JP2010040555A - 化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】エピタキシャルウェハの膜厚がウェハ面内で不均一になることを防ぐため反応管の内壁面とサセプタの成長面と基板の成長面とを、常に、同一平面上に配置させることのできる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を提供する。
【解決手段】複数の基板2が周方向に沿って設置された円盤状のサセプタ3と、サセプタ3を、その中心軸廻りに水平に回転させる回転機構と、サセプタ3の成長面3a側に開口部6bを有し、サセプタ3に設置された基板2の成長面2aに対して水平な方向に原料ガスを流して気相エピタキシャル成長させる反応管6とをリアクタ8内に備えて構成される化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置1において、反応管6側に面するサセプタ3の外周面と反応管6の開口部6b外周面とをベアリングボール15を介して接触させたものである。
【選択図】図1
【解決手段】複数の基板2が周方向に沿って設置された円盤状のサセプタ3と、サセプタ3を、その中心軸廻りに水平に回転させる回転機構と、サセプタ3の成長面3a側に開口部6bを有し、サセプタ3に設置された基板2の成長面2aに対して水平な方向に原料ガスを流して気相エピタキシャル成長させる反応管6とをリアクタ8内に備えて構成される化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置1において、反応管6側に面するサセプタ3の外周面と反応管6の開口部6b外周面とをベアリングボール15を介して接触させたものである。
【選択図】図1
Description
本発明は、複数の基板(ウェハ)に化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置に関するものである。
近年、光ピックアップ用電源として用いられる半導体レーザーや、携帯電話用受信アンテナなどに用いられるHEMTなどに化合物半導体の需要が増大しており、それに伴って低価格で高品質な化合物半導体が得られる技術が求められている。このため、有機金属成長法(MOVPE法)を用いて1度に多数枚のエピタキシャルウェハを製造できる技術が必要となっている。
化合物半導体をエピタキシャル成長させるには、例えばIII−V族化合物半導体の場合には、III族原料ガス、V族原料ガス、ドーパント原料ガスなどをリアクタ内に導入し、サセプタ上に設置されたヒーターで加熱された基板上に、これらの原料ガスを供給し熱分解させることで、基板表面にGaAsなどの化合物半導体結晶を気相成長させる。
図4は、従来のMOVPE法を用いた化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を示す図であり、図4(a)は、その断面図であり、図4(b)は、図4(a)のB部拡大図であり、図4(c)は、サセプタを反応管側から見た図である。
図4(a)、(b)に示すように、化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置41は、複数の基板42が周方向に沿って設置された円盤状のサセプタ43と、サセプタ43を、その中心軸廻りに水平に回転させるターンテーブル50からなる回転機構と、サセプタ43の成長面43aと反対の面側に設けられ、基板42を加熱するためのヒーター45と、サセプタ43の成長面43a側に開口部46bを有し、サセプタ43に設置された基板42の成長面42aに対して水平な方向に原料ガス流路(図示矢印)を形成し、気相エピタキシャル成長させる反応管46と、反応管46を支持する反応管ステージ47とをリアクタ48内に備えて構成される。
図示左側の原料ガス導入口49より原料ガスが導入され、ヒーター45によって熱分解され、分解された物質が基板42上でエピタキシャル成長する。サセプタ43は、その成長面43aと反対側の面に、径方向で対向して形成された2本のサセプタフック43bで回転機構を構成するターンテーブル50に吊下されており、ターンテーブル50が自転することでサセプタ43も自転して、基板42はサセプタ43の周方向に公転しながら、上述のエピタキシャル成長がなされる仕組みになっている。
この化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置41において、エピタキシャル成長中の原料ガスの流れを乱さないため、図4(b)に示すように、反応管46の内壁面46aとサセプタ43の成長面43aと基板42の成長面42aとを同一平面上に配置させる必要がある。
図4(c)に示すように、基板42は、サセプタ43に形成され基板42を設置するためのポケット43cに、1ポケット毎6ヶある突起43dで支持されており、この突起43dの上に置くことで、サセプタ43の成長面43aと基板42の成長面42aとを同一平面上に配置させている。
また、ターンテーブル50と反応管ステージ47昇降モーター(図示せず)で昇降させることができる。反応管46の内壁面46aをサセプタ43の成長面43a、基板42の成長面42aと同一面上に配置させるため、ターンテーブル50の高さ位置と反応管ステージ47の高さ位置をそれぞれエンコーダー(図示せず)で位置決めしている。
ところで、エピタキシャル成長間には、基板42の入れ替えのため、搬送機構により、サセプタ43を基板出し入れ室(図示せず)に搬送しており、この搬送の際に、ターンテーブル50と反応管ステージ47がモーター駆動で昇降する。
