JP2003173971A - シリコンウエーファの熱処理用器具 - Google Patents
シリコンウエーファの熱処理用器具Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】エピウエーファのスリップパターンの発生を抑
制すること。 【解決手段】シリコンウエーファ４を載せるための基体
２と、基体２の周辺に配置され基体２に同体に結合しシ
リコンウエーファ４に３箇所で接触して断続的に形成さ
れる支持突起３とを具えている。支持突起３は、第１支
持突起３−１と、第２支持突起３−２と、第３支持突起
３−３とを備えている。シリコンウエーファ４の中心点
が原点とされ、原点を通りシリコンウエーファ４の平面
に平行であり互いに直交する第１軸［０１０］と第２軸
［００１］が設定される。第１軸に直交し原点を通る第
１直交面は、第１支持突起３−１と第３支持突起３−３
とシリコンウエーファ４とが接触する２つの接触領域を
通り、原点を通り第１直交面に直交する第２直交面は、
第２支持突起３−２とシリコンウエーファ４とが接触す
る接触領域を通っている。
制すること。 【解決手段】シリコンウエーファ４を載せるための基体
２と、基体２の周辺に配置され基体２に同体に結合しシ
リコンウエーファ４に３箇所で接触して断続的に形成さ
れる支持突起３とを具えている。支持突起３は、第１支
持突起３−１と、第２支持突起３−２と、第３支持突起
３−３とを備えている。シリコンウエーファ４の中心点
が原点とされ、原点を通りシリコンウエーファ４の平面
に平行であり互いに直交する第１軸［０１０］と第２軸
［００１］が設定される。第１軸に直交し原点を通る第
１直交面は、第１支持突起３−１と第３支持突起３−３
とシリコンウエーファ４とが接触する２つの接触領域を
通り、原点を通り第１直交面に直交する第２直交面は、
第２支持突起３−２とシリコンウエーファ４とが接触す
る接触領域を通っている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエーフ
ァの熱処理用器具に関し、特に、光照射で熱処理が行わ
れるシリコンウエーファの熱処理用器具に関する。
ァの熱処理用器具に関し、特に、光照射で熱処理が行わ
れるシリコンウエーファの熱処理用器具に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエーファは、熱処理される。
熱処理のプロセスで円形状のシリコンウエーファは、こ
れを支持するサセプター（支持器具）から受ける重力反
作用により応力を受け、更に、シリコンウエーファの面
内温度差に起因する熱応力を受ける。面内温度差は、支
持器具の近傍で特に大きい。
熱処理のプロセスで円形状のシリコンウエーファは、こ
れを支持するサセプター（支持器具）から受ける重力反
作用により応力を受け、更に、シリコンウエーファの面
内温度差に起因する熱応力を受ける。面内温度差は、支
持器具の近傍で特に大きい。
【０００３】シリコンウエーファの直径の増大化が望ま
れている。シリコンウエーファの直径の増大化は、重力
反作用に起因する応力をより大きくする。その応力を軽
減するするために、支持器具とシリコンウエーファの接
触を面接触又は線接触にすれば、重力反作用に起因する
応力を分散させて局所的応力を軽減することができる
が、支持器具とシリコンウエーファとの間の熱伝達量が
増大して、熱応力の増大を招く。点支持と線接触支持の
善し悪しが、特開平９−９２６２５号で詳細に議論され
ている。
れている。シリコンウエーファの直径の増大化は、重力
反作用に起因する応力をより大きくする。その応力を軽
減するするために、支持器具とシリコンウエーファの接
触を面接触又は線接触にすれば、重力反作用に起因する
応力を分散させて局所的応力を軽減することができる
が、支持器具とシリコンウエーファとの間の熱伝達量が
増大して、熱応力の増大を招く。点支持と線接触支持の
善し悪しが、特開平９−９２６２５号で詳細に議論され
ている。
【０００４】本発明者は、シリコンウエーファの増大化
に対応する開発の途上でそのスリップ評価を行ってい
て、エピウエーファに特有であるスリップパターンを発
見し、更に、そのスリップパターンは、エピ成長装置の
支持器具又は支持点の配置に起因して生じていることを
見出した。
に対応する開発の途上でそのスリップ評価を行ってい
て、エピウエーファに特有であるスリップパターンを発
見し、更に、そのスリップパターンは、エピ成長装置の
支持器具又は支持点の配置に起因して生じていることを
見出した。
【０００５】そのようなスリップパターンの発生を抑制
することが求められる。
することが求められる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、エピ
ウエーファにスリップパターンが発生することを抑制す
