JP2501798Y2 - 低温処理装置 - Google Patents
低温処理装置Info
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- JP2501798Y2 JP2501798Y2 JP11197589U JP11197589U JP2501798Y2 JP 2501798 Y2 JP2501798 Y2 JP 2501798Y2 JP 11197589 U JP11197589 U JP 11197589U JP 11197589 U JP11197589 U JP 11197589U JP 2501798 Y2 JP2501798 Y2 JP 2501798Y2
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Description
【考案の詳細な説明】 以下の順序に従って本考案を説明する。
A.産業上の利用分野 B.考案の概要 C.従来技術 D.考案が解決しようとする問題点 E.問題点を解決するための手段 F.作用 G.実施例［第１図乃至第４図］ H.考案の効果 （A.産業上の利用分野） 本考案は低温処理装置、特に低温下、例えば−70〜−
100℃というような温度の下で基板に対してドライエッ
チング、薄膜の成長等の処理を行う低温処理装置に関す
る。
100℃というような温度の下で基板に対してドライエッ
チング、薄膜の成長等の処理を行う低温処理装置に関す
る。
（B.考案の概要） 本考案は、上記の低温処理装置において、 処理時に被処理基板を基板搭載トレーに密着させて冷
却効率を高めるため、 基板搭載トレーの少なくとも一部を形状記憶合金によ
り構成し、基板搭載トレーが低温下で形状記憶合金の働
きにより被処理基板と密着せしめられるようにしたもの
である。
却効率を高めるため、 基板搭載トレーの少なくとも一部を形状記憶合金によ
り構成し、基板搭載トレーが低温下で形状記憶合金の働
きにより被処理基板と密着せしめられるようにしたもの
である。
（C.従来技術） LSI、VLSIの高集積化、素子の微細化、三次元化に対
応してCVDやエッチングを例えば−70〜−100℃という０
℃以下の低温で行う低温プロセス技術に着目されてい
る。
応してCVDやエッチングを例えば−70〜−100℃という０
℃以下の低温で行う低温プロセス技術に着目されてい
る。
ところで、低温プロセス技術において非常に重要なこ
とは、半導体ウエハをそれを支持するサセプタ等を通じ
てどのように効率よく冷却するかということである。そ
して、それに関して特開昭63-197338号公報により技術
的提案が紹介されている。その提案された技術は、被処
理基板の上面に基板当り300g以上の荷重をかけて、該基
板とそれを支持するステージとの接触性を良くして冷却
効率を高めるというものである。
とは、半導体ウエハをそれを支持するサセプタ等を通じ
てどのように効率よく冷却するかということである。そ
して、それに関して特開昭63-197338号公報により技術
的提案が紹介されている。その提案された技術は、被処
理基板の上面に基板当り300g以上の荷重をかけて、該基
板とそれを支持するステージとの接触性を良くして冷却
効率を高めるというものである。
（D.考案が解決しようとする問題点） ところが、被処理基板の上面に荷重をかけるという方
法には、被処理基板の荷重がかかった部分をエッチング
することができなかったり、あるいはCVDができなかっ
たりするという問題があった。というのは、荷重をかけ
る場合、クランプの如きもので押えることになるが、そ
のクランプの被処理基板とあたった部分はドライエッチ
ングをする場合にはエッチングできず、CVDをする場合
にはCVD膜を形成することができないことになるからで
ある。
法には、被処理基板の荷重がかかった部分をエッチング
することができなかったり、あるいはCVDができなかっ
たりするという問題があった。というのは、荷重をかけ
る場合、クランプの如きもので押えることになるが、そ
のクランプの被処理基板とあたった部分はドライエッチ
ングをする場合にはエッチングできず、CVDをする場合
にはCVD膜を形成することができないことになるからで
ある。
また、被処理基板にレジストがあり、それをO2アッシ
ャーにより除去する場合には、レジストの一部を除去で
きなくなり、後の工程に支障を来たす虞れもある。
ャーにより除去する場合には、レジストの一部を除去で
きなくなり、後の工程に支障を来たす虞れもある。
そこで、本願考案者は、通常の温度下では適宜のクリ
アランスをもって被処理基板を支持し、処理をする低温
下では変形して被処理基板と密着して冷却効率を高める
ことのできる基板搭載トレーがあればかかる問題を解決
することができると思い、問題解決の途を模索した結
