JP7159986B2 - エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法に関する。
代表的な半導体ウェーハであるシリコンウェーハ上にシリコンエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルシリコンウェーハは、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）やＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）など、様々な半導体デバイスを作製するための基板として用いられている。
図１は、半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル層を気相成長させる枚葉式のエピタキシャル成長装置の一例を示している。この図に示したエピタキシャル成長装置１００は、上部ドーム１１と、下部ドーム１２と、ドーム取付体１３とを有するプロセスチャンバ１０を有する。上部ドーム１１および下部ドーム１２は、透明な石英で構成されており、クランプ１４によってドーム取付体１３に取り付けられている。
上記プロセスチャンバ１０の内壁には、ドーム取付体１３を保護するために環状の上部ライナ１５および下部ライナ１６が配置されており、それぞれ石英で構成されている。そして、上部ライナ１５と下部ライナ１６との間には、プロセスチャンバ１０の対向する位置に、プロセスチャンバ１０内に反応ガスなどを供給するガス供給口１７および未反応ガスなどを排出するガス排出口１８が設けられている。
また、プロセスチャンバ１０の内部には、半導体ウェーハＷが載置されるサセプタ４が設置されている。サセプタ４は、回転可能な支持シャフト７の主柱７ａに連結された支持アーム７ｂによってその下面の外周部が嵌合支持されており、支持アーム７ｂとともに回転するように構成されている。サセプタ４は、カーボングラファイト（黒鉛）を母材とし、その表面をＳｉＣでコーティングして構成されており、その表面には、半導体ウェーハＷを収容して載置するザグリ部が形成されている。
上記サセプタ４および支持アーム７ｂには貫通孔が形成されており、半導体ウェーハＷの裏面を支持して昇降させるためのリフトピン５が各貫通孔に挿通されている。リフトピン５は、その基端を昇降シャフト６により支持し、昇降シャフト６を上下方向に移動させることにより昇降させることができる。
また、サセプタ４の外周には、ガス供給口１７からサセプタ４上に載置された半導体ウェーハＷの表面に供給される反応ガスを予熱する環状のプリヒートリング６０が配置されている。プリヒートリング６０は、カーボングラファイト（黒鉛）を母材とし、その表面を炭化ケイ素（ＳｉＣ）でコーティングして構成されており、下部ライナ１６の開口部に突出した支持部１６ａによって支持されている。
図２は、図１に示したエピタキシャル成長装置１００におけるウェーハ搬入口付近の図を示している。なお、ウェーハ搬入口は、図１に示したエピタキシャル成長装置１００を上面視した際に、ガス導入口１７およびガス排出口１８が設けられた位置とは、周方向に略９０°ずれた位置に設けられている。
図２に示すように、エピタキシャル装置１００のプロセスチャンバ１０に隣接して、半導体ウェーハＷをプロセスチャンバ１０の内部に搬送するための搬送チャンバ２０が設けられている。そして、搬送チャンバ２０とプロセスチャンバ１０とは、略直方体のスリット部材２１を介して連通されている。
スリット部材２１には、搬送チャンバ２０の内部とプロセスチャンバ１０の内部とを連通する連通路２２が画成されている。また、スリット部材２１の搬送チャンバ２０側には、プロセスチャンバ１０の内部を密閉するスリットバルブ２３が設けられている。
半導体ウェーハＷは、以下のようにサセプタ４の上に載置される。まず、支持シャフト７によりサセプタ４を降下させる。次いで、搬送チャンバ２０内のスリットバルブ２３を開いた後、搬送ブレードＢ上に載置された半導体ウェーハＷを連通路２２を通過させ、ウェーハ搬入口２４からプロセスチャンバ１０の内部に搬入し、サセプタ４の上方に配置する。
続いて、昇降シャフト６によりリフトピン５を上昇させ、半導体ウェーハＷの裏面を支持する。その後、搬送ブレードＢをプロセスチャンバ１０から退避させ、スリットバルブ２３を閉じる。そして、支持シャフト７によりサセプタ４を上昇させて半導体ウェーハＷをサセプタ４上に載置し、サセプタ４を所定の高さ位置まで上昇させ、反応ガスをガス導入口１７から導入して半導体ウェーハＷの表面上にエピタキシャル層を成長させる。
エピタキシャル層の成長が終了し、得られたエピタキシャルウェーハをプロセスチャンバ１０から搬出する際には、上述した手順とは逆の手順を行う。
