JP2007053343A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 遮断膜上に形成され、チャンネル領域両側に各々隣接した第１導電型低濃度ドーピング領域及び前記第１導電型低濃度ドーピング領域に各々隣接した第１導電型ソース／ドレイン領域を含む第１半導体層と、該第１半導体層上に形成される第１ゲート絶縁膜と、該第１ゲート絶縁膜上に形成され、前記第１半導体層内に形成された前記チャンネル領域及び前記低濃度ドーピング領域と重畳される第２ゲート絶縁膜と、該第２ゲート絶縁膜上に形成される第１ゲート電極とを含む第１導電型ＭＯＳトランジスタと、
   遮断膜上に形成され、チャンネル領域両側に各々隣接した第２導電型ソース／ドレイン領域を含む第２半導体層と、該第２半導体層上に形成された第１ゲート絶縁膜と、該第１ゲート絶縁膜上に形成され、前記第２半導体層と重畳される第２ゲート絶縁膜と、該第２ゲート絶縁膜上に形成される第２ゲート電極とを含む第２導電型ＭＯＳトランジスタとを有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
2. 前記第２ゲート絶縁膜の厚さは、前記第１ゲート絶縁膜の厚さ以上を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
3. 遮断膜と、該遮断膜上に形成される第１半導体層及び第２半導体層とを有する基板を提供する段階と、
   前記第１半導体層上に第１ゲート絶縁膜と、前記第１半導体層内に形成されるチャンネル領域及び低濃度ドーピング領域と重畳する第２ゲート絶縁膜と、前記第１半導体層内に形成されるチャンネル領域と重畳する第１ゲート電極と、前記第２ゲート絶縁膜と重畳する感光膜パターンとからなる第１イオン注入マスク構造と、前記第２半導体層上に第１ゲート絶縁膜と、前記第２半導体層と重畳される第２ゲート絶縁膜と、前記第２半導体層内に形成されるチャンネル領域と重畳される第２ゲート電極と、該第２ゲート電極と重畳される感光膜パターンとからなる第２イオン注入マスク構造とを形成する段階と、
   前記第１及び第２イオン注入マスク構造をイオン注入マスクとして高濃度第２導電型不純物イオンを前記第２半導体層と前記第１半導体層下部の遮断膜内に注入して第２導電型ソース／ドレイン領域を形成する段階とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
4. 前記第２導電型ソース／ドレイン領域の形成段階後、前記各感光膜パターンを除去する段階と、
   前記感光膜パターンが除去された結果構造物をイオン注入マスクとして低濃度第１導電型不純物イオンを前記第１半導体層内に注入して低濃度ドーピング領域を形成する段階とをさらに有することを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
5. 前記第１及び第２イオン注入マスク構造を形成する段階は、前記遮断膜上の前記第１半導体層及び第２半導体層上に第１及び第２ゲート絶縁膜及び導電膜を順次に形成する段階と、
   前記導電膜上に、前記第１半導体層内に形成される前記チャンネル領域及び前記低濃度ドーピング領域と重畳される第１厚さを有する単層構造の感光膜パターンを形成し、前記第２半導体層内に形成される前記チャンネル領域と重畳される領域には第１厚さを有し、前記第２半導体層内に形成されるソース／ドレイン領域と重畳される領域には第２厚さを有する二層構造の感光膜パターンを形成する段階と、
   前記各感光膜パターンをエッチングマスクとして前記導電膜をパターニングして前記第１ゲート電極及び第２ゲートパターンを形成し、該第２ゲートパターンにて前記２ゲート絶縁膜をパターニングする段階と、
   前記二層構造の感光膜パターンの第２厚さ部分を除去する段階と、
   前記第２厚さ部分が除去された感光膜パターンをエッチングマスクとして前記第２ゲートパターンをパターニングして、第２ゲート電極を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
6. 前記第２導電型ソース／ドレイン領域を形成する段階は、前記第２半導体層内に前記第２導電型不純物イオンのドーピング濃度のピークが存在するようにすることを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
7. 前記第２ゲート絶縁膜の厚さは、前記第１ゲート絶縁膜の厚さ以上を有することを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。