JP5348362B2 - 薄膜トランジスタ基板の製造方法 - Google Patents
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Description
薄膜トランジスタは、ゲート線の一部であるゲート電極とチャンネルを形成する半導体層、データ線の一部であるソース電極と半導体層を中心にソース電極と向い合うドレイン電極などでなされる。薄膜トランジスタは、ゲート線を通じて伝達される走査信号によってデータ線を通じて伝達される画像信号を画素電極に伝達または遮断するスイッチング素子である。
このような多結晶シリコン薄膜トランジスタは、レーザーを利用した結晶化技術の発展で非晶質シリコン薄膜トランジスタと似た温度で製作が可能で、非晶質シリコン薄膜トランジスタに比べて電子や正孔の移動度が高くて、nチャンネルを備えるNMOS薄膜トランジスタとpチャンネルを備えるPMOS薄膜トランジスタを含むCMOS(Complementary Metal−Oxide Semiconductor)薄膜トランジスタ具現が可能になって大型ガラス基板上の駆動回路に使用されうる(例えば、特許文献1参照)。
遮断膜と、該遮断膜上に形成される第1半導体層及び第2半導体層とを有する基板を提供する段階と、前記第1半導体層上に第1ゲート絶縁膜と、前記第1半導体層内に形成されるチャンネル領域及び低濃度ドーピング領域と重畳する第3ゲート絶縁膜と、前記第1半導体層内に形成されるチャンネル領域と重畳する第1ゲート電極と、前記第3ゲート絶縁膜と重畳する感光膜パターンとからなる第1イオン注入マスク構造と、前記第2半導体層上に第1ゲート絶縁膜と、前記第2半導体層と重畳する第4ゲート絶縁膜と、前記第2半導体層と重畳する第2ゲートパターンと、前記第4ゲート絶縁膜と重畳する感光膜パターンとからなる第2イオン注入マスク構造と、を形成する段階と、
ここで、前記第1イオン注入マスク構造及び第2イオン注入マスク構造を形成する段階は、
前記遮断膜上の前記第1半導体層及び第2半導体層上に延在する、第1及び第2ゲート絶縁膜及び導電膜を順次に形成する段階と、前記導電膜上に、前記第1半導体層内に形成される前記チャンネル領域及び前記低濃度ドーピング領域と重畳される第1厚さを有する単層構造の感光膜パターンを形成し、前記第2半導体層内に形成される前記チャンネル領域と重畳される領域には第1厚さを有し、前記第2半導体層内に形成されるソース/ドレイン領域と重畳される領域には第2厚さを有する2層構造の感光膜パターンを形成する段階と、前記各感光膜パターンをエッチングマスクとして前記延在する導電膜をパターニングして前記第1ゲート電極及び第2ゲートパターンを形成し、前記各感光膜パターンをエッチングマスクとして前記延在する第2ゲート絶縁膜をパターニングして、前記第1半導体層内に形成されるチャンネル領域及び低濃度ドーピング領域と重畳するようにパターニングされた第3ゲート絶縁膜、並びに前記第2半導体層と重畳するようにパターニングされた第4ゲート絶縁膜を形成する段階と、以上の段階までに形成された第1及び第2イオン注入マスク構造をイオン注入マスクとして高濃度第1導電型不純物イオンを前記第1半導体層内に注入して第1導電型ソース/ドレイン領域を形成する段階と、前記2層構造の感光膜パターンの第2厚さ部分を除去する段階と、前記第2厚さ部分が除去された感光膜パターンをエッチングマスクとして前記第2ゲートパターンをパターニングして、第2ゲート電極を形成する段階と、を含み、
以上の段階までに形成された第1及び第2イオン注入マスク構造をイオン注入マスクとして高濃度第2導電型不純物イオンを前記第2半導体層と前記第1半導体層下部の遮断膜内に注入して第2導電型ソース/ドレイン領域を形成する段階と、前記各感光膜パターンを除去する段階と、前記感光膜パターンが除去された結果構造物をイオン注入マスクとして低濃度第1導電型不純物イオンを前記第1半導体層内に注入して低濃度ドーピング領域を形成する段階と、を有する、ことを特徴とする。
遮断膜と、該遮断膜上に形成される第1半導体層及び第2半導体層とを有する基板を提供する段階と、前記第1半導体層上に第1ゲート絶縁膜と、前記第1半導体層内に形成されるチャンネル領域及び低濃度ドーピング領域と重畳する第3ゲート絶縁膜と、前記第1半導体層内に形成されるチャンネル領域と重畳する第1ゲート電極と、前記第3ゲート絶縁膜と重畳する感光膜パターンとからなる第1イオン注入マスク構造と、前記第2半導体層上に第1ゲート絶縁膜と、前記第2半導体層と重畳する第4ゲート絶縁膜と、前記第2半導体層内に形成されるチャンネル領域と重畳する第2ゲート電極と、該第2ゲート電極と重畳する感光膜パターンとからなる第2イオン注入マスク構造とを形成する段階と、
