CN100578734C

CN100578734C - 在包含基座的处理室中加热半导体基板的工艺和系统

Info

Publication number: CN100578734C
Application number: CN03810217A
Authority: CN
Inventors: 李荣载; 唐纳德·L·王; 史蒂文·莱; 丹尼尔·J·迪瓦恩
Original assignee: Mattson Technology Inc
Current assignee: Mattson Technology Inc
Priority date: 2002-05-07
Filing date: 2003-04-15
Publication date: 2010-01-06
Anticipated expiration: 2023-04-15
Also published as: JP2005530335A; DE10392595T5; KR20040107477A; US20060032848A1; CN1653591A; AU2003221961A1; TW200402807A; WO2003096396A1; US20030209326A1; TWI278935B; JP4786177B2

Abstract

公开了一种在基座上用于加热处理室中半导体基板的工艺和系统。根据本发明，公开了基座。根据本发明，基座包括一将晶片悬在基座上方的支撑结构，该支撑结构由具有较低导热率的材料制成。该支撑结构具有特定高度，禁止或者防止高温处理期间在晶片中形成径向温度梯度。必要时，可以在基座中形成用于设置和定位支撑结构的凹处。基座可以包括限定一槽的晶片支撑面，该槽具有被构造成与加热周期中晶片形状相符合的形状。

Description

在包含基座的处理室中加热半导体基板的工艺和系统

背景技术

在制造集成电路和其它电子器件的过程中，半导体晶片典型地放置在热处理室中并被加热。加热期间，可能发生各种化学和物理过程。例如，在加热周期中，半导体晶片可以退火，或者各种涂层和薄膜可以沉积在晶片上。

在处理室中加热晶片的一种方式，尤其是在外延工艺期间，是将晶片放置在被加热的基座上。基座可使用例如电感加热装置或电阻加热器被加热。在包含基座的许多系统中，处理室壁保持在低于基座的温度，从而避免在壁上的任何沉积因而在加热工艺中产生任何不期望的微粒或污染。这些类型的处理室被称作“冷壁室”，工作在热非平衡状态下。

参考图1，示出了通常的冷壁处理室10的示意图。处理室10包括壁12，它可由热绝缘体制成并且也可以被主动冷却。在室10内部，是由例如碳化硅制成的基座14。在本实施例中，通过线圈16来加热基座14。

在图1所示的实施例中，处理室10构造成同时操纵多个半导体晶片。如图所示，多个晶片18设置在位于基座14顶部的槽20内。工艺气体22在室内循环。

在处理中，半导体晶片18可通过基座从约1000℃加热至约1200℃的温度。工艺气体例如惰性气体或者构造为与半导体晶片反应的气体在晶片加热期间或加热后被引入反应室中。

在图1所示的系统中，晶片18主要通过传导从基座被加热。然而，在加热中，晶片通过辐射损失热量给周围室壁12，因为晶片和工艺气体之间的温度差异。而且，少量热也从晶片传递至工艺气体。由于热量经过晶片，经由晶片厚度产生温度梯度。温度梯度可引起晶片弯曲和变形。

在这些工艺中，将晶片放置在平坦表面上通常是不利的。具体地说，在弯曲过程中，晶片将仅仅在中心处接触基座，造成晶片中心处温度升高，并产生晶片中的径向温度梯度。晶片中的径向温度梯度可以引发晶片中的热应力，这可能造成位错在缺陷中心处成核。位错产生的应力大量地沿着理想结晶面和方向移动，在后面留下可看见的滑移线，在滑移线处，晶面的一部分从另一部分位移了垂直台阶。这种现象通常称为“滑移”。

过去已经提出了多种方法来减少处理过程中晶片上的滑移。例如，过去，基座的表面设置有浅的凸处以在晶片下方形成槽，以匹配加热期间晶片的可能弯曲曲率。然而，设计和制造使晶片与基座一致地接触的槽是很困难的。任何未对准可能造成径向温度梯度和滑移。