ることができるシリコンウエーファの熱処理用器具を提
供することにある。
ウエーファにスリップパターンが発生することを抑制す
ることができるシリコンウエーファの熱処理用器具を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】その課題を解決するため
の手段が、下記のように表現される。その表現中に現れ
る技術的事項には、括弧（）つきで、番号、記号等が添
記されている。その番号、記号等は、本発明の実施の複
数の形態又は複数の実施例のうちの少なくとも１つの実
施の形態又は複数の実施例を構成する技術的事項、特
に、その実施の形態又は実施例に対応する図面に表現さ
れている技術的事項に付せられている参照番号、参照記
号等に一致している。このような参照番号、参照記号
は、請求項記載の技術的事項と実施の形態又は実施例の
技術的事項との対応・橋渡しを明確にしている。このよ
うな対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の
形態又は実施例の技術的事項に限定されて解釈されるこ
とを意味しない。
の手段が、下記のように表現される。その表現中に現れ
る技術的事項には、括弧（）つきで、番号、記号等が添
記されている。その番号、記号等は、本発明の実施の複
数の形態又は複数の実施例のうちの少なくとも１つの実
施の形態又は複数の実施例を構成する技術的事項、特
に、その実施の形態又は実施例に対応する図面に表現さ
れている技術的事項に付せられている参照番号、参照記
号等に一致している。このような参照番号、参照記号
は、請求項記載の技術的事項と実施の形態又は実施例の
技術的事項との対応・橋渡しを明確にしている。このよ
うな対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の
形態又は実施例の技術的事項に限定されて解釈されるこ
とを意味しない。
【０００８】本発明によるシリコンウエーファの熱処理
用器具は、シリコンウエーファ（４）を載せるための基
体（２）と、基体（２）の周辺に配置され基体（２）に
同体に結合しシリコンウエーファ（４）に３箇所で接触
して断続的に形成される支持突起（３）とを具え、支持
突起（３）は、第１支持突起（３−１）と、第２支持突
起（３−２）と、第３支持突起（３−３）とを備えてい
る。シリコンウエーファ（４）の中心点が原点とされ、
原点を通りシリコンウエーファ（４）の平面に平行であ
り互いに直交する第１軸（［０１０］，ｙ軸）と第２軸
（［００１］，ｚ軸）が設定される。第１軸に直交し原
点を通る第１直交面は、第１支持突起（３−１）と第３
支持突起（３−３）とシリコンウエーファ（４）とが接
触する２つの接触領域を通り、原点を通り第１直交面に
直交する第２直交面は、第２支持突起（３−２）とシリ
コンウエーファ（４）とが接触する接触領域を通ってい
る。支持突起（３）は、断続的に形成され一連に連続化
されていない。第１軸と第２軸はシリコンウエーファ
（４）のダイヤモンド結晶の撓みに強い２軸にそれぞれ
に対応している。原点では、第１軸と第２軸がダイヤモ
ンド結晶の撓みに強い２軸に完全に一致することが最も
好ましい。
用器具は、シリコンウエーファ（４）を載せるための基
体（２）と、基体（２）の周辺に配置され基体（２）に
同体に結合しシリコンウエーファ（４）に３箇所で接触
して断続的に形成される支持突起（３）とを具え、支持
突起（３）は、第１支持突起（３−１）と、第２支持突
起（３−２）と、第３支持突起（３−３）とを備えてい
る。シリコンウエーファ（４）の中心点が原点とされ、
原点を通りシリコンウエーファ（４）の平面に平行であ
り互いに直交する第１軸（［０１０］，ｙ軸）と第２軸
（［００１］，ｚ軸）が設定される。第１軸に直交し原
点を通る第１直交面は、第１支持突起（３−１）と第３
支持突起（３−３）とシリコンウエーファ（４）とが接
触する２つの接触領域を通り、原点を通り第１直交面に
直交する第２直交面は、第２支持突起（３−２）とシリ
コンウエーファ（４）とが接触する接触領域を通ってい
る。支持突起（３）は、断続的に形成され一連に連続化
されていない。第１軸と第２軸はシリコンウエーファ
（４）のダイヤモンド結晶の撓みに強い２軸にそれぞれ
に対応している。原点では、第１軸と第２軸がダイヤモ
ンド結晶の撓みに強い２軸に完全に一致することが最も
好ましい。
【０００９】撓みが生じたウエーファと支持突起との接
触は、幾何学的には３点接触である。そのような３点の
うちの２点を結ぶウエーファ面内の線は、撓みに対して
耐性が強いことがダイヤモンド結晶でよく知られてい
る。他の１点は、撓みに強い他の軸線上に配置され、第
１軸と第２軸の両軸線に対して撓みの耐性が強化されて
いる。後述される４点接触は、より好ましい。より多点
