KR102644060B1 - 에피택셜 성장 장치 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 - Google Patents

에피택셜 성장 장치 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

프리히트 링을 파손시키는 일 없이, 프리히트 링과 하부 라이너의 사이의 발진을 억제할 수 있는 에피택셜 성장 장치를 제안한다. 챔버와, 챔버의 내벽에 배치된 환상의 상부 라이너 및 하부 라이너와 챔버의 내부에 형성된, 반도체 웨이퍼를 올려놓는 서셉터와, 하부 라이너(26)의 개구부로 돌출된 지지부(26a) 상에 올려놓여짐과 함께, 서셉터의 외주에 배치된 프리히트 링(60)을 구비하는 에피택셜 성장 장치에 있어서, 프리히트 링(60)은, 반도체 웨이퍼(W)가 챔버의 내부에 반입되어 서셉터(4) 상에 올려놓여지기까지의 반송 경로에 있어서 반도체 웨이퍼(W)가 통과하는 영역의 바로 위의 적어도 일부의 영역에 있어서, 지지부(26a)에 지지되지 않도록 구성되어 있다.

Description

에피택셜 성장 장치 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법
본 발명은, 에피택셜 성장 장치 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것이다.
대표적인 반도체 웨이퍼인 실리콘 웨이퍼 상에 실리콘 에피택셜층이 형성된 에피택셜 실리콘 웨이퍼는, MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)나 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 등, 여러 가지 반도체 디바이스를 제작하기 위한 기판으로서 이용되고 있다.
도 1은, 반도체 웨이퍼의 표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 매엽식의 에피택셜 성장 장치의 일 예를 나타내고 있다. 이 도면에 나타낸 에피택셜 성장 장치(100)는, 상부 돔(11)과, 하부 돔(12)과, 돔 부착체(13)를 갖는 프로세스 챔버(10)를 갖는다. 상부 돔(11) 및 하부 돔(12)은, 투명한 석영으로 구성되어 있고, 클램프(14)에 의해 돔 부착체(13)에 부착되어 있다.
상기 프로세스 챔버(10)의 내벽에는, 돔 부착체(13)를 보호하기 위해 환상의 상부 라이너(15) 및 하부 라이너(16)가 배치되어 있고, 각각 석영으로 구성되어 있다. 그리고, 상부 라이너(15)와 하부 라이너(16)의 사이에는, 프로세스 챔버(10)의 대향하는 위치에, 프로세스 챔버(10) 내에 반응 가스 등을 공급하는 가스 공급구(17) 및 미반응 가스 등을 배출하는 가스 배출구(18)가 형성되어 있다.
또한, 프로세스 챔버(10)의 내부에는, 반도체 웨이퍼(W)가 올려놓여지는 서셉터(4)가 설치되어 있다. 서셉터(4)는, 회전 가능한 지지 샤프트(7)의 주기둥(7a)에 연결된 지지 암(7b)에 의해 그의 하면의 외주부가 끼워맞춤 지지되어 있고, 지지 암(7b)과 함께 회전하도록 구성되어 있다. 서셉터(4)는, 카본 그래파이트(흑연)를 모재로 하여, 그의 표면을 SiC로 코팅하여 구성되어 있고, 그의 표면에는, 반도체 웨이퍼(W)를 수용하여 올려놓는 카운터보어부가 형성되어 있다.
상기 서셉터(4) 및 지지 암(7b)에는 관통공이 형성되어 있고, 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 지지하여 승강시키기 위한 리프트 핀(5)이 각 관통공에 삽입 통과되어 있다. 리프트 핀(5)은, 그의 기단을 승강 샤프트(6)에 의해 지지하고, 승강 샤프트(6)를 상하 방향으로 이동시킴으로써 승강시킬 수 있다.