これらを昇降するとモーター回転の振動などで、ターンテーブル50の高さ位置、反応管ステージ47の高さ位置が通常の位置からずれてしまうことがある。これがずれてしまうと、サセプタ43と反応管46の高さ方向の隙間長がずれてしまい、反応管46の内壁面46aとサセプタ43の成長面43a、基板42の成長面42aとの間に段差ができてしまい、原料ガスの流れが乱れてしまう。原料ガスの流れが乱れると、基板42のウェハ面内の膜厚均一性が悪くなってしまう問題が生じる。
また、膜厚が不均一な化合物半導体エピタキシャルウェハを用いて発光ダイオードやレーザーダイオードなどの発光デバイスを作製した場合、得られたデバイスには光学特性や電気的特性の不均一に伴い、歩留が大幅に低下する問題が生じる。
そこで、本発明の目的は、エピタキシャルウェハの膜厚がウェハ面内で不均一になることを防ぐため反応管の内壁面とサセプタの成長面と基板の成長面とを、常に、同一平面上に配置させることのできる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を提供することにある。
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項1の発明は、複数の基板が周方向に沿って設置された円盤状のサセプタと、該サセプタを、その中心軸廻りに水平に回転させる回転機構と、前記サセプタの成長面側に開口部を有し、前記サセプタに設置された前記基板の成長面に対して水平な方向に原料ガスを流して気相エピタキシャル成長させる反応管とを備え、これらがリアクタ内に設けられて構成される化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置において、前記反応管側に面する前記サセプタの外周面と前記反応管の前記開口部外周面とをベアリングボールを介して接触させた化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置である。
請求項2の発明は、前記サセプタの外周には、前記反応管の前記開口部外周面に沿った鍔部が形成され、その鍔部と前記反応管の前記開口部外周面にベアリングボールを案内する円周溝が形成される請求項1に記載の化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置である。
請求項3の発明は、前記サセプタは、成長面と反対側の面に、径方向で対向した一対のサセプタフックを有し、前記回転機構は、昇降自在なターンテーブルで形成されると共に、そのターンテーブルに前記サセプタの前記サセプタフックを着脱自在に係合するサセプタガイドを有する請求項1または2に記載の化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置である。
請求項4の発明は、前記サセプタからの前記基板の出し入れを前記リアクタとは異なる場所である基板出し入れ室で行うため、前記サセプタを、前記リアクタと前記基板出し入れ室との間で往復させる搬送機構を設けた請求項3に記載の化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置である。
本発明によれば、反応管の内壁面とサセプタの成長面と基板の成長面とを、常に、同一平面上に配置させることができ、エピタキシャルウェハの膜厚がウェハ面内で不均一になることを防げる。また、本発明により製造されたエピタキシャルウェハを用いることで発光デバイスの歩留低下を防ぐことができる。
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
図1は、本発明の好適な一実施の形態を示す化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を示す図であり、図1(a)は、その断面図であり、図1(b)は、図1(a)のA部拡大図であり、図1(c)は、サセプタの斜視図である。
図1(a)、(b)に示すように、本実施の形態に係る化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置1は、複数の基板2が周方向に沿って設置された円盤状のサセプタ3と、サセプタ3を、その中心軸廻りに水平に回転させるターンテーブル11からなる回転機構と、サセプタ3の成長面3aと反対の面側に設けられ、基板2を加熱するためのヒーター5と、サセプタ3の成長面3a側に開口部6bを有し、サセプタ3に設置された基板2の成長面2aに対して水平な方向に原料ガス流路(図示矢印)を形成し、気相エピタキシャル成長させる反応管6と、反応管6を支持する反応管ステージ7とをリアクタ8内に備えて構成される。
基板2の成長面2aが下方を向くように構成した方が、成長面2aが上方を向くように構成する場合に比べ、基板2に原料ガスを供給する際に、原料ガスの対流が生じにくく、微細な積層構造を形成でき、かつ、リアクタ8内や反応管6内の堆積物が基板2表面に付着しにくく、表面不良が生じにくい。
ヒーター5は、ヒーターハウジング12により、基板2を効果的に加熱できるようになっている。
反応管6は、例えば、幅よりも高さが短い扁平筒状に形成され、リアクタ8内を直線的に横断している。反応管6の一端(図では左側)には、原料ガスを供給するための導入口9が形成され、他端(図では右側)には、原料ガスを排出する排出口13が形成される。
導入口9、排出口13の位置と対応するリアクタ8の外壁には、それぞれ原料ガスを供給するための外部配管(図示せず)、原料ガスを排出するための外部配管(図示せず)が接続される。
また、反応管6には、基板2が設置されたサセプタ3を反応管6内の原料ガス流路に臨ませるべく、サセプタ3の成長面3aを回転可能に収容する開口部6bが形成される。反応管6は、石英ガラスなど、不純物を含まず、エピタキシャル層の高純度化に適した材料で構成するとよい。