化することは、否定されない。
触は、幾何学的には３点接触である。そのような３点の
うちの２点を結ぶウエーファ面内の線は、撓みに対して
耐性が強いことがダイヤモンド結晶でよく知られてい
る。他の１点は、撓みに強い他の軸線上に配置され、第
１軸と第２軸の両軸線に対して撓みの耐性が強化されて
いる。後述される４点接触は、より好ましい。より多点
化することは、否定されない。
【００１０】支持突起（３）とシリコンウエーファ
（４）が接触する接触領域はそれぞれに点状領域が好ま
しく例示される。接触領域の点状化は、熱伝達量の軽減
化を促進し、熱応力発生に起因する撓みをより抑制する
ことができる。この場合、支持突起（３）としては、三
角錐、四角錐のような錐体が好適に例示される。錐体の
頂点部位に丸みが与えられることは好ましい。
（４）が接触する接触領域はそれぞれに点状領域が好ま
しく例示される。接触領域の点状化は、熱伝達量の軽減
化を促進し、熱応力発生に起因する撓みをより抑制する
ことができる。この場合、支持突起（３）としては、三
角錐、四角錐のような錐体が好適に例示される。錐体の
頂点部位に丸みが与えられることは好ましい。
【００１１】支持突起（３）とシリコンウエーファ
（４）が接触する接触領域として、線状領域も好ましく
例示される。線状接触は、接触面積を比較的に小さく
し、且つ、支持をより安定させることができる。この場
合、支持突起（３）は、それぞれに、原点を中心とする
円周上で円周方向に直交する断面で三角形であり、それ
らの線状領域は、その接触面積の過度の増大を抑制する
ことができる点で、原点に対して４０度以下の範囲にあ
ることが好ましい。
（４）が接触する接触領域として、線状領域も好ましく
例示される。線状接触は、接触面積を比較的に小さく
し、且つ、支持をより安定させることができる。この場
合、支持突起（３）は、それぞれに、原点を中心とする
円周上で円周方向に直交する断面で三角形であり、それ
らの線状領域は、その接触面積の過度の増大を抑制する
ことができる点で、原点に対して４０度以下の範囲にあ
ることが好ましい。
【００１２】第１支持突起（３−１）と第２支持突起
（３−２）と第３支持突起（３−３）は、原点に対して
同一円周領域上にあることが好ましい。基体（２）はリ
ング又は円板として形成される。リングは、二重リング
又は三重リングであり得る。この場合、複数支持突起
は、同一円周上にないことが可能である。
（３−２）と第３支持突起（３−３）は、原点に対して
同一円周領域上にあることが好ましい。基体（２）はリ
ング又は円板として形成される。リングは、二重リング
又は三重リングであり得る。この場合、複数支持突起
は、同一円周上にないことが可能である。
【００１３】第１軸と第２軸は、ダイヤモンド結晶で結
晶学的に［００１］と［０１０］で規定される２軸にそ
れぞれに対応し、その２軸の方向が第１軸と第２軸の方
向に一致するようにシリコンウエーファが支持突起
（３）に載せられて、熱処理が実行される。熱処理の加
熱は、光照射により行われ、特に、枚葉式に行われる。
基体（２）に与えられる熱量が少ない光照射式加熱で
は、ウエーファの熱が基体（２）に伝達する量が少ない
ことが特に重要であり、従って、接触は多点接触又は線
接触であることが特に好ましい。面接触の場合、その面
積がより狭いことが望ましい。
晶学的に［００１］と［０１０］で規定される２軸にそ
れぞれに対応し、その２軸の方向が第１軸と第２軸の方
向に一致するようにシリコンウエーファが支持突起
（３）に載せられて、熱処理が実行される。熱処理の加
熱は、光照射により行われ、特に、枚葉式に行われる。
基体（２）に与えられる熱量が少ない光照射式加熱で
は、ウエーファの熱が基体（２）に伝達する量が少ない
ことが特に重要であり、従って、接触は多点接触又は線
接触であることが特に好ましい。面接触の場合、その面
積がより狭いことが望ましい。
【００１４】本発明によるシリコンウエーファの熱処理
用器具は、シリコンウエーファ（４）を載せるための基
体（２）と、基体（２）の周辺に配置され基体（２）に
同体に結合しシリコンウエーファ（４）に４箇所で接触
して断続的に形成される支持突起（３）とを具えてい
る。支持突起（３）は、第１支持突起（３−１）と、第
２支持突起（３−２）と、第３支持突起（３−３）と、
第４支持突起（３−４）とを備えている。シリコンウエ
ーファ（４）の中心点が原点とされ、第１支持突起（図
５の点Ｐ）と第２支持突起（図５の点Ｒ）は、原点を通
る第１直線の上に配置され、第３支持突起（図５の点
Ｑ）と第４支持突起（図５の点Ｓ）は、原点を通る第２
直線の上に配置される。特別な場合、第１直線（ＰＲ）
はダイヤモンド結晶の撓みに強い第１軸（［０１０］又
は［００１］）に一致し、第２直線（ＱＳ）はダイヤモ
ンド結晶の撓みに強い第２軸（［００１］又は［０１
０］）に一致する場合がある。
