JP2006024887A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、結晶性がよく、熱処理工程を減らすことによって高温の熱処理温度による基板の曲がりを防止することができる半導体装置の製造方法及びこれを用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】基板10上に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着し、不純物をドーピングしてソース/ドレイン領域を形成し、H2O雰囲気、一定温度下で熱処理して非晶質シリコンを結晶化すると同時に不純物を活性化して半導体層24を形成することにより、熱処理工程を減らすことによって熱による基板10の損傷を防止することができる。
【選択図】 図5
【解決手段】基板10上に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着し、不純物をドーピングしてソース/ドレイン領域を形成し、H2O雰囲気、一定温度下で熱処理して非晶質シリコンを結晶化すると同時に不純物を活性化して半導体層24を形成することにより、熱処理工程を減らすことによって熱による基板10の損傷を防止することができる。
【選択図】 図5
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、さらに詳細には、半導体装置に含まれる結晶性が優秀な多結晶シリコンを結晶化すると同時に結晶化時高温の結晶化温度による基板の曲がりを防止することができる半導体装置の製造方法及びこれを用いて製造される半導体装置に関する。
有機電界発光装置に用いる能動形素子には通常的に画素領域と周辺駆動領域に電流を供給するために使われる薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;TFT)には多結晶シリコンを用いる。
一般的に多結晶シリコンは非晶質シリコンを結晶化させることによって形成する。通常の結晶化方法では、結晶化温度を基準にして、500℃の前と後とで低温結晶化法と高温結晶化法に分けられる。
低温結晶化法としては、エキシマレーザーを用いるELA(Eximer Laser Annealing)法が主に行われている。このエキシマレーザーアニーリング法は、結晶化温度が450℃程度であるため、ガラス基板を用いることができるが、製造費用が高くなり、基板の大きさが制限されるのでディスプレイ全体の製造費用がするという短所がある。
高温結晶化法としては、固相熱処理法(Solid Phase Crystallization)、急速熱処理法(Rapid Thermal Annealing Process)などがあって、低費用熱処理方法が広く使われている。
しかし、固相熱処理法は600℃以上で20時間以上加熱して結晶化しなければならないので結晶化された多結晶シリコンに結晶欠陥(defect)が多く含まれて充分な電界移動度を得ることができず、加えて熱処理工程中に基板が変形されやすいという問題点がある。そこで、結晶化温度を低く設定した場合には、生産性が落ちるという短所がある。また、高温の結晶化温度を用いるためガラス基板を用いることができない短所がある。
一方、急速熱処理法(RTA)は比較的短い時間で工程が行われることができるが、大きな熱的衝撃によって基板が変形されやすく、また結晶化された多結晶シリコンの電気的特性がよくないという短所がある。
したがって、能動形素子の製造費用を節減するためには結晶化工程における費用が低廉な高温熱処理法を用いる必要性があるが、低費用のガラス基板を用いながらも基板の曲がりなどの問題点が発生せず、しかも結晶性も優秀な高温熱処理法を開発する必要性がある。
従来の方法として、基板上に非晶質シリコン膜を蒸着した後、レーザーアニーリング方法によって非晶質シリコン膜を結晶化させ、この結晶化された多結晶シリコン膜に不純物を領域を形成して、不純物領域をRTA(Rapid Thermal Annealing)法によって活性化させる工程を含む半導体装置の製造方法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
また、他の従来の方法として、基板上に非晶質シリコン膜をエッチングすると同時に熱的アニーリングして約50%以下で結晶化を進行させて、もう一度RTAによって結晶化させることによって、全体的に90%以上の結晶化された多結晶シリコン薄膜を得る方法が知られている(例えば、特許文献2参照。)。
韓国特許公開番号1997−8658号
韓国特許公開番号1995−9981号
しかしながら、上記の従来の方法では、先に非晶質シリコンを結晶化した後に、不純物の活性化工程においてもう一度高温状態で活性化工程と共に非晶質シリコンを結晶化する工程を含んでおり、特に活性化工程時RTA温度が700℃〜950℃(特に、韓国特許公開番号1995−9981号公報記載の発明では1000℃以上)で相当に高いために基板に変形が生じる可能性があるという問題点がある。
本発明は、上述の問題点を解決するために創案されたものであって、本発明の目的は、結晶性が良好で、しかも多結晶シリコンを結晶化すると同時に不純物の活性化工程をも行えるようにすることによって、熱処理工程を減らすことができ、高温の熱処理温度による基板の曲がりを防止することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
本発明は前記目的を達成するために、本発明の第1の特徴は、半導体装置の製造方法であって、基板上に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着する工程と、前記シリコン層を不純物でドーピングしてソース/ドレイン領域を定義する工程と、H2O雰囲気、一定温度下で熱処理して前記非晶質シリコンを結晶化すると同時に不純物を活性化して半導体層を形成する工程と、前記半導体層に上部に基板全面にかけてゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上部に前記半導体層のチャネル領域に対応するゲート電極を形成する工程とを含むことを要旨とする。
また、本発明の第2の特徴は、基板上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上部に基板全面にかけてゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上部に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着する工程と、フォトレジストパターンを用いて不純物を前記シリコン層に浸透させてソース/ドレイン、チャネル領域を形成する工程と、フォトレジストパターンを除去した後、H2O雰囲気、一定温度下で熱処理して前記非晶質シリコンを結晶化すると同時に不純物を活性化する段階を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
