JPS6142843A - 基板の冷却装置 - Google Patents
基板の冷却装置Info
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- JPS6142843A JPS6142843A JP59161545A JP16154584A JPS6142843A JP S6142843 A JPS6142843 A JP S6142843A JP 59161545 A JP59161545 A JP 59161545A JP 16154584 A JP16154584 A JP 16154584A JP S6142843 A JPS6142843 A JP S6142843A
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- Japan
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体の製造に使用されるシリコンウェハ等の
基板を冷却する装置に関する。
基板を冷却する装置に関する。
（従来の技術）
一般に真空室内でこの種基板にイオン注入等の処理を施
すと発熱して基板が損傷する危険があるので該基板を冷
却水を循環させた基板ホルダで保持することが行なわれ
ている。
すと発熱して基板が損傷する危険があるので該基板を冷
却水を循環させた基板ホルダで保持することが行なわれ
ている。
この場合、基板は熱により変形を生じ基板ホルダとの接
触が離れて冷却性が悪化するので基板ホルダの表面にシ
リコンラバーのクッション部とそれを覆うテフロン薄膜
を設け、これに基板を当接させることにより基板に変形
が生じても離れることなく冷却出来るようにしている。
触が離れて冷却性が悪化するので基板ホルダの表面にシ
リコンラバーのクッション部とそれを覆うテフロン薄膜
を設け、これに基板を当接させることにより基板に変形
が生じても離れることなく冷却出来るようにしている。
（発明が解決しようとする問題点）
シリコンラバーはその弾力性が実際の使用条件下で経時
的に損なわれ基板の変形に追従して当接し得なくなる欠
点があり、また近時のように基板の処理のために大電流
、高電圧が使用されると基板の発熱量が多くなり、その
熱流束がＩＷ／ｃｌＩにも達すると接触熱伝達係数、熱
伝性、耐熱性の乏しいテフロン薄膜で覆われたシリコン
ラバーの使用が困難になる。
的に損なわれ基板の変形に追従して当接し得なくなる欠
点があり、また近時のように基板の処理のために大電流
、高電圧が使用されると基板の発熱量が多くなり、その
熱流束がＩＷ／ｃｌＩにも達すると接触熱伝達係数、熱
伝性、耐熱性の乏しいテフロン薄膜で覆われたシリコン
ラバーの使用が困難になる。
本発明は主として発熱量の多い状況で処理される基板の
冷却に適した耐久性の良い冷却装置を提供することを目
的とする。
冷却に適した耐久性の良い冷却装置を提供することを目
的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明では、真空室内で処理される基板を冷動水の循環
等により冷却された基板ホルダにより保持するようにし
たものに於て、該基板に当接する基板ホルダの表面に弾
力性と熱良導性を備えた細線を多数植設し且つ植設され
た細線群の見掛けのショア硬度をシリコンラバーと同程
度になるようにした。
等により冷却された基板ホルダにより保持するようにし
たものに於て、該基板に当接する基板ホルダの表面に弾
力性と熱良導性を備えた細線を多数植設し且つ植設され
た細線群の見掛けのショア硬度をシリコンラバーと同程
度になるようにした。
（作用）
基板は基板ホルダの表面に保持され、真空室内に於てイ
オン注入等の処理が施されるが、該ホルダの表面には弾
力性と熱良導性を備えた細線が植設されているので基板
の処理に伴なう発熱量は細線を介して冷却された基板ホ
ルダに伝えられ、基板が冷却されると共に植設された細
線群はその見掛けのショア硬度が柔らかいシリコンラバ
ーと同程度であるので基板の変形に適合して各細線が基
板に当接し、冷却性が良好になる。
オン注入等の処理が施されるが、該ホルダの表面には弾
力性と熱良導性を備えた細線が植設されているので基板
の処理に伴なう発熱量は細線を介して冷却された基板ホ
ルダに伝えられ、基板が冷却されると共に植設された細
線群はその見掛けのショア硬度が柔らかいシリコンラバ
ーと同程度であるので基板の変形に適合して各細線が基
板に当接し、冷却性が良好になる。
（実施例）
本発明の実施例を図面につき説明するに、第１図に於て
（１）は真空塞（２）内に配置される基板ホルダを示し
、該基板ホルダ（１）は例えばＯｕ、ＡＪ等の全屈で形
成され、その内部には冷却水の循環路（３）が設けられ
る。
（１）は真空塞（２）内に配置される基板ホルダを示し
、該基板ホルダ（１）は例えばＯｕ、ＡＪ等の全屈で形
成され、その内部には冷却水の循環路（３）が設けられ
る。
（４）は該ホルダ（１）の表面即ち冷却面に植設した熱
伝導率の高いＯｕ、ｋｌ、Ｏ，Ｍｏ等の金属繊維からな
る＃ＴＩＩＩＩで、該細線（４）の材料、寸法、植設の
密度、形状等を調整して細線群（４ａ）全体の見掛けの
ショア硬度が柔らかいシリコンラバーと同程度になるよ
うに植設される。尚、該細線（４）に弾力性を保有させ
る手段としてその形状をコイル状又は蛇行状に加工する
ことが考えられる。
伝導率の高いＯｕ、ｋｌ、Ｏ，Ｍｏ等の金属繊維からな
る＃ＴＩＩＩＩで、該細線（４）の材料、寸法、植設の
密度、形状等を調整して細線群（４ａ）全体の見掛けの
ショア硬度が柔らかいシリコンラバーと同程度になるよ
うに植設される。尚、該細線（４）に弾力性を保有させ
る手段としてその形状をコイル状又は蛇行状に加工する
ことが考えられる。
（５）は処理されるガリウムヒ素、シリコンウェハ等の
基板を示し、該基板（５）は直線或は第２図示のように
薄膜（６）を介して細線群（４＆）と当接され、処理に
伴なって基板（５）に発生する熱は細線群（４ａ）を介
して冷却された基板ホルダ（１）へと伝わり、基板（５
）が熱割れしないように冷却される。
基板を示し、該基板（５）は直線或は第２図示のように
薄膜（６）を介して細線群（４＆）と当接され、処理に
伴なって基板（５）に発生する熱は細線群（４ａ）を介
して冷却された基板ホルダ（１）へと伝わり、基板（５
）が熱割れしないように冷却される。
該薄膜（６）としては熱流束が低い範囲ではテフロン膜
が使用され、熱流束が高い範囲では良熱伝導性で真空特
性の良い可撓材が使用される。
が使用され、熱流束が高い範囲では良熱伝導性で真空特
性の良い可撓材が使用される。
（発明の効果）
このように本発明によるときは、基板ホルダの表面に弾
