JP4526818B2 - 貼り合わせウエーハの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 67
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 30
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 16
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004880 explosion Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 98
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 35
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 31
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 15
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 13
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 12
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000007567 mass-production technique Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000018734 Sambucus australis Nutrition 0.000 description 1
- 244000180577 Sambucus australis Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L dichromic acid Chemical compound O[Cr](=O)(=O)O[Cr](O)(=O)=O CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S438/977—Thinning or removal of substrate
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Description
本発明は、イオン注入剥離法を用いた貼り合わせウエーハの製造方法に関し、特には、水素イオン等を注入したシリコンウエーハを支持基板となる他のウエーハと接合した後に剥離してSOIウエーハを製造する方法に関する。
背景技術
最近、SOIウエーハの製造方法として、イオン注入したウエーハを接合後に剥離してSOIウエーハを製造する方法(イオン注入剥離法:スマートカット法(登録商標)とも呼ばれる技術)が新たに注目され始めている。このイオン注入剥離法は、二枚のシリコンウエーハの内、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハ(ボンドウエーハ)の上面から水素イオンまたは希ガスイオン等のガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層(封入層)を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハ(ベースウエーハ)と密着させ、その後熱処理(剥離熱処理)を加えて微小気泡層を劈開面として一方のウエーハ(ボンドウエーハ)を薄膜状に剥離し、さらに熱処理(結合熱処理)を加えて強固に結合してSOIウエーハとする技術(特開平5−211128号参照)である。この方法では、劈開面(剥離面)は良好な鏡面であり、SOI層の膜厚の均一性も高いSOIウエーハが比較的容易に得られている。
しかし、イオン注入剥離法によりSOIウエーハを作製する場合においては、剥離後のSOIウエーハ表面にイオン注入によるダメージ層が存在し、また表面粗さが通常の製品レベルのシリコンウエーハの鏡面に比べて大きなものとなる。したがって、イオン注入剥離法では、このようなダメージ層、表面粗さを除去することが必要になる。従来、このダメージ層等を除去するために、結合熱処理後の最終工程において、タッチポリッシュと呼ばれる研磨しろの極めて少ない鏡面研磨(取りしろ:100nm程度)が行われていた。
ところが、SOI層に機械加工的要素を含む研磨をしてしまうと、研磨の取りしろが均一でないために、水素イオンなどの注入、剥離によって達成されたSOI層の膜厚均一性が悪化してしまうという問題が生じる。
そこで、特開平10−242154号公報では、イオン注入剥離法で得られたSOIウエーハの表面を研磨することなく活性雰囲気(水素雰囲気)で熱処理することにより、面粗さを改善する方法が提案された。この方法であれば、SOI層の膜厚均一性を維持したままSOI層表面の面粗さを改善することができることが記載されている。
しかし、イオン注入剥離法で得られたSOIウエーハにはイオン注入に起因したダメージが存在し、このSOI層中のダメージは、表面側が大きく、内部になるにしたがい小さくなる。従って、上記のような活性雰囲気の熱処理を加えると、ダメージの回復はSOI層の内部から表面側に進行することになるが、表面側のダメージが大きい場合には、高温、長時間の熱処理が必要とされる上に、高温、長時間の熱処理を行っても、場合によっては完全に回復できないこともあった。
ダメージの大きさや深さは、水素イオンなどのガスイオンの注入エネルギーの大きさやドーズ量に影響されるものであるので、例えば、厚いSOI層や厚い埋め込み酸化膜を有するSOIウエーハを製造する場合のように注入エネルギーを大きくする必要がある場合や、剥離熱処理を低温で行う目的によりドーズ量を大きくする必要があるような場合には、上記の問題は顕著になる。
さらに、水素ガスを含有する還元性雰囲気下で高温、長時間の熱処理を行うと、SOI層表面のシリコンがエッチングされて膜厚均一性が劣化すると共に、埋め込み酸化膜にエッチピットが生じることがあった。これは、SOI層にCOP(Crystal Originated Particle)のような欠陥があり、それが下地の酸化膜までつながっていると、COPは消滅せずにそのまま残るか、あるいは拡大することもあるため、この欠陥を通して侵入した水素等によって埋め込み酸化膜までもがエッチングされてしまい、ここにピットが形成されることが原因である。このエッチピットは、その近傍のSOI層にも影響を与えるため問題であった。