在另一实施例中，基座设计成具有被设计为深度大于晶片的任何可能弯曲的槽。在本实施例中，当加热晶片时，晶片仅在其边缘处被基座槽的边缘支撑，在任何其它位置均不会接触槽。由于晶片在边缘处触及基座，相对于晶片中心，晶片边缘的温度可能上升并形成径向温度梯度。然而，该技术已被成功地用于直径小于8英寸的晶片。但是，具有更大直径的晶片趋向于形成更大径向温度梯度，于是形成更多滑移。

考虑上述情况，目前需要一种在热处理室中加热基座上半导体晶片的系统和方法。更具体地，目前需要一种基座设计，可以在热处理室中支撑和加热晶片并且可以容许晶片弯曲，同时可以均匀地加热晶片。这种系统将尤其适用于直径为6英寸以上的较大晶片。

发明内容

本发明认识和解决了前述现有技术结构和方法中的不足和其它方面。

总之，本发明提供了一种在热处理室中利用基座加热半导体晶片的工艺和系统。根据本发明，基座包括用于支撑基座上晶片的支撑结构。支撑结构降低了加热和处理期间在晶片中可能形成的径向温度梯度，例如退火期间、沉积期间或外延工艺期间。通过降低晶片中的径向温度梯度，可以消除或最小化晶片中产生的滑移。而且，由于更均匀地加热晶片，本发明的系统和工艺还将改善被覆工艺期间晶片上的沉积均匀度。

例如，在一个实施例中，本发明提供一种用于处理半导体基板的系统，其包括一处理室。基座设置在处理室内部。基座设置为在工作中与一加热装置相关联，例如电感加热装置或电阻加热器，用于加热包含在室中的半导体晶片。基座还包括用于接受半导体晶片的晶片支撑面。晶片支撑面包括至少一个凹处和位于凹处内的相应支撑结构。支撑结构被构造成在晶片的热处理期间将半导体晶片抬起至基座上方。

根据本发明，支撑结构具有在1100℃温度下不大于约0.06Cal/cm-s-℃的热导率。例如，支撑结构可以由石英、蓝宝石或金刚石制成。

在许多应用中，处理室可以是冷壁室。用于加热基座的电感加热器可以是例如被碳化硅包围的石墨元件。

为了适应热处理期间的晶片弯曲，基座的晶片支撑面可以包括一槽，其具有构造成允许加热期间半导体晶片弯曲而不会使晶片接触槽顶面的形状。例如，槽的形状可以是使得在最高处理温度下槽顶面与半导体晶片间隔开大约1密耳至大约20密耳。而且，槽的形状可以是，在最高处理温度下，使得晶片与槽顶面之间的间距基本一致，并且变化不超过约2密耳。

如上所述，支撑结构抬高半导体晶片在基座表面上方。支撑结构的高度可以计算，使得在最高处理温度下流过半导体晶片的热量均匀。通常，支撑高度可以是由下式计算出距离的约5％内：

\frac{(d_{g}) (k_{s})}{(k_{g})}

其中d_g是基座与半导体晶片间的距离，K_s是支撑结构的热导率，K_g等于处理室中存在的气体的热导率。

本发明所采用的支撑结构可具有不同的类型和形状。例如，在一个实施例中，支撑结构可包括多个针，位于对应的多个凹处中。针可以沿同一半径间隔开，用于支撑半导体晶片。替代地，支撑结构可包括位于沟状凹处中的环。许多应用中，支撑结构可具有从约0.02英寸至约0.1英寸的高度。另一方面，凹处的深度可以从约0.01英寸至约0.08英寸。

支撑结构可以接近晶片边缘处支撑半导体晶片。替代地，支撑结构可以在接近晶片质量中心处支撑晶片。本发明的系统可处理任何尺寸和形状的半导体晶片。然而，本系统尤其更适合于均匀加热直径为6英寸以上的半导体晶片。这种晶片可被加热，而不会形成显著的滑移量。

