RU2076390C1 - Способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме - Google Patents
Способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме Download PDFInfo
- Publication number
- RU2076390C1 RU2076390C1 RU93033094A RU93033094A RU2076390C1 RU 2076390 C1 RU2076390 C1 RU 2076390C1 RU 93033094 A RU93033094 A RU 93033094A RU 93033094 A RU93033094 A RU 93033094A RU 2076390 C1 RU2076390 C1 RU 2076390C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- heat
- vacuum
- gallium
- semiconductor wafers
- tray
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Использование: изобретение относится к области технологической обработки полупроводниковых пластин в вакууме, а более конкретно к способам охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме. Сущность: в качестве теплопроводящего вещества используют легкоплавкий металл галлий, который в жидком виде располагают в поддоне, без дополнительного крепления, а между пластинами и поддоном располагают тонкую теплопроводящую резиновую прокладку. 2 ил.
Description
Изобретение относится к области технологической обработки полупроводниковых пластин в вакууме, а более конкретно к способам охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме.
Известен способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме путем использования теплопроводящего вещества, взаимодействующего с полупроводниковой пластиной и подложкодержателем [1] В качестве теплопроводящего вещества используется газообразный гелий.
Недостатком аналога является малая эффективность охлаждения.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме путем использования теплопроводящего вещества, взаимодействующего с полупроводниковой пластиной и подложкодержателем [2] В качестве теплопроводящего вещества используется серебряная паста.
Недостатком прототипа является также малая эффективность охлаждения ввиду того, что фактическая площадь контакта меньше номинальной.
В основу изобретения положена задача повысить эффективность охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме.
Эта задача решается тем, что в качестве теплопроводящего вещества используют легкоплавкий металл, галлий, который в жидком виде располагают в поддоне, без дополнительного крепления, а между пластинами и поддоном располагают тонкую теплопроводящую резиновую прокладку.
Введение в способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме легкоплавкого металла галлия, поддона и теплопроводящей резиновой прокладки обеспечивает условия, при которых фактическая площадь контакта становится равной номинальной, что и позволяет повысить эффективность охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме.
Сопоставительный анализ заявляемого способа охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме и прототипа показывает, что предлагаемое техническое решение соответствует критерию изобретения "новизна".
Сравнение заявляемого решения не только с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники, позволило выявить в нем совокупность признаков, отличающих заявляемое техническое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенные отличия".
На фиг.1 представлена схема устройства охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме с легкоплавким металлом галлием и поддоном; на фиг.2 схема устройства охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме с легкоплавким металлом галлием, поддоном и тонкой теплопроводящей резиновой прокладкой.
Устройство, реализующее способ (фиг. 1), содержит полупроводниковую пластину 1, подложкодержатель 2. Между пластиной 1 и подложкодержателем 2 располагается поддон 3 с легкоплавким металлом, галлием 4. Между пластиной 1 и поддоном 3 расположена тонкая теплопроводящая резиновая прокладка 5 (фиг. 2). Диаметр поддона 3 выполнен больше, чем диаметр пластины 1.
Способ реализуется следующим образом.
Полупроводниковую пластину 1 (фиг.1) помещают на поддон 3 с галлием 4 и осуществляют теплопередачу от подложкодержателя 2 к пластине 1. Так как жидкий галлий покрыт сверху окисной пленкой то смачивания материала пластины 1 с галлием 4 не происходит.
Для полного устранения вероятности смачивания между пластиной 1 и жидким галлием 4 помещают теплопроводящую резиновую прокладку 5 (фиг.2). Процесс осуществляют при температуре не менее, чем температура плавления галлия, т. е. 29,8oС.
Применение предлагаемого способа охлаждения повышает эффективность охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме за счет того, что фактическая площадь контакта становится равной номинальной, а сам галлий обладает высокой теплопроводностью.
Claims (1)
- Способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме, включающий размещение между подложкодержателем и полупроводниковой пластиной теплопроводящего вещества, отличающийся тем, что теплопроводящее вещество размещают в поддоне, расположенном между пластиной и подложкодержателем, диаметр поддона выбирают больше диаметра пластины, а в качестве теплопроводящего вещества используют галлий в жидком виде.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU93033094A RU2076390C1 (ru) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | Способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU93033094A RU2076390C1 (ru) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | Способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU93033094A RU93033094A (ru) | 1995-09-20 |
RU2076390C1 true RU2076390C1 (ru) | 1997-03-27 |
Family
ID=20143899
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU93033094A RU2076390C1 (ru) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | Способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2076390C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2604572C2 (ru) * | 2011-12-13 | 2016-12-10 | Лабиналь Пауэр Системз | Электронное устройство с охлаждением через распределитель с жидким металлом |
-
1993
- 1993-04-26 RU RU93033094A patent/RU2076390C1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионоплазменная обработка материалов. - М.: Радио и связь, 1986, с.194, рис.4.15, кр.3. 2. Там же, с.194. рис.4.15, кр.4. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2604572C2 (ru) * | 2011-12-13 | 2016-12-10 | Лабиналь Пауэр Системз | Электронное устройство с охлаждением через распределитель с жидким металлом |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2766774B2 (ja) | 大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置 | |
US4041278A (en) | Heating apparatus for temperature gradient zone melting | |
JPH08165571A (ja) | 基板保持装置およびその製造方法 | |
KR920003435A (ko) | 판상체 지지테이블 및 그것을 이용한 처리장치 | |
JPS5575282A (en) | Manufacturing method of semiconductor laser device | |
WO2002093623A3 (en) | Assembly comprising heat distributing plate and edge support | |
JPS5832410A (ja) | ガス状減圧環境下で構造物を処理する方法及び装置 | |
JPS57113289A (en) | Semiconductor device and its manufacture | |
US2995475A (en) | Fabrication of semiconductor devices | |
WO1981003069A1 (en) | Thermal control means for liquid chromatograph sample | |
US4068814A (en) | Semiconductor body holder | |
US6686598B1 (en) | Wafer clamping apparatus and method | |
RU2076390C1 (ru) | Способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме | |
JPS62193141A (ja) | ウエハ−保持機構 | |
US4721836A (en) | Apparatus for transient annealing of semiconductor samples in a controlled ambient | |
US3018539A (en) | Diffused base transistor and method of making same | |
JP2501798Y2 (ja) | 低温処理装置 | |
JPS63193447A (ja) | 試料保持装置 | |
JPS6187884A (ja) | 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置 | |
JPS6142843A (ja) | 基板の冷却装置 | |
JPS63293813A (ja) | 半導体基板 | |
JP2585106B2 (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
JPS60175410A (ja) | 基板ホルダ− | |
RU93033094A (ru) | Способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме | |
JPS6031081Y2 (ja) | バツクプレ−ト装置 |