サセプタ3の外周には、サセプタ3を反応管6内のガス流路に臨ませたときに、サセプタ3が反応管6内に落下しないように、開口部6bの外周面に沿った鍔部3eが形成される。開口部6bの外周面および鍔部3eには、それぞれ円周溝14a,14bが形成される。
開口部6bの外周面に形成された円周溝14aには、ベアリングボール15が敷き詰められ、その上にサセプタ3を載置することで、円周溝14a,14bでベアリングボール15を挟み込み、サセプタ3と反応管6とが、ベアリングボール15を介して回転可能に接触するようにされる。それにより、反応管6の内壁面6aとサセプタ3の成長面3aとが同一面上に配置される。
また、サセプタ3には、基板2を設置するためのポケット3cがサセプタ3の周方向に沿って複数形成されており、1ポケット毎6ヶある突起3dで基板2が支持される(図4(c)の突起43d参照)。その突起3dの上に基板2を置くことで、図1(b)に示すように、サセプタ3の成長面3aと基板2の成長面2aとが同一平面上に配置される。
すなわち、反応管6上にサセプタ3を載置すれば、自動的に反応管6の内壁面6aとサセプタ3の成長面3aと基板2の成長面2aとが同一平面上に配置され、また、反応管6とサセプタ3との間にベアリングボール15が設けられているため、上述の内壁面6a、成長面2a,3aが同一平面上に配置された状態(反応管6にサセプタ3が載置された状態)を保ってサセプタ3を回転できる。
さらに、図1(c)に示すように、サセプタ3は、その成長面3aと反対側の面に、径方向で対向した一対のサセプタフック3b,3bが形成される。このサセプタフック3b,3bは、サセプタ3を回転機構、すなわちターンテーブル11に係合させるためのものである。
ターンテーブル11は、サセプタ3を支持する円盤状のテーブル部11aと、そのテーブル部11aの中心軸上に形成され、サセプタ3を回転させるための回転軸部11bとからなる。また、ターンテーブル11は、図示しない昇降モーターにより昇降するようになっている。
テーブル部11aには、サセプタ3のサセプタフック3bを着脱自在に係合するサセプタガイド11cが形成される。回転軸部11bは、図示しない回転モーターにより支持されており、回転モーターの回転力をサセプタ3に伝達するものである。
サセプタガイド11cの高さd1とサセプタ3の厚さd2の和、すなわちd1+d2は、サセプタフック3bの高さd3よりも短くなるようにされる。ターンテーブル11からサセプタ3を取り外す場合には、ターンテーブル11を降下させて、そのテーブル部11aをサセプタ3の表面に接触させた状態でターンテーブル11を回転させればよく、ターンテーブル11にサセプタ3を取り付ける場合には、サセプタフック3bとサセプタガイド11cが係合するようにターンテーブル11を上昇させればよい。
エピタキシャル成長時には、ターンテーブル11は、サセプタ3を持ち上げない程度に上昇されており、サセプタガイド11cでサセプタフック3bを固定してターンテーブル11の回転力をサセプタ3に伝達するようにされる。
反応管ステージ7は、反応管6を支持しており、ターンテーブル11と同様に図示しない昇降モーターにより反応管6と一体に昇降するようにされる。これらが昇降することで後述する搬送機構が、ターンテーブル11と反応管6の間に進入できるようになる。
エピタキシャル成長を行う際には、反応管6の導入口9および排出口13が、上述した原料ガスを供給するための外部配管および排出するための外部配管と対応する位置に設置されるようにする。
リアクタ8内のターンテーブル11と、リアクタ8とは異なる場所である基板の出し入れを行うための基板出し入れ室(図示せず)との間には、サセプタ3からの基板2の出し入れを基板出し入れ室で行うため、サセプタ3を、リアクタ8と基板出し入れ室との間で往復させる搬送機構(図示せず)が設けられる。
次に、本発明の化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置1の作用を説明する。
上述したように、膜厚が均一なエピタキシャルウェハを得るためには、エピタキシャル成長中の原料ガスの流れを乱さないため、図1(b)に示すように、反応管6の内壁面6aとサセプタ3の成長面3aと基板2の成長面2aとを同一平面上に配置させる必要がある。
ところが、ターンテーブル11からサセプタ3を取り外して搬送機構で基板出し入れ室に搬送する際に、ターンテーブル11および反応管6を、上昇および降下させて、ターンテーブル11と反応管6との間に搬送機構が進入するための隙間を作る必要があり、これら昇降動作を昇降モーターにより行っている。
そのため、従来の化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置41では、昇降モーター回転の振動などで、ターンテーブル50の高さ位置、反応管ステージ47の高さ位置が通常の位置からずれてしまうことがある。
また、エピタキシャル成長中に、ターンテーブル50が回転軸に対して偏芯し、反応管46の開口部46bとサセプタ43とが接触して、接触により発生した粉体がエピタキシャル層に付着することがあり、これを回避するために、開口部46bとサセプタ43との間にはクリアランスが設けられている。
そのため、クリアランスを大きくすると、そのクリアランスから原料ガスや不純物、パーティクルが流出するおそれがある。
本発明の化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置1では、ベアリングボール15を介して、サセプタ3と反応管6とが接触した状態、つまり、反応管6上にサセプタ3を載置した状態でサセプタ3を回転させるため、サセプタ3が偏芯することなく水平な回転を保つことができる。