また、本発明の第2の特徴は、上記の方法のうちいずれか一つによって製造される半導体装置の多結晶シリコン薄膜の(半値全幅)FWHMは7.5cm−1以下であることを特徴とする半導体装置を提供する。
さらに、本発明の半導体装置は、有機電界発光表示装置または液晶ディスプレイ装置に使われることを特徴とする。
本発明によれば、薄膜トランジスタ製造時非晶質シリコン膜を結晶化すると同時に半導体層にドーピングされた不純物を活性化する工程を同時に進行することによって熱処理工程を減らすことができるため、熱による基板の損傷を防止することができる。
以下、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法及び半導体装置の詳細を図面に基づいて説明する。
(第1の実施の形態)
図1〜図5は、本発明の第1の実施の形態係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
図1〜図5は、本発明の第1の実施の形態係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
図1に示すように、まず、基板10上に非晶質シリコンまたは非晶質シリコンを多量に含むシリコン層12を蒸着する。このとき、基板10としては、絶縁性を有する透明なガラス基板を用いる。
このシリコン層12の蒸着方法としては、PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)またはLPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)などの通常の蒸着方法を用いる。
このとき、上記シリコン層12を蒸着する前に、基板上に基板から発生する汚染物などがシリコン層12に拡散されることを防止したり、シリコン層12と基板10との間の界面特性を改善するために窒化シリコン(SiNx)または二酸化シリコン(SiO2)などのバッファ層を形成する工程を付加してもよい。
次に、シリコン層12のうちソース/ドレイン領域100a、100bを形成する領域を除いて、フォトレジスト(PR)パターンを形成する。このフォトレジストパターンの形成方法は、フォトレジストを塗布した後、所定の露光マスクを用いて、現像を行うものであり、シリコン層12のソース/ドレイン領域100a、100bを形成予定する領域が露出するようにフォトレジストパターンを形成すればよい。そして、このフォトレジストパターンをマスクとして、不純物をイオン注入する。その結果、シリコン層12にソース/ドレイン領域100a、100bが形成される。
次に、フォトレジストパターンを剥離した後、図2に示すように、不純物がドーピングされているシリコン層12をパターニングする。このとき、シリコン層12のパターニング工程は後述するように熱処理工程以後に施行することもできる。
続いて、シリコン層12に対して熱処理を施す。この熱処理工程により、ソース/ドレイン領域100a、100bにドーピングされている不純物が活性化されると同時に非晶質シリコンを含むシリコン層12が結晶化されて多結晶シリコン膜(半導体層)12aとなる。
本発明では熱処理工程としてはRTAのような通常の高温熱処理工程で使われる方法を用いるが、熱処理雰囲気を従来の雰囲気である不活性であるN2またはO2雰囲気に代えて、本発明ではH2O雰囲気で熱処理を行う。
このようにH2O雰囲気で熱処理をする場合には、従来のように、N2またはO2雰囲気で熱処理する場合より同一温度ならば熱処理時間が短縮されて、同一時間なら熱処理温度が減少される。
特に、従来の場合には透明絶縁基板であるガラス基板のような場合、高温で基板が曲がる問題点が発生するが、本発明のように熱処理温度を減少させることができる場合には基板の曲がりを防止することができる。
本発明における熱処理温度は550〜750℃であることが望ましく、より一層望ましくは600〜710℃であることが望ましい。550℃以下である場合には結晶化が遂行されないで、750℃以上である場合には基板が曲がる可能性があるので望ましくない。また、600℃〜710℃間の温度では適切な熱処理時間であって優秀な多結晶シリコンを得ることができるのでより一層望ましい。
そして、H2Oの圧力は10000Pa〜2MPaであることが望ましい。結晶化速度は、圧力に比例するためにあまり圧力が低い場合には結晶化速度が小さく熱処理時間が長くなってします。これにより、基板に影響を与えるため、あまり高圧である場合には爆発の危険性があるため10000Pa〜2MPaの圧力で熱処理することが望ましい。
一方、蒸着されるシリコン層12の厚みが2000Å以下に蒸着されれば構わない。しかし、シリコン層12の厚さは、薄いほど結晶化が容易である反面、あまり薄い場合には多結晶シリコンが薄膜トランジスタを形成する場合に素子の特性に影響を与えるため、300〜1000Åの厚さで蒸着することが望ましい。
以上のような工程を備えることによって多結晶シリコンを形成することができるが、本発明では形成された多結晶シリコンの欠陥を減少させるために1回さらに熱処理工程を施してもよい。
なお、この熱処理工程は、エキシマレーザーアニーリング(Eximer Laser Annealing)法または炉(furnace)で熱を加えて行うことができる。
続いて、図3に示したように、パターニングされた多結晶シリコン膜(半導体層)12a上部にSiO2またはSiNxのような無機絶縁膜でゲート絶縁膜を形成する。
続いて、図4に示したように、チャネル領域100cに該当する領域にゲート電極16を形成する。
続いて、図5に示したように、ゲート電極16の上に基板全面に亘って層間絶縁膜18を形成してソース/ドレイン領域100a、100bが開口されるように層間絶縁膜18及びゲート絶縁膜14をエッチングしてコンタクトホールを形成して、前記コンタクトホールに金属を充填させてソース/ドレイン電極19a、19bを形成して薄膜トランジスタを完成する。
(第2の実施の形態)
図6〜図9は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
図6〜図9は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
図6に示すように、まず、基板20上に、ゲート電極26をパターニングして形成する。このとき、基板10としては一般に使われる絶縁性で透明なガラス基板を用いる。
このとき、基板20の上面には、この基板20から発生する汚染物などが拡散されることを防止したり界面特性を改善するためにSiNxまたはSiO2などのバッファ層をさらに形成してもよい。