用器具は、シリコンウエーファ（４）を載せるための基
体（２）と、基体（２）の周辺に配置され基体（２）に
同体に結合しシリコンウエーファ（４）に４箇所で接触
して断続的に形成される支持突起（３）とを具えてい
る。支持突起（３）は、第１支持突起（３−１）と、第
２支持突起（３−２）と、第３支持突起（３−３）と、
第４支持突起（３−４）とを備えている。シリコンウエ
ーファ（４）の中心点が原点とされ、第１支持突起（図
５の点Ｐ）と第２支持突起（図５の点Ｒ）は、原点を通
る第１直線の上に配置され、第３支持突起（図５の点
Ｑ）と第４支持突起（図５の点Ｓ）は、原点を通る第２
直線の上に配置される。特別な場合、第１直線（ＰＲ）
はダイヤモンド結晶の撓みに強い第１軸（［０１０］又
は［００１］）に一致し、第２直線（ＱＳ）はダイヤモ
ンド結晶の撓みに強い第２軸（［００１］又は［０１
０］）に一致する場合がある。
【００１５】このような配置では、一般的には、４点
は、原点を通る第１軸と第２軸の上にはないが、４点の
うちから選択される２点の複数の組合せは、原点を通る
第１軸と第２軸に平行であり、この場合のシリコンウエ
ーファ（４）の撓みが原点を通る第１軸と第２軸に対し
て強い耐性を持つことは、４点が原点を通る第１軸と第
２軸の上にある場合と力学的には同効的である。特殊な
場合、第１直線（ＰＲ）と第２直線（ＱＳ）は第１軸
（［０１０］又は［００１］）に対して４５度傾斜して
いる。
は、原点を通る第１軸と第２軸の上にはないが、４点の
うちから選択される２点の複数の組合せは、原点を通る
第１軸と第２軸に平行であり、この場合のシリコンウエ
ーファ（４）の撓みが原点を通る第１軸と第２軸に対し
て強い耐性を持つことは、４点が原点を通る第１軸と第
２軸の上にある場合と力学的には同効的である。特殊な
場合、第１直線（ＰＲ）と第２直線（ＱＳ）は第１軸
（［０１０］又は［００１］）に対して４５度傾斜して
いる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図に対応して、本発明によるシリ
コンウエーファの熱処理用器具の実施の形態は、エピ成
長装置の中に、サセプタリングが配置されている。その
サセプタリング１は、図１に示されるように、基底板又
は基底リング２と、複数の支持突起３とを含んでいる。
支持突起３は、基底板２の上面側でそれの複数位置に配
置されている。シリコンウエーファ４は、複数の支持突
起３のそれぞれの先端点又は先端面に支持突起３の上側
で支持されている。
コンウエーファの熱処理用器具の実施の形態は、エピ成
長装置の中に、サセプタリングが配置されている。その
サセプタリング１は、図１に示されるように、基底板又
は基底リング２と、複数の支持突起３とを含んでいる。
支持突起３は、基底板２の上面側でそれの複数位置に配
置されている。シリコンウエーファ４は、複数の支持突
起３のそれぞれの先端点又は先端面に支持突起３の上側
で支持されている。
【００１７】４つの支持突起３は、図２に示されるよう
に、基底板２に同一円周上で配置されている。第１突起
３−１は、シリコンウエーファ４の第１結晶軸［００
１］に位置対応してシリコンウエーファ４の第１局所的
部分を支持している。第２突起３−２は、シリコンウエ
ーファ４の第２結晶軸［０１０］に位置対応してシリコ
ンウエーファ４の第２局所的部分を支持している。第３
突起３−３は、シリコンウエーファ４の第３結晶軸［０
０１−］に位置対応してシリコンウエーファ４の第３局
所的部分を支持している。”００１−”の右上添字は、
通常は真上添字として表現されている。第４突起３−４
は、シリコンウエーファ４の第４結晶軸［０１−０］に
位置対応してシリコンウエーファ４の第４局所的部分を
支持している。実施の本形態では、４つの支持突起３−
１，２，３，４は、同一円周上で９０度の等角度間隔で
配置されている。本発明では、第２結晶軸［０１０］と
第４結晶軸［０１−０］とが特に区別される必要はない
ので、第２結晶軸［０１０］と第４結晶軸［０１−０］
とはともにｙ軸といわれ、第１結晶軸［００１］と第３
結晶軸［００１−］とが特に区別される必要はないの
で、第１結晶軸［００１］と第３結晶軸［００１−］と
はともにｚ軸といわれる。
に、基底板２に同一円周上で配置されている。第１突起
３−１は、シリコンウエーファ４の第１結晶軸［００
１］に位置対応してシリコンウエーファ４の第１局所的
部分を支持している。第２突起３−２は、シリコンウエ
ーファ４の第２結晶軸［０１０］に位置対応してシリコ
ンウエーファ４の第２局所的部分を支持している。第３
突起３−３は、シリコンウエーファ４の第３結晶軸［０
０１−］に位置対応してシリコンウエーファ４の第３局
所的部分を支持している。”００１−”の右上添字は、
通常は真上添字として表現されている。第４突起３−４
