JP2001024047A - 基板支持装置 - Google Patents
基板支持装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造装置における基板支持装置におい
て、基板の裏面へのパーティクルの付着を低減する。 【解決手段】 基板支持装置６は、ウェハＷが載置され
るサセプタ７と、このサセプタ７に吊り下げられ、ウェ
ハＷを持ち上げる３本の支持ピン９と、各支持ピン９を
上下動させるピン昇降機構１０とを備えている。各支持
ピン９の支持部９ｂは、上方に先細りになる略円錐形状
を有しており、かつその上面が炭化シリコン（ＳｉＣ）
で被覆されている。ウェハＷをサセプタ７上に載置すべ
く各支持ピン９により当該ウェハＷを持ち上げたときに
は、支持ピン９の上面とウェハＷの裏面は点接触の状態
となるので、ウェハＷの裏面にパーティクルが付着され
ていても、支持ピン９の上面に付着するパーティクルは
極めて少ない。
て、基板の裏面へのパーティクルの付着を低減する。 【解決手段】 基板支持装置６は、ウェハＷが載置され
るサセプタ７と、このサセプタ７に吊り下げられ、ウェ
ハＷを持ち上げる３本の支持ピン９と、各支持ピン９を
上下動させるピン昇降機構１０とを備えている。各支持
ピン９の支持部９ｂは、上方に先細りになる略円錐形状
を有しており、かつその上面が炭化シリコン（ＳｉＣ）
で被覆されている。ウェハＷをサセプタ７上に載置すべ
く各支持ピン９により当該ウェハＷを持ち上げたときに
は、支持ピン９の上面とウェハＷの裏面は点接触の状態
となるので、ウェハＷの裏面にパーティクルが付着され
ていても、支持ピン９の上面に付着するパーティクルは
極めて少ない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置等
に設けられた基板支持装置に係り、特に、基板の搬送時
において基板を支持ピンにより持ち上げる基板支持装置
に関するものである。
に設けられた基板支持装置に係り、特に、基板の搬送時
において基板を支持ピンにより持ち上げる基板支持装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】エピタキシャル成長装置等の半導体製造
装置には、シリコンウェハ（基板）を１枚ずつ処理する
枚葉式と称されるものがある。このような枚葉式の半導
体製造装置においては、通常、ウェハを１枚だけ水平に
支持するための基板支持装置が処理チャンバ内に設けら
れている。この基板支持装置の一例を図４に示す。
装置には、シリコンウェハ（基板）を１枚ずつ処理する
枚葉式と称されるものがある。このような枚葉式の半導
体製造装置においては、通常、ウェハを１枚だけ水平に
支持するための基板支持装置が処理チャンバ内に設けら
れている。この基板支持装置の一例を図４に示す。
【０００３】同図において、基板支持装置１００は、３
つ（図では１つのみ図示）の貫通穴１０１ａを有し、上
面にウェハＷが載置されるサセプタ１０１と、各貫通穴
１０１ａに挿入されてサセプタ１０１に吊り下げられた
３本（図では１本のみ図示）の支持ピン１０２と、これ
らの支持ピン１０２を上下動させるピン昇降機構１０３
とを備えている。
つ（図では１つのみ図示）の貫通穴１０１ａを有し、上
面にウェハＷが載置されるサセプタ１０１と、各貫通穴
１０１ａに挿入されてサセプタ１０１に吊り下げられた
３本（図では１本のみ図示）の支持ピン１０２と、これ
らの支持ピン１０２を上下動させるピン昇降機構１０３
とを備えている。
【０００４】このような基板支持装置１００において、
搬送ロボット（図示せず）により搬送されたウェハＷを
サセプタ１０１に支持するときは、まず図４（ａ）に示
すように、ピン昇降機構１０３により各支持ピン１０２
を上昇させて、搬送ロボットのブレードに載置されたウ
ェハＷを持ち上げる。続いて、図４（ｂ）に示すよう
に、ピン昇降機構１０３により各支持ピン１０２を下降
させて、ウェハＷをサセプタ１０１上に載置する。
搬送ロボット（図示せず）により搬送されたウェハＷを
サセプタ１０１に支持するときは、まず図４（ａ）に示
すように、ピン昇降機構１０３により各支持ピン１０２
