JP5573725B2 - 立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法 - Google Patents
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本発明の方法によれば、シリコン基板に形成された空孔にシリコンをエピタキシャル成長させることによって空孔を埋めることができる。また、空孔を埋めるときのシリコン基板の温度を炭化層を形成するときのシリコン基板の温度よりも下げているので、シリコン基板に形成された空孔にシリコンを埋めるときにシリコン基板の空孔からシリコンが昇華することを抑制することができる。よって、シリコン基板の空孔にシリコンをより確実に埋めることができる。次いで、炭素原料ガスを導入しているので、シリコン基板の温度を上昇させているときにシリコン基板の空孔からシリコンが昇華することを抑制することができる。最後に、炭化層上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることによって炭化層に形成された欠陥部分を埋めることができる。よって、結晶欠陥の少ない高品質な立方晶炭化珪素層を形成することができる。
なお、シリコンと炭化層との格子定数が異なるため、炭化層の表面にはシリコン膜が形成されない。つまり、シリコン基板の空孔に対して選択的にシリコンが形成される。同様に、残存したシリコン基板の空孔には立方晶炭化珪素膜が形成されることはない。
また、炭素原料ガスが炭化層上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させる原料ガスとなるとともに空孔からシリコンが昇華することを抑制するガスとして機能する。このため、原料ガスとは別に、空孔からシリコンが昇華することを抑制するガスを導入する必要がないので、製造効率の向上を図ることができる
図1は、本発明に係る立方晶炭化珪素半導体基板の概略構成を示す模式図である。
図1に示すように、立方晶炭化珪素半導体基板1は、シリコン基板11と、シリコン基板11の一面11aを炭化処理して形成された炭化層12と、炭化層12の一面12aに立方晶炭化珪素(3C‐SiC)がエピタキシャル成長して形成された立方晶炭化珪素エピタキシャル膜13(以下、単にエピタキシャル膜13と略記する。)と、を具備して構成されている。
図2は、本実施形態に係る立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を示す過程図である。
図3は、本実施形態に係る立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法の説明図である。図3において、横軸は時間、右側の縦軸はシリコン基板11に加える熱処理の温度(シリコン基板11の温度)、左側の縦軸は導入するガスの流量を示している。なお、以下の説明においては、シリコン基板11の温度を単に「基板温度」ということがある。
本実施形態では、炭素原料ガスとしてネオペンタンを用いる。
この状態で炭化層12の一面12aに3C−SiCをエピタキシャル成長させると、形成されたエピタキシャル膜に結晶欠陥や異常粒成長等の欠陥部分が生じるといった問題があった。
例えば、塩化ケイ素系ガスとしては、ジクロロシラン(SiH2Cl2)、テトラクロロシラン(SiCl4)、トリクロロシラン(SiHCl3)、ヘキサクロロジシラン(Si2Cl6)等が好適に用いられる。これらは、1種のみを単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
また、シラン系ガスとしては、シラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)、モノメチルシラン(SiH3(CH3))、ジメチルシラン(SiH2(CH3)2)、トリメチルシラン(SiH(CH3)3)等が好適に用いられる。これらは、1種のみを単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
本実施形態では、シリコン原料ガスとしてジクロロシランを用いる。
次に、本発明の第2実施形態に係る立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法について説明する。なお、第2実施形態の説明にあたっては、第1実施形態と同様の構成、工程については同じ符号を付し、その説明を省略する。
図4は、本実施形態に係る立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を示す過程図である。
図5は、本実施形態に係る立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法の説明図である。なお、図5において、横軸は時間、右側の縦軸はシリコン基板11に加える熱処理の温度(基板温度)、左側の縦軸は導入するガスの流量を示している。
(2)シリコン基板11の温度が900℃となったところで、チャンバー内にシリコン原料ガスを導入し、シリコン基板11に残存した空孔11hにシリコンをエピタキシャルさせて残存した空孔11hを埋める工程。
(3)シリコン原料ガスの導入を止め、炭素原料ガスを導入しつつシリコン基板11の温度を1000℃まで上昇させる工程。
(4)シリコン基板11の温度が1000℃となったところで、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスを導入し、炭化層12上に3C−SiCをエピタキシャル成長させる工程。
Claims (8)
- 炭素原料ガスを導入し、シリコン基板の温度を第1の温度範囲の温度にして、前記シリコン基板の表面に炭化層を形成することと、
前記炭素原料ガスの導入を止めて前記シリコン基板の温度を、前記第1の温度範囲の温度よりも低い第2の温度範囲の温度に下降させることと、
前記シリコン基板の温度が前記第2の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガスを導入し、前記シリコン基板と前記炭化層との間の界面に形成された空孔にシリコンをエピタキシャル成長させて前記空孔を埋めることと、
前記シリコン原料ガスの導入を止め、前記炭素原料ガスを導入しつつ前記シリコン基板の温度を、前記第2の温度範囲の温度よりも高い第3の温度範囲の温度に上昇させることと、
前記シリコン基板の温度が前記第3の温度範囲の温度となったところで、前記シリコン原料ガス及び前記炭素原料ガスを導入し、前記炭化層上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることと、
を有することを特徴とする立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法。 - 前記シリコン原料ガス及び前記炭素原料ガスの導入を止めて前記シリコン基板の温度を、前記第3の温度範囲の温度よりも低い第4の温度範囲の温度に下降させることを有し、
前記立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることの後に、前記第4の温度範囲の温度に下降させることと、前記空孔を埋めることと、前記第3の温度範囲の温度に上昇させることと、前記立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることとを順に行うサイクルを1回以上繰り返し行うことを特徴とする請求項1に記載の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法。 - 前記第4の温度範囲が700℃以上900℃以下の範囲であることを特徴とする請求項2に記載の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 前記第3の温度範囲の温度に上昇させることにおいて導入する前記炭素原料ガスの流量を、前記立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させることにおいて導入する前記炭素原料ガスの流量よりも小さくすることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 前記第1の温度範囲が950℃以上1400℃以下の範囲であり、前記第2の温度範囲が700℃以上900℃以下の範囲であり、前記第3の温度範囲が950℃以上1400℃以下の範囲であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 前記炭化層を形成することの前に、真空雰囲気の下で、前記炭素原料ガス及び前記シリコン原料ガスを導入せずに前記シリコン基板を加熱し、前記シリコン基板の表面に形成された酸化膜を除去することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 前記炭素原料ガスがネオペンタンガスであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 前記空孔を埋めることにおいて、前記第2の温度範囲の温度は、前記空孔にシリコンがエピタキシャル成長する成長量が前記空孔からシリコンが昇華する昇華量よりも大きくなる温度であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法。
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