JP4946202B2 - 炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。 - Google Patents
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Rq(nm)<0.007×V(μm/h)+0.074の関係を満足するように、前記エピタキシャル層の成長条件を設定する。
まず、2種類の単結晶炭化珪素基板を用意した。
基板A:炭化珪素インゴットをオフセット角度8度でスライスし、表面を機械研磨で鏡面状に仕上げた4H−SiCウェハ(RMS=0.31nm、原子間力顕微鏡にて評価)
基板B:基板Aに対し、CMPを施した4H−SiCウェハ(RMS=0.03nm、原子間力顕微鏡にて評価)
実施例1の単結晶炭化珪素基板Bを用意した。次に、エピタキシャル成長におけるSiH4の流量を2〜8sccm(2×10-6sm3/分)の範囲で変化させ、C3H8の流量をC/Siが0.5〜4の範囲で変化するように設定してC/Siが異なる条件でエピタキシャル層を成長させた。他の条件は実験例1と同じである。
2、7、7’ 基底面転位
8、8’ 貫通刃状転位
5、11 エピタキシャル層
Claims (6)
- オフセット角が2°以上10°以下であり、二乗平均粗さが0.1nm以下である表面を有する炭化珪素単結晶基板を用意する工程と、
化学気相堆積法により、炭化珪素からなるエピタキシャル層を前記炭化珪素単結晶基板上に成長させる工程と、
を包含し、
前記成長したエピタキシャル層の表面の二乗平均粗さRq(nm)がエピタキシャル層の成長速度をV(μm/h)として、
Rq(nm)<0.007×V(μm/h)+0.074
の関係を満足するように、前記エピタキシャル層の成長条件を設定する、炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。 - 前記成長条件は、前記エピタキシャル層を形成するための原料ガス中の炭素原子および珪素原子の比率および原料ガスの流量を含む請求項1に記載の炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
- 原料ガス中の炭素原子の珪素原子に対する比C/Siを0.9以上、3以下に設定する請求項2に記載の炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
- 前記炭化珪素単結晶基板を1400℃以上1800℃以下の温度に保持し、3kPa以上54kPa以下の圧力下で前記エピタキシャル層を成長させる請求項3に記載の炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
- 前記成長したエピタキシャル層の表面の二乗平均粗さRqは0.25nm以下である請求項4に記載の炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
- 前記成長したエピタキシャル層中の基底面転位の密度の前記炭化珪素単結晶基板の基底面転位の密度に対する割合は4%以下である請求項5に記載の炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
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US8221546B2 (en) * | 2008-03-26 | 2012-07-17 | Ss Sc Ip, Llc | Epitaxial growth on low degree off-axis SiC substrates and semiconductor devices made thereby |
JP5024886B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2012-09-12 | トヨタ自動車株式会社 | 平坦化処理方法および結晶成長法 |
DE102008060372B4 (de) * | 2008-09-05 | 2015-11-05 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbid-Epitaxieschicht und eines Siliziumkarbid-Bauelementes |
JP5171571B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2013-03-27 | 株式会社ブリヂストン | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP4959763B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2012-06-27 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
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JP5958949B2 (ja) * | 2011-05-26 | 2016-08-02 | 一般財団法人電力中央研究所 | 炭化珪素基板、炭化珪素ウェハ、炭化珪素ウェハの製造方法及び炭化珪素半導体素子 |
JP5076020B2 (ja) * | 2011-10-25 | 2012-11-21 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ |
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KR101926678B1 (ko) * | 2012-05-31 | 2018-12-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
KR101897062B1 (ko) * | 2012-05-31 | 2018-09-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
US8860040B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-10-14 | Dow Corning Corporation | High voltage power semiconductor devices on SiC |
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JP5384714B2 (ja) * | 2012-10-31 | 2014-01-08 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
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KR102119755B1 (ko) * | 2012-11-30 | 2020-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
US11309389B2 (en) | 2012-11-30 | 2022-04-19 | Lx Semicon Co., Ltd. | Epitaxial wafer and switch element and light-emitting element using same |
US9797064B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-10-24 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion |
US9738991B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion |
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KR102165615B1 (ko) * | 2013-06-24 | 2020-10-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 에피택셜 웨이퍼 |
JP2015042602A (ja) * | 2013-08-26 | 2015-03-05 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP6311384B2 (ja) * | 2014-03-24 | 2018-04-18 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US9279192B2 (en) | 2014-07-29 | 2016-03-08 | Dow Corning Corporation | Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology |
WO2018123148A1 (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2018067736A (ja) * | 2018-01-16 | 2018-04-26 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
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Family Cites Families (3)
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---|---|---|---|---|
US7018554B2 (en) * | 2003-09-22 | 2006-03-28 | Cree, Inc. | Method to reduce stacking fault nucleation sites and reduce forward voltage drift in bipolar devices |
JP5285202B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2013-09-11 | 一般財団法人電力中央研究所 | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
JPWO2005116307A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2008-04-03 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法 |
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