JP2012222294A - 貼り合わせウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前記ボンドウェーハを剥離させた後の貼り合わせウェーハに対し、水素含有雰囲気下で第一のRTA処理を行った後、犠牲酸化処理を行って前記薄膜を減厚し、その後、水素含有雰囲気下で、前記第一のRTA処理よりも高い温度で第二のRTA処理を行う貼り合わせウェーハの製造方法。
【選択図】図1
Description
従来、このダメージ層等を除去するために、結合熱処理後の最終工程において、タッチポリッシュと呼ばれる研磨代の極めて少ない鏡面研磨(取り代:100nm程度)が行われていた。ところが、SOI層に対して機械加工的要素を含む研磨を行うと、研磨の取り代が均一でないために、水素イオン等の注入と剥離によって達成されたSOI層の膜厚均一性が悪化してしまうという問題が生じる。
例えば特許文献2では、剥離熱処理後(又は結合熱処理後)に、SOI層の表面を研磨することなく、水素を含む還元性雰囲気下の熱処理(急速加熱・急速冷却熱処理(RTA処理:Rapid Thermal Annealing))を加えることを提案している。さらに、特許文献3の請求項2等では、剥離熱処理後(又は結合熱処理後)に、酸化性雰囲気下の熱処理によりSOI層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し(犠牲酸化処理)、次に還元性雰囲気の熱処理(急速加熱・急速冷却熱処理(RTA処理))を加えることを提案している。
一般にはRTA処理を行うとBMDは溶解するため、BMD密度は減少することが知られている。しかし、RTA処理によって一旦は大きいサイズのBMDが減少したとしても、小さなサイズのBMD核が新たに高密度に発生し、この核がその後の犠牲酸化処理によって大きなサイズのBMDに成長して、その結果、BMD密度がかえって増大してしまうという現象を本発明者らは見出した。さらに、RTA処理を高い温度にすればするほど、後続の酸化熱処理によるBMD密度の増加がより促進される関係があることを見出した。
このように、1200℃以上の温度であれば、薄膜をより効果的に平坦化することができる。
このような条件で犠牲酸化処理を行えば、剥離面へのOSF等の欠陥の発生を確実に防止することができる。
図1は本発明の貼り合わせウェーハの製造方法のフロー図である。
この際、貼り合わせウェーハの支持基板となるベースウェーハ11として、その後の熱処理において耐スリップ転位特性を発揮できるように、比較的高い酸素濃度の基板を選択することができる。また、ゲッタリングによってデバイス活性層から不純物の影響を低減する目的で、酸素濃度、窒素濃度又はホウ素濃度が高い基板を選択することもできる。このように、貼り合わせに用いる基板の種類によって、潜在的に貼り合わせウェーハのBMD密度がより増加しやすい状況を選択する場合があるが、本発明であれば、これらのような基板を用いてもBMD密度の増加を効果的に抑制できる。
この際、目標とする厚さの薄膜を得ることができるように、イオン注入加速電圧を選択する。
なお、貼り合わせる前に、ウェーハの表面に付着しているパーティクルや有機物を除去するため、両ウェーハに貼り合わせ前洗浄を行ってもよく、また、貼り合わせ界面の結合強度を高めるため、ウェーハ表面にプラズマ処理を施してもよい。
この第一のRTA処理によって、ベースウェーハ内部のBMDは一旦は溶解して減少するが、逆に、より小さいサイズのBMD核を高密度に形成していると考えられる。
また、表面粗さの改善効果を高めるために、第一のRTA熱処理の処理温度は1100℃以上であることが望ましい。熱処理雰囲気としては、例えばヘリウム、アルゴン等の不活性ガスに水素を含有した雰囲気や、100%水素ガス雰囲気とすることができる。
このような犠牲酸化処理であれば、イオン注入剥離により得られた薄膜の膜厚均一性を高く維持しながら減厚して所望厚さの薄膜とすることができ、この際にイオン注入剥離によるダメージ層も除去できる。また、前工程の第一のRTA処理で薄膜の剥離面は平坦化されているため、表面を酸化する際にOSF等の欠陥が発生することも抑制できる。
また、剥離面に発生しやすいOSF等の欠陥を確実に回避するため、犠牲酸化処理において、950℃未満の温度で酸化熱処理を行った後に5%以下の酸素を含む不活性ガス雰囲気下で1000℃以上の温度で熱処理を行って薄膜16表面に熱酸化膜を形成し、その後成長した熱酸化膜を除去することが好ましい。このような熱処理であれば、欠陥の発生防止とともに、貼り合わせ界面での結合強度も向上させることができる。
前工程の第一のRTA処理によって高密度にBMD核が形成され、犠牲酸化処理によりBMDが増大しているため、第二のRTA処理でこの増大したBMDを低減させるために、第一のRTA処理よりもBMDを溶解する能力を高く保つ必要があり、つまりは、第二のRTA処理は第一のRTA処理よりも高温である必要がある。
(実施例1)
ボンドウェーハとしてCZ法で作製されたシリコン単結晶ウェーハ(直径300mm、結晶方位(100))を準備し、145nmの熱酸化膜を成長させた後、イオン注入機にて、50KeVの加速電圧でH+イオンを5×1016atoms/cm2注入してイオン注入層を形成した。