또한, 서셉터(4)의 외주에는, 가스 공급구(17)로부터 서셉터(4) 상에 올려놓여진 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 공급되는 반응 가스를 예열하는 환상의 프리히트 링(60)이 배치되어 있다. 프리히트 링(60)은, 카본 그래파이트(흑연)를 모재로 하여, 그의 표면을 탄화 규소(SiC)로 코팅하여 구성되어 있고, 하부 라이너(16)의 개구부로 돌출된 지지부(16a)에 의해 지지되어 있다.
도 2는, 도 1에 나타낸 에피택셜 성장 장치(100)에 있어서의 웨이퍼 반입구 부근의 도면을 나타내고 있다. 또한, 웨이퍼 반입구는, 도 1에 나타낸 에피택셜 성장 장치(100)를 상면에서 보았을 때에, 가스 도입구(17) 및 가스 배출구(18)가 형성된 위치와는, 둘레 방향으로 대략 90° 어긋난 위치에 형성되어 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 에피택셜 장치(100)의 프로세스 챔버(10)에 인접하여, 반도체 웨이퍼(W)를 프로세스 챔버(10)의 내부에 반송하기 위한 반송 챔버(20)가 형성되어 있다. 그리고, 반송 챔버(20)와 프로세스 챔버(10)는, 대략 직방체의 슬릿 부재(21)를 통하여 연통되어 있다.
슬릿 부재(21)에는, 반송 챔버(20)의 내부와 프로세스 챔버(10)의 내부를 연통하는 연통로(22)가 획성(畵成)되어 있다. 또한, 슬릿 부재(21)의 반송 챔버(20)측에는, 프로세스 챔버(10)의 내부를 밀폐하는 슬릿 밸브(23)가 형성되어 있다.
반도체 웨이퍼(W)는, 이하와 같이 서셉터(4) 상에 올려놓여진다. 우선, 지지 샤프트(7)에 의해 서셉터(4)를 강하시킨다. 이어서, 반송 챔버(20) 내의 슬릿 밸브(23)를 연 후, 반송 블레이드(B) 상에 올려놓여진 반도체 웨이퍼(W)를 연통로(22)를 통과시켜, 웨이퍼 반입구(24)로부터 프로세스 챔버(10)의 내부에 반입하고, 서셉터(4)의 상방에 배치한다.
이어서, 승강 샤프트(6)에 의해 리프트 핀(5)을 상승시켜, 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 지지한다. 그 후, 반송 블레이드(B)를 프로세스 챔버(10)로부터 퇴피시키고, 슬릿 밸브(23)를 닫는다. 그리고, 지지 샤프트(7)에 의해 서셉터(4)를 상승시켜 반도체 웨이퍼(W)를 서셉터(4) 상에 올려놓고, 서셉터(4)를 소정의 높이 위치까지 상승시켜, 반응 가스를 가스 도입구(17)로부터 도입하여 반도체 웨이퍼(W)의 표면 상에 에피택셜층을 성장시킨다.
에피택셜층의 성장이 종료되어, 얻어진 에피택셜 웨이퍼를 프로세스 챔버(10)로부터 반출할 때에는, 전술한 순서와는 반대의 순서를 행한다.
전술한 바와 같이, 프리히트 링(60)은, 하부 라이너(16)의 돌출부(16a)에 의해 지지되어 있지만, 이들 프리히트 링(60)과 하부 라이너(16)에는, 구성되어 있는 재료가 상이하다. 그 때문에, 챔버(10) 내를 승온 또는 강온할 때에, 프리히트 링(60)과 하부 라이너(16)의 돌출부(16a)의 사이에서 열 팽창률의 차에 기인하는 마찰이 발생하고, 이들 부재로부터 발진하여, 파티클이 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 부착되는 문제가 있다.
최근의 반도체 디바이스의 미세화·고집적화에 수반하여, 결정 결함이나 웨이퍼의 표면에 부착된 파티클의 저감이 요구되고 있다. 그 때문에, 전술과 같은 프리히트 링(60)과 하부 라이너(16)의 사이의 발진을 억제할 필요가 있다.