以上のように、イオン注入剥離法によって得られるSOIウエーハのダメージ層や表面粗さをSOI層の膜厚均一性を維持しつつ除去するために、種々の方法が提案されたが、いまだに満足できるものはなく、適切な解決方法が望まれていた。
そこで本出願人らは特開2000−124092号公報のように、イオン注入剥離法において、剥離後のSOI層表面に残留するダメージ層、表面粗さを、SOI層の膜厚均一性を維持しつつ除去することにより高品質のSOIウエーハを製造する方法として、剥離後のSOI表面に対し、酸化性雰囲気下の熱処理により酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加える方法を提案した。
このように、酸化性雰囲気下の熱処理によりSOI層に酸化膜を形成してから酸化膜を除去するいわゆる犠牲酸化を行うことにより、酸化膜中にSOI層表面のダメージ層の一部または全部を取り込むことができるので、これを除去すればダメージ層を効率良く除去することができる。そして、次に還元性雰囲気下の熱処理を加えることにより、SOI層に残留するダメージ層を回復させるとともに、表面粗さを改善することができ、すでにSOI層表面のダメージ層の一部または全部を犠牲酸化により除去しているので還元性雰囲気下の熱処理の熱処理時間も短時間とすることができる。さらに、この方法では、機械加工的要素を含む研磨等を行う必要がないため、SOI層の膜厚均一性が劣化することもなく、イオン注入剥離法により極めて高品質のSOIウエーハを、より高生産性で製造することができるとされた。
上記したように、特開2000−124092号公報に記載された技術は、イオン注入剥離法において、剥離後にSOI層表面に残留するダメージ層、表面粗さを、SOI層の膜厚均一性を維持しつつ除去することができるという利点を有するものであったが、この技術に関し本発明者らがさらに追試を行ったところ、次のような欠点があることが判明し、このままでは量産技術としては不十分であることが明らかとなった。
1) 上記技術における犠牲酸化はイオン注入による剥離面を直接酸化しているため、酸化により酸化誘起積層欠陥(OSF:Oxidation induced Stacking Fault)が発生する場合があり、このOSFは、その後の還元性雰囲気の熱処理のみでは除去しきれない場合がある。
2) 還元性雰囲気の熱処理で十分に除去される表面粗さは主に短周期成分(例えば、周期1μm以下)のみであり、表面粗さの長周期成分(例えば、周期1〜10μm程度)の除去が不十分となる場合がある。
3) 還元性雰囲気として、水素ガスを多量に含有した雰囲気で高温熱処理を行なうと、水素ガスが貼り合わせ界面へ作用し、界面の侵食が大きくなる場合があり、デバイスプロセスにおける発塵の原因となる。
発明の開示
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、イオン注入剥離法により製造された貼り合わせウエーハの薄膜の膜厚均一性を維持しつつ表面のダメージや欠陥を確実に除去し、表面粗さを十分平坦なものとすることができ、しかも、量産技術として十分に適用可能な貼り合わせウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の貼り合わせウエーハの製造方法は、少なくとも、ガスイオンの注入により形成された微小気泡層を有するボンドウエーハと支持基板となるベースウエーハとを接合する工程と、前記微小気泡層を境界としてボンドウエーハを剥離してベースウエーハ上に薄膜を形成する工程とを有するイオン注入剥離法によって貼り合わせウエーハを製造する方法において、前記ボンドウエーハを剥離した後の貼り合わせウエーハに、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下で熱処理を施し、その後、該貼り合わせウエーハに熱酸化を行って前記薄膜の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を除去することにより前記薄膜の厚さを減ずることを特徴とする。
このように、剥離工程後の薄膜の剥離面に対し、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下で熱処理を行なって表面の平坦化処理とダメージ除去を行なった後に、酸化および酸化膜除去を行なうようにすれば、膜厚均一性を維持できるとともに、酸化によるOSFの発生を確実に回避することができる。
この場合、前記不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下での熱処理の後、前記薄膜の表面を70nm以下の取りしろで研磨し、その後前記熱酸化を行なうようにすることができる。
このように、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下での熱処理の後、表面をわずかに研磨する(取りしろ70nm以下、特には50nm以下)ことによって、表面粗さの長周期成分の改善をすることができる。
すなわち、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下での熱処理によって、表面粗さの短周期成分は十分に除去されるが、長周期成分が残存する場合があるので、これを研磨により除去するものである。このように、一旦熱処理が行なわれれば、表面粗さおよび表面のダメージが改善されているので、研磨しろを従来に比べて少なくすることができ、特には半分以下にすることも可能であり、薄膜の膜厚均一性に及ぼす影響を最小限に留めて、表面粗さの長周期成分の除去を確実に行なうことができる。
また、前記不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下での熱処理を、アルゴン100%雰囲気または爆発限界以下の水素を含むアルゴン雰囲気で行なうことをが好ましい。
このような雰囲気であれば、貼り合わせ界面の侵食を抑制しつつ、表面粗さおよび表面のダメージを改善することができる。
さらに、本発明においては、ボンドウエーハとして、シリコン単結晶ウエーハを用いるのが好ましい。
このように、高品質で大口径のウエーハが作製できるシリコン単結晶ウエーハをボンドウエーハとして用い、これにガスイオンを注入して剥離することによって、高品質のシリコン単結晶薄膜を有する大口径の貼り合わせウエーハを低コストで製造することができる。
