ程度の隙間を設け
てベーク処理を行ういわゆるプロキシミティベークが主
流となってきており、図３に示すようにホットプレート
２上にプロキシミティピン７が設置されており、その上
にウェハ１を乗せてベーク処理を行う方式となっている
。
ートを密着せずに０．１〜０．２ｍｍ程度の隙間を設け
てベーク処理を行ういわゆるプロキシミティベークが主
流となってきており、図３に示すようにホットプレート
２上にプロキシミティピン７が設置されており、その上
にウェハ１を乗せてベーク処理を行う方式となっている
。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】コンタクトベークでは
、ホットプレートとウェハが接触しているために、ウェ
ハ温度はホットプレートの表面温度と同一になるが、プ
ロキシミティベークではホットプレート上にウェハが接
触していないために、ウェハへの熱の伝わり方がコンタ
クトベークが熱伝導なのに対し、プロキシミティベーク
では熱伝達になるため、効率が悪く、図４に示すように
ホットプレートとウェハとの間隔（これをプロキシミテ
ィギャップと呼ぶ）が大きくなるに従いウェハの表面温
度が低くなるという現象が起こる。
、ホットプレートとウェハが接触しているために、ウェ
ハ温度はホットプレートの表面温度と同一になるが、プ
ロキシミティベークではホットプレート上にウェハが接
触していないために、ウェハへの熱の伝わり方がコンタ
クトベークが熱伝導なのに対し、プロキシミティベーク
では熱伝達になるため、効率が悪く、図４に示すように
ホットプレートとウェハとの間隔（これをプロキシミテ
ィギャップと呼ぶ）が大きくなるに従いウェハの表面温
度が低くなるという現象が起こる。
【０００５】プロキシミティギャップは、プロキシミテ
ィピンにゴミ等が付着することにより容易に変わりやす
く、またウェハ自体のそりの影響によっても、プロキシ
ミティギャップが変わってしまいやすいという特性を持
っている。
ィピンにゴミ等が付着することにより容易に変わりやす
く、またウェハ自体のそりの影響によっても、プロキシ
ミティギャップが変わってしまいやすいという特性を持
っている。
【０００６】上記の理由からプロキシミティベークでは
、ウェハ表面温度を一定に保つのがコンタクトベークと
比べてかなり困難であるという問題点があった。
、ウェハ表面温度を一定に保つのがコンタクトベークと
比べてかなり困難であるという問題点があった。
【０００７】本発明の目的は、プロキシミティベーク方
式の問題点を解決したベーク処理装置を提供することに
ある。
式の問題点を解決したベーク処理装置を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明に係るベーク処理装置においては、半導体基板
を加熱されたホットプレートを用いてウェハのベーク処
理を行う半導体製造装置であって、ホットプレートは、
半導体基板を挾んでその上下に配設したものであり、半
導体基板は、ウェハ保持用ピンに支持されて上下のホツ
トプレート間に保持されるようにしたものである。
、本発明に係るベーク処理装置においては、半導体基板
を加熱されたホットプレートを用いてウェハのベーク処
理を行う半導体製造装置であって、ホットプレートは、
半導体基板を挾んでその上下に配設したものであり、半
導体基板は、ウェハ保持用ピンに支持されて上下のホツ
トプレート間に保持されるようにしたものである。
【０００９】
【作用】本発明のベーク処理装置では、ウェハの下面側
だけでなく、ウェハの上面側にもホットプレートを設置
し、ウェハをこれら２枚の対向させたホットプレートの
中央に位置するように適正な高さのウェハ保持用ピンを
備えている。
だけでなく、ウェハの上面側にもホットプレートを設置
し、ウェハをこれら２枚の対向させたホットプレートの
中央に位置するように適正な高さのウェハ保持用ピンを
備えている。
【００１０】これにより、ウェハが上下のホットプレー
トから等しい距離に保持することができ、この中央付近
では上下の高さ方向に対する温度勾配がほぼ０となって
いるためにウェハ保持用ピンにゴミ等が付着したり、ウ
ェハ自体のそりの影響によりウェハの設置位置が多少変
動しても、これらの原因による温度変化をほとんど受け
ずに常に安定した温度条件によるウェハのベーク処理を
行うことができる。
トから等しい距離に保持することができ、この中央付近
では上下の高さ方向に対する温度勾配がほぼ０となって
いるためにウェハ保持用ピンにゴミ等が付着したり、ウ
ェハ自体のそりの影響によりウェハの設置位置が多少変
動しても、これらの原因による温度変化をほとんど受け
ずに常に安定した温度条件によるウェハのベーク処理を
行うことができる。
【００１１】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
。
【００１２】（実施例１）図１は、本発明の実施例１を
示す概略図である。
示す概略図である。
【００１３】図において、ウェハ１はウェハ保持用ピン
３上に乗っており、ウェハ１の上下方向には、それぞれ
等しい距離になる位置にホットプレート２，２が対向し
て設置されている。それぞれのホットプレート２内には
、ヒータ４及び温度センサ５が組み込まれており、温度
制御回路６の働きにより常にあらかじめ設定された一定
温度に保たれている。
３上に乗っており、ウェハ１の上下方向には、それぞれ
等しい距離になる位置にホットプレート２，２が対向し
て設置されている。それぞれのホットプレート２内には
、ヒータ４及び温度センサ５が組み込まれており、温度
制御回路６の働きにより常にあらかじめ設定された一定
温度に保たれている。
【００１４】これによりウェハ１の位置している上下の
ホットプレート２，２の中間地点の領域では、上下方向
の位置変化に対する温度変化がほぼ０となっているため
にウェハ保持用ピン３にゴミが付着したり、ウェハ１自