続いて、図7に示したように、SiO2またはSiNxのような無機絶縁膜でゲート絶縁膜24を、ゲート電極26を形成した基板20の全面に亘って形成する。
その後、ゲート絶縁膜24の上面に非晶質シリコンまたは非晶質シリコンを多量で含むシリコン層22を蒸着する。このシリコン層22の蒸着方法としてはPECVDまたはLPCVDなどの通常の蒸着方法(化学気相成長法)を用いることができる。
そして、図8に示したように、シリコン層22のうち後の工程でソース/ドレイン領域200a、200bに該当する領域を除いてフォトレジストパターンを形成して、不純物でイオン注入を行う。この不純物イオン注入工程は、高農度イオンドーピングだけでなく低濃度イオンドーピング工程(LDD工程;Lightly Drain Doping工程)も含んでもよい。
続いて、熱処理を施行する。このとき、熱処理工程では、ソース/ドレイン領域200a、200bにドーピングされている不純物が活性化されると同時に非晶質シリコンを含むシリコン層22が結晶化されて多結晶シリコン膜22aになる。
本発明では熱処理工程としてはRTAのような通常の高温熱処理工程で使われる方法を用いる。しかし、本発明では、熱処理雰囲気を従来のような不活性であるN2またはO2雰囲気に代えて、H2O雰囲気で熱処理を行う。
H2O雰囲気で熱処理をする場合には、従来のようにN2またはO2雰囲気で熱処理する場合に比べて、同一温度ならば熱処理時間が短縮されて、同一時間なら熱処理温度が減少される。
特に、従来の場合には透明絶縁基板であるガラスのような場合高温で基板が曲がる問題点が発生するが本発明のように熱処理温度を減少させることができる場合には基板の曲がりを防止することができる。
本発明における熱処理温度は550〜750℃であることが望ましく、より一層望ましくは600係る710℃であることが望ましい。また、熱処理温度が550℃以下である場合には、結晶化が遂行されず、750℃以上の場合には基板が曲がる可能性があるので望ましくない。また、600〜710℃間の温度範囲では適切な熱処理時間であって優秀な多結晶シリコンを得ることができるのでより一層望ましい。
そして、H2Oの圧力は10000Pa〜2MPaであることが望ましく、結晶化速度が圧力に比例するためにあまり圧力が低い場合には結晶化速度が小さくて熱処理時間が長くなる。これにより基板に影響を与えるため望ましくなく、あまり高圧である場合には爆発の危険があるので10000Pa〜2MPaの圧力で熱処理することが望ましい。
一方、蒸着されるシリコン層22が2000Å以下に蒸着されればよい。なお、厚さが薄いほど結晶化が容易であるが、あまり薄い場合には多結晶シリコンが薄膜トランジスタを形成する場合素子の特性に影響を与えるため、300〜1000Åの厚さとなるように蒸着することが望ましい。
以上のような工程を備えることによって、多結晶シリコンを形成することができるが、本発明では、形成された多結晶シリコンの欠陥を減少させるために1回さらに熱処理工程を付加してもよい。この熱処理工程は、エキシマレーザーアニーリング法または炉で熱を加えて行うことができる。
続いて、図9に示したように、多結晶シリコン膜22a上に基板全面に亘って金属膜を積層し、その後パターニングしてソース/ドレイン電極29a、29bを形成して半導体装置の製造が完了する。
本発明では、半導体装置としては薄膜トランジスタが望ましく、薄膜トランジスタの構造としてはゲート電極16が多結晶シリコン膜12aの上部に形成されるトップゲート(top gate)型構造の薄膜トランジスタまたはゲート電極26が多結晶シリコン膜22aの下部に形成されるボトムゲート(bottom gate)型構造の薄膜トランジスタのすべてに適用することができる。
また、このような薄膜トランジスタは、有機電界発光装置または液晶表示装置のような平板表示装置に使われることができる。具体的には、この薄膜トランジスタを、有機電界発光装置または液晶表示装置の画素電極のスイッチング素子として、もしくはこれらの駆動回路素子としても用いることができる。
10 基板
12 シリコン層
12a 多結晶シリコン膜(半導体層)
16 ゲート電極
18 層間絶縁膜
19a、19b ソース/ドレイン電極
20 基板
22 シリコン層
22a 多結晶シリコン膜(半導体層)
24 ゲート絶縁膜
26 ゲート電極
29a、19b ソース/ドレイン電極
100a、100b ソース/ドレイン領域
200a、200b ソース/ドレイン領域
12 シリコン層
12a 多結晶シリコン膜(半導体層)
16 ゲート電極
18 層間絶縁膜
19a、19b ソース/ドレイン電極
20 基板
22 シリコン層
22a 多結晶シリコン膜(半導体層)
24 ゲート絶縁膜
26 ゲート電極
29a、19b ソース/ドレイン電極
100a、100b ソース/ドレイン領域
200a、200b ソース/ドレイン領域
Claims (18)
- 基板上に、非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着して形成する工程と、
前記シリコン層に不純物を選択的にドーピングしてソース/ドレイン領域を形成する工程と、
H2O雰囲気、一定温度下で熱処理を施して前記非晶質シリコンを結晶化すると同時に不純物を活性化して半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上の全面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に前記半導体層のチャネル領域に対応する領域にゲート電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理の温度は、550〜750℃であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理の温度は、600〜710℃であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記H2O雰囲気の圧力は、10000Pa〜2MPaであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコン層の厚さは、2000Å以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコン層の厚さは、300〜1000Åであることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理をした後、炉またはエキシマレーザーアニーリング(ELA)によって前記シリコン層に再度、熱処理を施すことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体層を結晶化させる工程の前に、前記シリコン層をパターニングすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体層を結晶化した後に、前記半導体層をパターニングすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極が形成された前記基板全面に亘ってゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着して形成する工程と、
