JP2010040951A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 透明基板と前記透明基板上に形成された薄膜トランジスタとを有する表示装置であって、
   前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極の上側に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上側に微結晶シリコン又は多結晶シリコンを含んで形成された半導体膜と、２つのオーミックコンタクト層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、
   前記半導体膜は、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側に不純物が打ち込まれて形成された２つの不純物領域とを有し、
   前記チャネル領域と前記２つの不純物領域の各々は、前記ゲート絶縁膜に接する面と、前記ゲート絶縁膜に接する面と対向する上面とを有し、
   前記２つの不純物領域の各々は、前記チャネル領域に接する面と、前記チャネル領域に接する面と対向する側面とを有し、
   前記チャネル領域の前記上面には、絶縁膜が形成され、
   前記絶縁膜は、前記チャネル領域に接する面と、前記チャネル領域に接する面と対向する上面と、側面とを有し、
   前記２つのオーミックコンタクト層の各々は、前記不純物領域の前記上面と前記側面とを覆うと共に、前記絶縁膜の前記上面と前記側面と接して形成され、
   前記ソース電極と前記ドレイン電極とは、前記オーミックコンタクト層を介して前記不純物領域と接続されていることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１に記載された表示装置であって、
   前記２つのオーミックコンタクト層は、不純物が打ち込まれた非晶質シリコンで形成され、
   前記２つのオーミックコンタクト層の不純物濃度は、前記２つの不純物領域の不純物濃度よりも高いことを特徴とする表示装置。
3. 請求項１に記載された表示装置であって、
   前記ソース電極と前記ドレイン電極とは、前記絶縁膜の前記上面で互いに対向していることを特徴とする表示装置。
4. 透明基板と前記透明基板上に形成された薄膜トランジスタとを有する表示装置の製造方法であって、
   透明基板の上側にゲート電極を積層するゲート電極積層工程と、
   前記ゲート電極の上側に、微結晶シリコン又は多結晶シリコンを含む半導体膜を積層する半導体膜積層工程と、
   前記半導体膜の上面の一部を覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
   前記絶縁膜をマスクとして、前記半導体膜の内、前記絶縁膜に覆われていない領域に不純物を注入して不純物領域を形成する不純物領域形成工程と、
   前記半導体膜と前記絶縁膜との上層にオーミックコンタクト層を形成し、前記オーミックコンタクト層の上層に金属膜を形成するオーミックコンタクト層及び金属膜形成工程と、
   前記金属膜をパターニングしてソース電極とドレイン電極を形成するソース電極及びドレイン電極形成工程と、
   前記ソース電極と前記ドレイン電極とをマスクとして、前記オーミックコンタクト層をパターニングするオーミックコンタクト層パターニング工程とを有することを特徴とする表示装置の製造方法。
5. 請求項４の表示装置の製造方法であって、
   前記絶縁膜形成工程は、前記半導体膜の全域に絶縁膜を形成し、前記全域に形成された絶縁膜の一部にパターニングされたレジスト膜を形成し、前記レジスト膜をマスクとして、前記全域に形成された絶縁膜が前記レジスト膜よりも内側にパターニングされるようにエッチングをする工程を含み、
   前記絶縁膜形成工程の後に、前記レジスト膜をマスクとして前記半導体膜をパターニングする半導体膜パターニング工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
6. 請求項４の表示装置の製造方法であって、
   前記オーミックコンタクト層は、不純物が打ち込まれた非晶質シリコンで形成され、
   前記オーミックコンタクト層の不純物濃度は、前記不純物領域の不純物濃度よりも高いことを特徴とする表示装置の製造方法。
7. 請求項４の表示装置の製造方法であって、
   前記ソース電極及びドレイン電極形成工程は、前記絶縁膜の上面で前記ソース電極と前記ドレイン電極とが互いに対向するように前記金属膜をパターニングすることを特徴とする表示装置の製造方法。