を上昇させて、搬送ロボットのブレードに載置されたウ
ェハＷを持ち上げる。続いて、図４（ｂ）に示すよう
に、ピン昇降機構１０３により各支持ピン１０２を下降
させて、ウェハＷをサセプタ１０１上に載置する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
基板支持装置１００では、支持ピン１０２の上面が全体
的に平面状になっており、支持ピン１０２を突き上げて
ウェハＷを持ち上げたときには、支持ピン１０２上面の
ほぼ全体がウェハＷの裏面に接触するようになってい
る。このため、何らかの要因、例えば処理チャンバ内の
圧力変動によりガス排気口に存在するパーティクルが処
理チャンバ内に戻されること等により、処理チャンバ内
に搬送されたウェハＷの裏面にパーティクルが付着して
いると、支持ピン１０２によりウェハＷを持ち上げたと
きに、支持ピン１０２の上面にそのパーティクルが付着
してしまう。この場合には、次の処理工程において処理
すべきウェハＷを支持ピン１０２で持ち上げたときに、
そのウェハＷの裏面にもパーティクルが付着してしまう
可能性がある。
基板支持装置１００では、支持ピン１０２の上面が全体
的に平面状になっており、支持ピン１０２を突き上げて
ウェハＷを持ち上げたときには、支持ピン１０２上面の
ほぼ全体がウェハＷの裏面に接触するようになってい
る。このため、何らかの要因、例えば処理チャンバ内の
圧力変動によりガス排気口に存在するパーティクルが処
理チャンバ内に戻されること等により、処理チャンバ内
に搬送されたウェハＷの裏面にパーティクルが付着して
いると、支持ピン１０２によりウェハＷを持ち上げたと
きに、支持ピン１０２の上面にそのパーティクルが付着
してしまう。この場合には、次の処理工程において処理
すべきウェハＷを支持ピン１０２で持ち上げたときに、
そのウェハＷの裏面にもパーティクルが付着してしまう
可能性がある。
【０００６】本発明の目的は、基板の裏面へのパーティ
クルの付着を低減することができる半導体製造装置にお
ける基板支持装置を提供することにある。
クルの付着を低減することができる半導体製造装置にお
ける基板支持装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、真空減圧される処理チャンバ内に設けら
れ、基板を水平に支持する支持部材と、上部の断面形状
が上方に先細りとなるように形成された、基板を持ち上
げるための支持ピンと、支持ピンを支持部材に対して上
下動させるピン昇降手段と、を備える基板支持装置を提
供する。
め、本発明は、真空減圧される処理チャンバ内に設けら
れ、基板を水平に支持する支持部材と、上部の断面形状
が上方に先細りとなるように形成された、基板を持ち上
げるための支持ピンと、支持ピンを支持部材に対して上
下動させるピン昇降手段と、を備える基板支持装置を提
供する。
【０００８】このように支持ピンの上部の断面形状を上
方に先細りとすることにより、支持ピンの上面と基板の
裏面との接触面積が小さくなるため、処理すべき基板の
裏面にパーティクルが付着していても、支持ピンにより
その基板を持ち上げたときに支持ピンの上面に付着する
パーティクルが少なくて済む。したがって、次の基板処
理工程において処理すべき基板を支持ピンで持ち上げた
ときに、当該基板の裏面に付着するパーティクルも少な
くて済む。
方に先細りとすることにより、支持ピンの上面と基板の
裏面との接触面積が小さくなるため、処理すべき基板の
裏面にパーティクルが付着していても、支持ピンにより
その基板を持ち上げたときに支持ピンの上面に付着する
パーティクルが少なくて済む。したがって、次の基板処
理工程において処理すべき基板を支持ピンで持ち上げた
ときに、当該基板の裏面に付着するパーティクルも少な
くて済む。
【０００９】上記基板支持装置において、好ましくは、
支持ピンの上部が略円錐形状を有している。これによ
り、支持ピンで基板を持ち上げたときには、支持ピンの
上面と基板の裏面がほぼ点接触の状態となるため、支持
ピンの上面に付着するパーティクルが更に少なくて済
み、これにより基板の裏面に付着するパーティクルがよ
り低減される。
支持ピンの上部が略円錐形状を有している。これによ