上述のように、プリヒートリング６０は、下部ライナ１６の突出部１６ａにより支持されているが、これらプリヒートリング６０と下部ライナ１６とでは、構成されている材料が異なる。そのため、チャンバ１０内を昇温または降温する際に、プリヒートリング６０と下部ライナ１６の突出部１６ａとの間で熱膨張率の差に起因する摩擦が発生し、これらの部材から発塵し、パーティクルが半導体ウェーハＷの表面に付着する問題がある。
近年の半導体デバイスの微細化・高集積化に伴って、結晶欠陥やウェーハの表面に付着したパーティクルの低減が要求されている。そのため、上述のようなプリヒートリング６０と下部ライナ１６との間の発塵を抑制する必要がある。
そこで、特許文献１には、プリヒートリングの下部に突出部を設けて下部ライナに固定し、チャンバ内を昇温または降温する際に、プリヒートリングと下部ライナとの間の発塵を防止する技術が記載されている。
国際公開第２０１５／０７６４８７号
しかしながら、特許文献１に記載された技術では、チャンバ内を昇温または降温する際に、プリヒートリングと下部ライナとの間に熱膨張率の差に起因する力が負荷され、プリヒートリングが破損するおそれがある。
そこで、本発明の目的は、プリヒートリングを破損させることなく、プリヒートリングと下部ライナとの間の発塵を抑制することができるエピタキシャル成長装置を提案することにある。
上記課題を解決する本発明は、以下の通りである。
［１］半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャル成長装置であって、
チャンバと、
前記チャンバの内壁に配置された環状の上部ライナおよび下部ライナと、
前記チャンバの内部に設けられた、前記半導体ウェーハを載置するサセプタと、
前記下部ライナの開口部に突出した支持部上に載置されるとともに、前記サセプタの外周に配置されたプリヒートリングと、
を備え、前記半導体ウェーハは、前記サセプタが降下された状態で、前記チャンバに設けられたウェーハ搬入口から前記チャンバの内部に搬入され、前記下部ライナの支持部および前記プリヒートリングの下方を経由して前記サセプタ上に載置されるエピタキシャル成長装置において、
前記プリヒートリングは、前記半導体ウェーハが前記チャンバの内部に搬入されて前記サセプタ上に載置されるまでの搬送経路において前記半導体ウェーハが通過する領域の直上の少なくとも一部の領域において、前記支持部に支持されないように構成されていることを特徴とするエピタキシャル成長装置。
［２］前記少なくとも一部の領域において、前記支持部が設けられていない、前記［１］に記載のエピタキシャル成長装置。
［３］前記少なくとも一部の領域において、前記プリヒートリングと前記支持部との間に空隙が設けられている、前記［１］に記載のエピタキシャル成長装置。
［４］前記少なくとも一部の領域は、前記エピタキシャル成長装置を上面視した際に、前記支持部の全周のうち、前記半導体ウェーハの搬送方向に対する中心角が±１０°～９０°の領域である、前記［１］～［３］のいずれか一項に記載のエピタキシャル成長装置。
［５］前記少なくとも一部の領域は全ての領域である、前記［１］～［４］のいずれか一項に記載のエピタキシャル成長装置。
［６］前記［１］～［５］のいずれか一項に記載のエピタキシャル成長装置に反応ガスを供給して、半導体ウェーハ上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャルウェーハを得ることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
［７］前記半導体ウェーハはシリコンウェーハである、前記［６］に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
本発明によれば、プリヒートリングを破損させることなく、プリヒートリングと下部ライナとの間の発塵を抑制することができる。
エピタキシャル成長装置の一例の模式図である。 エピタキシャル成長装置におけるウェーハ搬入口付近の構造を示す模式図である。 従来のエピタキシャル成長装置のプリヒートリング周辺の構造の模式図であり、（ａ）はウェーハ搬送方向に沿った断面図、（ｂ）は上面図である。 本発明によるエピタキシャル成長装置におけるプリヒートリング周辺の構造の一例の模式図であり、（ａ）はウェーハ搬送方向に沿った断面図、（ｂ）は上面図である。 本発明によるエピタキシャル成長装置における下部ライナの一例の模式図である。 本発明によるエピタキシャル成長装置における下部ライナの別の例の模式図である。 本発明によるエピタキシャル成長装置における下部ライナのさらに別の例の模式図である。 本発明によるエピタキシャル成長装置における下部ライナのさらにまた別の例の模式図である。 本発明によるエピタキシャル成長装置における下部ライナの別の例の模式図である。
