JP2006013484A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. ウエハスケール・パッケージ用のリッドを形成するための方法であって、
   基板内に空洞を形成し、
   前記ウエハ上における前記空洞上と前記空洞の周囲のボンディング領域上とに酸化物層を形成し、
   前記酸化物層上に反射層を形成し、
   前記反射層上に障壁層を形成し、
   前記障壁層の一部分をエッチングして、前記ボンディング領域の上の前記反射層の一部分を露出させ、及び、
   前記反射層の一部分の上にはんだ層を形成する
   ことを含む、方法。
2. 前記基板内に空洞を形成することが、前記基板を異方性エッチングして前記空洞を形成することを含み、
   ウエハ上面からずらして配向された第１の結晶平面を、前記基板が含んでいることにより、前記空洞が、前記ウエハ上面に対する垂線から４５°に配向された第２の結晶平面に沿った面を含むことからなる、請求項１に記載の方法。
3. 前記反射層を形成することが、金属スタック層を形成することを含み、及び、
   前記障壁層を形成することが、前記金属スタック層上に金属酸化物層を熱蒸着させることを含むことからなる、請求項１又は２に記載の方法。
4. （ａ）前記金属スタック層が、チタン層と、該チタン層上に設けられたプラチナ層と、該プラチナ層上に設けられた金層とを含み、
   （ｂ）前記金属酸化物層が、二酸化チタン層を含み、及び、
   （ｃ）前記はんだ層が、金錫はんだを含むことからなる、請求項３に記載の方法。
5. 前記障壁層の一部分をエッチングすることが、
   フォトレジスト層を前記障壁層上にパターニングして、前記反射層の一部分上にウィンドウを形成し、
   前記ウィンドウにより露出された前記障壁層の一部分をエッチングし、及び、
   前記反射層の一部分上に前記はんだ層を形成することの後か又は前に、前記フォトレジスト層を剥離する
   ことを含むことからなる、請求項１乃至４の何れか１項に記載の方法。
6. 前記障壁層が、窒化物、ホウ化物、フッ化物、フルオロカーボン、及びポリイミドを含むグループから選択されたもので構成されていることからなる、請求項１乃至５の何れかに記載の方法。
7. ウエハスケール・パッケージ用のリッドであって、
   本体によって画定された空洞の周囲にあるボンディング領域を含む該本体と、
   前記ボンディング領域と前記空洞との上にある酸化物層と、
   前記酸化物層上にある反射層と、
   前記空洞内における前記反射層の一部分の上に設けられた障壁層と、
   前記ボンディング領域上の前記反射層の別の一部分の上に設けられたはんだ層
   とを備える、リッド。
8. 第１の結晶平面に沿った表面を、前記空洞が含み、
   前記本体の上面からずらして配向された第２の結晶平面を、前記本体が含み、従って、前記第１の結晶平面に沿った表面が、前記上面から４５°に配向されていることからなる、請求項７に記載のリッド。
9. チタンとプラチナと金とを含む金属スタックを、前記反射層が含み、
   二酸化チタン層を、前記障壁層が含み、及び、
   金錫はんだを、前記はんだ層が含むことからなる、請求項７又は８に記載のリッド。
10. 前記障壁層が、窒化物、ホウ化物、フッ化物、フルオロカーボン、及びポリイミドを含むグループから選択されたもので構成されていることからなる、請求項７乃至９の何れか１項に記載のリッド。