そして、本発明方法によって製造される貼り合わせウエーハは、膜厚均一性が高いとともに、表面粗さおよび表面ダメージのない薄膜を有する高品質の貼り合わせウエーハとなる。
例えば、2枚のシリコンウエーハを酸化膜を介して貼り合わせて製造されたSOIウエーハであって、SOI層表面を1μm角および10μm角で測定した表面粗さ(RMS)がいずれも0.15nm以下であり、SOI層の膜厚のσが1.5nm以下である貼り合わせSOIウエーハを提供することができる。
以上説明したように、本発明によれば、イオン注入剥離法において、剥離した薄膜の表面に残留するダメージ層、表面粗さを、薄膜の膜厚均一性を維持しつつ、確実に除去することができる。したがって、きわめて高品質の貼り合わせウエーハを、高生産性で製造することができ、量産技術としてきわめて適した貼り合わせウエーハの製造方法である。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ここで、図1は本発明のイオン注入剥離法でSOIウエーハを製造する方法の製造工程の一例を示すフロー図である。
以下、本発明を2枚のシリコンウエーハを貼り合わせる場合を例にして説明する。
まず、図1のイオン注入剥離法において、工程(a)では、2枚のシリコン鏡面ウエーハを準備するものであり、デバイスの仕様に合った支持基板となるベースウエーハ1とSOI層となるボンドウエーハ2を準備する。
次に工程(b)では、そのうちの少なくとも一方のウエーハ、ここではボンドウエーハ2を熱酸化し、その表面に約0.1〜2.0μm厚の酸化膜3を形成する。
工程(c)では、表面に酸化膜を形成したボンドウエーハ2の片面に対して水素イオンまたは希ガスイオン等のガスイオン、ここでは水素イオンを注入し、イオンの平均進入深さにおいて表面に平行な微小気泡層(封入層)4を形成させる。
工程(d)は、水素イオンを注入したボンドウエーハ2の水素イオン注入面に、ベースウエーハ1を酸化膜を介して重ね合せて密着させる工程であり、通常は、常温の清浄な雰囲気下で2枚のウエーハの表面同士を接触させることにより、接着剤等を用いることなくウエーハ同士が接着する。
次に、工程(e)は、封入層4を境界としてボンドウエーハを剥離することによって、剥離ウエーハ5とSOIウエーハ6(SOI層7+埋め込み酸化膜3+ベースウエーハ1)に分離する剥離熱処理工程であり、例えば不活性ガス雰囲気下約400℃〜600℃の温度で熱処理を加えれば、封入層における結晶の再配列と気泡の凝集とによって剥離ウエーハ5とSOIウエーハ6に分離される。そして、この剥離したままのSOIウエーハ表面のSOI層7には、ダメージ層8が残留する。
また、注入する水素等のイオンを励起してプラズマ状態で注入したり、貼り合わせ面に対して予め窒素、酸素、水素等のプラズマ処理を行ったりして、貼り合わせ表面を活性化して密着することにより、剥離熱処理を省略することもできる。
この剥離工程後、工程(f)で結合熱処理工程を行う。この工程は、前記工程(d)(e)の密着工程および剥離熱処理工程で接合させたウエーハ同士の結合力では、そのままデバイス工程で使用するには弱いので、結合熱処理としてSOIウエーハ6に高温の熱処理を施し結合強度を十分なものとする。この熱処理は例えば不活性ガス雰囲気下、1000〜1300℃で30分から2時間の範囲で行うことが好ましい。ここまでの工程は、本発明の方法も、従来のイオン注入剥離法と同じである。
ただし、本発明においては、この結合熱処理を省略し、次工程の不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下の熱処理を、結合熱処理を兼ねるものとすることもできる(図1のf’参照)。これにより、従来の表面粗さあるいは表面のダメージを除去する方法に比べ工程の簡略化をすることができる。
次に、工程(g)で、結合熱処理工程(f)の後(または、結合熱処理を省略する場合は剥離工程(e)の後)のSOIウェーハに不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下、通常のヒータ加熱式の熱処理炉(バッチ炉)を使用して熱処理を行い、SOI表面の表面粗さの改善とダメージを除去する。熱処理温度は1100℃〜1350℃が適切である。1100℃未満であると、表面粗さの改善をするのに、長時間が必要となる。また、1350℃を超える温度では重金属不純物による汚染や熱処理炉の耐久性に問題が発生する場合がある。また、熱処理時間は熱処理温度にも依存するが10分〜8時間の範囲が適切である。これより短時間では表面粗さの改善が不十分になることがあり、これより長時間では生産性が低下してしまう。一方、上記熱処理をRTA(Rapid Thermal Annealing)装置を用いて行う場合には、熱処理温度は1200℃以上とし、熱処理時間は1〜120秒とすることが好適である。また、これらのバッチ炉による熱処理とRTA装置による熱処理を組み合わせて行うこともできる。
熱処理雰囲気としては、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気であればよいが、水素ガスの割合が多いと前述のような貼り合わせ界面への侵食が発生しやすくなること、および熱処理によるスリップ転位が発生しやすくなることから、水素ガスの含有量は25%以下とすることが好ましい。さらに、安全上の観点から、水素ガスは爆発限界(4%)以下の含有量とすることがより好ましい。不活性ガスとしては、最も安価で汎用性が高いアルゴンガスが好適であるが、ヘリウム等を用いてもよい。
このように、本発明では、剥離面に直接犠牲酸化膜を形成するのではなく、まず工程(g)の熱処理を施すことによって、薄膜にOSFを発生させることなく、かつ膜厚均一性を悪化させることなく、表面粗さと表面のダメージを改善するようにする。
次に、工程(g)の熱処理のみではSOI表面のダメージが除去しきれない場合が多いので、工程(h)の熱酸化工程により、SOI表面のダメージを酸化膜に取り込むと同時に、得られるSOI層の厚さが所望の厚さになるように形成する熱酸化膜の厚さを調整する。このようにSOI層の減厚を熱酸化で行なえば、膜厚均一性をほとんど悪化させることなく薄膜化が可能である。
そして、工程(i)において、例えばHFを含有する水溶液を用いて熱酸化膜の除去を行えば、所望の膜厚のSOI層を有するSOIウエーハが形成される。
こうして、膜厚均一性を維持しつつ、確実に表面粗さおよび表面のダメージを除去した所望厚さのSOI層を有するSOIウエーハを得ることができる。