果、本考案を為すに至った。
アランスをもって被処理基板を支持し、処理をする低温
下では変形して被処理基板と密着して冷却効率を高める
ことのできる基板搭載トレーがあればかかる問題を解決
することができると思い、問題解決の途を模索した結
果、本考案を為すに至った。
しかして、本考案は、通常の温度の時には基板搭載ト
レーへの被処理基板のセットが容易で、低温下での処理
をするときは基板搭載トレーの被処理基板への密着度が
高く冷却効率の高い新規な低温処理装置を提供すること
を目的とする。
レーへの被処理基板のセットが容易で、低温下での処理
をするときは基板搭載トレーの被処理基板への密着度が
高く冷却効率の高い新規な低温処理装置を提供すること
を目的とする。
（E.問題点を解決するための手段） 本考案低温処理装置は上記問題点を解決するため、基
板搭載トレーの少なくとも一部を形状記憶合金により構
成し、基板搭載トレーが低温下で形状記憶合金の働きに
より被処理基板とより広い面積で密着せしめられるよう
にしたことを特徴とする。
板搭載トレーの少なくとも一部を形状記憶合金により構
成し、基板搭載トレーが低温下で形状記憶合金の働きに
より被処理基板とより広い面積で密着せしめられるよう
にしたことを特徴とする。
（F.作用） 本考案低温処理装置によれば、基板搭載トレーの少な
くとも一部が形状記憶合金からなり、低温時にはその形
状記憶合金により基板搭載トレーが被処理基板に対して
より広い面積で密着せしめられるので、高温（処理時の
温度よりは適宜高い温度、例えば室温）の下では被処理
基板を基板搭載トレーによってクリアランスをもって支
持することができ、従って被処理基板の基板搭載トレー
へのセッティングが容易であるが、処理時には冷却効率
を高くすることができる。
くとも一部が形状記憶合金からなり、低温時にはその形
状記憶合金により基板搭載トレーが被処理基板に対して
より広い面積で密着せしめられるので、高温（処理時の
温度よりは適宜高い温度、例えば室温）の下では被処理
基板を基板搭載トレーによってクリアランスをもって支
持することができ、従って被処理基板の基板搭載トレー
へのセッティングが容易であるが、処理時には冷却効率
を高くすることができる。
（G.実施例）［第１図乃至第４図］ 以下、本考案低温処理装置を図示実施例に従って詳細
に説明する。
に説明する。
第１図及び第２図は本発明低温処理装置の一つの実施
例の要部である基板搭載トレーを示すもので、第１図は
平面図、第２図は第１図の１−１線に沿う断面図であ
る。
例の要部である基板搭載トレーを示すもので、第１図は
平面図、第２図は第１図の１−１線に沿う断面図であ
る。
１は基板搭載トレーで、略円板状をなし、基板搭載面
（表面）の周縁部には周壁２が形成されており、中央部
には被処理基板（例えば半導体ウエハ）３よりも稍小径
の稍隆起した丘状の支持部４が形成されている。
（表面）の周縁部には周壁２が形成されており、中央部
には被処理基板（例えば半導体ウエハ）３よりも稍小径
の稍隆起した丘状の支持部４が形成されている。
５は帯状の押え板で、弧を描くように弾性変形せしめ
られて中央部６にて基板搭載トレー１の表面に固定され
ている。
られて中央部６にて基板搭載トレー１の表面に固定され
ている。
７、７、７、７は形状記憶合金からなる変形片で、Ｖ
字状に形成されており、上記押え板５の先端近傍と、上
記周壁２内周面との間に介在せしめられている。
字状に形成されており、上記押え板５の先端近傍と、上
記周壁２内周面との間に介在せしめられている。
この変形片７、７、７、７は、例えばTi-Ni系の材料
からなり、二方向形状記憶を持たされており、変態点は
例えば０℃程度であり、そして、Ｖ字を構成する二片7
a、7aの成す角度が上記変態点（０℃）を境として変化
し、高温時よりも低温時の方が上記角度が大きくなるよ
うになっている。
からなり、二方向形状記憶を持たされており、変態点は
例えば０℃程度であり、そして、Ｖ字を構成する二片7
a、7aの成す角度が上記変態点（０℃）を境として変化
し、高温時よりも低温時の方が上記角度が大きくなるよ
うになっている。
従って、室温（例えば20℃）の下では、上記押え板５
が自身の弾力によって両端部が大きく開き、基板搭載ト
レー１の押え板５によって略囲繞された支持部４上に被
処理基板１をクリアランスをもって配置することができ
る。
が自身の弾力によって両端部が大きく開き、基板搭載ト
レー１の押え板５によって略囲繞された支持部４上に被
処理基板１をクリアランスをもって配置することができ
る。
室温時に基板搭載トレー１の支持部４上に被処理基板
１を置き、その被処理基板１を低温処理装置内にて冷却
すると、処理温度である−70〜−100℃の温度の下では
形状記憶合金からなる変形片７、７、７、７が２点鎖線