は、シリコンウエーファ４の第４結晶軸［０１−０］に
位置対応してシリコンウエーファ４の第４局所的部分を
支持している。実施の本形態では、４つの支持突起３−
１，２，３，４は、同一円周上で９０度の等角度間隔で
配置されている。本発明では、第２結晶軸［０１０］と
第４結晶軸［０１−０］とが特に区別される必要はない
ので、第２結晶軸［０１０］と第４結晶軸［０１−０］
とはともにｙ軸といわれ、第１結晶軸［００１］と第３
結晶軸［００１−］とが特に区別される必要はないの
で、第１結晶軸［００１］と第３結晶軸［００１−］と
はともにｚ軸といわれる。
【００１８】支持突起３−１，２，３，４の形状は、円
錐、四角錐のように頂点が点状である錐体であることが
好ましい。実施の図２の形態では、錐体３の配置数は４
である。錐体３の頂点部分の頂面は、部分球面のような
滑らかな面に形成されることが好ましい。錐体３−１，
２，３，４は、それぞれに基準位置に配置される中央位
置のそれぞれの錐体に対して、正負２０度の範囲で複数
化されることができる。
錐、四角錐のように頂点が点状である錐体であることが
好ましい。実施の図２の形態では、錐体３の配置数は４
である。錐体３の頂点部分の頂面は、部分球面のような
滑らかな面に形成されることが好ましい。錐体３−１，
２，３，４は、それぞれに基準位置に配置される中央位
置のそれぞれの錐体に対して、正負２０度の範囲で複数
化されることができる。
【００１９】第１軸［００１］と、第２軸［０１０］
と、第３軸［００１−］と、第４軸［０１−０］とは、
それぞれに、シリコンウエーファ４の結晶中で曲げ応力
に強い軸である。錐体３−１，２，３，４は、それぞれ
に、小面積でシリコンウエーファ４の裏面に接触しその
接触面積が少ない点で、錐体３−１，２，３，４は、そ
れぞれに熱応力を受けにくい。錐体３−１，２，３，４
は、それぞれに、シリコンウエーファ４の滑り面である
４面（１１１），（１１１），（１１１），（１１１）
を回避してシリコンウエーファ４に接触していて、錐体
３−１，２，３，４で支持されるシリコンウエーファ４
が熱処理される際、曲げ応力に伴うスリップ発生に対す
る抑制効果が有効に発現し、且つ、接触面積が狭小であ
りシリコンウエーファ４の面内温度差、具体的には、錐
体３−１，２，３，４とシリコンウエーファ４の接触領
域と非接触領域の間の温度差が無視され得る程度に小さ
く、熱応力に伴うスリップ発生に対する抑制効果が有効
に発現する。
と、第３軸［００１−］と、第４軸［０１−０］とは、
それぞれに、シリコンウエーファ４の結晶中で曲げ応力
に強い軸である。錐体３−１，２，３，４は、それぞれ
に、小面積でシリコンウエーファ４の裏面に接触しその
接触面積が少ない点で、錐体３−１，２，３，４は、そ
れぞれに熱応力を受けにくい。錐体３−１，２，３，４
は、それぞれに、シリコンウエーファ４の滑り面である
４面（１１１），（１１１），（１１１），（１１１）
を回避してシリコンウエーファ４に接触していて、錐体
３−１，２，３，４で支持されるシリコンウエーファ４
が熱処理される際、曲げ応力に伴うスリップ発生に対す
る抑制効果が有効に発現し、且つ、接触面積が狭小であ
りシリコンウエーファ４の面内温度差、具体的には、錐
体３−１，２，３，４とシリコンウエーファ４の接触領
域と非接触領域の間の温度差が無視され得る程度に小さ
く、熱応力に伴うスリップ発生に対する抑制効果が有効
に発現する。
【００２０】図３と図４は、本発明によるシリコンウエ
ーファの熱処理用器具の実施の他の形態を示している。
第１軸又は第３軸［００１］に位置対応する第１突起３
−１は、円周方向に正負２０度の範囲で延びている。実
施の本形態の第１突起３−１の形状は、１円周線に沿っ
て曲げられた三角柱である。その三角柱の頂線が、シリ
コンウエーファ４の正負２０度の範囲の第１局所領域範
囲に接触する。第２軸［０１０］に位置対応する第２突
起３−２は、円周方向に正負２０度の範囲で延びてい
る。実施の本形態の第２突起３−２の形状は、１円周線
に沿って曲げられた三角柱である。その三角柱の頂線
が、シリコンウエーファ４の正負２０度の範囲の第１局
所領域範囲に接触する。第４軸［０１−０］に位置対応
する第４突起３−４は、円周方向に正負２０度の範囲で
延びている。実施の本形態の第４突起３−４の形状は、
１円周線に沿って曲げられた三角柱である。その三角柱
の頂線が、シリコンウエーファ４の正負２０度の範囲の
第１局所領域範囲に接触する。実施の本形態では、第３
突起は省略されている。
ーファの熱処理用器具の実施の他の形態を示している。
第１軸又は第３軸［００１］に位置対応する第１突起３
−１は、円周方向に正負２０度の範囲で延びている。実
施の本形態の第１突起３−１の形状は、１円周線に沿っ
て曲げられた三角柱である。その三角柱の頂線が、シリ
コンウエーファ４の正負２０度の範囲の第１局所領域範