ここで、前記第1イオン注入マスク構造及び第2イオン注入マスク構造を形成する段階は、
前記遮断膜上の前記第1半導体層及び第2半導体層上に延在する、第1及び第2ゲート絶縁膜及び導電膜を順次に形成する段階と、前記導電膜上に、前記第1半導体層内に形成される前記チャンネル領域及び前記低濃度ドーピング領域と重畳される第1厚さを有する単層構造の感光膜パターンを形成し、前記第2半導体層内に形成される前記チャンネル領域と重畳される領域には第1厚さを有し、前記第2半導体層内に形成されるソース/ドレイン領域と重畳される領域には第2厚さを有する2層構造の感光膜パターンを形成する段階と、前記各感光膜パターンをエッチングマスクとして前記延在する導電膜をパターニングして前記第1ゲート電極及び第2ゲートパターンを形成し、前記各感光膜パターンをエッチングマスクとして前記延在する第2ゲート絶縁膜をパターニングして、前記第1半導体層内に形成されるチャンネル領域及び低濃度ドーピング領域と重畳するようにパターニングされた第3ゲート絶縁膜、並びに前記第2半導体層と重畳するようにパターニングされた第4ゲート絶縁膜を形成する段階と、前記2層構造の感光膜パターンの第2厚さ部分を除去する段階と、前記第2厚さ部分が除去された感光膜パターンをエッチングマスクとして前記第2ゲートパターンをパターニングして、第2ゲート電極を形成する段階と、以上の段階までに形成された第1及び第2イオン注入マスク構造をイオン注入マスクとして高濃度第1導電型不純物イオンを前記第1半導体層内に注入して第1導電型ソース/ドレイン領域を形成する段階と、を含み、
以上の段階までに形成された第1及び第2イオン注入マスク構造をイオン注入マスクとして高濃度第2導電型不純物イオンを前記第2半導体層と前記第1半導体層下部の遮断膜内に注入して第2導電型ソース/ドレイン領域を形成する段階と、前記各感光膜パターンを除去する段階と、前記感光膜パターンが除去された結果構造物をイオン注入マスクとして低濃度第1導電型不純物イオンを前記第1半導体層内に注入して低濃度ドーピング領域を形成する段階と、を有する、ことを特徴とする。
明細書全体にわたって同一な参照符号は同一な構成要素を示す。
図1を参照して、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ基板について説明する。 図1は、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ基板の概略構成図である。薄膜トランジスタ基板は、図1に示すように、画素部10、ゲート駆動部20、及びデータ駆動部30を含む。
ここで、スイッチング素子MはMOSトランジスタが利用され、このようなMOSトランジスタは、多結晶シリコンをチャンネル領域にする薄膜トランジスタで具現されうる。そして、ゲート駆動部20やデータ駆動部30もMOSトランジスタで構成され、このようなMOSトランジスタは、多結晶シリコンをチャンネル領域にする薄膜トランジスタで具現されうる。
図2に示すように、透明な絶縁基板110上に酸化シリコンまたは窒化シリコンからなる遮断膜111が形成されていて、遮断膜111上には、例えばn型及びp型不純物イオンが高濃度で各々ドーピングされているソース領域153n、153pとドレイン領域155n、155p、及び不純物イオンがドーピングされないチャンネル領域154n、154pが、各々多結晶シリコンからなる第1及び第2半導体層150n、150pに形成されている。
また、NMOSトランジスタのソース領域153nとドレイン領域155nの下部に形成されている遮断膜111には、p型不純物イオンが高濃度で注入されている領域が形成されている。このようなp型高濃度ドーピング領域のドーピング濃度のピークは、NMOSトランジスタのソース領域153n及びドレイン領域155nの直下にある遮断膜111でのドーピング濃度のピーク112pより後述する第1ゲート絶縁膜401の直下にある遮断膜111でのドーピング濃度のピーク113pのほうがより深いところに形成されている。これについては、後述する薄膜トランジスタ基板の製造方法で詳しく説明する。