（エピタキシャル成長装置）
以下、図面を参照して、本発明によるエピタキシャル成長装置について説明する。本発明によるエピタキシャル成長装置は、半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャル成長装置であって、チャンバと、該チャンバの内壁に配置された環状の上部ライナおよび下部ライナと、チャンバの内部に設けられた、半導体ウェーハを載置するサセプタと、下部ライナの開口部に突出した支持部上に載置されるとともに、サセプタの外周に配置されたプリヒートリングとを備える。そして、半導体ウェーハは、サセプタが降下された状態で、チャンバに設けられたウェーハ搬入口からチャンバの内部に搬入され、下部ライナの支持部およびプリヒートリングの下方を経由してサセプタ上に載置されるように構成されている。ここで、プリヒートリングは、半導体ウェーハがチャンバの内部に搬入されてサセプタ上に載置されるまでの搬送経路において半導体ウェーハＷが通過する領域の直上の少なくとも一部の領域において、支持部に支持されないように構成されていることを特徴とする。
図３は、従来のエピタキシャル成長装置１００のプリヒートリング６０周辺の構造の模式図を示しており、（ａ）はウェーハ搬送方向に沿った断面図、（ｂ）は上面図である。図３（ａ）に示すように、環状のプリヒートリング６０は、その全周に亘って下部ライナ１６の支持部１６ａに支持されている。
そして、図３（ｂ）に示すように、半導体ウェーハＷは、エピタキシャル成長装置１００のウェーハ搬入口２４から搬入されてサセプタ４上に載置されるまでの搬送経路において、プリヒートリング６０の下方を通過する。
このような状況の下で、チャンバ１０内を昇温または降温した際に、プリヒートリング６０と下部ライナ１６の支持部１６ａとの間に摩擦が発生して発塵すると、プリヒートリングの下方を通過する半導体ウェーハＷの表面にパーティクルが付着する場合がある。
そこで本発明者らは、上記パーティクル付着の原因であるプリヒートリング６０と下部ライナ１６の支持部１６ａとの間の発塵を抑制する方途について鋭意検討した。その結果、半導体ウェーハＷがウェーハ導入口から導入されてサセプタ４上に載置されるまでの搬送経路において半導体ウェーハＷが通過する領域（以下、単に「半導体ウェーハの通過領域」とも言う。）の直上の少なくとも一部の領域において、プリヒートリング６０が下部ライナ１６の支持部１６ａに支持されないように構成することに想到し、本発明を完成させたのである。
図４は、本発明によるエピタキシャル成長装置におけるプリヒートリング周辺の構造の一例の模式図を示しており、（ａ）はウェーハ搬送方向に沿った断面図、（ｂ）は上面図である。図４（ａ）に示した構成においては、プリヒートリング６０は、半導体ウェーハＷの通過領域の直上の全ての領域において、下部ライナ２６の支持部２６ａに支持されないように構成されている。
図５は、図４（ａ）に示した下部ライナ２６を示している。この図に示すように、下部ライナ２６は、その環状の支持部２６ａが、半導体ウェーハＷの通過領域の直上の全ての領域において設けられていない。これにより、半導体ウェーハＷの通過領域の直上においては、プリヒートリング６０と下部ライナ２６の支持部２６ａとの間の発塵を防止することができる。なお、図５に示した下部ライナ２６においては、支持部２６ａの全周のうち、半導体ウェーハＷの搬送方向に対する中心角±４０°の領域だけ設けられていない。
下部ライナ２６の支持部２６ａを上述のように構成することにより、図４（ｂ）に示すように、半導体ウェーハＷがサセプタ４上に搬送される際に、搬送経路の直上ではプリヒートリング６０と下部ライナ２６の支持部２６ａとの間の発塵が生じないため、パーティクルが半導体ウェーハＷの表面に付着するのを抑制することができる。
また、半導体ウェーハＷの表面上にエピタキシャル層を成長させる際に、プリヒートリング６０と下部ライナ２６との間にポリシリコンが堆積すると、半導体ウェーハＷが搬送される際に半導体ウェーハＷの表面に落下する場合があるが、図５に示した下部ライナ２６により、ポリシリコンの堆積を防止することができる。
なお、図５に示した下部ライナ２６においては、半導体ウェーハＷの通過領域の直上の全ての領域において、プリヒートリング６０が支持部２６ａに支持されていないが、一部の領域のみにおいてプリヒートリング６０が支持部２６ａに支持されないように構成してもよい。
