JP2007500435A - 共注入と熱アニールによって特性の改善された薄層を得るための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
・ 薄層がそれから作り出されるべきドナー基板(donor substrate)の
表面の下にイオン種(species)の注入を実施して、それによりドナー基板の
厚さ内に脆化領域(embrittelement zone)を形成し、
・ ドナー基板の表面を、注入をうけた後に支持基板に密着させて配置し、
・ 脆化領域でドナー基板を剥離してドナー基板の一部分を支持基板上に転写し支持基板
上に薄層を形成する、
段階を含む方法である。
・ 表面粗さの低減と、薄層の均一性の改善の他に、
・ 薄層内にある欠陥密度を低減することでもある
と理解される。
・前記薄層がそれから作り出されるべきドナー基板の表面の下にイオン種の注入を実施
して、それにより前記ドナー基板の厚さ内に脆化領域を主成する段階と、
・前記ドナー基板が注入をうけた後、支持基板に密着して前記ドナー基板の前記表面を
配置する段階と、
・前記脆化領域で前記ドナー基板を剥離して、前記支持基板上に前記ドナー基板の一部
分を転写して前記支持基板上に前記薄層を形成する段階と
を含む基板上に半導体材料の薄層を含む構造を製造する方法であって、
・前記注入段階が少なくとも2つの異なる原子のイオン種の共注入を実施し、それによ
って剥離後得られる前記構造のレベルで低い周波の粗さを最小にし、
・さらに前記方法が、仕上げステップを含み、前記仕上げステップは少なくとも1つの
急速熱アニール工程を含み、それによって剥離後得られる構造の前記レベルで高い周
波の粗さを最小化することを特徴とする方法を提案する。
・水素とヘリウムイオン種とが前記注入段階の間に、共注入され、
・前記水素とヘリウムイオン種とが順次注入され、
・ヘリウムが水素の前に注入され、
・注入されるヘリウムの注入量がほぼ0.7×1016cm-2〜1.2×1016cm-2
の間であって、注入される水素の注入量がほぼ0.7×1016cm-2〜2×1016
cm-2の間であり、
・急速熱アニール(RTA)が、900℃〜1300℃の間の温度で、1〜60秒の間
で実施され、
・RTAアニールが、水素とアルゴンとの混合気体を含む雰囲気中、または純アルゴン
雰囲気中、または純水素雰囲気中で実施され、
・前記仕上げ段階が、剥離後得られる構造の安定化酸化StabOxの少なくとも1つ
の工程を含むこともでき、
・前記StabOx工程が、連続的に、酸化工程、アニール工程、および酸化物除去
(deoxidation)工程を実施し、
・前記アニール工程は、約1100℃の温度で2時間実施され、
・仕上げステップの間、RTAアニール工程が、StabOx工程の前に実施されても
よく、
・前記仕上げステップが、複数のRTA/StabOxシーケンスを含むことができ、
・仕上げステップの間、StabOx工程が同様に、RTAアニール工程の前に実施さ
れてよく、
・前記仕上げステップが、複数のStabOx/RTAシーケンスを含むことができ、
・StabOx工程(複数回も含む)が、単純な酸化工程によって置き換えられてよ
く、前記単純な酸化工程が酸化物除去工程によって引き継がれる剥離後に得られる構
造の酸化工程も含むことができる。
・脆化領域を作り出されるためにイオン種の注入のステップが、ドナー基板の表面の下
に少なくとも2つの異なるイオン種の共注入によって実施され、
・脆化領域の所で剥離した後、急速熱アニールによって仕上げステップも実施される。
・薄層の厚さを調整し、欠陥密度を低減すること、および
・薄層と支持基板の間の界面を補強すること
のために用いられる。
・以下を一連に含む熱処理:
・・前記構造の酸化
・・・そのような酸化が、当業者によって一般的に知られている、例えば、気体
酸素中で、約900℃に、前記構造を加熱することによって実施されるこ
とができる。
・・・次いで、この酸化の後、一層の酸化物が薄層上に形成される
・・アルゴン雰囲気中で、約1100℃で、2時間の前記構造のアニールを連続的に
含む熱処理。このアニールは同時に、以下を可能とする:
・・・支持基板と、注入をうけたドナー基板の表面と、の間の界面を補強し、
・・・注入および剥離段階の間に生じた一定の欠陥を矯正することを可能にす
る。
・熱処理に引き続いて実施される酸化物除去工程であって、それによって酸化工程の間に
形成された酸化物層を取り去る酸化物除去工程。
・RTA/StabOx(前述した)と、
・いくつかのRTA/StabOxシーケンスの反復(連続して、2つの、これら
RTA/StabOxシーケンス含む、後で説明する実施形態の例)と、
・StabOx/RTAと、
・StabOx/RTA/StabOx/RTAと
である。
・S1構造にはヘリウム0.7×1016cm-2および水素0.9×1016cm-2の、
・S2構造にはヘリウム0.8×1016cm-2および水素0.9×1016cm-2の、
・S3構造にはヘリウム0.9×1016cm-2および水素0.9×1016cm-2の、
注入量を用いて作り出される。
・薄層の厚さを消耗すること、および剥離後の、表面下に残留する注入欠陥を低減すること、
