JP2006253395A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 表面に動作層が形成された半導体基板と、
   この半導体基板の動作層上に離間して形成されたドレイン電極及びソース電極と、
   前記ドレイン電極及び前記ソース電極の形成部位を除く前記動作層の表面を覆うように形成された表面保護膜と、
   前記ドレイン電極と前記ソース電極との間に配置され、前記表面保護膜の表面からこの表面保護膜を貫通して前記動作層にショットキ接合されたゲート電極と、
   前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間の前記表面保護膜上に、前記ゲート電極から所定の距離をおいて形成されたフィールドプレート電極と、
   前記ゲート電極と前記フィールドプレート電極とを前記表面保護膜の表面から間隙をおいて橋状に接続する配線とを有することを特徴とする半導体装置。
2. 前記表面保護膜は窒化シリコン（ＳｉＮ）膜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記表面保護膜は酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
4. 表面に動作層が形成された半導体基板上に離間してドレイン電極及びソース電極を形成し、これらドレイン電極及びソース電極の形成部位を除く前記動作層の表面に表面保護膜を形成する工程と、
   前記ドレイン電極、ソース電極及び表面保護膜の上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジスト膜にゲート電極形成用の開口を形成するとともに、この開口を通して前記表面保護膜にゲート電極形成用の開口を形成する工程と、
   前記ゲート電極形成用の開口を形成したフォトレジスト膜を除去した後に全面に絶縁膜を堆積し、この絶縁膜にゲート電極形成用の開口及びフィールドプレート電極形成用の開口を形成する工程と、
   前記絶縁膜及びこの絶縁膜に形成された前記ゲート電極形成用の開口及び前記フィールドプレート電極形成用の開口を含む全表面にフォトレジスト層を形成する工程と、
   このフォトレジスト層にゲート電極、フィールドプレート電極、及び開口部を有する配線のそれぞれを形成するための開口を形成する工程と、
   前記フォトレジスト層及びこのフォトレジスト層に形成された前記ゲート電極、フィールドプレート電極、及び開口部を有する配線のそれぞれを形成するための開口を含む全表面に金属膜を被着する工程と、
   前記ゲート電極、フィールドプレート電極、及び開口部を有する配線を除く他の部位の前記金属膜及び前記フォトレジスト層を除去する工程と、
   前記開口部を有する配線の開口部から、この配線と前記表面保護膜との間にある前記絶縁膜を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 前記表面保護膜は窒化シリコン（ＳｉＮ）膜であり、前記絶縁膜は感光性有機膜であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記表面保護膜は酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜であり、前記絶縁膜は窒化シリコン膜（ＳｉＮ）であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。