体のそりの影響によりウェハの設置位置が多少変動して
も、それらの原因による温度変化をほとんど受けずに常
に安定した温度条件によるウェハのベーク処理を行うこ
とができる。
ホットプレート２，２の中間地点の領域では、上下方向
の位置変化に対する温度変化がほぼ０となっているため
にウェハ保持用ピン３にゴミが付着したり、ウェハ１自
体のそりの影響によりウェハの設置位置が多少変動して
も、それらの原因による温度変化をほとんど受けずに常
に安定した温度条件によるウェハのベーク処理を行うこ
とができる。
【００１５】（実施例２）図２は、本発明の実施例２を
示す概略図である。
示す概略図である。
【００１６】本実施例２では、ホットプレート２を１枚
追加して計３枚として同時に２枚のウェハのベーク処理
を可能にしている。実施例１の方式では、２枚のウエハ
１を同時に処理しようとすれば、４枚のホットプレート
を必要とするが、実施例２では３枚のホットプレート２
で良いため、設置スペースやコストの面で有利である。
追加して計３枚として同時に２枚のウェハのベーク処理
を可能にしている。実施例１の方式では、２枚のウエハ
１を同時に処理しようとすれば、４枚のホットプレート
を必要とするが、実施例２では３枚のホットプレート２
で良いため、設置スペースやコストの面で有利である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は上下２枚の
ホットプレートに挾まれた空間の中央部の上下位置変化
による温度勾配が０になっている領域にウェハを保持し
てベーク処理を行うために、ウェハ保持用ピンの高さの
ゴミ等の付着による高さ変化や、ウェハ自体のそりによ
る位置変化による温度変化の影響をほとんど受けずに、
常に安定した温度条件によるウェハのベーク処理を行う
ことができるという効果を有する。
ホットプレートに挾まれた空間の中央部の上下位置変化
による温度勾配が０になっている領域にウェハを保持し
てベーク処理を行うために、ウェハ保持用ピンの高さの
ゴミ等の付着による高さ変化や、ウェハ自体のそりによ
る位置変化による温度変化の影響をほとんど受けずに、
常に安定した温度条件によるウェハのベーク処理を行う
ことができるという効果を有する。
【図１】本発明の実施例１を示す概略図である。
【図２】本発明の実施例２を示す概略図である。
【図３】従来のベーク処理装置を示す概略図である。
【図４】従来のベーク処理装置におけるプロキシミティ
ギャップとウェハ表面温度の関係を示す図である。
ギャップとウェハ表面温度の関係を示す図である。
１ ウェハ
２ ホットプレート
３ ウェハ保持用ピン
４ ヒータ
５ 温度センサ
６ 温度制御回路
７ プロキシミティピン
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板を加熱されたホットプレー
トを用いてウェハのベーク処理を行う半導体製造装置で
あって、ホットプレートは、半導体基板を挾んでその上
下に配設したものであり、半導体基板は、ウェハ保持用
ピンに支持されて上下のホツトプレート間に保持される
ようにしたものであることを特徴とするベーク処理装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14127091A JP3191316B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ベーク処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14127091A JP3191316B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ベーク処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04342115A true JPH04342115A (ja) | 1992-11-27 |
| JP3191316B2 JP3191316B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=15287991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14127091A Expired - Fee Related JP3191316B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | ベーク処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3191316B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150132A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 均熱装置 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP14127091A patent/JP3191316B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150132A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 均熱装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3191316B2 (ja) | 2001-07-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees | ||
| R231 | Written correction (descriptions, etc.) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R231 |