在本发明的处理期间，半导体晶片可加热至至少800℃的温度，尤其至少为1000℃，更加尤其至少为1100℃。根据本发明，晶片可加热到最高处理温度，使得晶片的径向距离上的温度差异不会超过约5℃。通过均匀地加热晶片，可以在晶片上均匀地沉积薄膜和覆层。下面更加详细地讨论本发明的方案和优点。

附图说明

对于本领域的普通技术人员来说，本发明的全面和实施公开，包括其最佳优选方式，在说明书的剩余部分包括参考附图中更加具体地阐明，其中：

图1是现有技术热处理室的侧视图；

图2是用于例如图1所示热处理室中的、根据本发明制作的基座的一个实施例的切开部分的侧视图；

图3是根据本发明制造的支撑结构的一个实施例的侧视图；

图4A～4C是根据本发明制造的支撑结构的不同实施例的侧视图；

图5是根据本发明制造的环形支撑结构的一个实施例的透视图；

图6是根据本发明制造的基座的另一实施例的俯视图；以及

图7是根据本发明制造的基座的又一实施例的俯视图；

本说明书和附图中参考标记的重复使用是表示本发明的相同或类似特征或元件。

具体实施方式

本领域的普通技术人员会理解，本讨论仅仅是示范性实施例的描述，不是用来限制本发明的更宽方案，更宽方案在示范性结构中被实施。

总之，本发明提供一种在热处理室中用于均匀加热基座上半导体晶片的系统和工艺。根据本发明，半导体晶片可以在基座上被加热，同时减少或清除可能造成滑移或其它晶片缺陷的径向温度梯度。根据本发明，利用由较低导热材料例如石英制成的支撑结构，半导体晶片悬浮在被加热基座上方。支撑结构可以具有任何期望形状，例如针、环、弧形断面等的形式。支撑结构可以设置在形成于基座表面的匹配凹处中。凹处可以任何可能组合方式位于晶片下方的选择位置处。

根据本发明，支撑结构的凹处深度和高度被构造成使得穿过支撑结构的传热阻抗接近或基本上等于穿过晶片和基座表面之间的空间或间隙的传热阻抗。在这种方式下，加热期间，正好在支撑结构上方的晶片温度与晶片底面的剩余部分保持基本上相同，于是消除了径向温度梯度。

本发明系统的实际设计，例如基座凹处的深度或支撑结构的高度，将取决于工作条件，例如工作温度范围、室内气体类型和用于形成支撑结构的材料。

在一个实施例中，支撑结构将半导体晶片悬浮在形成于晶片表面中的槽的上方。槽可以具有与加热期间半导体晶片的形状基本上匹配的形状，如果晶片被加热到足以使得晶片弯曲的温度。基座槽的斜率与晶片的弯曲斜率匹配可能进一步有助于加热工艺期间保持径向温度一致性。保持径向温度一致性降低或消除了晶片中的滑移，并且改善了在晶片上形成覆层期间的沉积均匀度。

本发明的工艺和系统尤其更适合用于冷壁处理室。然而，应当理解，本发明的系统和工艺也可用于其它各种类型室。而且，本发明的系统和工艺可用于任何晶片处理工艺类型中，如退火期间或外延工艺期间。

参考图2，示出了根据本发明制造的通用基座114的一个实施例。基座114设计成放置在处理室中，例如图1所示的处理室。

如图2所示，基座114设置成与用于加热半导体晶片的加热装置116工作上相关联。加热装置可以是任何适当的加热器，例如射频电感线圈。替代地，基座可以通过电阻加热器被加热。在一个实施例中，例如，加热装置是包括被碳化硅包围的石墨元件的电感加热器。加热装置116可集成到设计成握持半导体晶片的基座的一部分中，或者可以在间隔开的关系下加热基座表面。

