JP2882180B2 - ベーク処理装置 - Google Patents
ベーク処理装置Info
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- JP2882180B2 JP2882180B2 JP10700392A JP10700392A JP2882180B2 JP 2882180 B2 JP2882180 B2 JP 2882180B2 JP 10700392 A JP10700392 A JP 10700392A JP 10700392 A JP10700392 A JP 10700392A JP 2882180 B2 JP2882180 B2 JP 2882180B2
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- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- wafer
- radiant heat
- hot plate
- arithmetic processing
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
工程、特にフォトリソグラフィープロセスにおけるフォ
トレジスト塗布後や露光後、あるいは現像後にベーク処
理を行う装置に関する。
工程、特にフォトリソグラフィープロセスにおけるフォ
トレジスト塗布後や露光後、あるいは現像後にベーク処
理を行う装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のベーク処理装置は図３に示すよう
に、ヒータ４と温度検出センサ８を組み込んだホットプ
レート２上に半導体基板（以下、ウェハという）１を乗
せ、温度検出センサ８の出力信号に基づいて温度制御部
７によりヒータ４の温度を制御してウェハ１に所定の温
度でベーク処理を行う。
に、ヒータ４と温度検出センサ８を組み込んだホットプ
レート２上に半導体基板（以下、ウェハという）１を乗
せ、温度検出センサ８の出力信号に基づいて温度制御部
７によりヒータ４の温度を制御してウェハ１に所定の温
度でベーク処理を行う。
【０００３】従来よりウェハをホットプレート上に直接
置く方式（いわゆるコンタクトベーク）が一般的に多く
用いられていたが、この方式では、ウェハの裏面がホッ
トプレート表面と密着するためにウェハ裏面へのゴミの
付着が問題となっている。
置く方式（いわゆるコンタクトベーク）が一般的に多く
用いられていたが、この方式では、ウェハの裏面がホッ
トプレート表面と密着するためにウェハ裏面へのゴミの
付着が問題となっている。
【０００４】このため、最近ではウェハとホットプレー
トを密着させずに０．１〜０．２ｍｍ程度のすきまを設
けてベーク処理を行ういわゆるプロキシミティピン３が
設置されており、その上にウェハ１を乗せてベーク処理
を行う方式となっている。
トを密着させずに０．１〜０．２ｍｍ程度のすきまを設
けてベーク処理を行ういわゆるプロキシミティピン３が
設置されており、その上にウェハ１を乗せてベーク処理
を行う方式となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】コンタクトベークで
は、ホットプレートとウェハが密着しているためにウェ
ハ温度はホットプレートの表面温度と同一になるが、プ
ロキシミティベークではホットプレート上にウェハが密
着していないためにウェハへの熱の伝わり方が、コンタ
クトベークが熱伝導なのに対し、プロキシミティベーク
では熱伝達になるため効率が悪く、図４に示すようにホ
ットプレートとウェハとの間隔（これをプロキシミティ
ギャップと呼ぶ）が大きくなるに従い、ウェハの表面温
度が低くなるという現象が起こる。
は、ホットプレートとウェハが密着しているためにウェ
ハ温度はホットプレートの表面温度と同一になるが、プ
ロキシミティベークではホットプレート上にウェハが密
着していないためにウェハへの熱の伝わり方が、コンタ
クトベークが熱伝導なのに対し、プロキシミティベーク
では熱伝達になるため効率が悪く、図４に示すようにホ
ットプレートとウェハとの間隔（これをプロキシミティ
ギャップと呼ぶ）が大きくなるに従い、ウェハの表面温
度が低くなるという現象が起こる。
【０００６】プロキシミティギャップはプロキシミティ
ピンにゴミ等が付着することにより容易に変わりやす
く、またウェハ自体の反りの影響によっても、プロキシ
ミティギャップが変わってしまいやすいという欠点を持
っている。
ピンにゴミ等が付着することにより容易に変わりやす
く、またウェハ自体の反りの影響によっても、プロキシ
ミティギャップが変わってしまいやすいという欠点を持
っている。
【０００７】上記の理由からプロキシミティベークで
は、ウェハ表面温度を一定に保つのがコンタクトベーク
と比べてかなり困難であるという問題点があった。
は、ウェハ表面温度を一定に保つのがコンタクトベーク
と比べてかなり困難であるという問題点があった。
【０００８】本発明の目的は、プロキシミティベークに
おけるウェハ表面温度を一定に保つベーク処理装置を提
供することにある。
おけるウェハ表面温度を一定に保つベーク処理装置を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るベーク処理装置は、輻射熱センサと、
演算処理部と、温度制御部とを有し、半導体基板をヒー
タで加熱されたホットプレート上にプロキシミティピン
を介して載置し、基板のベーク処理を行うベーク処理装
置であって、輻射熱センサは、ホットプレートで加熱さ
