JPH0751793Y2 - 基板の熱処理装置 - Google Patents
基板の熱処理装置Info
- Publication number
- JPH0751793Y2 JPH0751793Y2 JP1994004916U JP491694U JPH0751793Y2 JP H0751793 Y2 JPH0751793 Y2 JP H0751793Y2 JP 1994004916 U JP1994004916 U JP 1994004916U JP 491694 U JP491694 U JP 491694U JP H0751793 Y2 JPH0751793 Y2 JP H0751793Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- heat
- spacer
- sphere
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この考案は半導体製造工程におい
て用いられる熱処理装置、殊にホットプレートやクール
プレートで半導体ウエハやガラス基板等（以下単に基板
と称する）を加熱又は冷却するのに用いられる熱処理装
置に関するものである。
て用いられる熱処理装置、殊にホットプレートやクール
プレートで半導体ウエハやガラス基板等（以下単に基板
と称する）を加熱又は冷却するのに用いられる熱処理装
置に関するものである。
【０００２】
【従来技術】この種の熱処理装置は従来より多種多様な
ものが提案されており、例えば、特開昭５７−３７８４
８号公報には次のような熱処理装置が開示されている。
それは、発熱部を有する放熱板と、放熱板上に所要の隙
間を形成して基板を支持するスペーサとを備えて成り、
スペーサで支持した基板を放熱板の輻射熱で熱処理する
ように構成されている。
ものが提案されており、例えば、特開昭５７−３７８４
８号公報には次のような熱処理装置が開示されている。
それは、発熱部を有する放熱板と、放熱板上に所要の隙
間を形成して基板を支持するスペーサとを備えて成り、
スペーサで支持した基板を放熱板の輻射熱で熱処理する
ように構成されている。
【０００３】そして、スペーサとしては、放熱板の上面
に棒状体を立設したもの、網を設けた物、あるいは、基
板支持爪を設けたものが開示されている。さらに、上記
公報には、放熱板の輻射熱で基板を熱処理する場合には
均一な温度分布を得易いこと、放熱板と基板との隙間が
１mm程度であれば加熱能力の低下はあまり見られないこ
と等が利点として開示されている。
に棒状体を立設したもの、網を設けた物、あるいは、基
板支持爪を設けたものが開示されている。さらに、上記
公報には、放熱板の輻射熱で基板を熱処理する場合には
均一な温度分布を得易いこと、放熱板と基板との隙間が
１mm程度であれば加熱能力の低下はあまり見られないこ
と等が利点として開示されている。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】ところで、熱輻射によ
り基板を所要の設定温度に加熱又は冷却する場合に、放
熱板と基板との隙間ｄが１mm程度では、設定温度に至る
時間に大きな影響を及ぼす。ちなみに第３図は設定温度
１２０℃の時の昇温時間の経過に対する基板温度の特性
（以下、昇温特性と称する）を示し、第４図は設定温度
２５℃の時の降温時間の経過に対する基板温度の特性
（以下、降温特性と称する）を示すグラフである。これ
らのグラフによると、他に基板へ及ぼす障害がない範囲
で可能な限り微小な間隔に隙間を形成することが基板の
処理速度を促進する上で望ましい。
り基板を所要の設定温度に加熱又は冷却する場合に、放
熱板と基板との隙間ｄが１mm程度では、設定温度に至る
時間に大きな影響を及ぼす。ちなみに第３図は設定温度
１２０℃の時の昇温時間の経過に対する基板温度の特性
（以下、昇温特性と称する）を示し、第４図は設定温度
２５℃の時の降温時間の経過に対する基板温度の特性
（以下、降温特性と称する）を示すグラフである。これ
らのグラフによると、他に基板へ及ぼす障害がない範囲
で可能な限り微小な間隔に隙間を形成することが基板の
処理速度を促進する上で望ましい。
【０００５】しかし、上記従来例のものはスペーサが棒
状体、網、あるいは支持爪等で構成されるものであるた
め、微小隙間を形成するには、さらに高い加工精度を必
要とする。このため微小隙間の形成が容易でなく、コス
ト高を招く等の問題がある。また、基板において、スペ
ーサと接触する部分と接触しない部分とでの温度差を少
なくするためには、接触部の面積を少なくするのが望ま
しいが、棒状や網状のスペーサでは温度不均一性の点で
問題がある。本考案は、放熱板と基板との間に微小間隔
ｄを形成するにあたり、安いコストで高精度に製作可能
で、しかも、スペーサと接触することによる基板の温度
不均一性を発生しにくくすることを技術課題とする。
状体、網、あるいは支持爪等で構成されるものであるた
め、微小隙間を形成するには、さらに高い加工精度を必