그래서, 특허문헌 1에는, 프리히트 링의 하부에 돌출부를 형성하여 하부 라이너에 고정하고, 챔버 내를 승온 또는 강온할 때에, 프리히트 링과 하부 라이너의 사이의 발진을 방지하는 기술이 기재되어 있다.
국제공개 제2015/076487호
그러나, 특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 챔버 내를 승온 또는 강온할 때에, 프리히트 링과 하부 라이너의 사이에 열 팽창률의 차에 기인하는 힘이 부하되어, 프리히트 링이 파손될 우려가 있다.
그래서, 본 발명의 목적은, 프리히트 링을 파손시키는 일 없이, 프리히트 링과 하부 라이너의 사이의 발진을 억제할 수 있는 에피택셜 성장 장치를 제안하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하는 본 발명은, 이하와 같다.
[1] 반도체 웨이퍼의 표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 에피택셜 성장 장치로서,
챔버와,
상기 챔버의 내벽에 배치된 환상의 상부 라이너 및 하부 라이너와,
상기 챔버의 내부에 형성된, 상기 반도체 웨이퍼를 올려놓는 서셉터와,
상기 하부 라이너의 개구부로 돌출된 지지부 상에 올려놓여짐과 함께, 상기 서셉터의 외주에 배치된 프리히트 링,
을 구비하고, 상기 반도체 웨이퍼는, 상기 서셉터가 강하된 상태에서, 상기 챔버에 형성된 웨이퍼 반입구로부터 상기 챔버의 내부에 반입되고, 상기 하부 라이너의 지지부 및 상기 프리히트 링의 하방을 경유하여 상기 서셉터 상에 올려놓여지는 에피택셜 성장 장치에 있어서,
상기 프리히트 링은, 상기 반도체 웨이퍼가 상기 챔버의 내부에 반입되어 상기 서셉터 상에 올려놓여지기까지의 반송 경로에 있어서 상기 반도체 웨이퍼가 통과하는 영역의 바로 위의 적어도 일부의 영역에 있어서, 상기 지지부에 지지되지 않도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장 장치.
[2] 상기 적어도 일부의 영역에 있어서, 상기 지지부가 형성되어 있지 않은, 상기 [1]에 기재된 에피택셜 성장 장치.
[3] 상기 적어도 일부의 영역에 있어서, 상기 프리히트 링과 상기 지지부의 사이에 공극이 형성되어 있는, 상기 [1]에 기재된 에피택셜 성장 장치.
[4] 상기 적어도 일부의 영역은, 상기 에피택셜 성장 장치를 상면에서 보았을 때에, 상기 지지부의 전체 둘레 중, 상기 반도체 웨이퍼의 반송 방향에 대한 중심각이 ±10°∼90°의 영역인, 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 한 항에 기재된 에피택셜 성장 장치.
[5] 상기 적어도 일부의 영역은 모든 영역인, 상기 [1] 내지 [4] 중 어느 한 항에 기재된 에피택셜 성장 장치.
[6] 상기 [1] 내지 [5] 중 어느 한 항에 기재된 에피택셜 성장 장치에 반응 가스를 공급하고, 반도체 웨이퍼 상에 에피택셜층을 성장시켜 에피택셜 웨이퍼를 얻는 것을 특징으로 하는 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
[7] 상기 반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼인, 상기 [6]에 기재된 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 프리히트 링을 파손시키는 일 없이, 프리히트 링과 하부 라이너의 사이의 발진을 억제할 수 있다.
도 1은 에피택셜 성장 장치의 일 예의 개략도이다.
도 2는 에피택셜 성장 장치에 있어서의 웨이퍼 반입구 부근의 구조를 나타내는 개략도이다.
도 3은 종래의 에피택셜 성장 장치의 프리히트 링 주변의 구조의 개략도로서, (a)는 웨이퍼 반송 방향을 따른 단면도, (b)는 상면도이다.