このSOIウェーハに、枚葉式RTA装置により水素50%、アルゴン50%の混合ガスの雰囲気で1150℃40秒のRTA処理を施した。その後、バッチ式縦型熱処理炉にて、900℃のパイロ酸化及び1050℃の酸素1%を含むArガスの雰囲気で熱処理を施して酸化膜を形成し、SOI層の表面に形成された酸化膜(約200nm厚)をHF洗浄にて除去した。その後、枚葉式RTA装置により水素50%、アルゴン50%の混合ガスの雰囲気で1200℃40秒のRTA処理を施した。
実施例1と同じく、ボンドウェーハとしてCZ法で作製されたシリコン単結晶ウェーハを準備し、実施例1と同一条件にて、酸化、イオン注入、剥離を実施し、実施例1と同じ酸素濃度のベースウェーハ上にSOI層を形成した。
このSOIウェーハに、枚葉式RTA装置により水素50%、アルゴン50%の混合ガスの雰囲気で1150℃40秒のRTA処理を施した。その後、バッチ式縦型熱処理炉にて、900℃のパイロ酸化及び1050℃の酸素1%を含むArガスの雰囲気で熱処理を施して酸化膜を形成し、SOI層の表面に形成された酸化膜(約200nm厚)をHF洗浄にて除去した。その後、枚葉式RTA装置により水素50%、アルゴン50%の混合ガスの雰囲気で1150℃40秒のRTA処理を施した。
実施例1と同じく、ボンドウェーハとしてCZ法で作製されたシリコン単結晶ウェーハを準備し、実施例1と同一条件にて、酸化、イオン注入、剥離を実施し、実施例1と同じ酸素濃度のベースウェーハ上にSOI層を形成した。
このSOIウェーハに、枚葉式RTA装置により水素50%、アルゴン50%の混合ガスの雰囲気で1200℃40秒のRTA処理を施した。その後、バッチ式縦型熱処理炉にて、900℃のパイロ酸化及び1050℃の酸素1%を含むArガスの雰囲気で熱処理を施して酸化膜を形成し、SOI層の表面に形成された酸化膜(約200nm厚)をHF洗浄にて除去した。その後、枚葉式RTA装置により水素50%、アルゴン50%の混合ガスの雰囲気で1150℃40秒のRTA処理を施した。
これより、最初のRTA処理の温度が1200℃と高いため表面粗さは改善されているが、後のRTA処理の温度の方が低い温度であるため、BMDの溶解が不十分で、BMD密度が極めて高くなることがわかった。
実施例1と同じく、ボンドウェーハとしてCZ法で作製されたシリコン単結晶ウェーハを準備し、実施例1と同一条件にて、酸化、イオン注入、剥離を実施し、実施例1と同じ酸素濃度のベースウェーハ上にSOI層を形成した。
このSOIウェーハに、枚葉式RTA装置により水素50%、アルゴン50%の混合ガスの雰囲気で1200℃40秒のRTA処理を施した。その後、バッチ式縦型熱処理炉にて、900℃のパイロ酸化及び1050℃の酸素1%を含むArガスの雰囲気で熱処理を施して酸化膜を形成し、SOI層の表面に形成された酸化膜(約200nm厚)をHF洗浄にて除去した。その後、枚葉式RTA装置により水素50%、アルゴン50%の混合ガスの雰囲気で1200℃40秒のRTA処理を施した。
実施例1と同じく、ボンドウェーハとしてCZ法で作製されたシリコン単結晶ウェーハを準備し、実施例1と同一条件にて、酸化、イオン注入、剥離を実施し、実施例1と同じ酸素濃度のベースウェーハ上にSOI層を形成した。
このSOIウェーハに、枚葉式RTA装置により水素50%、アルゴン50%の混合ガスの雰囲気で1180℃40秒のRTA処理を施した。その後、バッチ式縦型熱処理炉にて、900℃のパイロ酸化及び1050℃の酸素1%を含むArガスの雰囲気で熱処理を施して酸化膜を形成し、SOI層の表面に形成された酸化膜(約200nm厚)をHF洗浄にて除去した。その後、枚葉式RTA装置により水素50%、アルゴン50%の混合ガスの雰囲気で1230℃40秒のRTA処理を施した。
13…イオン注入層、 14…埋め込み酸化膜、 15…貼り合わせウェーハ、
16…薄膜。
Claims (3)
- ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを作製する貼り合わせウェーハの製造方法において、
前記ボンドウェーハを剥離させた後の貼り合わせウェーハに対し、水素含有雰囲気下で第一のRTA処理を行った後、犠牲酸化処理を行って前記薄膜を減厚し、その後、水素含有雰囲気下で、前記第一のRTA処理よりも高い温度で第二のRTA処理を行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。 - 前記第二のRTA処理を、1200℃以上で行うことを特徴とする請求項1に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
- 前記犠牲酸化処理を、950℃未満の温度で酸化熱処理を行った後に5%以下の酸素を含む不活性ガス雰囲気下で1000℃以上の温度で熱処理を行って前記薄膜の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を除去することにより行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
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