JP2003224261A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 半導体基板と、
   該半導体基板の表面上に形成されたゲート絶縁膜と、
   該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
   前記半導体基板に形成されたソース層およびドレイン層となる拡散層と、
   前記拡散層の上方に形成されたシリサイド層とを備えた半導体装置であって、
   当該半導体装置の表面に対して垂直な断面において、酸素の濃度が最大となる酸素濃度ピークが前記半導体基板の表面よりも下にあることを特徴とする半導体装置。
2. 不活性物質の濃度が最大となる不活性物質濃度ピークの前記半導体基板の表面からの深さおよび前記半導体基板の表面からの前記酸素濃度ピークの深さがほぼ等しいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記半導体基板の表面からの前記酸素濃度ピークの深さまたは前記半導体基板の表面からの前記不活性物質濃度ピークの深さのうちいずれか一方若しくは両方は、前記半導体基板の表面からの前記拡散層の深さよりも浅いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
4. 半導体基板の表面上にゲート絶縁膜を形成するステップと、
   該ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するステップと、
   該ゲート電極の両側にある前記半導体基板に自己整合的に拡散層を形成するステップと、
   前記拡散層における前記半導体基板の表面上に非晶質層を形成する非晶質層形成ステップと、
   前記半導体基板の表面と前記非晶質層との境界を通して前記半導体基板へ不活性物質をイオン注入する注入ステップと、
   前記半導体基板を比較的低温で熱処理することによって前記非晶質層の一部分を単結晶層にさせる熱処理ステップと、
   前記単結晶上に金属をスパッタリングすることによって該単結晶および該金属からシリサイド層を形成するステップと、
   を具備した半導体装置の製造方法。
5. 前記熱処理ステップにおいて、前記非晶質層のうち、前記拡散層上にある非晶質層のみを単結晶層にし、それ以外の非晶質層を非晶質層のまま、若しくは多結晶層にし、
   前記熱処理ステップの後、前記非晶質層または前記多結晶層を選択的に除去するエッチングステップをさらに備えたことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。