JPS6187884A - 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
有磁場マイクロ波プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS6187884A JPS6187884A JP20972284A JP20972284A JPS6187884A JP S6187884 A JPS6187884 A JP S6187884A JP 20972284 A JP20972284 A JP 20972284A JP 20972284 A JP20972284 A JP 20972284A JP S6187884 A JPS6187884 A JP S6187884A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- magnetic field
- wafer
- microwave plasma
- coil
- Prior art date
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- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は有磁場マイクロ波プラズマ処理装置に係り、特
に試料（ウェハ）の冷却・加熱に好適な試料押え具に関
する。
に試料（ウェハ）の冷却・加熱に好適な試料押え具に関
する。
従来の有磁場マイクロ波プラズマ処理装置では。
冷却試料台の上に試料を置くか、その上にさらに重力を
利用した押え具を乗せていたので、充分な冷却ができな
い欠点があった。また重力利用では装置を横向き、ある
いは上下逆向きにすると押え具使用は困難であった。
利用した押え具を乗せていたので、充分な冷却ができな
い欠点があった。また重力利用では装置を横向き、ある
いは上下逆向きにすると押え具使用は困難であった。
なお、特開昭５６−４８１３２号明細書にはガス冷却法
が開示されているが、これだけは不充分で、試料をいか
に試料台に固定・密着させるかが問題で、本特許と両立
させればより有効となるものである。
が開示されているが、これだけは不充分で、試料をいか
に試料台に固定・密着させるかが問題で、本特許と両立
させればより有効となるものである。
本発明の目的は試料（ウェハ）冷却・加熱を効率良く行
うことであり、冷却あるいは加熱された試料台に試料を
強く押しつける手段を提供することにある。
うことであり、冷却あるいは加熱された試料台に試料を
強く押しつける手段を提供することにある。
試料（ウェハ）の固定・冷却のために重力を利用した押
え具を用いることは公知である。バネ等を用いることも
あり得るが試料台の構造が複雑になる等問題点が多い。
え具を用いることは公知である。バネ等を用いることも
あり得るが試料台の構造が複雑になる等問題点が多い。
そこで有磁場の（マイクロ波プラズマ）半導体処理装置
に於て、放電のために必要な磁場を有効に使うことを案
出した。すなわちコイルあるいは永久磁石を試料押え具
に取付けることにより、磁石の吸引力あるいは反撥力を
利用することである。
に於て、放電のために必要な磁場を有効に使うことを案
出した。すなわちコイルあるいは永久磁石を試料押え具
に取付けることにより、磁石の吸引力あるいは反撥力を
利用することである。
有磁場マイクロ波プラズマエツチング法はすでに文献Ｃ
ＪＪＡＰ、ＶｏＱ １６ 、 ｐ１９７９ （１９７７
） 等で公知である。第１図に示したように、真空チ
ャンバー１に石英あるいはアルミナ等の放電管５が設け
られており、マグネトロン２から導波管を通してのマイ
クロ波の電界とコイル（電磁石）４による磁場との相乗
作用で低ガス圧で高電離率のプラズマが得られる。この
装置はエツチングだけでなく。
ＪＪＡＰ、ＶｏＱ １６ 、 ｐ１９７９ （１９７７
） 等で公知である。第１図に示したように、真空チ
ャンバー１に石英あるいはアルミナ等の放電管５が設け
られており、マグネトロン２から導波管を通してのマイ
クロ波の電界とコイル（電磁石）４による磁場との相乗
作用で低ガス圧で高電離率のプラズマが得られる。この
装置はエツチングだけでなく。
ガス種を適当に選ぶことによりデポジションや表面処理
等広義の（半導体）処理に用いることができることはい
うまでもない。エツチングの場合は通常第１図や第２図
に示したように水冷パイプ８と８′によって水冷された
試料台７の上に試料６をセットしてエツチングする。デ
ポジションの場合は逆に形成膜と下地との密着性を良く
するために試料台を加熱する場合が多い、これらにおい
て試料（ウェハ）６と試料台７との密着性が悪いと冷却
あるいは加熱効果が小さくなる。したがって第３図に示
したようにウェハの周辺を押え具１゜によって重力によ
り押えつけることが考えられる。
等広義の（半導体）処理に用いることができることはい
うまでもない。エツチングの場合は通常第１図や第２図