多結晶シリコンからなる半導体層を含む薄膜トランジスタのスレッショルド電圧Vthの減少のためにはゲート絶縁膜の厚さを薄くすることが必要である。従来の酸化シリコン膜の単一膜でゲート絶縁膜を形成する場合、酸化シリコン膜の誘電定数は3.9ほどに過ぎず、Vth減少に限界があり、Vth減少のためにゲート絶縁膜の厚さを減少させる場合、降伏電圧(breakdown voltage)が減少するので、静電気による不良の増加が憂慮された。したがって、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタでは、ゲート絶縁膜として二重層膜構造、すなわち第1ゲート絶縁膜401として酸化シリコン膜を、第2ゲート絶縁膜402n、402pとして酸化シリコン膜の誘電定数の約2倍の値を有する窒化シリコン膜を使うことによって、スレッショルド電圧Vthの減少及び薄膜トランジスタの性能向上が可能である。
第1及び第2ゲート電極124n、124pが形成されている構造物上に層間絶縁膜601が形成されている。このような層間絶縁膜601には、ソース領域153n、153p及びドレイン領域155n、155pを各々ソース電極173n、173p及びドレイン電極175n、175pと電気的に連結するために第1ゲート絶縁膜410に形成されている第1及び第2コンタクトホール141n、141p、142n、142pが延長して形成されている。
より詳しく説明すれば、図4に示すように、透明な絶縁基板110上に遮断膜111を形成する。この時、使われる透明絶縁基板110としては、ガラス、石英またはサファイアなどを使うことができ、遮断膜111は、酸化シリコン(SiO2)または窒化シリコン(SiNx)を蒸着して形成する。遮断膜111は、基板110から第1及び第2半導体層150n、150pに不純物などが拡散することを防止するためのもので、例えば約5000Åの厚さに形成されうる。
引き続き、第2ゲート絶縁膜402上にアルミニウム、クロム、モリブデン、またはこれらの合金からなる単一膜または多層膜を蒸着してゲート用導電膜120を形成する。この時、ゲート用導電膜120は、例えば3200Åの厚さに形成されうるが、これに限定されず、素子特性によって多様な厚さを持つことができる。
図5に示すように、ゲート用導電膜120上に感光膜を形成して光を遮断する遮光部211、212、光を透過する透光部221、222、223、及び光を部分的を透過させるスリット部231、232を含む光マスク200を用いてフォトリソグラフィ工程で感光膜を露光及び現像して、第1及び第2感光膜パターン310、320を形成する。
第1感光膜パターン310は、光マスク200の遮光部211に対応する領域に第1厚さ(d1)の断層構造を有して形成される。このような第1感光膜パターン310は、第1半導体層150n内に形成しようとするチャンネル領域(図2の154n)の大きさによって変わる。
第1及び第2感光膜パターン310、320は、例えば感光膜を所定の形状にパターニングした後、加熱収縮してその断面が台形形状(trapezoidal profile shape)になるようにしたり、溶融型感光膜を使って加熱して、その断面を半球型にしたりなどして、目的するところによって多様な形状を有するように形成できる。
図6に示すように、ゲート用導電膜(図5の120)上に形成された第1及び第2感光膜パターン310、320をエッチングマスクとしてゲート用導電膜120をパターニングして、第1ゲート電極124n及び第2ゲートパターン120pを形成する。この時、ゲート用導電膜120を等方性エッチング、例えば湿式エッチングして両側壁をオーバーエッチ(over etch)して第1ゲート電極124n及び第2ゲートパターン120pを形成して、その側壁は以後の工程で形成される上部膜との密着性を増加させるために断面形状が傾斜を有するテーパー構造に形成することが望ましい。
図7に示すように、第2ゲート絶縁膜402を第1及び第2感光膜パターン310、320をエッチングマスクとしてエッチバック(etchback)して、パターニングされた第2ゲート絶縁膜402n、402pを形成する。第1ゲート電極124n下部に形成された第2ゲート絶縁膜402nは、第1ゲート電極124nの幅よりさらに広い幅を有する。第2ゲート絶縁膜402nと第1半導体層150nとの幅の差によって、後述する低濃度ドーピング領域が定義される。