要とする。このため微小隙間の形成が容易でなく、コス
ト高を招く等の問題がある。また、基板において、スペ
ーサと接触する部分と接触しない部分とでの温度差を少
なくするためには、接触部の面積を少なくするのが望ま
しいが、棒状や網状のスペーサでは温度不均一性の点で
問題がある。本考案は、放熱板と基板との間に微小間隔
ｄを形成するにあたり、安いコストで高精度に製作可能
で、しかも、スペーサと接触することによる基板の温度
不均一性を発生しにくくすることを技術課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本考案は、上記課題を解
決するためになされたもので、以下のように構成され
る。即ち、加熱手段又は冷却手段のうち少なくともいず
れか一方を有する放熱板と、放熱板上に所要の隙間を介
して基板を支持するスペーサとを備えて成り、スペーサ
で支持した基板を放熱板の輻射熱で熱処理するように構
成した基板の熱処理装置において、スペーサを非伝熱性
の球体で構成するとともに、放熱板の上面に前記球体の
直径より小さい深さを有する球体受け入れ用凹部を設
け、前記球体を当該球体受け入れ用凹部に入れ、放熱板
と基板との間に微小間隔を形成するように構成したこと
を特徴とするものである。
決するためになされたもので、以下のように構成され
る。即ち、加熱手段又は冷却手段のうち少なくともいず
れか一方を有する放熱板と、放熱板上に所要の隙間を介
して基板を支持するスペーサとを備えて成り、スペーサ
で支持した基板を放熱板の輻射熱で熱処理するように構
成した基板の熱処理装置において、スペーサを非伝熱性
の球体で構成するとともに、放熱板の上面に前記球体の
直径より小さい深さを有する球体受け入れ用凹部を設
け、前記球体を当該球体受け入れ用凹部に入れ、放熱板
と基板との間に微小間隔を形成するように構成したこと
を特徴とするものである。
【０００７】
【作用】放熱板の上面に設けられた球体受け入れ用凹部
内に球体状スペーサを位置せしめることにより、球体状
スペーサは、基板と放熱板との間に微小間隔を形成し得
る状態で位置決めされる。このとき、スペーサは非伝熱
性の球体で構成されていることより、接触面積と熱伝導
率とがともに小さく、基板のスペーサと接触する部分と
接触しない部分との温度不均一性が発生しにくい。
内に球体状スペーサを位置せしめることにより、球体状
スペーサは、基板と放熱板との間に微小間隔を形成し得
る状態で位置決めされる。このとき、スペーサは非伝熱
性の球体で構成されていることより、接触面積と熱伝導
率とがともに小さく、基板のスペーサと接触する部分と
接触しない部分との温度不均一性が発生しにくい。
【０００８】
【実施例】以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本考案に係る熱処理装置の平面図、図２は
図１のII−II線矢視拡大断面図である。この熱処理装置
は、放熱板２と、放熱板２の下面に密着させて設けられ
た加熱手段３と、放熱板２の上面の３ケ所に配設された
基板支持用スペーサ６と、放熱板２の上方に設けられた
一対の基板搬送用ワイヤ８，８と、放熱板１を貫通して
昇降可能に設けられた３本のピンから成る基板受渡し用
ピン１０とを具備して成る。
する。図１は本考案に係る熱処理装置の平面図、図２は
図１のII−II線矢視拡大断面図である。この熱処理装置
は、放熱板２と、放熱板２の下面に密着させて設けられ
た加熱手段３と、放熱板２の上面の３ケ所に配設された
基板支持用スペーサ６と、放熱板２の上方に設けられた
一対の基板搬送用ワイヤ８，８と、放熱板１を貫通して
昇降可能に設けられた３本のピンから成る基板受渡し用
ピン１０とを具備して成る。
【０００９】上記加熱手段３は、伝熱部材４にヒータ５
を埋設したものを放熱板１の下面に密着させて設け、放
熱板１を所要温度に設定するように構成されている。上
記基板支持用スペーサ６は、例えば、アルミナ、マテア
タイト等の非伝熱部材によって球体状に構成されてお
り、放熱板１の上面の３ケ所に球体受け入れ用凹部であ
る球体受穴７を凹設し、この球体受穴７に球体状スペー
サ６を着脱可能に入れて、このスペーサ６が支持する基
板１と放熱板２の表面との間に微小隙間ｄを形成するよ
うに構成されている。
を埋設したものを放熱板１の下面に密着させて設け、放
熱板１を所要温度に設定するように構成されている。上
記基板支持用スペーサ６は、例えば、アルミナ、マテア
タイト等の非伝熱部材によって球体状に構成されてお
り、放熱板１の上面の３ケ所に球体受け入れ用凹部であ
る球体受穴７を凹設し、この球体受穴７に球体状スペー
サ６を着脱可能に入れて、このスペーサ６が支持する基
板１と放熱板２の表面との間に微小隙間ｄを形成するよ
うに構成されている。
【００１０】上記球体受穴７は、プライス加工にて、そ
の底面の平坦精度、および深さ精度を確保している。ち
なみに、本実施例では球体状スペーサ６をアルミナを材
料とするセラミックボールで構成し、直径約２.４mmφ