り、支持ピンで基板を持ち上げたときには、支持ピンの
上面と基板の裏面がほぼ点接触の状態となるため、支持
ピンの上面に付着するパーティクルが更に少なくて済
み、これにより基板の裏面に付着するパーティクルがよ
り低減される。
【００１０】また、好ましくは、支持ピンの本数は少な
くとも３本である。これにより、上記のように支持ピン
の上面と基板の裏面がほぼ点接触の状態にある場合に
は、基板の自重が確実に３点にかかるようになるため、
基板が支持ピンに安定して支持され、これにより基板が
支持ピンに対して位置ずれを起こすことを防止できる。
くとも３本である。これにより、上記のように支持ピン
の上面と基板の裏面がほぼ点接触の状態にある場合に
は、基板の自重が確実に３点にかかるようになるため、
基板が支持ピンに安定して支持され、これにより基板が
支持ピンに対して位置ずれを起こすことを防止できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて図面を参照して説明する。
ついて図面を参照して説明する。
【００１２】図１は、本発明に係る基板支持装置が設置
されたエピタキシャル成長装置を概略的に示したもので
ある。同図において、エピタキシャル成長装置１は、基
板であるシリコンウェハＷを１枚ずつ成膜処理する枚葉
式のものであり、石英ガラスで構成された処理チャンバ
２を備えており、この処理チャンバ２の側壁には、ガス
供給口３とガス排気口４とが対向して設けられている。
また、処理チャンバ２の上方及び下方には、ウェハＷを
加熱するための複数本のハロゲンランプ５が放射状にそ
れぞれ配置されている。また、処理チャンバ２内には、
ウェハＷを水平に支持するための基板支持装置６が配設
されている。
されたエピタキシャル成長装置を概略的に示したもので
ある。同図において、エピタキシャル成長装置１は、基
板であるシリコンウェハＷを１枚ずつ成膜処理する枚葉
式のものであり、石英ガラスで構成された処理チャンバ
２を備えており、この処理チャンバ２の側壁には、ガス
供給口３とガス排気口４とが対向して設けられている。
また、処理チャンバ２の上方及び下方には、ウェハＷを
加熱するための複数本のハロゲンランプ５が放射状にそ
れぞれ配置されている。また、処理チャンバ２内には、
ウェハＷを水平に支持するための基板支持装置６が配設
されている。
【００１３】このようなエピタキシャル成長装置１にお
いて、真空減圧された処理チャンバ２内に搬送ロボット
（図示せず）によりウェハＷを搬送し、基板支持装置６
によりウェハＷを支持した後、ハロゲンランプ５により
ウェハＷを加熱した状態で、トリクロルシラン（ＳｉＨ
Ｃｌ3）ガスやジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）ガス等
の反応ガスをガス供給口３から処理チャンバ２内に供給
する。すると、その反応ガスがウェハＷの表面に沿って
層流状態で流れ、ウェハＷの表面にシリコンの単結晶が
エピタキシャル成長して薄膜が形成される。
いて、真空減圧された処理チャンバ２内に搬送ロボット
（図示せず）によりウェハＷを搬送し、基板支持装置６
によりウェハＷを支持した後、ハロゲンランプ５により
ウェハＷを加熱した状態で、トリクロルシラン（ＳｉＨ
Ｃｌ3）ガスやジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）ガス等
の反応ガスをガス供給口３から処理チャンバ２内に供給
する。すると、その反応ガスがウェハＷの表面に沿って
層流状態で流れ、ウェハＷの表面にシリコンの単結晶が
エピタキシャル成長して薄膜が形成される。
【００１４】基板支持装置６は、炭化シリコン（Ｓｉ
Ｃ）で被覆されたカーボングラファイト材料で構成さ
れ、ウェハＷを支持する円盤状のサセプタ（支持部材）
７と、処理チャンバ２の下部に立設され、サセプタ７を
裏面側から三点で水平に支持する石英ガラス製の支持シ
ャフト８と、サセプタ７に吊り下げられ、当該サセプタ
７を貫通してウェハＷを持ち上げる３本（図２参照）の
支持ピン９と、各支持ピン９を上下動させるピン昇降機
構１０とを備えている。
Ｃ）で被覆されたカーボングラファイト材料で構成さ