なお、工程(g)の熱処理後、熱酸化工程(h)の前に、必要に応じて、取りしろ70nm以下、特には50nm以下の研磨工程を付加することもできる(図1のg’参照)。この研磨工程を加えることにより、工程(g)の熱処理で除去しきれなかった表面粗さの長周期成分を確実に除去することができる。また、研磨しろを70nm以下、特には50nm以下に限定しているため、従来の研磨しろ(100nm程度、あるいはそれ以上)に比べれば少なく、例えば半分以下とすることもでき、SOI層の膜厚均一性の低下を格段に抑制することができる。 以下、本発明の実施例および比較例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例1〜4および比較例1〜3)
チョクラルスキー法により作製された結晶方位〈100〉で、導電型がp型で、抵抗率が20Ω・cmのシリコン単結晶インゴットをスライスして、これを加工することによって直径200mmのシリコン鏡面ウエーハを作製した。これらをボンドウエーハとベースウエーハに分け、図1(a)〜(i)に示す工程に従った本発明のイオン注入剥離法によりSOIウエーハを製造することにした。
まず、図1の(a)〜(e)にしたがい、ボンドウエーハ2を剥離して、SOIウエーハ6を得た。この時、埋め込み酸化膜3の厚さは400nmとし、その他イオンの注入等の主な条件は次の通りとした。
1)イオン注入条件:H+イオン、注入エネルギー 90keV、
注入線量 6.5×1016/cm2
2)剥離熱処理条件:N2ガス雰囲気下、500℃、30分
こうして厚さ437nmのSOI層7を有するSOIウエーハ6を得ることができたが、図1(e)の剥離したままのSOIウエーハ6の表面(剥離面)の表面粗さを、原子間力顕微鏡法により1μm角で測定したところ、RMS値(二乗平均平方根粗さ)で平均6.7nmであった。この値は、通常の鏡面研磨されたシリコン単結晶ウエーハの表面粗さの10倍以上の値で、剥離したままのSOI層の表面は局部的な面粗れ(短周期成分)が大きいことがわかる。また、長周期成分の目安となる10μm角のRMS値も平均5.5nmと大きかった。
これらの剥離工程(e)直後のSOIウェーハを用いて、その後の工程を表1および表2に示したそれぞれの処理フローでSOIウェーハを加工した。こうして得られたそれぞれの貼り合わせウエーハのSOI層の表面粗さ(RMS)、膜厚均一性(平均値t、標準偏差σ)、欠陥密度を測定した。各処理条件および測定条件は表3に示した。
ここで、SOI層の欠陥測定方法について簡単に説明する。
本発明のような薄膜SOIの場合、通常のシリコンウエーハの選択エッチングに用いられるセコエッチング液(重クロム酸とフッ酸と水の混合液)ではエッチングレートが速すぎ、短時間でSOI層がエッチング除去されてしまうため、欠陥の評価に適さない。
そこで、セコエッチング液を純水で希釈してエッチングレートを低下させた希釈セコエッチングを用いてSOI層が所定の厚さになるまでエッチングを行なう。これにより、SOI層中の欠陥部分はSOI層を貫通する微小ピットとなる。この微小ピットのままでは観察が困難であるので、フッ酸に浸漬することにより微小ピットを通じて埋め込み酸化膜をエッチングして欠陥部分を顕在化させれば、薄膜SOI層の表面から光学顕微鏡により容易に観察することができる。
本実施例および比較例においては、市販されている通常のセコエッチング液を2倍に希釈して用い、SOI層の残し厚が約30nmになった所で希釈セコエッチングを終了させた。その後、25重量%のフッ酸に90秒間浸漬させ、埋め込み酸化膜に形成されたピットを倍率100倍の光学顕微鏡により観察することにより、欠陥密度を測定した。
測定結果を表4、表5に記載した。
表4および表5の結果より、イオン注入による表面粗さおよび表面のダメージを十分に除去し、欠陥の少ないSOI層を形成するためには、実施例1ないし実施例4に示した本発明の製造方法が好適であることがわかる。また、実施例1は、剥離面の研磨除去を全く行なっていないため膜厚均一性も極めて優れている。表面粗さの長周期成分に関しては、70nm以下の研磨を行なった実施例2〜4と比較するとわずかに低いものの、剥離直後に比べて1桁以上の改善が得られている。また、実施例2〜4については、研磨による影響のため膜厚均一性に若干の低下がみられるが、依然としてσが1.0〜1.5nmという高水準を維持している。また、表面粗さに関しては、短周期成分、長周期成分ともに極めて高品質なものが得られている。
一方、比較例1のように、Arアニールのみでは欠陥密度が著しく高く、表面のダメージが完全には除去できていないことがわかる。また、比較例2のように、Arアニール前に犠牲酸化を行なうことによって欠陥の低減効果は得られているが、酸化工程でのOSFの発生により、実施例1〜4に比べれば欠陥密度が高いことがわかる。また、比較例3のように、研磨のみでは欠陥密度が著しく高い上に、100nmも研磨していることから膜厚均一性が悪い。
したがって、本発明によれば、例えば、SOI層表面を1μm角および10μm角で測定した表面粗さ(RMS)がいずれも0.15nm以下であり、SOI層の膜厚のσが1.5nm以下であり、しかも欠陥密度が103個/cm2未満である貼り合わせSOIウエーハを作製できることがわかる。
さらに、上記実施例では表面粗さを改善する熱処理の雰囲気としてAr100%雰囲気を用いているが、これに代えて水素ガス3%を含むアルゴン雰囲気で実施したところ、上記とほぼ同様の結果が得られた。そして、上記実施例1〜4におけるAr100%雰囲気、およびこれに代えた水素ガス3%を含むアルゴン雰囲気での熱処理では、水素100%雰囲気の熱処理のように水素を多量に含有する雰囲気を用いた熱処理で見られるような貼り合わせ界面の侵食は観察されなかった。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
例えば、上記では2枚のシリコンウエーハを貼り合わせてSOIウエーハを製造する場合を中心に説明したが、本発明は、この場合に限定されるものではなく、シリコンウエーハにイオン注入後に絶縁性ウエーハと結合し、シリコンウエーハを剥離してSOIウエーハを製造する場合や、イオン注入するウエーハとしてGaAs等の化合物半導体ウエーハを用いる場合にも当然に適用可能である。
また、本発明の貼り合わせウエーハの製造工程も、図1に示したものに限定されるものではなく、この工程には、洗浄、熱処理等の他の工程が付加されることもあるし、あるいは一部工程順の入れ替え、省略等を目的に応じて適宜行うことができるものである。