囲に接触する。第２軸［０１０］に位置対応する第２突
起３−２は、円周方向に正負２０度の範囲で延びてい
る。実施の本形態の第２突起３−２の形状は、１円周線
に沿って曲げられた三角柱である。その三角柱の頂線
が、シリコンウエーファ４の正負２０度の範囲の第１局
所領域範囲に接触する。第４軸［０１−０］に位置対応
する第４突起３−４は、円周方向に正負２０度の範囲で
延びている。実施の本形態の第４突起３−４の形状は、
１円周線に沿って曲げられた三角柱である。その三角柱
の頂線が、シリコンウエーファ４の正負２０度の範囲の
第１局所領域範囲に接触する。実施の本形態では、第３
突起は省略されている。
【００２１】第１突起３−１と第２突起３−２を結ぶ線
の撓み力と、第１突起３−１と第４突起３−４を結ぶ線
の撓み力との合成は、第２軸方向に向いていて、実施の
図４の形態は実施の図２の形態に同効的である。
の撓み力と、第１突起３−１と第４突起３−４を結ぶ線
の撓み力との合成は、第２軸方向に向いていて、実施の
図４の形態は実施の図２の形態に同効的である。
【００２２】図５は、本発明によるシリコンウエーファ
の熱処理用器具の実施の更に他の形態を示している。接
触領域が点状又は線状である４つの突起の存在位置は、
その代表点が４点Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓで示されている。点Ｐ
と点Ｒが原点を通る第１直線の上に位置し、点Ｑと点Ｓ
が原点を通る第２直線の上に位置する点は、実施の図２
の形態に同じであるが、実施の本形態では、第１直線と
第２直線は、ｚ軸又はｙ軸に対して９０度ではない傾斜
角度を有している。それらの角度は、４５度であること
が好ましい。実施の本形態は、力学的には実施の図２の
形態に同効的である。
の熱処理用器具の実施の更に他の形態を示している。接
触領域が点状又は線状である４つの突起の存在位置は、
その代表点が４点Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓで示されている。点Ｐ
と点Ｒが原点を通る第１直線の上に位置し、点Ｑと点Ｓ
が原点を通る第２直線の上に位置する点は、実施の図２
の形態に同じであるが、実施の本形態では、第１直線と
第２直線は、ｚ軸又はｙ軸に対して９０度ではない傾斜
角度を有している。それらの角度は、４５度であること
が好ましい。実施の本形態は、力学的には実施の図２の
形態に同効的である。
【００２３】１つ１つのウエーファは、枚葉式に光照射
され加熱されて熱処理を受ける。ダイヤモンド結晶の
［００１］軸線と［０１０］軸線は、これに沿ってウエ
ーファが割れやすいが、面に直交する面内では撓み難い
線である。支持突起がウエーファに接触する点状領域又
は線状領域の実質的な面積は極めて小さいが、撓みに強
い軸の方向の２点の支持突起で支持されるウエーファは
その撓みに対して強く、且つ、支持突起を介して基底板
２に伝達される熱量は少なく、熱処理時の曲げ応力、熱
応力に伴うスリップの発生が効果的に抑制される。
され加熱されて熱処理を受ける。ダイヤモンド結晶の
［００１］軸線と［０１０］軸線は、これに沿ってウエ
ーファが割れやすいが、面に直交する面内では撓み難い
線である。支持突起がウエーファに接触する点状領域又
は線状領域の実質的な面積は極めて小さいが、撓みに強
い軸の方向の２点の支持突起で支持されるウエーファは
その撓みに対して強く、且つ、支持突起を介して基底板
２に伝達される熱量は少なく、熱処理時の曲げ応力、熱
応力に伴うスリップの発生が効果的に抑制される。
【００２４】
【発明の効果】本発明によるシリコンウエーファの熱処
理用器具は、曲げ応力と熱応力に対する耐性が、より強
化されている。
理用器具は、曲げ応力と熱応力に対する耐性が、より強
化されている。
【図１】図１は、本発明によるシリコンウエーファの熱
処理用器具の実施の形態を示す正面断面図である。
処理用器具の実施の形態を示す正面断面図である。
【図２】図２は、図１の平面図である。
【図３】図３は、本発明によるシリコンウエーファの熱
処理用器具の実施の他の形態を示す正面断面図である。
処理用器具の実施の他の形態を示す正面断面図である。
【図４】図４は、図３の平面図である。
【図５】図５は、本発明によるシリコンウエーファの熱
処理用器具の実施の他の形態を示す平面図である。
処理用器具の実施の他の形態を示す平面図である。
２…基体
３…支持突起
３−１…第１支持突起
３−３…第３支持突起
３−３…第３支持突起
３−４…第４支持突起
４…シリコンウエーファ
Claims (13)
- 【請求項１】シリコンウエーファを載せるための基体
と、 前記基体の周辺に配置され前記基体に同体に結合し前記
シリコンウエーファに３箇所で接触して断続的に形成さ