に示したように水冷パイプ８と８′によって水冷された
試料台７の上に試料６をセットしてエツチングする。デ
ポジションの場合は逆に形成膜と下地との密着性を良く
するために試料台を加熱する場合が多い、これらにおい
て試料（ウェハ）６と試料台７との密着性が悪いと冷却
あるいは加熱効果が小さくなる。したがって第３図に示
したようにウェハの周辺を押え具１゜によって重力によ
り押えつけることが考えられる。
しかし重力だけでは押え具１ｏを大きく重くしなければ
ならない、また図のような場合は良いが、試料が横向き
あるいは下向きの場合は重力を利用することが困難とな
る。またこの場合ウェハ６の裏側より、パイプ１１を通
してガス冷却することも公知である。
ならない、また図のような場合は良いが、試料が横向き
あるいは下向きの場合は重力を利用することが困難とな
る。またこの場合ウェハ６の裏側より、パイプ１１を通
してガス冷却することも公知である。
本発明はこれらの困罷を除き、容易に試料と試料台の密
着性をはかることができる装置を提供するものである。
着性をはかることができる装置を提供するものである。
すなわち第４図において押え具に永久磁石１２．１２’
を取り付け、放電のためのコイル４による磁場と反撥
するようにする。この反撥力によって試料は試料台７に
強く押えつけられる。ガス冷却パイプ１１によるガス冷
却併用も可である。
を取り付け、放電のためのコイル４による磁場と反撥
するようにする。この反撥力によって試料は試料台７に
強く押えつけられる。ガス冷却パイプ１１によるガス冷
却併用も可である。
第５図も、実施例の一つを示すものである。試料（ウェ
ハ）６の自動搬送を考慮したものであり、試料搬送時に
は試料押え１０を上に上げる必要がある。この場合はコ
イルの電流方向を逆にして、永久磁石１２．１２’ を
吸引力により上に上げることができる。押え具を上に上
げたまま、試料押上げピン１３でウェハ（試料）６を持
ち上げアーム等を用いて試料交換を行えば良いことにな
る。
ハ）６の自動搬送を考慮したものであり、試料搬送時に
は試料押え１０を上に上げる必要がある。この場合はコ
イルの電流方向を逆にして、永久磁石１２．１２’ を
吸引力により上に上げることができる。押え具を上に上
げたまま、試料押上げピン１３でウェハ（試料）６を持
ち上げアーム等を用いて試料交換を行えば良いことにな
る。
この場合は適当なストッパ１４やダンパがあると良い。
第６図も本発明の実施例の一つで、ゴミ付着を防ぐこと
等のため試料（ウェハ）６を下向きにした装置構成とな
っている。この場合は重力だけで試料を試料台に押え付
けることは困難であるが、放電用のコイル４と永久磁石
１２．１２’との相互作用で、これが可能となる。
等のため試料（ウェハ）６を下向きにした装置構成とな
っている。この場合は重力だけで試料を試料台に押え付
けることは困難であるが、放電用のコイル４と永久磁石
１２．１２’との相互作用で、これが可能となる。
以上は放電のための磁場をコイルで発生させる場合の例
を示したが、永久磁石を用いる場合もありうる。このよ
うな場合等には、押え具に永久磁石を取付ける代りにコ
イル（ｆｌ！磁石）を取付ければ良い。
を示したが、永久磁石を用いる場合もありうる。このよ
うな場合等には、押え具に永久磁石を取付ける代りにコ
イル（ｆｌ！磁石）を取付ければ良い。
また真空中に永久磁石を設置する場合、試料汚染等を考
慮してステンレス鋼やテフロン等で永久磁石をカバーし
た方が良い。さらにはステンレス鋼等で永久磁石やコイ
ルを封止した方がより良いことはいうまでもない。
慮してステンレス鋼やテフロン等で永久磁石をカバーし
た方が良い。さらにはステンレス鋼等で永久磁石やコイ
ルを封止した方がより良いことはいうまでもない。
また逆方陶磁ｖｋ発生はコイル４全体に逆方向電流を流
す必要はなく、最下部コイルのみでも充分である。
す必要はなく、最下部コイルのみでも充分である。
本発明によれば、試料（ウェハ）の試料台への密着性を
上げることができるので、試料の冷却・加熱すなわち温
度制御を容易とする効果がある。
上げることができるので、試料の冷却・加熱すなわち温
度制御を容易とする効果がある。
また装置構成についても、ウェハを上向きだけでなく横
向き、下向き等、向きを自由に設定できる効果もある。
向き、下向き等、向きを自由に設定できる効果もある。
同面の簡単な説明
第１″図は従来の有磁場マイクロ波プラズマエツチング
装置の構成図、第２図、第３図は従来の試料冷却法を示
した試料台まわりの縦断面図、第４図、第５図、第６図
は本発明の実施例を示した装置構成図を示す縦断面図で
ある。
装置の構成図、第２図、第３図は従来の試料冷却法を示
した試料台まわりの縦断面図、第４図、第５図、第６図
は本発明の実施例を示した装置構成図を示す縦断面図で
ある。
ｌ・・・エツチングチャンバー、２・・・マグネトロン
、３・・・マイクロ波導波管、４・・・コイル（電磁石
）、５・・・放電管、６・・・試料（ウェハ）、７・・
・試料台、８．８′・・・冷却パイプ、９・・・ガス供