如图2所示，基座114包括用于接受半导体晶片118的槽120。根据本发明，晶片118定位于支撑结构124上。支撑结构124定位于至少一个凹处126内。如图所示，支撑结构124锚定在凹处126的底部。然而，通常地，凹处126的内壁与支撑结构124处于非接触关系，以防止基座114与支撑结构之间的直接热传递。

支撑结构124的目的是将晶片118悬浮在槽120的顶面上方，并且有助于更加均匀地加热晶片，使得不存在显著的径向温度梯度。如上所述，尤其在冷壁处理室中，半导体晶片118可通过辐射而损失热量至周围室壁。由于经由晶片的热传递，穿过晶片厚度产生温度梯度。本发明的系统和工艺的目的是允许穿过晶片厚度的热传递，而不会发展或产生径向温度梯度。由于使用了支撑结构124，在根据本发明加热的晶片中发展径向温度梯度的趋势被降低了。总之，支撑结构124保持了在加热周期中晶片的底面处于基本上相同的温度下，这就防止了形成径向温度梯度。

为了促进基座上晶片温度的均匀性，理想地，支撑结构与存在于基座表面和晶片底面之间的任何气体具有基本上相同的导热性。然而，不幸地是，不存在热导率等于气体热导率的固体材料。固体材料的热导率总是较高。然而，根据本发明，本发明人发现了通过使用热导率大大低于用于形成基座的材料的热导率的材料来用于支撑结构，以及将支撑结构设置为在形成于基座中的凹处中具有一定的高度，可以保持晶片中的温度均匀性。

例如，通过设定穿过支撑结构的热阻等于穿过基座和工艺气体的热阻，得到下式：

(T_g1-T_w)K_s/d_s＝(1/(dr/K_su+d_g/k_g))(T_g1-T_w)+σ*(1/(1/ε_s+1/ε_w-1))(T_g2 ⁴-T_w ⁴)

其中K_s--支撑结构的热导率

d_s--支撑结构的高度

K_su--基座的热导率

d_r--凹处的高度

k_g--工艺气体的热导率

d_g--晶片和基座间的距离

T_g1--凹处底部处的基座温度

T_g2--基座顶面温度

T_w--晶片底面温度

σ--史蒂芬-玻尔兹曼常数

ε_s--基座的发射率

ε_w--晶片的发射率

参考图3，示出支撑基座114上方晶片118的支撑结构124的放大图。如图所示，支撑结构124定位于凹处126内。支撑结构124座落在凹处126内而没有接触凹处的内壁。

图3示出了上述等式中所用的各种距离和参数。如上所述，上述等式用来表示穿过支撑结构130的热通量等于穿过基座和穿过基座与晶片132之间间隙的热通量的位置。在图3中，工艺气体128存在于晶片和基座之间的空间中。

根据本发明，如果支撑结构124的热导率大大低于基座114的热导率(K_s＜＜K_su)，且晶片和基座之间的辐射能可被忽略，则上式可简化为：

\frac{d_{s}}{k_{s}} = \frac{d_{g}}{k_{g}};

或

d_{s} = \frac{(d_{g}) (k_{s})}{k_{g}}

当基座由具有高热导率的材料(例如石墨或碳化硅)制成时，上述简化尤其有用。如上所述，在这种情况下，支撑结构的高度等于晶片和基座间的距离乘以支撑结构的热导率与工艺气体的热导率的比率。

当根据本发明构造基座时，通常希望支撑结构的高度尽可能接近上述计算出的距离。然而，如果支撑结构的高度在上述计算出距离的约25％内，尤其在上述计算出距离的约10％内，更尤其地在上述计算出距离的约5％内，得到可接受的结果。