도 4는 본 발명에 의한 에피택셜 성장 장치에 있어서의 프리히트 링 주변의 구조의 일 예의 개략도로서, (a)는 웨이퍼 반송 방향을 따른 단면도, (b)는 상면도이다.
도 5는 본 발명에 의한 에피택셜 성장 장치에 있어서의 하부 라이너의 일 예의 개략도이다.
도 6은 본 발명에 의한 에피택셜 성장 장치에 있어서의 하부 라이너의 다른 예의 개략도이다.
도 7은 본 발명에 의한 에피택셜 성장 장치에 있어서의 하부 라이너의 또 다른 예의 개략도이다.
도 8은 본 발명에 의한 에피택셜 성장 장치에 있어서의 하부 라이너의 추가로 또 다른 예의 개략도이다.
도 9는 본 발명에 의한 에피택셜 성장 장치에 있어서의 하부 라이너의 다른 예의 개략도이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
(에피택셜 성장 장치)
이하, 도면을 참조하여, 본 발명에 의한 에피택셜 성장 장치에 대해서 설명한다. 본 발명에 의한 에피택셜 성장 장치는, 반도체 웨이퍼의 표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 에피택셜 성장 장치로서, 챔버와, 당해 챔버의 내벽에 배치된 환상의 상부 라이너 및 하부 라이너와, 챔버의 내부에 형성된, 반도체 웨이퍼를 올려놓는 서셉터와, 하부 라이너의 개구부로 돌출된 지지부 상에 올려놓여짐과 함께, 서셉터의 외주에 배치된 프리히트 링을 구비한다. 그리고, 반도체 웨이퍼는, 서셉터가 강하된 상태에서, 챔버에 형성된 웨이퍼 반입구로부터 챔버의 내부에 반입되고, 하부 라이너의 지지부 및 프리히트 링의 하방을 경유하여 서셉터 상에 올려놓여지도록 구성되어 있다. 여기에서, 프리히트 링은, 반도체 웨이퍼가 챔버의 내부에 반입되어 서셉터 상에 올려놓여지기까지의 반송 경로에 있어서 반도체 웨이퍼(W)가 통과하는 영역의 바로 위의 적어도 일부의 영역에 있어서, 지지부에 지지되지 않도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
도 3은, 종래의 에피택셜 성장 장치(100)의 프리히트 링(60) 주변의 구조의 개략도를 나타내고 있고, (a)는 웨이퍼 반송 방향을 따른 단면도, (b)는 상면도이다.
도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 환상의 프리히트 링(60)은, 그의 전체 둘레에 걸쳐 하부 라이너(16)의 지지부(16a)에 지지되어 있다.
그리고, 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)는, 에피택셜 성장 장치(100)의 웨이퍼 반입구(24)로부터 반입되어 서셉터(4) 상에 올려놓여지기까지의 반송 경로에 있어서, 프리히트 링(60)의 하방을 통과한다.
이와 같은 상황하에서, 챔버(10) 내를 승온 또는 강온했을 때에, 프리히트 링(60)과 하부 라이너(16)의 지지부(16a)의 사이에 마찰이 발생하여 발진하면, 프리히트 링(60)의 하방을 통과하는 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 파티클이 부착되는 경우가 있다.
그래서 본 발명자들은, 상기 파티클 부착의 원인인 프리히트 링(60)과 하부 라이너(16)의 지지부(16a)의 사이의 발진을 억제하는 방도에 대해서 예의 검토했다. 그 결과, 반도체 웨이퍼(W)가 웨이퍼 반입구(24)로부터 도입되어 서셉터(4) 상에 올려놓여지기까지의 반송 경로에 있어서 반도체 웨이퍼(W)가 통과하는 영역(이하, 간단히 「반도체 웨이퍼의 통과 영역」이라고도 함)의 바로 위의 적어도 일부의 영역에 있어서, 프리히트 링(60)이 하부 라이너(16)의 지지부(16a)에 지지되지 않도록 구성하는 것에 생각이 이르게 되어, 본 발명을 완성시킨 것이다.