力性と熱良導性を兼備した細線を植設し、しかも細線群
のショア硬度をシリコンラバーと同程度としたので、基
板と各細線は機械的に強い力を与えずに互に接触させる
ことが出来、基板から大きな熱流束を基板ホルダに伝え
得て熱変形、熱割れの生じ易い基板の冷却を効率良く行
なえる効果がある。
力性と熱良導性を兼備した細線を植設し、しかも細線群
のショア硬度をシリコンラバーと同程度としたので、基
板と各細線は機械的に強い力を与えずに互に接触させる
ことが出来、基板から大きな熱流束を基板ホルダに伝え
得て熱変形、熱割れの生じ易い基板の冷却を効率良く行
なえる効果がある。
第１図は本発明の実施例の截断側面図、第２図はその変
形例の要部の截断側面図である。 （１）・・・基板ホルダ （２）・・・真空室（４
）・・・細線 （４ａ）・・・細線群（５）
・・・基板 外２名 第１図 第２図
形例の要部の截断側面図である。 （１）・・・基板ホルダ （２）・・・真空室（４
）・・・細線 （４ａ）・・・細線群（５）
・・・基板 外２名 第１図 第２図
Claims (1)
- 真空室内で処理される基板を冷却水の循環等により冷却
された基板ホルダにより保持するようにしたものに於て
、該基板に当接する基板ホルダの表面に弾力性と熱良導
性を備えた細線を多数植設し且つ植設された細線群の見
掛けのシヨア硬度をシリコンラバーと同程度とすること
を特徴とする基板の冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59161545A JPS6142843A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 基板の冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59161545A JPS6142843A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 基板の冷却装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142843A true JPS6142843A (ja) | 1986-03-01 |
| JPH0313703B2 JPH0313703B2 (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=15737138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59161545A Granted JPS6142843A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 基板の冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142843A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5244820A (en) * | 1990-03-09 | 1993-09-14 | Tadashi Kamata | Semiconductor integrated circuit device, method for producing the same, and ion implanter for use in the method |
| EP1519399A2 (de) | 2003-09-24 | 2005-03-30 | Carl Zeiss NTS GmbH | Teilchenstrahlgerät mit gekühltem Antikontaminator und/oder Probenhalter |
| DE102012222735B4 (de) * | 2011-12-15 | 2021-06-02 | GM Global Technology Operations, LLC (n.d. Ges. d. Staates Delaware) | Kühlsystem für eine Batteriezelle |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60236223A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-25 | Ulvac Corp | 基板の冷却装置 |
-
1984
- 1984-08-02 JP JP59161545A patent/JPS6142843A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60236223A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-25 | Ulvac Corp | 基板の冷却装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5244820A (en) * | 1990-03-09 | 1993-09-14 | Tadashi Kamata | Semiconductor integrated circuit device, method for producing the same, and ion implanter for use in the method |
| EP1519399A2 (de) | 2003-09-24 | 2005-03-30 | Carl Zeiss NTS GmbH | Teilchenstrahlgerät mit gekühltem Antikontaminator und/oder Probenhalter |
| EP1519399A3 (de) * | 2003-09-24 | 2010-01-27 | Carl Zeiss NTS GmbH | Teilchenstrahlgerät mit gekühltem Antikontaminator und/oder Probenhalter |
| DE102012222735B4 (de) * | 2011-12-15 | 2021-06-02 | GM Global Technology Operations, LLC (n.d. Ges. d. Staates Delaware) | Kühlsystem für eine Batteriezelle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0313703B2 (ja) | 1991-02-25 |
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