れ、ウェハＷを支持する円盤状のサセプタ（支持部材）
７と、処理チャンバ２の下部に立設され、サセプタ７を
裏面側から三点で水平に支持する石英ガラス製の支持シ
ャフト８と、サセプタ７に吊り下げられ、当該サセプタ
７を貫通してウェハＷを持ち上げる３本（図２参照）の
支持ピン９と、各支持ピン９を上下動させるピン昇降機
構１０とを備えている。
【００１５】サセプタ７は、図２及び図３に示すよう
に、上面部にウェハＷが載置される凹状の載置領域１１
を有し、この載置領域１１には上下方向に延びる３つの
貫通穴１２が形成されている。各貫通穴１２は、小径穴
部１２ａと、この小径穴部１２ａの上部に形成された大
径穴部１２ｂとからなり、小径穴部１２ａと大径穴部１
２ｂとの間にはテーパ面部１２ｃが設けられている。
に、上面部にウェハＷが載置される凹状の載置領域１１
を有し、この載置領域１１には上下方向に延びる３つの
貫通穴１２が形成されている。各貫通穴１２は、小径穴
部１２ａと、この小径穴部１２ａの上部に形成された大
径穴部１２ｂとからなり、小径穴部１２ａと大径穴部１
２ｂとの間にはテーパ面部１２ｃが設けられている。
【００１６】支持ピン９は、貫通穴１２の小径穴部１２
ａに挿入可能な棒状のピン本体部９ａと、このピン本体
部９ａの上端に設けられ、大径穴部１２ｂに収容可能な
支持部９ｂとからなっている。支持部９ｂは、テーパ面
部１２ｃに対応してテーパ状に形成された受け面９ｃを
有し、この受け面９ｃがテーパ面部１２ｃに接触した状
態でサセプタ７に吊り下げられる（図３（ｂ）参照）。
ａに挿入可能な棒状のピン本体部９ａと、このピン本体
部９ａの上端に設けられ、大径穴部１２ｂに収容可能な
支持部９ｂとからなっている。支持部９ｂは、テーパ面
部１２ｃに対応してテーパ状に形成された受け面９ｃを
有し、この受け面９ｃがテーパ面部１２ｃに接触した状
態でサセプタ７に吊り下げられる（図３（ｂ）参照）。
【００１７】また、支持部９ｂは、上方に先細りになる
略円錐形状を有しており、かつその上面が炭化シリコン
（ＳｉＣ）で被覆されている。このように支持部９ｂの
形状を略円錐状とすることにより、図３（ａ）に示すよ
うに支持ピン９を突き上げてウェハＷを持ち上げたとき
には、支持ピン９の上面とウェハＷの裏面とは点接触の
状態となる。また、支持部９ｂの上面にＳｉＣ被覆を施
すことにより、酸に対する耐食性が向上して寿命が長く
なるだけでなく、図３（ａ）に示すようにウェハＷを持
ち上げるべく支持部９ｂの上端をウェハＷの裏面に当接
させたときに、ウェハＷを傷付けることを防止すること
ができる。
略円錐形状を有しており、かつその上面が炭化シリコン
（ＳｉＣ）で被覆されている。このように支持部９ｂの
形状を略円錐状とすることにより、図３（ａ）に示すよ
うに支持ピン９を突き上げてウェハＷを持ち上げたとき
には、支持ピン９の上面とウェハＷの裏面とは点接触の
状態となる。また、支持部９ｂの上面にＳｉＣ被覆を施
すことにより、酸に対する耐食性が向上して寿命が長く
なるだけでなく、図３（ａ）に示すようにウェハＷを持
ち上げるべく支持部９ｂの上端をウェハＷの裏面に当接
させたときに、ウェハＷを傷付けることを防止すること
ができる。
【００１８】図１に戻り、ピン昇降機構１０は、支持シ
ャフト８の主軸を囲むように配置された上下動可能なリ
フトチューブ１３と、このリフトチューブ１３を駆動さ
せる駆動モータを含む駆動装置１４と、リフトチューブ
１３から放射状に延びる３本のリフトアーム１５とを備
えている。各リフトアーム１５の先端には、支持ピン９
の下端を受けるためのピン受け部１６が取り付けられて
いる。このようなピン昇降機構１０において、駆動装置
１４によりリフトチューブ１３を上昇させると、各リフ
トアーム１５のピン受け部１６が支持ピン９の下端にそ
れぞれ当接し、当該支持ピン９が押し上げられる。
ャフト８の主軸を囲むように配置された上下動可能なリ
フトチューブ１３と、このリフトチューブ１３を駆動さ
せる駆動モータを含む駆動装置１４と、リフトチューブ
１３から放射状に延びる３本のリフトアーム１５とを備
えている。各リフトアーム１５の先端には、支持ピン９
の下端を受けるためのピン受け部１６が取り付けられて