図６は、本発明によるエピタキシャル成長装置における下部ライナの別の例を示している。図６（ａ）に示した下部ライナ３６においては、環状の支持部３６ａの全周のうち、半導体ウェーハＷの搬送方向に対して中心角が±１５°の領域のみが設けられていない。このような場合にも、図３に示した従来の下部ライナ１６を用いる場合に比べて、プリヒートリング６０と下部ライナ３６との間の発塵を抑制して、半導体ウェーハＷの表面にパーティクルが付着するのを抑制することができる。また、図５に示した下部ライナ２６に比べて、プリヒートリング６０の自重による垂れ（変形）を防止できる。上記中心角は、±１０°～９０°とすることが好ましく、±１０°～４５°とすることがより好ましい。
また、図６（ｂ）に示した下部ライナ４６においては、支持部４６ａは、図５と同様に中心角が±４０°の部分において設けられていないが、その範囲において、支持部４６ａが部分的に設けられている。これにより、図５に示した下部ライナ２６に比べて、プリヒートリング６０をより安定して支持することができる。
なお、図４～６に示した下部ライナ２６、３６、４６においては、上面視した際に、プリヒートリング６０が支持されていない支持部２６ａ、３６ａ、４６ａの部分が完全に除去されているが、必ずしもそのように構成する必要はない。
すなわち、図７に示す下部ライナ５６のように、その支持部５６ａの±４０°の領域の表面に凹部５６ｂを設けて、プリヒートリング６０と支持部５６ａとの間に空隙を設けてもよい。この場合にも、半導体ウェーハＷの通過領域の直上において、プリヒートリング６０と下部ライナ５６との間の発塵を防止することができる。
また、図６に示した下部ライナ３６、４６のように、搬送経路の上方の領域一部の領域のみにおいて支持部に凹部を設けることができる。具体的には、図８に示した下部ライナ６６においては、環状の支持部６６ａの全周のうち、中心角が±１５°の部分に凹部６６ｂが設けられている。また、図９に示した下部ライナ７６においては、支持部７６ａは、図７と同様に中心角が±４０°の部分において凹部７６ｂが断続的に設けられている。
こうして、プリヒートリングが、半導体ウェーハの搬送領域の直上の少なくとも一部の領域において、下部ライナの支持部に支持されないように構成して、プリヒートリングと下部ライナの支持部との間の発塵を抑制することができる。
以上の説明から明らかなように、本発明によるエピタキシャル成長装置は、プリヒートリングを支持する下部ライナの支持部の構成に特徴を有するものであり、その他の構成は限定されず、従来の構成を適切に使用することができる。
（エピタキシャルウェーハの製造方法）
本発明によるエピタキシャルウェーハの製造方法は、上述した本発明によるエピタキシャル成長装置に反応ガスを供給して、半導体ウェーハ上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャルウェーハを得ることを特徴とする。
上述のように、本発明によるエピタキシャル成長装置においては、半導体ウェーハＷの通過領域の直上の少なくとも一部の領域において、プリヒートリングが、半導体ウェーハの搬送領域の直上の少なくとも一部の領域において、下部ライナの支持部に支持されないように構成されており、プリヒートリングと下部ライナとの間の発塵を抑制することができる。よって、上記本発明によるエピタキシャル成長装置に反応ガスを供給して半導体ウェーハ上にエピタキシャル層を形成することにより、パーティクルの付着が抑制されたエピタキシャルウェーハを製造することができる。
エピタキシャルウェーハの基板である半導体ウェーハは、特に限定されないが、シリコンウェーハを好適に用いることができ、シリコンウェーハ上にシリコンエピタキシャル層を好適に成長させることができる。半導体ウェーハの直径は特に限定されず、１５０ｍｍ以上、具体的には２００ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍなどとすることができる。
本発明によれば、プリヒートリングを破損させることなく、プリヒートリングと下部ライナとの間の発塵を抑制することができるため、半導体ウェーハ製造業において有用である。
４ サセプタ
５ リフトピン
６ 昇降シャフト
７ 支持シャフト
７ａ 主柱
７ｂ 支持アーム
１０ プロセスチャンバ
１１ 上部ドーム
１２ 下部ドーム
１３ ドーム取付体
１４ クランプ
１５ 上部ライナ
１６，２６，３６，４６，５６，６６，７６ 下部ライナ
１６ａ，２６ａ，３６ａ，４６ａ，５６ａ，６６ａ，７６ａ 支持部
１７ ガス供給口
１８ ガス排出口
２０ 搬送チャンバ
２１ スリット材
２２ 連通路
２３ スリットバルブ
２４ ウェーハ搬入口
５６ｂ、６６ｂ、７６ｂ 凹部
６０ プリヒートリング
１００ エピタキシャル成長装置
Ｂ 搬送ブレード
Ｗ 半導体ウェーハ

Claims (3)

  1. 半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャル成長装置であって、