れる支持突起とを具え、 前記支持突起は、 第１支持突起と、 第２支持突起と、 第３支持突起とを備え、 シリコンウエーファの中心点が原点とされ、前記原点を
通り前記シリコンウエーファの平面に平行であり互いに
直交する第１軸と第２軸が設定され、 前記第１軸に直交し前記原点を通る第１直交面は、前記
第１支持突起と前記第３支持突起と前記シリコンウエー
ファとが接触する２つの接触領域を通り、 前記原点を通り前記第１直交面に直交する第２直交面
は、前記第２支持突起と前記シリコンウエーファとが接
触する接触領域を通り、 前記支持突起は、断続的に形成され、 前記第１軸と前記第２軸は前記シリコンウエーファのダ
イヤモンド結晶の撓みに強い２軸にそれぞれに対応して
いるシリコンウエーファの熱処理用器具。 - 【請求項２】前記支持突起と前記シリコンウエーファが
接触する前記接触領域はそれぞれに点状領域である請求
項１のシリコンウエーファの熱処理用器具。 - 【請求項３】前記第１支持突起と前記第２支持突起と前
記第３支持突起は、錐体である請求項２のシリコンウエ
ーファの熱処理用器具。 - 【請求項４】前記支持突起と前記シリコンウエーファが
接触する前記接触領域はそれぞれに線状領域である請求
項１のシリコンウエーファの熱処理用器具。 - 【請求項５】前記第１支持突起と前記第２支持突起と前
記第３支持突起は、前記原点を中心とする円周上で円周
方向に直交する断面で三角形である請求項４のシリコン
ウエーファの熱処理用器具。 - 【請求項６】前記線状領域は、前記原点に対して４０度
以下の範囲にある請求項４又は５のシリコンウエーファ
の熱処理用器具。 - 【請求項７】前記第１支持突起と前記第２支持突起と前
記第３支持突起は、前記原点に対して同一円周領域上に
ある請求項１〜６から選択される１請求項のシリコンウ
エーファの熱処理用器具。 - 【請求項８】前記基体はリングである請求項１〜７から
選択される１請求項のシリコンウエーファの熱処理用器
具。 - 【請求項９】前記第１軸と第２軸は、ダイヤモンド結晶
の結晶学的に［００１］と［０１０］で規定される２軸
にそれぞれに対応し、前記２軸の方向が前記第１軸と前
記第２軸の方向に一致するように前記シリコンウエーフ
ァが前記支持突起に載せられる請求項１〜８から選択さ
れる１請求項のシリコンウエーファの熱処理用器具。 - 【請求項１０】熱処理の加熱は、光照射により行われる
請求項１〜９から選択される１請求項のシリコンウエー
ファの熱処理用器具。 - 【請求項１１】シリコンウエーファを載せるための基体
と、 前記基体の周辺に配置され前記基体に同体に結合し前記
シリコンウエーファに４箇所で接触して断続的に形成さ
れる支持突起とを具え、 前記支持突起は、 第１支持突起と、 第２支持突起と、 第３支持突起と、 第４支持突起とを備え、 シリコンウエーファの中心点が原点とされ、 前記第１支持突起と前記第２支持突起は、前記原点を通
る第１直線の上に配置され、 前記第３支持突起と前記第４支持突起は、前記原点を通
る第２直線の上に配置されるシリコンウエーファの熱処
理用器具。 - 【請求項１２】前記第１直線はダイヤモンド結晶の撓み
に強い第１軸に一致し、前記第２直線はダイヤモンド結
晶の撓みに強い第２軸に一致している請求項１１のシリ
コンウエーファの熱処理用器具。 - 【請求項１３】前記第１直線と前記第２直線は前記第１
軸に対して４５度傾斜している請求項１１のシリコンウ
エーファの熱処理用器具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001372744A JP2003173971A (ja) | 2001-12-06 | 2001-12-06 | シリコンウエーファの熱処理用器具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001372744A JP2003173971A (ja) | 2001-12-06 | 2001-12-06 | シリコンウエーファの熱処理用器具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003173971A true JP2003173971A (ja) | 2003-06-20 |
Family
ID=19181580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001372744A Pending JP2003173971A (ja) | 2001-12-06 | 2001-12-06 | シリコンウエーファの熱処理用器具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003173971A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007067334A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造方法の実施に用いられる製造装置 |