いる。このようなピン昇降機構１０において、駆動装置
１４によりリフトチューブ１３を上昇させると、各リフ
トアーム１５のピン受け部１６が支持ピン９の下端にそ
れぞれ当接し、当該支持ピン９が押し上げられる。
【００１９】以上のように構成した基板支持装置６にお
いて、ウェハＷをサセプタ７に支持する場合、まず搬送
ロボットを制御し、搬送ロボットのブレード２０に載置
されたウェハＷをサセプタ７の直上位置に移動させる
（図２参照）。次いで、ピン昇降機構１０の駆動装置１
４を制御して各支持ピン９を上昇させると、支持ピン９
の上端がウェハＷの裏面に当接し、当該ウェハＷがブレ
ード２０から支持ピン９の支持部９ｂに載り移る（図３
（ａ）参照）。その後、搬送ロボットを制御し、搬送ロ
ボットのブレード２０をサセプタ７の上方から待避させ
る。そして、ピン昇降機構１０の駆動装置１４を制御
し、ウェハＷを支持した各支持ピン９を下降させてウェ
ハＷをサセプタ７の載置領域１１上に降ろす（図３
（ｂ）参照）。
いて、ウェハＷをサセプタ７に支持する場合、まず搬送
ロボットを制御し、搬送ロボットのブレード２０に載置
されたウェハＷをサセプタ７の直上位置に移動させる
（図２参照）。次いで、ピン昇降機構１０の駆動装置１
４を制御して各支持ピン９を上昇させると、支持ピン９
の上端がウェハＷの裏面に当接し、当該ウェハＷがブレ
ード２０から支持ピン９の支持部９ｂに載り移る（図３
（ａ）参照）。その後、搬送ロボットを制御し、搬送ロ
ボットのブレード２０をサセプタ７の上方から待避させ
る。そして、ピン昇降機構１０の駆動装置１４を制御
し、ウェハＷを支持した各支持ピン９を下降させてウェ
ハＷをサセプタ７の載置領域１１上に降ろす（図３
（ｂ）参照）。
【００２０】ここで、何らかの原因、例えば処理チャン
バ２内の圧力変動によりガス排気口４に存在するパーテ
ィクルが処理チャンバ２内に戻される等により、処理チ
ャンバ２内に搬送されたウェハＷの裏面にパーティクル
が付着している場合がある。この時、そのウェハＷをサ
セプタ７上に載置すべく、各支持ピン９を上昇させて当
該ウェハＷを持ち上げたときに、ウェハＷ裏面のパーテ
ィクルが支持ピン９の上面に付着することがある。
バ２内の圧力変動によりガス排気口４に存在するパーテ
ィクルが処理チャンバ２内に戻される等により、処理チ
ャンバ２内に搬送されたウェハＷの裏面にパーティクル
が付着している場合がある。この時、そのウェハＷをサ
セプタ７上に載置すべく、各支持ピン９を上昇させて当
該ウェハＷを持ち上げたときに、ウェハＷ裏面のパーテ
ィクルが支持ピン９の上面に付着することがある。
【００２１】しかし、本実施形態においては、上述した
ように支持ピン９の上面とウェハＷの裏面は点接触の状
態であるため、支持ピン９の上面に付着するパーティク
ルは極めて少ない。このため、パーティクルが付着して
いる上記ウェハＷの成膜処理の終了後、次に成膜処理す
るウェハＷを処理チャンバ２内に搬送して支持ピン９で
持ち上げたときに、そのウェハＷに付着するパーティク
ルも極めて少なくなる。
ように支持ピン９の上面とウェハＷの裏面は点接触の状
態であるため、支持ピン９の上面に付着するパーティク
ルは極めて少ない。このため、パーティクルが付着して
いる上記ウェハＷの成膜処理の終了後、次に成膜処理す
るウェハＷを処理チャンバ２内に搬送して支持ピン９で
持ち上げたときに、そのウェハＷに付着するパーティク
ルも極めて少なくなる。
【００２２】また、支持ピン９の上面とウェハＷの裏面
とは点接触の状態となるので、支持ピン９によりウェハ
Ｗを持ち上げたときには、ウェハＷの自重が確実に３点
にかかるようになり、ウェハＷは支持ピン９に安定して
支持される。したがって、支持ピン９の上昇中及び下降
中、あるいは他の機器が振動を起こしたときに、ウェハ
Ｗが支持ピン９に対して位置ずれを起こすことはほとん
ど無くなる。
とは点接触の状態となるので、支持ピン９によりウェハ
Ｗを持ち上げたときには、ウェハＷの自重が確実に３点
にかかるようになり、ウェハＷは支持ピン９に安定して
支持される。したがって、支持ピン９の上昇中及び下降
中、あるいは他の機器が振動を起こしたときに、ウェハ