本发明所用支撑结构124的实际高度将依赖于许多因素而变化。这些因素包括：用于构造支撑结构的材料，工艺气体的热导率，晶片和基座间的距离，工艺温度，等等。总之，在一个实施例中，支撑结构124的高度从约0.02英寸至约0.1英寸，尤其从约0.03英寸至约0.08英寸。在这些高度下，凹处126的深度可以从约0.01英寸至约0.08英寸，尤其从约0.02英寸至约0.05英寸。基座内凹处的存在允许具体的支撑结构高度，同时仍然保持晶片如期望般地靠近基座的顶面。

例如，在加热周期中，晶片118应当离开基座的顶面从约1密耳至约20密耳的距离，尤其从约5密耳至约11密耳。在一个实施例中，基座的表面形成用于接受晶片的槽120。在一个优选实施例中，槽的顶面具有与最高处理温度下的晶片形状大体符合的形状。例如，如果在最高处理温度下晶片趋于弯曲，则槽120的顶面将适合晶片的弯曲。通过保持基座和晶片间的一致距离而不使晶片接触基座，维持了整个晶片中的良好温度均匀性。理想地，在最高处理温度下，槽120的顶面与晶片118的底面之间的距离应当变化不超过约2密耳，尤其不超过约1密耳。

据认为，根据本发明各种材料可用于形成支撑结构124。总之，选取用于形成支撑结构的材料应当在较高温度下具有较低热导率，并且当被加热时不应当污染处理室。例如，用于形成支撑结构的材料在加热晶片的温度下不应当形成金属气体。

总之，支撑结构的热导率在约1100℃以上的温度下可以低于约0.06cal/cm-s-℃，可尤其从约0.0037cal/cm-s-℃至约0.06cal/cm-s-℃。非常适合于本发明的特定材料包括石英、蓝宝石或金刚石。

通过本发明的系统和工艺，热处理室中在被加热的基座上可以非常有效地加热晶片，不会出现显著的径向温度梯度。例如，认为根据本发明晶片可被处理以便在径向方向上具有不超过10℃的温度差异，尤其不超过约5℃的温度差，在一个实施例中，在径向方向上不超过约3℃的温度差。

如上所述，支撑结构124通常位于形成在基座114中的凹处中。支撑结构124当定位于凹处内时应当与凹处的内壁间隔一定距离。然而，支撑结构一旦设置于凹处中也应当保持在位置上。

参考图4A～4C，各种实施例示出了支撑结构和凹处构造。

例如，如图4A所示，支撑结构124总体上具体一致宽度或直径。然而，凹处126包括设计成保持支撑结构在特定位置上的凹部134。

在图4B所示的实施例中，另一方面，支撑结构124包括用于保持支撑结构124在凹处内对齐的底脚或台部136。

参考图4C，示出了支撑结构和凹处构造的另一实施例。在该实施例中，凹处126包括一凹部134，同时支撑结构124包括一对应窄部138。窄部138紧密配合在凹部134内。

除了其高度之外，支撑结构的尺寸和形状通常与上述数学等式无关。结果，支撑结构可设置成能够支撑半导体晶片的任何合适形状。例如，参考图5，在一个实施例中，支撑结构124可以是环形。环124可以适配在形成于基座114中的凹处126内。本实施例中，凹处126可具有类沟的形状。

在一个实施例中，当支撑结构具有图5所示环的形状时，环可具有约0.25英寸的宽度，凹处可以呈现出宽度约为0.3英寸的沟的形状。

除了具有图5所示的环形，支撑结构也可具有图6和7所示的针140的形状。如图所示，针可以沿着同一半径间隔开，用于均匀地支撑半导体晶片。通常，需要3个以上针来支撑晶片。

在图6所示的实施例中，针140定位成在其边缘或接近边缘处支撑半导体晶片。然而，在图7中，针定位成在靠近其质量中心处支撑晶片。然而，应当理解，支撑结构可设置于任何合适的晶片半径处。