    チャンバと、
    前記チャンバの内壁に配置された環状の上部ライナおよび下部ライナと、
    前記チャンバの内部に設けられた、前記半導体ウェーハを載置するサセプタと、
    前記下部ライナの開口部に突出した支持部上に載置されるとともに、前記サセプタの外周に配置されたプリヒートリングと、
    を備え、前記半導体ウェーハは、前記サセプタが降下された状態で、前記チャンバに設けられたウェーハ搬入口から前記チャンバの内部に搬入され、前記下部ライナの支持部および前記プリヒートリングの下方を経由して前記サセプタ上に載置されるエピタキシャル成長装置において、
    前記半導体ウェーハが前記チャンバの内部に搬入されて前記サセプタ上に載置されるまでの搬送経路において前記半導体ウェーハが通過する領域の直上の全ての領域において前記プリヒートリングと前記支持部との間に空隙が設けられており、前記プリヒートリングは、前記全ての領域において前記支持部に支持されないように構成されていることを特徴とするエピタキシャル成長装置。
  2. 請求項１に記載のエピタキシャル成長装置に反応ガスを供給して、半導体ウェーハ上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャルウェーハを得ることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
  3. 前記半導体ウェーハはシリコンウェーハである、請求項２に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11781212B2 (en) 2021-04-07 2023-10-10 Applied Material, Inc. Overlap susceptor and preheat ring

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006066432A (ja) 2004-08-24 2006-03-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd 石英治具及び半導体製造装置
US20120103263A1 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Applied Materials, Inc. Pre-heat ring designs to increase deposition uniformity and substrate throughput
JP2012227527A (ja) 2011-04-18 2012-11-15 Siltronic Ag 材料層を堆積するための装置および方法
JP2014086688A (ja) 2012-10-26 2014-05-12 Epicrew Inc エピタキシャル成長装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101539298B1 (ko) 2013-11-25 2015-07-29 주식회사 엘지실트론 에피택셜 웨이퍼 성장 장치
JP6330941B1 (ja) * 2017-03-07 2018-05-30 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法
KR102408720B1 (ko) * 2017-06-07 2022-06-14 삼성전자주식회사 상부 돔을 포함하는 반도체 공정 챔버

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006066432A (ja) 2004-08-24 2006-03-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd 石英治具及び半導体製造装置
US20120103263A1 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Applied Materials, Inc. Pre-heat ring designs to increase deposition uniformity and substrate throughput
JP2012227527A (ja) 2011-04-18 2012-11-15 Siltronic Ag 材料層を堆積するための装置および方法
JP2014086688A (ja) 2012-10-26 2014-05-12 Epicrew Inc エピタキシャル成長装置

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