JP2005109389A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 半導体基板と、
   前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
   前記ゲート電極に隣接して前記半導体基板の表面に形成された低濃度拡散層と、
   前記ゲート電極から離れて前記半導体基板の表面に形成された高濃度拡散層と、
   前記低濃度拡散層上に形成され、金属シリサイドの形成を阻止する金属シリサイドブロック層と、
   前記低濃度拡散層上を除き、前記ゲート電極上及び前記高濃度拡散層上に形成された金属シリサイド層と、を有することを特徴とする半導体装置。
2. 半導体基板と、
   前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
   前記ゲート電極の側壁に形成されたサイドウオールスペーサ絶縁膜と、
   前記ゲート電極に隣接して前記半導体基板の表面に形成された低濃度拡散層と、
   前記サイドウオールスペーサ絶縁膜から離れて前記半導体基板の表面に形成された高濃度拡散層と、
   前記低濃度拡散層上を除き、前記ゲート電極上及び前記高濃度拡散層上に形成された金属シリサイド層と、を有することを特徴とする半導体装置。
3. 前記金属シリサイド層は、チタンシリサイド層であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
4. 半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
   前記ゲート電極に隣接して前記半導体基板の表面に低濃度拡散層を形成する工程と、
   前記ゲート電極から前記低濃度拡散層より離れて前記半導体基板の表面に高濃度拡散層を形成する工程と、
   全面にシリサイドブロック層を形成する工程と、
   前記ゲート電極及び前記高濃度拡散層上の前記シリサイドブロック層を選択的に除去して、前記ゲート電極及び前記高濃度拡散層の少なくとも一部を露出させる工程と、
   全面に金属層を被着する工程と、
   熱処理により前記ゲート電極及び前記高濃度拡散層と接触した前記金属層を反応させてシリサイド化し、前記ゲート電極上及び前記高濃度拡散層上に金属シリサイド層を形成する工程と、
   前記シリサイドブロック層上のシリサイド化していない前記金属層を選択的に除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 前記シリサイドブロック層は、シリコン酸化膜から成ること特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
   前記ゲート電極に隣接して前記半導体基板の表面に低濃度拡散層を形成する工程と、
   前記ゲート電極から前記低濃度拡散層より離れて前記半導体基板の表面に高濃度拡散層を形成する工程と、
   前記ゲート電極上及び前記高濃度拡散層上に選択的に金属層を形成する工程と、
   熱処理により前記ゲート電極及び前記高濃度拡散層と接触した前記金属層を反応させてシリサイド化し、前記ゲート電極上及び前記高濃度拡散層上に金属シリサイド層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 前記金属シリサイド層は、チタンシリサイド層であることを特徴とする請求項４、５、６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。