针的断面形状通常不是关键的。例如，图6中，针显示为具有圆柱形，而在图7中，针具有正方形或矩形的形状。仅仅为了示例的目的，当具有圆柱形状时，针可以具有约0.25英寸的直径，并可设置于具有约0.3英寸直径的凹处中。

针140的顶面可以是用于支撑晶片的任何合适形状。例如，许多应用场合下，针的顶面应当是平的。

本领域的普通技术人员可以实践本发明的这些和其它修改和变化，而不脱离更具体地列举在所附权利要求中的本发明精神和范围。此外，应当理解，各种实施例的方案可以整体或部分互换。而且，本领域的普通技术人员将理解前面的描述仅通过举例的方式，不是用来限制进一步阐明于所附权利要求中的本发明。

Claims

1.一种用于处理半导体基板的系统，包括：

适应于包含一半导体晶片的处理室；

定位在所述处理室内的基座，该基座包括用于接受一半导体晶片的晶片支撑面，该晶片支撑面包括至少一个凹处和定位在该凹处内的相应支撑结构，该支撑结构被构造成在晶片热处理期间将半导体晶片抬高在基座上方，在1100℃的温度下该支撑结构具有不超过大约0.06Cal/cm-s-℃的热导率；和

设置为用于加热被支撑在所述基座上的半导体晶片并与所述基座在工作上相关联的加热装置，

其中所述支撑结构具有由下式计算出的距离的5％以内的高度：

\frac{(d_{g}) (k_{s})}{(k_{g})}

其中：d_g＝所述基座和半导体晶片之间的距离

k_s＝所述支撑结构的导热率

k_g＝存在于所述处理室中的气体的导热率。

2.如权利要求1所述的系统，其中所述加热装置包括一电阻加热器或一电感加热器。

3.如权利要求2所述的系统，其中所述加热装置包括被碳化硅包围的石墨元件。

4.如权利要求1所述的系统，其中所述处理室包括冷壁室。

5.如权利要求1所述的系统，其中所述支撑结构由包括石英的材料制成。

6.如权利要求1所述的系统，其中所述晶片支撑面包括一槽，该槽具有被构造成允许半导体晶片在加热期间弯曲而该晶片不会触及该槽的顶面的形状。

7.如权利要求6所述的系统，其中该槽被成形为使得在最高处理温度下该槽的项面与半导体晶片间隔从约1密耳至约20密耳。

8.如权利要求7所述的系统，其中该槽进一步被成形为使得在最高处理温度下所述晶片与所述槽的顶面之间的空间基本一致并且变化不超过约2密耳。

9.如权利要求1所述的系统，其中所述基座包括沿着同一半径设置的至少三个凹处，并且其中所述支撑结构包括对应的多个针。

10.如权利要求1所述的系统，其中所述基座包括圆形凹处，和其中所述支撑结构包括一环。

11.如权利要求1所述的系统，其中所述支撑结构具有从约0.02英寸至约0.1英寸的高度。

12.如权利要求1所述的系统，其中所述支撑结构被构造成支持直径为6英寸以上的晶片。

13.如权利要求1所述的系统，其中所述凹处包括内壁，以及所述支撑结构与所述内壁间隔预定距离。

14.如权利要求1所述的系统，其中所述凹处具有从约0.01英寸至约0.08英寸的深度。

15.如权利要求1所述的系统，其中所述支撑结构被构造成在晶片的边缘附近支撑半导体晶片。

16.如权利要求1所述的系统，其中所述支撑结构被定位在所述晶片支撑面上以在晶片质量中心的附近支撑半导体晶片。

17.一种用于在处理室中支持和加热半导体晶片的基座，包括：

一加热装置；

一用于接受一半导体晶片的晶片支撑面，该晶片支撑面限定了一槽，该槽具有构造成允许半导体晶片在加热期间弯曲而该晶片不会接触该槽的顶面的形状；和

从所述晶片支撑面延伸的支撑结构，用于将半导体晶片悬在该槽的顶面上方，所述支撑结构由在1100℃的温度下具有不超过约0.06Cal/cm-s-℃的导热率的材料制成，