Ｗが支持ピン９に対して位置ずれを起こすことはほとん
ど無くなる。
【００２３】さらに、支持ピン９の上面とウェハＷの裏
面とが点接触となるので、エピタキシャル成長装置１に
よる成膜処理において、支持ピン９を介してサセプタ７
に伝わるハロゲンランプ５の放射熱が低減される。その
結果、ウェハＷにおける支持ピン９の配置位置に対応す
る領域が他の領域とほぼ同じ温度に加熱されるようにな
り、ウェハＷの表面に形成される薄膜の膜厚分布の均一
性が向上する。
面とが点接触となるので、エピタキシャル成長装置１に
よる成膜処理において、支持ピン９を介してサセプタ７
に伝わるハロゲンランプ５の放射熱が低減される。その
結果、ウェハＷにおける支持ピン９の配置位置に対応す
る領域が他の領域とほぼ同じ温度に加熱されるようにな
り、ウェハＷの表面に形成される薄膜の膜厚分布の均一
性が向上する。
【００２４】以上、本発明の好適な実施形態について述
べたが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言
うまでもない。例えば、上記実施形態では、支持ピン９
の支持部９ｂの形状を略円錐状とし、支持ピン９の上面
とウェハＷの裏面が点接触となるようにしたが、支持部
９ｂの形状は特にこれに限られず、例えば上端部に僅か
な平面部分を有するもの等、その断面形状が上方に先細
りとなるような形状であればよい。
べたが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言
うまでもない。例えば、上記実施形態では、支持ピン９
の支持部９ｂの形状を略円錐状とし、支持ピン９の上面
とウェハＷの裏面が点接触となるようにしたが、支持部
９ｂの形状は特にこれに限られず、例えば上端部に僅か
な平面部分を有するもの等、その断面形状が上方に先細
りとなるような形状であればよい。
【００２５】また、上記実施形態のエピタキシャル成長
装置は、支持ピン９がサセプタ７に吊り下げられたタイ
プのものであるが、本発明は、これ以外にも、各リフト
アームの先端部に支持ピンが連結されたタイプのエピタ
キシャル成長装置にも適用可能である。さらに、上記エ
ピタキシャル成長装置は、ピン昇降機構１０により支持
ピン９を上下動させるタイプのものであるが、本発明
は、これ以外にも、サセプタ７自体を昇降させることに
よって支持ピン９をサセプタ７に対して上下動させるタ
イプのエピタキシャル成長装置にも適用可能である。
装置は、支持ピン９がサセプタ７に吊り下げられたタイ
プのものであるが、本発明は、これ以外にも、各リフト
アームの先端部に支持ピンが連結されたタイプのエピタ
キシャル成長装置にも適用可能である。さらに、上記エ
ピタキシャル成長装置は、ピン昇降機構１０により支持
ピン９を上下動させるタイプのものであるが、本発明
は、これ以外にも、サセプタ７自体を昇降させることに
よって支持ピン９をサセプタ７に対して上下動させるタ
イプのエピタキシャル成長装置にも適用可能である。
【００２６】さらに、上記実施形態では、半導体製造装
置の１つであるエピタキシャル成長装置について説明し
たものであるが、本発明は、水平に支持された基板を支
持ピンにより持ち上げる全ての装置に適用可能である。
置の１つであるエピタキシャル成長装置について説明し
たものであるが、本発明は、水平に支持された基板を支
持ピンにより持ち上げる全ての装置に適用可能である。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、支持ピンの上面と基板
の裏面との接触面積が小さくなるようにしたので、基板
の裏面に付着しているパーティクルが次に処理すべき基
板の裏面に付着することが抑えられ、これにより基板の
裏面へのパーティクルの付着を低減することができる。
の裏面との接触面積が小さくなるようにしたので、基板
の裏面に付着しているパーティクルが次に処理すべき基
板の裏面に付着することが抑えられ、これにより基板の
裏面へのパーティクルの付着を低減することができる。
【００２８】また、支持ピンの上面と基板の裏面が点接
触になるようにした場合には、基板の自重が確実に３点
にかかるようになるので、基板が支持ピンに安定して支