に示すようにそれを構成する二片7a、7aの成す角度が拡
いた状態になっているので、この変形片７、７、７、７
によって押え板５の両端部が自身の持つ弾力に抗して互
いに狭まる方向に変形せしめられ、その結果、被処理基
板３はその周面を押え板５によって圧迫せしめられる。
従って、被処理基板１は裏面を基板搭載トレー１の支持
部４上に密着せしめられているだけでなく周面を押え板
５にて基板搭載トレー１に密着せしめられることにな
り、密着面積が増大する。依って、被処理基板３に対す
る冷却効率を高めることができる。
１を置き、その被処理基板１を低温処理装置内にて冷却
すると、処理温度である−70〜−100℃の温度の下では
形状記憶合金からなる変形片７、７、７、７が２点鎖線
に示すようにそれを構成する二片7a、7aの成す角度が拡
いた状態になっているので、この変形片７、７、７、７
によって押え板５の両端部が自身の持つ弾力に抗して互
いに狭まる方向に変形せしめられ、その結果、被処理基
板３はその周面を押え板５によって圧迫せしめられる。
従って、被処理基板１は裏面を基板搭載トレー１の支持
部４上に密着せしめられているだけでなく周面を押え板
５にて基板搭載トレー１に密着せしめられることにな
り、密着面積が増大する。依って、被処理基板３に対す
る冷却効率を高めることができる。
また、温度勾配をなくし温度分布の均一性を高めるこ
とができる。というのは、従来の基板搭載トレーは被処
理基板３の裏面とのみ接触するようにされ、被処理基板
３の周面には接触していなかった。そのため、被処理基
板３の中央部を有効に冷却できるが、被処理基板３の周
縁部を有効に冷却することが難しいので被処理基板３の
中央部よりも周辺部の方が温度が高くなる温度分布を有
していたが、本低温処理装置によれば基板搭載トレー１
を被処理基板３の底面だけでなく周面にも接触させるの
で、被処理基板３全体を均一な温度分布を持つように冷
却することができるのである。
とができる。というのは、従来の基板搭載トレーは被処
理基板３の裏面とのみ接触するようにされ、被処理基板
３の周面には接触していなかった。そのため、被処理基
板３の中央部を有効に冷却できるが、被処理基板３の周
縁部を有効に冷却することが難しいので被処理基板３の
中央部よりも周辺部の方が温度が高くなる温度分布を有
していたが、本低温処理装置によれば基板搭載トレー１
を被処理基板３の底面だけでなく周面にも接触させるの
で、被処理基板３全体を均一な温度分布を持つように冷
却することができるのである。
第１図（Ａ）乃至（Ｄ）は基板搭載トレーの各別の変
形例を示す平面図である。
形例を示す平面図である。
第３図（Ａ）は、へ字状の形状記憶合金からなる変形
片８、８、…の両端部を周壁２の内周面に接しさせ、低
温時（その時の状態を２点鎖線で示す）に中央部（頂
部）にて押え板５を内側へ押さえることにより押え板５
を被処理基板１の周面に接しさすようにしたものを示
す。
片８、８、…の両端部を周壁２の内周面に接しさせ、低
温時（その時の状態を２点鎖線で示す）に中央部（頂
部）にて押え板５を内側へ押さえることにより押え板５
を被処理基板１の周面に接しさすようにしたものを示
す。
同図（Ｂ）は、稍曲った多数の変形片９、９、…の一
端を周壁２近傍に取り付け、低温下で２点鎖線に示すよ
うに曲りが大きくなるように変形した状態の変形片９、
９、…により接触片10、10、…を介して押え板５を押さ
えて押え板５を被処理基板３の周面に接しさせるように
したものを示す。
端を周壁２近傍に取り付け、低温下で２点鎖線に示すよ
うに曲りが大きくなるように変形した状態の変形片９、
９、…により接触片10、10、…を介して押え板５を押さ
えて押え板５を被処理基板３の周面に接しさせるように
したものを示す。
同図（Ｃ）は、Ｖ字状の多数の変形片11、11、…の一
端を周壁２内周面に取り付け、低温下で２点鎖線に示す
ように変形した状態の変形片11、11、…により接触片1
2、12、…を介して押え板５を押さえて押え板５を被処
理基板３の周面に接しさせるようにしたものを示す。
端を周壁２内周面に取り付け、低温下で２点鎖線に示す
ように変形した状態の変形片11、11、…により接触片1
2、12、…を介して押え板５を押さえて押え板５を被処
理基板３の周面に接しさせるようにしたものを示す。
同図（Ｄ）は、形状記憶合金からなるコイル13、13、
…の一端を周壁２内周面に取り付け、低温下で２点鎖線
に示すように伸びるように変形した状態のそのコイル1
3、13、…により接触片14を介して押え板５を押さえて
押え板５を被処理基板１の周面に接しさせるようにした
ものを示す。
…の一端を周壁２内周面に取り付け、低温下で２点鎖線
に示すように伸びるように変形した状態のそのコイル1
3、13、…により接触片14を介して押え板５を押さえて