・StabOx段階の間に実施されるアニールによって薄層/支持基板接着界面を貼り合せること、
・構造を最終製品向けに、所望の厚さにすること、および
・追加のRTAアニールによって表面の平滑化を進めること
を可能とする。
Claims (22)
- 基板上に半導体材料の薄層を含む構造を製造する方法であって、
・前記薄層がそれから作られるべきドナー基板の表面の下にイオン種の注入を実施し
て、それにより前記ドナー基板の厚さ内に脆化領域を形成し、
・前記ドナー基板が注入をうけた後、支持基板に密着して前記ドナー基板の前記表面を
配置し、
・前記脆化領域で前記ドナー基板を剥離して、前記支持基板上に前記ドナー基板の一部
分を転写して前記支持基板上に前記薄層を形成する、
段階を含み、
・前記注入の段階が少なくとも2つの異なる原子のイオン種の共注入を実施し、それに
よって剥離後得られる前記構造のレベルで低い周波の粗さを最小にし、
・さらに前記方法が、仕上げステップを含み、前記仕上げステップは少なくとも1つの
急速熱アニール工程を含み、それによって剥離後得られる構造のレベルで高い周波の
粗さを最小化する、
ことを特徴とする方法。 - 水素とヘリウムイオン種が、前記注入ステップの間に、共注入されることを特徴とする上記請求項1に記載の方法。
- 前記水素とヘリウムイオン種が、順次注入されることを特徴とする上記請求項2に記載の方法。
- 前記ヘリウムが、前記水素の前に注入されることを特徴とする上記請求項に記載3の方法。
- 注入されるヘリウムの注入量が、ほぼ0.7×1016cm-2〜1.2×1016cm-2の間であり、注入される水素の注入量が、ほぼ0.7×1016cm-2〜2×1016cm-2の間であることを特徴とする請求項2から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記急速熱アニール(RTA)が、温度900℃〜1300℃の間で、1〜60秒間、実施されることを特徴とする前記請求項1−5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記急速熱アニール(RTA)が、アルゴンと水素からなる混合気体を含む雰囲気中で実施されることを特徴とする上記請求項6に記載の方法。
- 前記急速熱アニール(RTA)が、純アルゴンの雰囲気中で実施されることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記急速熱アニール(RTA)が、純水素の雰囲気中で実施されることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記仕上げ段階が、さらに、剥離後得られる前記構造の安定化酸化StabOxの少なくとも1つの工程を含むことを特徴とする前記請求項1−9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記StabOx工程が、連続的に酸化工程、アニール工程および酸化物除去工程を実施することを特徴とする上記請求項10に記載の方法。
- 前記アニール工程が、約1100℃の温度で、2時間実施されることを特徴とする上記請求項11に記載の方法。
- 前記仕上げ段階の間に、前記RTAアニール工程が、前記StabOx工程の前に実施されることを特徴とする請求項10から12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記仕上げ段階が、複数のRTA/StabOxシーケンスを含むことを特徴とする上記請求項13に記載の方法。
- 前記仕上げ段階の間に、前記StabOx工程が、前記RTAアニール工程の前に実施されることを特徴とする請求項10から12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記仕上げ段階が、複数のStabOx/RTAシーケンスを含むことを特徴とする上記請求項15に記載の方法。
- 前記仕上げ段階が、やはり少なくとも1つの単純な酸化工程を含み、前記単純な酸化工程が、剥離後得られる前記構造の、酸化物除去工程に引き継がれる酸化工程を含むことを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記仕上げ段階の間に、前記RTA工程が前記単純な酸化の前に実施されることを特徴とする上記請求項17に記載の方法。
- 前記仕上げ段階が、複数のRTA/単純酸化シーケンスを含むことを特徴とする上記請求項18に記載の方法。
- 前記仕上げ段階の間に、前記単純酸化が、前記RTAアニール工程の前に実施されることを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記仕上げ段階が、複数の単純酸化/RTAシーケンスを含むことを特徴とする上記請求項20に記載の方法。
- 前記薄層が、小さな低周波粗さ、特に、ほぼ、4〜5Å RMSの間に含まれる40×40μm2の面を走査することによって測定された粗さを示すことを特徴とする前記請求項1−21のいずれか一項に記載の方法によって製造された構造。
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