給管、１０・・・試料押え具、１１・・・ガス冷却パイ
プ、１２・・・永久磁石、１３・・・ウェハ押上げピン
、１４・・・ストッパー ・
、３・・・マイクロ波導波管、４・・・コイル（電磁石
）、５・・・放電管、６・・・試料（ウェハ）、７・・
・試料台、８．８′・・・冷却パイプ、９・・・ガス供
給管、１０・・・試料押え具、１１・・・ガス冷却パイ
プ、１２・・・永久磁石、１３・・・ウェハ押上げピン
、１４・・・ストッパー ・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、有磁場マイクロ波プラズマ処理装置に於て、放電用
磁場を利用して、永久磁石またはコイルにより試料台へ
の試料（ウェハ）の密着性を増し、試料の冷却・加熱効
果を上げることを特徴とした試料押え具を備えた有磁場
マイクロ波プラズマ処理装置。 ２、放電時と逆方向に放電用磁場を印加することにより
、試料を試料台に押え付ける方向と逆方向に動かす試料
押え具を備えたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の有磁場マイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20972284A JPS6187884A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20972284A JPS6187884A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187884A true JPS6187884A (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=16577560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20972284A Pending JPS6187884A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187884A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5016564A (en) * | 1986-12-29 | 1991-05-21 | Sumitomo Metal Industries Ltd. | Plasma apparatus |
| US5213658A (en) * | 1990-10-26 | 1993-05-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing method |
| US5228940A (en) * | 1990-10-03 | 1993-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Fine pattern forming apparatus |
| US5246532A (en) * | 1990-10-26 | 1993-09-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP20972284A patent/JPS6187884A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5016564A (en) * | 1986-12-29 | 1991-05-21 | Sumitomo Metal Industries Ltd. | Plasma apparatus |
| US5019117A (en) * | 1986-12-29 | 1991-05-28 | Sumitomo Metal Industries Ltd. | Plasma apparatus |
| US5228940A (en) * | 1990-10-03 | 1993-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Fine pattern forming apparatus |
| US5292401A (en) * | 1990-10-03 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming a fine pattern |
| US5213658A (en) * | 1990-10-26 | 1993-05-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing method |
| US5246532A (en) * | 1990-10-26 | 1993-09-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
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