押え板５を被処理基板１の周面に接しさせるようにした
ものを示す。
同図（Ｅ）は、形状記憶合金からなるＶ字状の変形片
15の一端を周壁２内周面に取り付けその他端を形状記憶
合金ではない補助ばね16の一端に固定し、該補助ばね16
の他端に接触片17を固定してなり、低温下で２点鎖線に
示すように２辺を開く状態の変形片15により補助ばね16
及び接触片17を介して押え板５を押さえて押え板５を被
処理基板１の周面に接しさせるようにしたものを示す。
15の一端を周壁２内周面に取り付けその他端を形状記憶
合金ではない補助ばね16の一端に固定し、該補助ばね16
の他端に接触片17を固定してなり、低温下で２点鎖線に
示すように２辺を開く状態の変形片15により補助ばね16
及び接触片17を介して押え板５を押さえて押え板５を被
処理基板１の周面に接しさせるようにしたものを示す。
第４図（Ａ）、（Ｂ）は本考案低温処理装置の他の実
施例の要部である基板搭載トレーを示すものであり、同
図（Ａ）は高温時（被処理基板載置時）の状態を示し、
同図（Ｂ）は低温時（低温処理時）の状態を示す。
施例の要部である基板搭載トレーを示すものであり、同
図（Ａ）は高温時（被処理基板載置時）の状態を示し、
同図（Ｂ）は低温時（低温処理時）の状態を示す。
本低温処理装置の基板搭載トレー1aは、被処理基板３
よりも浅い凹部18を有するが、この凹部18は高温時には
同図（Ａ）に示すように被処理基板３よりも充分に広い
けれども、低温時には基板搭載トレー1aの変形により被
処理基板３と略同じ広さになり、高温時に入れておいた
被処理基板３の周面に基板搭載トレー１の周壁19が密着
する状態になり、密着面積が増大する。
よりも浅い凹部18を有するが、この凹部18は高温時には
同図（Ａ）に示すように被処理基板３よりも充分に広い
けれども、低温時には基板搭載トレー1aの変形により被
処理基板３と略同じ広さになり、高温時に入れておいた
被処理基板３の周面に基板搭載トレー１の周壁19が密着
する状態になり、密着面積が増大する。
従って、冷却効率を高めることができる。
尚、上記各実施例及び各変形例の低温処理装置の基板
搭載トレー１、1aはその全部又は一部が二方向形状記憶
合金により構成されていたが、必ずしもそれに限定され
るものではなく、一方向形状記憶合金に補助ばねを併用
させることにより実質的に二方向記憶を持たせて低温時
と高温時とで可逆的に形状が変化するようにしても良
い。というのは、二方向形状記憶合金は冷却した際の形
状回復力が加熱した際の形状回復力が稍劣るが、冷却し
たときの形状回復力を補助ばねで補ってやると好ましい
変形特性を得やすいからである。勿論、二方向形状記憶
合金を用いつつ補助ばねを併用して冷却した際の形状回
復力をカバーするようにしても良い。このように最近と
みに発展の著しい形状記憶合金を種々の態様で活用する
ことができる。
搭載トレー１、1aはその全部又は一部が二方向形状記憶
合金により構成されていたが、必ずしもそれに限定され
るものではなく、一方向形状記憶合金に補助ばねを併用
させることにより実質的に二方向記憶を持たせて低温時
と高温時とで可逆的に形状が変化するようにしても良
い。というのは、二方向形状記憶合金は冷却した際の形
状回復力が加熱した際の形状回復力が稍劣るが、冷却し
たときの形状回復力を補助ばねで補ってやると好ましい
変形特性を得やすいからである。勿論、二方向形状記憶
合金を用いつつ補助ばねを併用して冷却した際の形状回
復力をカバーするようにしても良い。このように最近と
みに発展の著しい形状記憶合金を種々の態様で活用する
ことができる。
尚、上述した各基板搭載トレーは図示しない低温処理
装置のベルシャーの内部の温調機構により冷却されるス
テージ上に被処理基板を載置した状態で置かれる。そし
て、低温処理（例えば低温エッチング、低温CVD）を終
えると、基板搭載トレー１、1aを加熱することにより露
結を防止すると共に、被処理基板１を取り出すのであ
る。
装置のベルシャーの内部の温調機構により冷却されるス
テージ上に被処理基板を載置した状態で置かれる。そし
て、低温処理（例えば低温エッチング、低温CVD）を終
えると、基板搭載トレー１、1aを加熱することにより露
結を防止すると共に、被処理基板１を取り出すのであ
る。
（H.考案の効果） 以上に述べたように、本考案低温処理装置は、低温下
で被処理基板を処理する低温処理装置において、被処理
基板を搭載する基板搭載トレーの少なくとも一部を形状
記憶合金により構成し、上記基板搭載トレー上の被処理
基板が、低温下で上記形状記憶合金の働きにより基板搭
載トレーに対してより広い面積にて密着せしめられるよ
うにしてなることを特徴とするものである。
で被処理基板を処理する低温処理装置において、被処理