フォトレジストパターンを用いて前記シリコン層に不純物を選択的に導入させてソース/ドレイン領域を形成する工程と、
フォトレジストパターンを除去した後、H2O雰囲気、一定温度下で熱処理を施して前記非晶質シリコンを結晶化すると同時に不純物を活性化する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理の温度は、550〜750℃であることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理の温度は、600〜710℃であることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記H2O雰囲気の圧力は、10000Pa〜2MPaであることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコン層の厚さは、2000Å以下であることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコン層の厚さは、300〜1000Åであることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理をした後、炉またはエキシマレーザーアニーリング(ELA)によって前記シリコン層に再度、熱処理を施すことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至請求項16のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法で製造された半導体装置であって、導電型がP型またはN型の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
- 前記半導体装置は、有機電界発光表示装置または液晶ディスプレイ装置に用いられることを特徴とする請求項17に記載の半導体装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110037886A1 (en) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | Harpuneet Singh | Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing |
WO2012004925A1 (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-12 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
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Families Citing this family (7)
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---|---|---|---|---|
KR101240651B1 (ko) * | 2006-04-12 | 2013-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100810638B1 (ko) * | 2006-12-06 | 2008-03-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터와 그 제조방법 및 이를 구비한유기전계발광표시장치 |
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CN105938800A (zh) | 2016-07-01 | 2016-09-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法 |
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US6066516A (en) * | 1995-06-26 | 2000-05-23 | Seiko Epson Corporation | Method for forming crystalline semiconductor layers, a method for fabricating thin film transistors, and method for fabricating solar cells and active matrix liquid crystal devices |
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JP2001210726A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-08-03 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110037886A1 (en) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | Harpuneet Singh | Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing |
US9419032B2 (en) * | 2009-08-14 | 2016-08-16 | Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd | Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing |
WO2012004925A1 (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-12 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
CN108074525A (zh) * | 2016-11-11 | 2018-05-25 | 昆山国显光电有限公司 | 像素电路的驱动方法、显示面板及显示装置 |
CN108074525B (zh) * | 2016-11-11 | 2019-09-17 | 昆山国显光电有限公司 | 像素电路的驱动方法、显示面板及显示装置 |
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