【図面の簡単な説明】
図1(a)〜(i)は、本発明のイオン注入剥離法によるSOIウエーハの製造工程の一例を示すフロー図である。
Claims (3)
- 少なくとも、ガスイオンの注入により形成された微小気泡層を有するボンドウエーハと支持基板となるベースウエーハとを接合する工程と、前記微小気泡層を境界としてボンドウエーハを剥離してベースウエーハ上に薄膜を形成する工程とを有するイオン注入剥離法によって貼り合わせウエーハを製造する方法において、前記ボンドウエーハを剥離した後の貼り合わせウエーハに、アルゴン100%雰囲気または爆発限界以下の水素を含むアルゴン雰囲気下で、ヒータ加熱式の熱処理炉(バッチ炉)を使用して、熱処理温度は1100℃〜1350℃、熱処理時間は10分〜8時間の熱処理を施すことにより、剥離工程後の薄膜の剥離面に対し、表面の平坦化処理とダメージ除去を行なった後に、該貼り合わせウエーハに熱酸化を行って前記薄膜の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を除去することによりOSFを発生させることなく前記薄膜の厚さを減ずることを特徴とする貼り合わせウエーハの製造方法。
- 前記アルゴン100%雰囲気または爆発限界以下の水素を含むアルゴン雰囲気下での熱処理の後、前記薄膜の表面を70nm以下の取りしろで研磨し、その後前記熱酸化を行なうことを特徴とする請求項1に記載した貼り合わせウエーハの製造方法。
- 前記ボンドウエーハとして、シリコン単結晶ウエーハを用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載した貼り合わせウエーハの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001216828 | 2001-07-17 | ||
JP2001216828 | 2001-07-17 | ||
PCT/JP2002/006965 WO2003009386A1 (fr) | 2001-07-17 | 2002-07-09 | Procede de production de plaquettes de liaison |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2003009386A1 JPWO2003009386A1 (ja) | 2004-11-11 |
JP4526818B2 true JP4526818B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=19051250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003514627A Expired - Fee Related JP4526818B2 (ja) | 2001-07-17 | 2002-07-09 | 貼り合わせウエーハの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6884696B2 (ja) |
EP (1) | EP1408551B1 (ja) |
JP (1) | JP4526818B2 (ja) |
KR (1) | KR100874724B1 (ja) |
CN (1) | CN100454552C (ja) |
TW (1) | TWI270940B (ja) |
WO (1) | WO2003009386A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103952766A (zh) * | 2014-05-12 | 2014-07-30 | 山东大学 | 一种利用离子注入制备磷酸钛氧钾薄膜的方法 |
Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7256104B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate manufacturing method and substrate processing apparatus |
JP2005005674A (ja) * | 2003-05-21 | 2005-01-06 | Canon Inc | 基板製造方法及び基板処理装置 |
JPWO2005027217A1 (ja) * | 2003-09-08 | 2007-11-08 | 株式会社Sumco | Soiウェーハおよびその製造方法 |
JP4285244B2 (ja) * | 2004-01-08 | 2009-06-24 | 株式会社Sumco | Soiウェーハの作製方法 |
US7418640B2 (en) * | 2004-05-28 | 2008-08-26 | Synopsys, Inc. | Dynamically reconfigurable shared scan-in test architecture |
JP4407384B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2010-02-03 | 株式会社Sumco | Soi基板の製造方法 |
KR100898649B1 (ko) * | 2004-05-28 | 2009-05-22 | 가부시키가이샤 섬코 | Soi기판 및 그 제조방법 |
JP4826994B2 (ja) * | 2004-09-13 | 2011-11-30 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハの製造方法 |
JP4696510B2 (ja) * | 2004-09-15 | 2011-06-08 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハの製造方法 |
CN101036222A (zh) * | 2004-09-21 | 2007-09-12 | S.O.I.Tec绝缘体上硅技术公司 | 通过实施共注入获得薄层的方法和随后的注入 |
US7563691B2 (en) * | 2004-10-29 | 2009-07-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method for plasma enhanced bonding and bonded structures formed by plasma enhanced bonding |