基板を搭載する基板搭載トレーの少なくとも一部を形状
記憶合金により構成し、上記基板搭載トレー上の被処理
基板が、低温下で上記形状記憶合金の働きにより基板搭
載トレーに対してより広い面積にて密着せしめられるよ
うにしてなることを特徴とするものである。
従って、本考案低温処理装置によれば、基板搭載トレ
ーの少なくとも一部が形状記憶合金からなり、低温時に
はその形状記憶合金により基板搭載トレーが被処理基板
により広い面積で密着せしめられるので、高温の下では
被処理基板を基板搭載トレーによってクリアランスをも
って支持することができ、従って被処理基板の基板搭載
トレーへのセッティングが容易であるが、処理時には冷
却効率を高くすることができる。
ーの少なくとも一部が形状記憶合金からなり、低温時に
はその形状記憶合金により基板搭載トレーが被処理基板
により広い面積で密着せしめられるので、高温の下では
被処理基板を基板搭載トレーによってクリアランスをも
って支持することができ、従って被処理基板の基板搭載
トレーへのセッティングが容易であるが、処理時には冷
却効率を高くすることができる。
第１図及び第２図は本考案低温処理装置の一つの実施例
を示すもので、第１図は平面図、第２図は第１図の１−
１線に沿う断面図、第３図（Ａ）乃至（Ｅ）は本考案低
温処理装置の基板搭載トレーの各別の変形例を示す平面
図、第４図（Ａ）、（Ｂ）は本考案低温処理装置の他の
実施例を示す断面図で、同図（Ａ）は被処理基板載置時
における状態を示し、同図（Ｂ）は冷却時における状態
を示す。 符号の説明 １、1a……基板搭載トレー、３……被処理基板、７、
８、９、11、13、1a……形状記憶合金。
を示すもので、第１図は平面図、第２図は第１図の１−
１線に沿う断面図、第３図（Ａ）乃至（Ｅ）は本考案低
温処理装置の基板搭載トレーの各別の変形例を示す平面
図、第４図（Ａ）、（Ｂ）は本考案低温処理装置の他の
実施例を示す断面図で、同図（Ａ）は被処理基板載置時
における状態を示し、同図（Ｂ）は冷却時における状態
を示す。 符号の説明 １、1a……基板搭載トレー、３……被処理基板、７、
８、９、11、13、1a……形状記憶合金。
Claims (1)
- 【請求項１】低温下で被処理基板を処理する低温処理装
置において、 被処理基板を搭載する基板搭載トレーの少なくとも一部
を形状記憶合金により構成し、 上記基板搭載トレー上の被処理基板が、低温下で上記形
状記憶合金の働きにより基板搭載トレーに対してより広
い面積にて密着せしめられるようにしてなる ことを特徴とする低温処理装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11197589U JP2501798Y2 (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 低温処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11197589U JP2501798Y2 (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 低温処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350335U JPH0350335U (ja) | 1991-05-16 |
| JP2501798Y2 true JP2501798Y2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=31660432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11197589U Expired - Fee Related JP2501798Y2 (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 低温処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2501798Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5945050B1 (ja) * | 2015-03-24 | 2016-07-05 | 株式会社アックスヤマザキ | 複数枚の布の縫合及びその縫合用ミシン |
-
1989
- 1989-09-25 JP JP11197589U patent/JP2501798Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0350335U (ja) | 1991-05-16 |
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