れた半導体基板からの輻射熱を検出するものであり、演
算処理部は、輻射熱センサの出力信号に基づいて半導体
基板の表面温度を演算するものであり、温度制御部は、
演算処理部からの温度出力信号に基づいて、基板表面温
度が設定温度になる出力値にホットプレート加熱用ヒー
タの出力を制御するものであり、 前記輻射熱センサと演
算処理部と温度制御部との組を複数有し、各組毎に温度
制御を行ない、半導体基板面内の温度分布を制御するも
のである。
め、本発明に係るベーク処理装置は、輻射熱センサと、
演算処理部と、温度制御部とを有し、半導体基板をヒー
タで加熱されたホットプレート上にプロキシミティピン
を介して載置し、基板のベーク処理を行うベーク処理装
置であって、輻射熱センサは、ホットプレートで加熱さ
れた半導体基板からの輻射熱を検出するものであり、演
算処理部は、輻射熱センサの出力信号に基づいて半導体
基板の表面温度を演算するものであり、温度制御部は、
演算処理部からの温度出力信号に基づいて、基板表面温
度が設定温度になる出力値にホットプレート加熱用ヒー
タの出力を制御するものであり、 前記輻射熱センサと演
算処理部と温度制御部との組を複数有し、各組毎に温度
制御を行ない、半導体基板面内の温度分布を制御するも
のである。
【００１０】
【作用】ウェハの上部にウェハからの輻射熱をセンサで
検出し、このセンサの出力信号からウェハの表面温度を
演算し、この演算処理後の温度出力信号に基づいて予め
設定した温度になるようにヒータの出力を制御する。
検出し、このセンサの出力信号からウェハの表面温度を
演算し、この演算処理後の温度出力信号に基づいて予め
設定した温度になるようにヒータの出力を制御する。
【００１１】これによりプロキシミティギャップが変化
した場合、従来の技術ではウェハの表面温度が変わって
しまい所定の温度でのベーク処理ができなくなってしま
うのに対し、本発明のベーク処理装置では、ウェハ表面
温度の変化をウェハ上部に設けたセンサが検出し、これ
によりウェハが所定の温度になるようにヒータの出力を
制御することができる。
した場合、従来の技術ではウェハの表面温度が変わって
しまい所定の温度でのベーク処理ができなくなってしま
うのに対し、本発明のベーク処理装置では、ウェハ表面
温度の変化をウェハ上部に設けたセンサが検出し、これ
によりウェハが所定の温度になるようにヒータの出力を
制御することができる。
【００１２】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１３】（参考例）図１は、本発明の参考例を示す
概略図である。
概略図である。
【００１４】図において、ウェハ１はプロキシミティピ
ン３の上に支持されてホットプレート２上に載置されて
いる。ウェハ１の上部には、ウェハ１からの輻射熱を検
出するセンサ５が設置されており、センサ５は演算処理
部６に接続されている。演算処理部６は、センサ５の出
力信号に基づいてウェハ１の表面温度を演算する。
ン３の上に支持されてホットプレート２上に載置されて
いる。ウェハ１の上部には、ウェハ１からの輻射熱を検
出するセンサ５が設置されており、センサ５は演算処理
部６に接続されている。演算処理部６は、センサ５の出
力信号に基づいてウェハ１の表面温度を演算する。
【００１５】さらに温度制御部７は、演算処理部６の温
度出力信号に基づいて、ホットプレート２内に組み込ま
れたヒータ４の出力をウェハの表面温度が設定値になる
ように制御する。
度出力信号に基づいて、ホットプレート２内に組み込ま
れたヒータ４の出力をウェハの表面温度が設定値になる
ように制御する。
【００１６】これにより、ウェハ１は、表面温度が設定
値の下にベーク処理が行われる。
値の下にベーク処理が行われる。
【００１７】（実施例）図２は、本発明の実施例を示す
概略図である。
概略図である。
【００１８】プロキシミティベークでは通常３本のピン
の上にウェハが乗る形となっているが、ウェハの裏面あ
るいはピンの表面に付着したゴミ等の原因により３本の
ピン（図２では１本のプロキシミティピンを省略して、
２本のみを図示してある）の内の１本だけプロキシミテ
ィギャップが他のピンと異なる高さになってしまった場
合には、この部分のウェハの温度が他の部分よりも高く
なったり、あるいは低くなったりしてしまうことにな
る。
の上にウェハが乗る形となっているが、ウェハの裏面あ
るいはピンの表面に付着したゴミ等の原因により３本の
ピン（図２では１本のプロキシミティピンを省略して、
２本のみを図示してある）の内の１本だけプロキシミテ
ィギャップが他のピンと異なる高さになってしまった場
合には、この部分のウェハの温度が他の部分よりも高く
なったり、あるいは低くなったりしてしまうことにな
る。
【００１９】本発明の実施例では３個の輻射熱検出用の
センサ５を３本のプロキシミティピンの上部にそれぞれ
配置し、演算処理部６，温度制御部７，ヒータ４もそれ
ぞれ３系統設けている。
センサ５を３本のプロキシミティピンの上部にそれぞれ
配置し、演算処理部６，温度制御部７，ヒータ４もそれ
ぞれ３系統設けている。
【００２０】ホットプレート１内に組み込まれた３組の
ヒータ４は、輻射熱検出センサ５の配置に対応して設置
されており、これにより３本のプロキシミティピン３の
高さにズレが生じてプロキシミティギャップが不均一と
なってしまった場合においても、３系統のヒータ４が独
立して温度制御を行うためにウェハ表面に生じる温度差
を低減できるという利点がある。
ヒータ４は、輻射熱検出センサ５の配置に対応して設置
されており、これにより３本のプロキシミティピン３の
高さにズレが生じてプロキシミティギャップが不均一と