도 4는, 본 발명에 의한 에피택셜 성장 장치에 있어서의 프리히트 링 주변의 구조의 일 예의 개략도를 나타내고 있고, (a)는 웨이퍼 반송 방향을 따른 단면도, (b)는 상면도이다. 도 4(a)에 나타낸 구성에 있어서는, 프리히트 링(60)은, 반도체 웨이퍼(W)의 통과 영역의 바로 위의 모든 영역에 있어서, 하부 라이너(26)의 지지부(26a)에 지지되지 않도록 구성되어 있다.
도 5는, 도 4(a)에 나타낸 하부 라이너(26)를 나타내고 있다. 이 도면에 나타내는 바와 같이, 하부 라이너(26)는, 그의 환상의 지지부(26a)가, 반도체 웨이퍼(W)의 통과 영역의 바로 위의 모든 영역에 있어서 형성되어 있지 않다. 이에 따라, 반도체 웨이퍼(W)의 통과 영역의 바로 위에 있어서는, 프리히트 링(60)과 하부 라이너(26)의 지지부(26a)의 사이의 발진을 방지할 수 있다. 또한, 도 5에 나타낸 하부 라이너(26)에 있어서는, 지지부(26a)의 전체 둘레 중, 반도체 웨이퍼(W)의 반송 방향에 대한 중심각 ±40°의 영역만 형성되어 있지 않다.
하부 라이너(26)의 지지부(26a)를 전술한 바와 같이 구성함으로써, 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)가 서셉터(4) 상에 반송될 때에, 반송 경로의 바로 위에서는 프리히트 링(60)과 하부 라이너(26)의 지지부(26a)의 사이의 발진이 생기지 않기 때문에, 파티클이 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 반도체 웨이퍼(W)의 표면 상에 에피택셜층을 성장시킬 때에, 프리히트 링(60)과 하부 라이너(26)의 사이에 폴리실리콘이 퇴적하면, 반도체 웨이퍼(W)가 반송될 때에 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 낙하하는 경우가 있지만, 도 5에 나타낸 하부 라이너(26)에 의해, 상기 폴리실리콘의 퇴적을 방지할 수 있다.
또한, 도 5에 나타낸 하부 라이너(26)에 있어서는, 반도체 웨이퍼(W)의 통과 영역의 바로 위의 모든 영역에 있어서, 프리히트 링(60)이 지지부(26a)에 지지되어 있지 않지만, 일부의 영역에만 있어서 프리히트 링(60)이 지지부(26a)에 지지되지 않도록 구성해도 좋다.
도 6은, 본 발명에 의한 에피택셜 성장 장치에 있어서의 하부 라이너의 다른 예를 나타내고 있다. 도 6(a)에 나타낸 하부 라이너(36)에 있어서는, 환상의 지지부(36a)의 전체 둘레 중, 반도체 웨이퍼(W)의 반송 방향에 대하여 중심각이 ±15°의 영역만이 형성되어 있지 않다. 이와 같은 경우에도, 도 3에 나타낸 종래의 하부 라이너(16)를 이용하는 경우에 비해, 프리히트 링(60)과 하부 라이너(36)의 사이의 발진을 억제하여, 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 도 5에 나타낸 하부 라이너(26)에 비해, 프리히트 링(60)의 자중에 의한 처짐(변형)을 방지할 수 있다. 상기 중심각은, ±10°∼90°로 하는 것이 바람직하고, ±10°∼45°로 하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 도 6(b)에 나타낸 하부 라이너(46)에 있어서는, 지지부(46a)는, 도 5와 마찬가지로 중심각이 ±40°인 부분에 있어서 형성되어 있지 않지만, 그 범위에 있어서, 지지부(46a)가 부분적으로 형성되어 있다. 이에 따라, 도 5에 나타낸 하부 라이너(26)에 비해, 프리히트 링(60)을 보다 안정적으로 지지할 수 있다.