の球体受穴７にセラミックボール６を遊嵌状に嵌入した
とき、微小隙間ｄが０.１２mmになるように設定されて
いる。なお、この微小隙間ｄは、基板１に望まれる昇温
特性、放熱板２の設定温度等によって適宜設定される
が、本考案では球体状スペーサ６を所要の球径のものに
変更するだけで極めて容易、かつ、高精度に微小隙間ｄ
を設定することができる。
の底面の平坦精度、および深さ精度を確保している。ち
なみに、本実施例では球体状スペーサ６をアルミナを材
料とするセラミックボールで構成し、直径約２.４mmφ
の球体受穴７にセラミックボール６を遊嵌状に嵌入した
とき、微小隙間ｄが０.１２mmになるように設定されて
いる。なお、この微小隙間ｄは、基板１に望まれる昇温
特性、放熱板２の設定温度等によって適宜設定される
が、本考案では球体状スペーサ６を所要の球径のものに
変更するだけで極めて容易、かつ、高精度に微小隙間ｄ
を設定することができる。
【００１１】上記基板搬送用ワイヤ８，８は、基板１を
その上に載置して矢印Ａ方向より放熱板２上に搬入し、
その状態で基板受渡し用ピン１０を上昇させて基板１を
３本のピン１０で受け取り、その後ワイヤ８，８の間隔
を矢印Ｂ方向に広げて搬送位置から待避位置へ移動させ
るように構成されている。上記基板受渡し用ピン１０
は、基板１を受け取ってワイヤ８，８が待避した後に下
降して、当該基板１を上記球体状スペーサ６へ移載する
ように構成されている。
その上に載置して矢印Ａ方向より放熱板２上に搬入し、
その状態で基板受渡し用ピン１０を上昇させて基板１を
３本のピン１０で受け取り、その後ワイヤ８，８の間隔
を矢印Ｂ方向に広げて搬送位置から待避位置へ移動させ
るように構成されている。上記基板受渡し用ピン１０
は、基板１を受け取ってワイヤ８，８が待避した後に下
降して、当該基板１を上記球体状スペーサ６へ移載する
ように構成されている。
【００１２】熱処理を終えた基板１は基板受渡し用ピン
１０を上昇させて持ち上げ、一対のワイヤ８，８を待避
位置から搬送位置へ移動させた後、当該ピン１０を下降
させてワイヤ８，８上に移載され、再び、矢印Ａ方向へ
搬出される。
１０を上昇させて持ち上げ、一対のワイヤ８，８を待避
位置から搬送位置へ移動させた後、当該ピン１０を下降
させてワイヤ８，８上に移載され、再び、矢印Ａ方向へ
搬出される。
【００１３】なお、上記実施例では、放熱板が加熱手段
を備えたものについて例示したが、これに限らず、冷却
手段を備えたものについても同様に実施しうる。なお、
冷却手段を備えた場合には、基板１からの熱が放熱板へ
放熱され、次いで放熱板から冷却手段へと放熱される。
また、基板搬送手段についても上記実施例に限らず、例
えば、放熱板の上面に平行なワイヤ待避溝を切設して、
その待避溝内にワイヤを下降待避させるように構成し、
基板受渡し用ピンを省くようにしたり、あるいは、搬送
手段をワイヤに代えて多関節ロボット等にて構成しても
よく、多様な変形が考えられる。
を備えたものについて例示したが、これに限らず、冷却
手段を備えたものについても同様に実施しうる。なお、
冷却手段を備えた場合には、基板１からの熱が放熱板へ
放熱され、次いで放熱板から冷却手段へと放熱される。
また、基板搬送手段についても上記実施例に限らず、例
えば、放熱板の上面に平行なワイヤ待避溝を切設して、
その待避溝内にワイヤを下降待避させるように構成し、
基板受渡し用ピンを省くようにしたり、あるいは、搬送
手段をワイヤに代えて多関節ロボット等にて構成しても
よく、多様な変形が考えられる。
【００１４】
【考案の効果】本考案ではスペーサを球体で構成してい
るため、安いコストで高精度に微小間隔を設定すること
ができる。また、本考案ではスペーサを非伝熱性の球体
で構成していることにより、接触面積と熱伝導率とがと
もに小さく、基板のスペーサと接触する部分と接触しな
い部分との温度不均一性が発生しにくい。
るため、安いコストで高精度に微小間隔を設定すること
ができる。また、本考案ではスペーサを非伝熱性の球体
で構成していることにより、接触面積と熱伝導率とがと
もに小さく、基板のスペーサと接触する部分と接触しな
い部分との温度不均一性が発生しにくい。
【図１】本考案に係る熱処理装置の平面図である。
【図２】図１のII−II線矢視界拡大断面図である。
【図３】基板の昇温特性を示すグラフである。
【図４】基板の降温特性を示すグラフである。
１…基板、２…放熱板、３…加熱手段、６…スペーサ
（球体）、７…球体受け入れ用凹部（球体受穴）、ｄ…
微小隙間。
（球体）、７…球体受け入れ用凹部（球体受穴）、ｄ…
微小隙間。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 松村 吉雄 京都府京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日本スクリーン製造株式会社洛西工場 内
Claims (1)
- 【請求項１】 加熱手段又は冷却手段のうち少なくとも