持され、これにより、他の機器の振動等によって基板が
支持ピンに対して位置ずれを起こすことを防止すること
ができる。
触になるようにした場合には、基板の自重が確実に３点
にかかるようになるので、基板が支持ピンに安定して支
持され、これにより、他の機器の振動等によって基板が
支持ピンに対して位置ずれを起こすことを防止すること
ができる。
【図１】本発明に係わる基板支持装置が設置されたエピ
タキシャル成長装置を概略的に示す説明図である。
タキシャル成長装置を概略的に示す説明図である。
【図２】図１に示すサセプタの平面図である。
【図３】図１に示す支持ピンの構造及びその支持ピンに
よりウェハを持ち上げる動作を示す図である。
よりウェハを持ち上げる動作を示す図である。
【図４】従来における支持ピンの構造及びその支持ピン
によりウェハを持ち上げる動作を示す図である。
によりウェハを持ち上げる動作を示す図である。
２…処理チャンバ、６…基板支持装置、７…サセプタ
（支持部材）、９…支持ピン、１０…ピン昇降機構（ピ
ン昇降手段）、Ｗ…ウェハ（基板）。
（支持部材）、９…支持ピン、１０…ピン昇降機構（ピ
ン昇降手段）、Ｗ…ウェハ（基板）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 見山 隆 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 岡 直樹 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 DA13 FA01 FA12 HA33 MA28 NA05 PA26
Claims (3)
- 【請求項１】 真空減圧される処理チャンバ内に設けら
れ、基板を水平に支持する支持部材と、 上部の断面形状が上方に先細りとなるように形成され
た、前記基板を持ち上げるための支持ピンと、 前記支持ピンを前記支持部材に対して上下動させるピン
昇降手段と、を備える基板支持装置。 - 【請求項２】 前記支持ピンの上部が略円錐形状を有し
ている請求項１記載の基板支持装置。 - 【請求項３】 前記支持ピンの本数は少なくとも３本で
ある請求項１または２記載の基板支持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19336499A JP2001024047A (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | 基板支持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19336499A JP2001024047A (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | 基板支持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001024047A true JP2001024047A (ja) | 2001-01-26 |
Family
ID=16306694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19336499A Withdrawn JP2001024047A (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | 基板支持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001024047A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003034483A1 (fr) * | 2001-10-16 | 2003-04-24 | Tokyo Electron Limited | Mecanisme elevateur d'element a traiter et dispositif de traitement utilisant ce mecanisme |