US7276430B2 (en) * | 2004-12-14 | 2007-10-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Manufacturing method of silicon on insulator wafer |
JP2006210899A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-08-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Soiウエーハの製造方法及びsoiウェーハ |
JP2006216826A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Sumco Corp | Soiウェーハの製造方法 |
JP4934966B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2012-05-23 | 株式会社Sumco | Soi基板の製造方法 |
KR20070107180A (ko) | 2005-02-28 | 2007-11-06 | 실리콘 제너시스 코포레이션 | 기판 강화 방법 및 그 결과물인 디바이스 |
US7674687B2 (en) * | 2005-07-27 | 2010-03-09 | Silicon Genesis Corporation | Method and structure for fabricating multiple tiled regions onto a plate using a controlled cleaving process |
US7166520B1 (en) * | 2005-08-08 | 2007-01-23 | Silicon Genesis Corporation | Thin handle substrate method and structure for fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process |
US20070029043A1 (en) * | 2005-08-08 | 2007-02-08 | Silicon Genesis Corporation | Pre-made cleavable substrate method and structure of fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process |
US7427554B2 (en) * | 2005-08-12 | 2008-09-23 | Silicon Genesis Corporation | Manufacturing strained silicon substrates using a backing material |
US7740593B2 (en) * | 2005-12-09 | 2010-06-22 | Senorx, Inc | Guide block for biopsy or surgical devices |
JP4839818B2 (ja) * | 2005-12-16 | 2011-12-21 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせ基板の製造方法 |
EP1981063B1 (en) * | 2005-12-27 | 2021-04-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Process for producing a soi wafer |
US7863157B2 (en) * | 2006-03-17 | 2011-01-04 | Silicon Genesis Corporation | Method and structure for fabricating solar cells using a layer transfer process |
US7598153B2 (en) * | 2006-03-31 | 2009-10-06 | Silicon Genesis Corporation | Method and structure for fabricating bonded substrate structures using thermal processing to remove oxygen species |
EP2002484A4 (en) | 2006-04-05 | 2016-06-08 | Silicon Genesis Corp | METHOD AND STRUCTURE FOR MANUFACTURING PHOTOVOLTAIC CELLS USING A LAYER TRANSFER PROCESS |
US8268705B2 (en) * | 2006-04-24 | 2012-09-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing SOI wafer |
US7376303B2 (en) * | 2006-07-20 | 2008-05-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical coupling assembly |
JP2008028070A (ja) | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Sumco Corp | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
US8153513B2 (en) * | 2006-07-25 | 2012-04-10 | Silicon Genesis Corporation | Method and system for continuous large-area scanning implantation process |
FR2912258B1 (fr) * | 2007-02-01 | 2009-05-08 | Soitec Silicon On Insulator | "procede de fabrication d'un substrat du type silicium sur isolant" |