또한, 도 4∼6에 나타낸 하부 라이너(26, 36, 46)에 있어서는, 상면에서 보았을 때에, 프리히트 링(60)이 지지되어 있지 않은 지지부(26a, 36a, 46a)의 부분이 완전히 제거되어 있지만, 반드시 그와 같이 구성할 필요는 없다.
즉, 도 7에 나타내는 하부 라이너(56)와 같이, 그의 지지부(56a)의 ±40°의 영역의 표면에 오목부(56b)를 형성하고, 프리히트 링(60)과 지지부(56a)의 사이에 공극을 형성해도 좋다. 이 경우에도, 반도체 웨이퍼(W)의 통과 영역의 바로 위에 있어서, 프리히트 링(60)과 하부 라이너(56)의 사이의 발진을 방지할 수 있다.
또한, 도 6에 나타낸 하부 라이너(36, 46)와 같이, 반송 경로의 상방의 영역 일부의 영역에만 있어서 지지부에 오목부를 형성할 수 있다. 구체적으로는, 도 8에 나타낸 하부 라이너(66)에 있어서는, 환상의 지지부(66a)의 전체 둘레 중, 중심각이 ±15°인 부분에 오목부(66b)가 형성되어 있다. 또한, 도 9에 나타낸 하부 라이너(76)에 있어서는, 지지부(76a)는, 도 7과 마찬가지로 중심각이 ±40°의 부분에 있어서 오목부(76b)가 단속적으로 형성되어 있다.
이렇게 하여, 프리히트 링이, 반도체 웨이퍼의 반송 영역의 바로 위의 적어도 일부의 영역에 있어서, 하부 라이너의 지지부에 지지되지 않도록 구성하여, 프리히트 링과 하부 라이너의 지지부의 사이의 발진을 억제할 수 있다.
이상의 설명으로부터 분명한 바와 같이, 본 발명에 의한 에피택셜 성장 장치는, 프리히트 링을 지지하는 하부 라이너의 지지부의 구성에 특징을 갖는 것으로서, 그 외의 구성은 한정되지 않고, 종래의 구성을 적절히 사용할 수 있다.
(에피택셜 웨이퍼의 제조 방법)
본 발명에 의한 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법은, 전술한 본 발명에 의한 에피택셜 성장 장치에 반응 가스를 공급하고, 반도체 웨이퍼 상에 에피택셜층을 성장시켜 에피택셜 웨이퍼를 얻는 것을 특징으로 한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 의한 에피택셜 성장 장치에 있어서는, 반도체 웨이퍼(W)의 통과 영역의 바로 위의 적어도 일부의 영역에 있어서, 프리히트 링이, 반도체 웨이퍼의 반송 영역의 바로 위의 적어도 일부의 영역에 있어서, 하부 라이너의 지지부에 지지되지 않도록 구성되어 있어, 프리히트 링과 하부 라이너의 사이의 발진을 억제할 수 있다. 따라서, 상기 본 발명에 의한 에피택셜 성장 장치에 반응 가스를 공급하여 반도체 웨이퍼 상에 에피택셜층을 형성함으로써, 파티클의 부착이 억제된 에피택셜 웨이퍼를 제조할 수 있다.
에피택셜 웨이퍼의 기판인 반도체 웨이퍼는, 특별히 한정되지 않지만, 실리콘 웨이퍼를 적합하게 이용할 수 있고, 실리콘 웨이퍼 상에 실리콘 에피택셜층을 적합하게 성장시킬 수 있다. 반도체 웨이퍼의 직경은 특별히 한정되지 않고, 150㎜ 이상, 구체적으로는 200㎜, 300㎜, 450㎜ 등으로 할 수 있다.
본 발명에 의하면, 프리히트 링을 파손시키는 일 없이, 프리히트 링과 하부 라이너의 사이의 발진을 억제할 수 있기 때문에, 반도체 웨이퍼 제조업에 있어서 유용하다.