また、敷き詰められたベアリングボール15を介して、サセプタ3と反応管6とが接触しているため、原料ガスや不純物、パーティクルの流出を防ぐことができる。
以上要するに、本発明の化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置1によれば、ベアリングボール15を介して、サセプタ3と反応管6とが接触させる構造となっているため、反応管6の内壁面6aとサセプタ3の成長面3aと基板2の成長面2aとを、常に、同一平面上に配置させることができる。
そのため、化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置1により製造されたエピタキシャルウェハは、ウェハ面内の膜厚がウェハ面内で均一となり、このエピタキシャルウェハを用いることで発光デバイスの歩留を向上させることができる。
また、ベアリングボール15を介して、サセプタ3と反応管6とが接触した状態、つまり、反応管6上にサセプタ3を載置した状態でサセプタ3を回転させるため、サセプタ3が偏芯することなく水平な回転を保つことができ、膜厚が均一なエピタキシャルウェハを得ることができる。
さらに、サセプタガイド11cの高さd1とサセプタの厚さd2の和d1+d2を、サセプタフック3bの高さd3よりも短くなるように形成することで、ターンテーブル11のテーブル部11aをサセプタ3の表面に接触させた状態でターンテーブル11を回転させることにより、ターンテーブル11とサセプタ3とを脱着自在にでき、従来の搬送機構をそのまま利用することが可能である。
図1(a)〜(c)に示した本発明の化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置1と、図4(a)〜(c)に示した従来の化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置41を用い、エピタキシャル成長実験を行った。
実験内容は、図2に示すエピタキシャル構造のエピタキシャルウェハを30回繰り返しエピタキシャル成長したときのウェハ面内の膜厚分布の変化の推移を比較する内容である。
図2に示すように、本実験で用いたエピタキシャル構造20は、GaAs基板21上に膜厚50nmのun−Al0.5GaAs層22を成長させ、そのun−Al0.5GaAs層22上に膜厚1000nmのun−AlGaAs層23を成長させたものである。
実験結果を表1、2、図3、5に示す。
図3、5は、それぞれ表1、2の結果をグラフ化したものである。
表1、図3に示すように、本発明の化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置1を用いて成長されたエピタキシャルウェハは、終始、ウェハ面内の膜厚分布が変化していない。
しかしながら、表2、図5に示すように、従来の化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置41を用いて成長されたエピタキシャルウェハは、突発的にウェハ面内の膜厚分布が変化している。
1 化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置
2 基板
2a 基板の成長面
3 サセプタ
3a サセプタの成長面
6 反応管
6a 開口部
15 ベアリングボール
2 基板
2a 基板の成長面
3 サセプタ
3a サセプタの成長面
6 反応管
6a 開口部
15 ベアリングボール
Claims (4)
- 複数の基板が周方向に沿って設置された円盤状のサセプタと、該サセプタを、その中心軸廻りに水平に回転させる回転機構と、前記サセプタの成長面側に開口部を有し、前記サセプタに設置された前記基板の成長面に対して水平な方向に原料ガスを流して気相エピタキシャル成長させる反応管とを備え、これらがリアクタ内に設けられて構成される化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置において、
前記反応管側に面する前記サセプタの外周面と前記反応管の前記開口部外周面とをベアリングボールを介して接触させたことを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置。 - 前記サセプタの外周には、前記反応管の前記開口部外周面に沿った鍔部が形成され、その鍔部と前記反応管の前記開口部外周面にベアリングボールを案内する円周溝が形成される請求項1に記載の化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置。
- 前記サセプタは、成長面と反対側の面に、径方向で対向した一対のサセプタフックを有し、前記回転機構は、昇降自在なターンテーブルで形成されると共に、そのターンテーブルに前記サセプタの前記サセプタフックを着脱自在に係合するサセプタガイドを有する請求項1または2に記載の化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置。
- 前記サセプタからの前記基板の出し入れを前記リアクタとは異なる場所である基板出し入れ室で行うため、前記サセプタを、前記リアクタと前記基板出し入れ室との間で往復させる搬送機構を設けた請求項3に記載の化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置。
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