FR2912259B1 (fr) | 2007-02-01 | 2009-06-05 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat du type "silicium sur isolant". |
EP2128891B1 (en) * | 2007-02-28 | 2015-09-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Process for producing laminated substrate |
JP5135935B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2013-02-06 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウエーハの製造方法 |
US20090206275A1 (en) * | 2007-10-03 | 2009-08-20 | Silcon Genesis Corporation | Accelerator particle beam apparatus and method for low contaminate processing |
US8101501B2 (en) * | 2007-10-10 | 2012-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
JP4636110B2 (ja) | 2008-04-10 | 2011-02-23 | 信越半導体株式会社 | Soi基板の製造方法 |
JP5522175B2 (ja) | 2009-09-04 | 2014-06-18 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハの製造方法 |
JP2011253906A (ja) | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
JP5673180B2 (ja) * | 2011-02-14 | 2015-02-18 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
JP5802436B2 (ja) | 2011-05-30 | 2015-10-28 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
JP5799740B2 (ja) * | 2011-10-17 | 2015-10-28 | 信越半導体株式会社 | 剥離ウェーハの再生加工方法 |
JP5927894B2 (ja) | 2011-12-15 | 2016-06-01 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハの製造方法 |
JP2013143407A (ja) | 2012-01-06 | 2013-07-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 |
JP5673572B2 (ja) | 2012-01-24 | 2015-02-18 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 |
JP6056516B2 (ja) * | 2013-02-01 | 2017-01-11 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハの製造方法及びsoiウェーハ |
JP6086031B2 (ja) | 2013-05-29 | 2017-03-01 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
FR3007576B1 (fr) * | 2013-06-19 | 2015-07-10 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert d'une couche de circuits. |
FR3007891B1 (fr) * | 2013-06-28 | 2016-11-25 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure composite |
JP6090184B2 (ja) | 2014-01-27 | 2017-03-08 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの洗浄槽及び貼り合わせウェーハの製造方法 |
JP6107709B2 (ja) | 2014-03-10 | 2017-04-05 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 |
JP6036732B2 (ja) * | 2014-03-18 | 2016-11-30 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
JP6152829B2 (ja) * | 2014-06-17 | 2017-06-28 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハの製造方法 |
FR3034565B1 (fr) * | 2015-03-30 | 2017-03-31 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure presentant une couche dielectrique enterree d'epaisseur uniforme |
JP6473970B2 (ja) * | 2015-10-28 | 2019-02-27 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 |
JP6513041B2 (ja) | 2016-02-19 | 2019-05-15 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの熱処理方法 |
JP6500845B2 (ja) * | 2016-06-14 | 2019-04-17 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