| JP2008098589A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Sumco Corp | シリコンウェーハの支持方法、熱処理治具および熱処理ウェーハ |
| WO2008047697A1 (fr) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Sumco Corporation | Procédé et dispositif de serrage pour tenir une tranche de silicium |
| CN102194652A (zh) * | 2010-03-11 | 2011-09-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 防止晶圆翘曲的方法以及由该方法得到的晶圆 |
-
2001
- 2001-12-06 JP JP2001372744A patent/JP2003173971A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007067334A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造方法の実施に用いられる製造装置 |
| JP4652177B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2011-03-16 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法およびその製造方法の実施に用いられる製造装置 |
| WO2008047697A1 (fr) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Sumco Corporation | Procédé et dispositif de serrage pour tenir une tranche de silicium |
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| US8419001B2 (en) | 2006-10-13 | 2013-04-16 | Sumco Corporation | Method and jig for holding silicon wafer |
| DE112007002287B4 (de) * | 2006-10-13 | 2015-11-19 | Sumco Corporation | Verfahren und Einspannvorrichtung zum Halten eines Siliciumwafers |
| JP2008098589A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Sumco Corp | シリコンウェーハの支持方法、熱処理治具および熱処理ウェーハ |
| WO2008047752A1 (fr) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Sumco Corporation | Procédé de maintien d'une plaquette de silicium, dispositif de serrage pour traitement thermique, et plaquette traitée thermiquement |
| US8067820B2 (en) | 2006-10-16 | 2011-11-29 | Sumco Corporation | Silocon wafer supporting method, heat treatment jig and heat-treated wafer |
| CN102194652A (zh) * | 2010-03-11 | 2011-09-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 防止晶圆翘曲的方法以及由该方法得到的晶圆 |
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041109 |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050921 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060130 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |