JP4946264B2 - 炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法 - Google Patents
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11 エピタキシャル層
21 炭化珪素半導体エピタキシャル基板
Claims (1)
- オフセット角が2°以上10°以下である4H炭化珪素単結晶基板を用意する工程と、
化学気相堆積法により、1400℃以上1650℃以下の温度で、炭化珪素からなるエピタキシャル層を前記炭化珪素単結晶基板上に成長させる工程と、
前記エピタキシャル層を1300℃以上1800℃以下の温度で熱処理する工程と、
を包含し、
前記エピタキシャル層を成長させる工程において、原料ガス中の炭素原子の珪素原子に対する比C/Siは1.5以上2以下であり、
前記熱処理する工程は、アルゴンまたはヘリウム雰囲気中で行う、炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
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