其中所述支撑结构具有由下式计算出的距离的25％以内的高度：

\frac{(d_{g}) (k_{s})}{(k_{g})}

其中：d_g＝所述基座和半导体晶片之间的距离

k_s＝所述支撑结构的导热率

k_g＝存在于所述处理室中的气体的导热率。

18.如权利要求17所述的基座，其中所述加热装置包括一电阻加热器或者一电感加热器。

19.如权利要求17所述的基座，其中所述槽的顶面包括碳化硅。

20.如权利要求18所述的基座，其中所述支撑结构由包括石英的材料制成。

21.如权利要求18所述的基座，其中所述槽被成形为使得在最高处理温度下该槽的顶面与半导体晶片间隔从约1密耳至约20密耳。

22.如权利要求21所述的基座，其中所述槽进一步被成形为使得在最高处理温度下在该晶片与该槽的顶面之间的空间基本上一致并且变化不超过约2密耳。

23.如权利要求18所述的基座，其中所述晶片支撑面限定了一槽，所述支撑结构定位在该槽内。

24.如权利要求23所述的基座，其中所述基座包括沿着同一半径设置的至少三个凹处，并且其中所述支撑结构包括对应的多个针。

25.如权利要求23所述的基座，其中所述基座包括圆形凹处，和其中所述支撑结构包括一环。

26.如权利要求18所述的基座，其中所述支撑结构具有从约0.02英寸至约0.1英寸的高度。

27.一种用于均匀加热位于被加热基座上的半导体晶片的工艺，包括：

提供一包含基座的处理室，该基座被加热并限定一晶片支撑面，该基座还包括从该晶片支撑面延伸的支撑结构，该晶片支撑面具有被构造成允许半导体晶片在加热期间弯曲而不会接触该面的形状，所述支撑结构由在1100℃下具有不超过约0.06Cal/cm-s-℃的导热率的材料制成；

设置一半导体晶片在所述支撑结构上；以及

加热所述半导体晶片至引起该晶片弯曲而不会接触所述晶片支撑面的最高处理温度，

其中在最高处理温度下所述支撑结构具有由下式计算出的距离的5％以内的高度：

\frac{(d_{g}) (k_{s})}{(k_{g})}

其中：d_g＝所述基座和半导体晶片之间的距离

k_s＝所述支撑结构的导热率

k_g＝存在于所述处理室中的气体的导热率。

28.如权利要求27所述的工艺，其中所述最高处理温度是至少1000℃。

29.如权利要求27所述的工艺，其中所述基座和所述晶片通过一电阻加热器或一电感加热器被加热。

30.如权利要求27所述的工艺，其中所述支撑结构由包括石英、蓝宝石或金刚石的材料制成。

31.如权利要求27所述的工艺，其中所述晶片支撑面被成形为使得在最高处理温度下该面与半导体晶片间隔从约1密耳至约20密耳，并且使得在最高处理温度下所述晶片和所述支撑面之间的空间基本一致并且变化不超过2密耳。

32.如权利要求27所述的工艺，其中所述支撑结构包括沿着同一半径设置的至少三个支撑针。

33.如权利要求27所述的工艺，其中所述支撑结构呈环形。

34.如权利要求27所述的工艺，其中所述支撑结构具有从约0.02英寸至约0.1英寸的高度。

35.如权利要求27所述的工艺，其中所述晶片支撑面还限定了一凹处，所述支撑结构位于该凹处内。

36.如权利要求27所述的工艺，其中所述晶片在冷壁处理室中被加热。

37.如权利要求27所述的工艺，其中所述半导体晶片具有至少10英寸的直径。

38.如权利要求27所述的工艺，其中所述晶片被加热使得在最高处理温度下整个半导体晶片的温度差异不超过约5℃。