| WO2009076346A2 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Applied Materials, Inc. | Lift pin for substrate processing |
| WO2019004201A1 (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-03 | エピクルー ユーエスエー インコーポレイテッド | プロセスチャンバ |
| WO2021014657A1 (ja) * | 2019-07-25 | 2021-01-28 | エピクルー株式会社 | エピタキシャル成長装置のプロセスチャンバ |
| WO2021168025A1 (en) * | 2020-02-20 | 2021-08-26 | Lam Research Corporation | Wafer lift pin mechanism for preventing local backside deposition |
-
1999
- 1999-07-07 JP JP19336499A patent/JP2001024047A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003034483A1 (fr) * | 2001-10-16 | 2003-04-24 | Tokyo Electron Limited | Mecanisme elevateur d'element a traiter et dispositif de traitement utilisant ce mecanisme |
| WO2009076346A2 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Applied Materials, Inc. | Lift pin for substrate processing |
| WO2009076346A3 (en) * | 2007-12-12 | 2009-09-17 | Applied Materials, Inc. | Lift pin for substrate processing |
| US8256754B2 (en) | 2007-12-12 | 2012-09-04 | Applied Materials, Inc. | Lift pin for substrate processing |
| CN101897015B (zh) * | 2007-12-12 | 2012-09-12 | 应用材料公司 | 衬底处理所用的举升销 |
| KR101519814B1 (ko) | 2007-12-12 | 2015-05-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 처리를 위한 리프트 핀 |
| WO2019004201A1 (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-03 | エピクルー ユーエスエー インコーポレイテッド | プロセスチャンバ |
| WO2021014657A1 (ja) * | 2019-07-25 | 2021-01-28 | エピクルー株式会社 | エピタキシャル成長装置のプロセスチャンバ |
| EP4006956A4 (en) * | 2019-07-25 | 2023-04-19 | Epicrew Corporation | PROCESSING CHAMBER OF AN EPITACTIC GROWTH DEVICE |
| JP7311916B2 (ja) | 2019-07-25 | 2023-07-20 | エピクルー株式会社 | エピタキシャル成長装置のプロセスチャンバ |
| WO2021168025A1 (en) * | 2020-02-20 | 2021-08-26 | Lam Research Corporation | Wafer lift pin mechanism for preventing local backside deposition |
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