US11414782B2 (en) | 2019-01-13 | 2022-08-16 | Bing Hu | Method of separating a film from a main body of a crystalline object |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
US5989981A (en) * | 1996-07-05 | 1999-11-23 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method of manufacturing SOI substrate |
JP3660469B2 (ja) | 1996-07-05 | 2005-06-15 | 日本電信電話株式会社 | Soi基板の製造方法 |
KR100232886B1 (ko) | 1996-11-23 | 1999-12-01 | 김영환 | Soi 웨이퍼 제조방법 |
JP3522482B2 (ja) | 1997-02-24 | 2004-04-26 | 三菱住友シリコン株式会社 | Soi基板の製造方法 |
JP3518324B2 (ja) | 1997-03-27 | 2004-04-12 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの熱処理方法およびシリコンウエーハ |
US6403502B1 (en) * | 1997-03-27 | 2002-06-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Heat treatment method for a silicon wafer and a silicon wafer heat-treated by the method |
US6103599A (en) * | 1997-07-25 | 2000-08-15 | Silicon Genesis Corporation | Planarizing technique for multilayered substrates |
US5920764A (en) * | 1997-09-30 | 1999-07-06 | International Business Machines Corporation | Process for restoring rejected wafers in line for reuse as new |
JPH11354761A (ja) * | 1998-06-09 | 1999-12-24 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Soi基板及びその製造方法 |
JP2000124092A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 水素イオン注入剥離法によってsoiウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたsoiウエーハ |
EP1158581B1 (en) * | 1999-10-14 | 2016-04-27 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing soi wafer |
JP3943782B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2007-07-11 | 信越半導体株式会社 | 剥離ウエーハの再生処理方法及び再生処理された剥離ウエーハ |
-
2002
- 2002-07-09 EP EP02743891.0A patent/EP1408551B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-09 KR KR1020037003660A patent/KR100874724B1/ko active IP Right Grant
- 2002-07-09 WO PCT/JP2002/006965 patent/WO2003009386A1/ja active Application Filing
- 2002-07-09 US US10/380,979 patent/US6884696B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-09 JP JP2003514627A patent/JP4526818B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-09 CN CNB028024648A patent/CN100454552C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-15 TW TW091115723A patent/TWI270940B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103952766A (zh) * | 2014-05-12 | 2014-07-30 | 山东大学 | 一种利用离子注入制备磷酸钛氧钾薄膜的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100874724B1 (ko) | 2008-12-19 |
CN1465104A (zh) | 2003-12-31 |
EP1408551A1 (en) | 2004-04-14 |
CN100454552C (zh) | 2009-01-21 |
US20030181001A1 (en) | 2003-09-25 |
EP1408551B1 (en) | 2014-07-02 |
KR20040029292A (ko) | 2004-04-06 |
EP1408551A4 (en) | 2009-06-17 |
US6884696B2 (en) | 2005-04-26 |
WO2003009386A1 (fr) | 2003-01-30 |
JPWO2003009386A1 (ja) | 2004-11-11 |
TWI270940B (en) | 2007-01-11 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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