いずれか一方を有する放熱板と、放熱板上に所要の隙間
を介して基板を支持するスペーサとを備えて成り、スペ
ーサで支持した基板を放熱板の輻射熱で熱処理するよう
に構成した基板の熱処理装置において、 スペーサを非伝熱性の球体で構成するとともに、放熱板
の上面に前記球体の直径より小さい深さを有する球体受
け入れ用凹部を設け、前記球体を当該球体受け入れ用凹
部に入れ、放熱板と基板との間に微小間隔を形成するよ
うに構成したことを特徴とする基板の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1994004916U JPH0751793Y2 (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 基板の熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1994004916U JPH0751793Y2 (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 基板の熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677239U JPH0677239U (ja) | 1994-10-28 |
| JPH0751793Y2 true JPH0751793Y2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=18527054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1994004916U Expired - Lifetime JPH0751793Y2 (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 基板の熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0751793Y2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004260191A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Applied Materials Inc | 基板支持体 |
| JP2011035021A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板位置合わせ機構、それを用いた真空予備室および基板処理システム |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4670677B2 (ja) * | 2006-02-17 | 2011-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、加熱方法、塗布装置及び記憶媒体 |
| JP2010016053A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Tokyo Electron Ltd | 被検査体の受け渡し機構 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5737848A (en) * | 1980-08-19 | 1982-03-02 | Toshiba Corp | Heating apparatus for wafer |
| US4609285A (en) * | 1985-08-30 | 1986-09-02 | Rca Corporation | Wafer support plate for photolithographic apparatus |
-
1994
- 1994-05-10 JP JP1994004916U patent/JPH0751793Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004260191A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Applied Materials Inc | 基板支持体 |
| JP4640917B2 (ja) * | 2003-02-27 | 2011-03-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板支持体 |
| JP2011035021A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板位置合わせ機構、それを用いた真空予備室および基板処理システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0677239U (ja) | 1994-10-28 |
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