なってしまった場合においても、３系統のヒータ４が独
立して温度制御を行うためにウェハ表面に生じる温度差
を低減できるという利点がある。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
ェハ表面温度を検出して温度制御を行って、プロキシミ
ティギャップの変化の影響を受けずに常に安定したベー
ク処理を行うことができる効果を有する。
ェハ表面温度を検出して温度制御を行って、プロキシミ
ティギャップの変化の影響を受けずに常に安定したベー
ク処理を行うことができる効果を有する。
【図１】本発明の参考例を示す概略図である。
【図２】本発明の実施例を示す概略図である。
【図３】従来のベーク処理装置を示す概略図である。
【図４】従来のベーク処理装置におけるプロキシミティ
ギャップとウェハ表面温度の関係を示す図である。
ギャップとウェハ表面温度の関係を示す図である。
１ ウェハ ２ ホットプレート ３ プロキシミティピン ４ ヒータ ５ 輻射熱検出センサ ６ 演算処理部 ７ 温度制御部
Claims (1)
- 【請求項１】 輻射熱センサと、演算処理部と、温度制
御部とを有し、半導体基板をヒータで加熱されたホット
プレート上にプロキシミティピンを介して載置し、基板
のベーク処理を行うベーク処理装置であって、 輻射熱センサは、ホットプレートで加熱された半導体基
板からの輻射熱を検出するものであり、 演算処理部は、輻射熱センサの出力信号に基づいて半導
体基板の表面温度を演算するものであり、 温度制御部は、演算処理部からの温度出力信号に基づい
て、基板表面温度が設定温度になる出力値にホットプレ
ート加熱用ヒータの出力を制御するものであり、 前記輻射熱センサと演算処理部と温度制御部との組を複
数有し、各組毎に温度制御を行ない、半導体基板面内の
温度分布を制御するものである ことを特徴とするベーク
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10700392A JP2882180B2 (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | ベーク処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10700392A JP2882180B2 (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | ベーク処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299333A JPH05299333A (ja) | 1993-11-12 |
| JP2882180B2 true JP2882180B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=14448029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10700392A Expired - Fee Related JP2882180B2 (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | ベーク処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2882180B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474531B1 (ko) * | 1997-12-16 | 2005-05-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자제조용베이크챔버 |
| DE19907497C2 (de) * | 1999-02-22 | 2003-05-28 | Steag Hamatech Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Wärmebehandlung von Substraten |
| US6151446A (en) * | 1999-07-06 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for thermally processing substrates including a processor using multiple detection signals |
| KR100441877B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2004-07-27 | 동부전자 주식회사 | 베이크 쳄버내 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 온도 측정 방법 |
| JP5625378B2 (ja) * | 2010-02-15 | 2014-11-19 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 樹脂膜パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-04-24 JP JP10700392A patent/JP2882180B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05299333A (ja) | 1993-11-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |