JP6748549B2 - SiCエピタキシャルウェハの製造方法及びSiCエピタキシャルウェハの製造装置 - Google Patents
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Description
(2)上記(1)に記載のSiCエピタキシャルウェハの製造方法において、前記エッチングガスとしてHClガスを用いてもよい。
(3)上記(1)または(2)のいずれかに記載のSiCエピタキシャルウェハの製造方法において、前記凹状収容部と前記サテライトの間から前記SiCエピタキシャルウェハの外周に、さらにドーピングガスを含むドーピングキャリアガスを供給してもよい。
(4)本発明の一態様に係るSiCエピタキシャルウェハの製造装置は、SiC基板の主面上に、化学的気相成長法によってSiCエピタキシャル膜を成長させるSiCエピタキシャルウェハの製造装置であって、凹状収容部を有する搭載プレートと、前記凹状収容部内に配置され、上面にSiC基板が載置されるサテライトと、前記サテライトの上面に載置されるSiC基板の主面に、SiCエピタキシャル膜の原料ガスを供給する第1ガス供給管と、前記凹状収容部内にエッチングガスを含むエッチングキャリアガスを供給する第2ガス供給管と、を有する。
なお、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
また、「ドーパントキャリアガス」は、ドーパントガスを含んでいるガスを意味し、ドーパントガスとキャリアガスが混ざったガスも含む。例えば、ドーパントキャリアガスは、窒素ガスのみからなるものであってもよいし、窒素ガスと希ガス等のガスを混合したものであってもよい。
構成を理解しやすい様に、SiCエピタキシャルウェハの製造装置から説明する。図1は、本発明の一実施形態にかかるSiCエピタキシャルウェハの製造装置の断面を模式的に説明する図である。
搭載プレート10は、耐熱性を有していればよく、公知の材料、例えば、黒鉛、TaCコートした黒鉛、SiCコートした黒鉛等で構成されている。
サテライト20は、搭載プレート10の凹状収容部11に収容されている。サテライト20は、凹状収容部11内部で回転駆動手段によって自転することができる。すなわち、サテライト20は回転軸12に対して自公転できる。サテライト20の材質は、搭載プレート10と同様の材質とすることができる。
例えば、凹状収容部11の底面にらせん状の溝を形成し、その溝に沿ってガスが流れるように誘導することにより、ガスの粘性でサテライト20にトルクを与えて、これを回転させることができる。
あるいは、サテライト20の裏面側にらせん状の溝を形成し、その溝に沿ってガスが流れるように誘導しても、同様に回転させることができる。つまり、サテライト20を回転させるために、外部電源等を有する駆動手段を別途準備する必要が無く、SiCエピタキシャル製造装置の構成は簡便なものとなる。
本発明のSiCエピタキシャルウェハの製造方法は、凹状収容部を有する搭載プレートと、凹状収容部内に配置され上面にSiC基板が載置されるサテライトと、を備えるSiCエピタキシャルウェハの製造方法であって、凹状収容部とサテライトの間からSiCエピタキシャルウェハの外周に、塩化水素(HCl)等のエッチングガスを含むエッチングキャリアガスを供給する。
図1のSiCエピタキシャルウェハの製造装置100を用いた場合を例にして、SiCエピタキシャルウェハの製造方法について説明する。
まず、上述のSiCエピタキシャルウェハの製造装置100のサテライト20上に、SiC基板Wを載置する。
13a…回転台上面、14…溝、20…サテライト、20a…上面、20b…下面、21
…凹部、30…第1ガス供給管、40…第2ガス供給管、41…供給口、50…シーリン
グ、60…側壁、61…支持部、70…ヒータ、100…SiCエピタキシャルウェハの
製造装置、G…原料ガス、K…反応空間、W…SiCウェハ
Claims (3)
- 凹状収容部を有する搭載プレートと、前記凹状収容部内に配置されて上面にSiC基板が載置されるサテライトと、を用いるSiCエピタキシャルウェハの製造方法であって、
前記凹状収容部と前記サテライトの間から前記SiCエピタキシャルウェハの外周に、エッチングガスを含むエッチングキャリアガスを供給し、さらにドーピングガスを含むドーピングキャリアガスを供給することを特徴とするSiCエピタキシャルウェハの製造方法。 - 前記エッチングガスとしてHClガスを用いることを特徴とする請求項1に記載のSiCエピタキシャルウェハの製造方法。
- SiC基板の主面上に、化学的気相成長法によってSiCエピタキシャル膜を成長させるSiCエピタキシャルウェハの製造装置であって、
凹状収容部を有する搭載プレートと、
前記凹状収容部内に配置され、上面にSiC基板が載置されるサテライトと、
前記サテライトの上面に載置されるSiC基板の主面に、SiCエピタキシャル膜の原料ガスを供給する第1ガス供給管と、
前記凹状収容部内にエッチングガスを含むエッチングキャリアガスを供給し、さらにドーピングガスを含むドーピングキャリアガスを供給する第2ガス供給管と、を有するSiCエピタキシャルウェハの製造装置。
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