4 : 서셉터
5 : 리프트 핀
6 : 승강 샤프트
7 : 지지 샤프트
7a : 주기둥
7b : 지지 암
10 : 프로세스 챔버
11 : 상부 돔
12 : 하부 돔
13 : 돔 부착체
14 : 클램프
15 : 상부 라이너
16, 26, 36, 46, 56, 66, 76 : 하부 라이너
16a, 26a, 36a, 46a, 56a, 66a, 76a : 지지부
17 : 가스 공급구
18 : 가스 배출구
20 : 반송 챔버
21 : 슬릿재
22 : 연통로
23 : 슬릿 밸브
24 : 웨이퍼 반입구
56b, 66b, 76b : 오목부
60 : 프리히트 링
100 : 에피택셜 성장 장치
B : 반송 블레이드
W : 반도체 웨이퍼

Claims (14)

  1. 반도체 웨이퍼의 표면 상에 에피택셜층을 기상 성장시키는 에피택셜 성장 장치로서,
    챔버와,
    상기 챔버의 내벽에 배치된 환상의 상부 라이너 및 하부 라이너와,
    상기 챔버의 내부에 형성된, 상기 반도체 웨이퍼를 올려놓는 서셉터와,
    상기 하부 라이너의 개구부로 돌출된 지지부 상에 올려놓여짐과 함께, 상기 서셉터의 외주에 배치된 프리히트 링,
    을 구비하고, 상기 반도체 웨이퍼는, 상기 서셉터가 강하된 상태에서, 상기 챔버에 형성된 웨이퍼 반입구로부터 상기 챔버의 내부에 반입되고, 상기 하부 라이너의 지지부 및 상기 프리히트 링의 하방을 경유하여 상기 서셉터 상에 올려놓여지는 에피택셜 성장 장치에 있어서,
    상기 프리히트 링은, 상기 반도체 웨이퍼가 상기 챔버의 내부에 반입되어 상기 서셉터 상에 올려놓여지기까지의 반송 경로에 있어서 상기 반도체 웨이퍼가 통과하는 영역의 바로 위의 적어도 일부의 영역에 있어서, 상기 프리히트 링과 상기 지지부의 사이에 공극이 형성되어 있고, 상기 프리히트 링은 상기 적어도 일부의 영역에 있어서 상기 지지부에 지지되지 않도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 일부의 영역에 있어서, 상기 지지부가 형성되어 있지 않은, 에피택셜 성장 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 적어도 일부의 영역은, 상기 에피택셜 성장 장치를 상면에서 보았을 때에, 상기 지지부의 전체 둘레 중, 상기 반도체 웨이퍼의 반송 방향에 대한 중심각이 ±10°∼90°의 영역인, 에피택셜 성장 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 적어도 일부의 영역은, 상기 반도체 웨이퍼가 통과하는 영역의 바로 위의 모든 영역인, 에피택셜 성장 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 적어도 일부의 영역은, 상기 반도체 웨이퍼가 통과하는 영역의 바로 위의 모든 영역인, 에피택셜 성장 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 기재된 에피택셜 성장 장치에 반응 가스를 공급하고, 반도체 웨이퍼 상에 에피택셜층을 성장시켜 에피택셜 웨이퍼를 얻는 것을 특징으로 하는 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
  7. 제3항에 기재된 에피택셜 성장 장치에 반응 가스를 공급하고, 반도체 웨이퍼 상에 에피택셜층을 성장시켜 에피택셜 웨이퍼를 얻는 것을 특징으로 하는 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
  8. 제4항에 기재된 에피택셜 성장 장치에 반응 가스를 공급하고, 반도체 웨이퍼 상에 에피택셜층을 성장시켜 에피택셜 웨이퍼를 얻는 것을 특징으로 하는 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
  9. 제5항에 기재된 에피택셜 성장 장치에 반응 가스를 공급하고, 반도체 웨이퍼 상에 에피택셜층을 성장시켜 에피택셜 웨이퍼를 얻는 것을 특징으로 하는 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼인, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼인, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼인, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼인, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.
  14. 삭제
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