図8に示すように、第1半導体層150n上の第1ゲート絶縁膜401、第2ゲート絶縁膜402n、第1ゲート電極124n及び第1感光膜パターン310と、第2半導体層150p上の第1ゲート絶縁膜401、第2ゲート絶縁膜402p、第2ゲートパターン120p及び第2感光膜パターン320を各々イオン注入マスクとして高濃度のn型不純物イオン(N+)を第1半導体層150n内に注入してソース領域153n、ドレイン領域155n及びチャンネル領域154nを形成する。
図9に示すように、第1及び第2感光膜パターン(図8の310、320)をアッシング工程を適用して、第2感光膜パターンの第2厚さ(d2)を有する低層部(図8のw2、w3)を除去して高層部(w1)のみを残して、続いて、このような第2感光膜パターン320’をエッチングマスクとして第2ゲートパターン(図8の120p)をパターニングして、第2ゲート電極124pを形成する。
図10に示すように、第1半導体層150n上の第1ゲート絶縁膜401、第2ゲート絶縁膜402n、第1ゲート電極124n及び第1感光膜パターン310と、第2半導体層150p上の第1ゲート絶縁膜401、第2ゲート絶縁膜402p、第2ゲート電極124p及び低層部が除去された第2感光膜パターン320’を各々イオン注入マスクとして高濃度のp型不純物イオン(P+)、例えばB2H6などを第2半導体層150p内に注入してソース領域153p、ドレイン領域155p及びチャンネル領域154pを形成する。
図11に示すように、第1感光膜パターン310及び第2感光膜パターン320’を除去した構造物をイオン注入マスクとして低濃度のn型不純物イオン(N−)を注入して第1半導体層150n内に低濃度ドーピング領域152nを形成する。
次に、図5に示すように、ゲート用導電膜120上に第1半導体層150nと重畳する領域には、第1厚さ(d1)を有する第1感光膜パターン310を形成して、第2半導体層150pと重畳する領域には、第1厚さ(d1)を有する高層部(w1)と第1厚さ(d1)より薄い第2厚さ(d2)を有する低層部(w2、w3)を有する二層構造の第2感光膜パターン320を形成する(図13のステップS22)。
次に、図7に示すように第1及び第2感光膜パターン310、320をエッチングマスクとして第2ゲート絶縁膜402をエッチバックしてパターニングされた第2ゲート絶縁膜402n、402pを形成する(図13のステップS24)。
次に、第1半導体層内にソース領域及びドレイン領域を形成する(図13のステップS26)。
次に、図11に示すように、第1及び第2感光膜パターン310、320’を除去した構造物をイオン注入マスクとして低濃度のn型不純物イオン(N−)、例えばPH3などを第1半導体層150n内に注入して低濃度ドーピング領域152nを形成する(図13のステップS28)。
次に、図2にもどって参照すると、層間絶縁膜601上に、第1コンタクトホール141n、141pを通じてソース領域153n、153pと各々連結されるソース電極173n、173pと第2コンタクトホール142n、142pを通じてドレイン領域155n、155pと連結されるドレイン電極175n、175pを形成する。
112n,112p,113n,113p ドーピング濃度のピーク
124n 第1ゲート電極
124p 第2ゲート電極
141n、141p 第1コンタクトホール
142n、142p 第2コンタクトホール
150n,150p 第1及び第2半導体層
152n 低濃度ドーピング領域
153n,153p ソース領域
154n,154p チャンネル領域
155n,155p ドレイン領域
173n、173p ソース電極
175n、175p ドレイン電極
401 第1ゲート絶縁膜
402n,402p 第2ゲート絶縁膜
601 層間絶縁膜
Claims (4)
- 遮断膜と、該遮断膜上に形成される第1半導体層及び第2半導体層とを有する基板を提供する段階と、
前記第1半導体層上に第1ゲート絶縁膜と、前記第1半導体層内に形成されるチャンネル領域及び低濃度ドーピング領域と重畳する第3ゲート絶縁膜と、前記第1半導体層内に形成されるチャンネル領域と重畳する第1ゲート電極と、前記第3ゲート絶縁膜と重畳する感光膜パターンとからなる第1イオン注入マスク構造と、
前記第2半導体層上に第1ゲート絶縁膜と、前記第2半導体層と重畳する第4ゲート絶縁膜と、前記第2半導体層と重畳する第2ゲートパターンと、前記第4ゲート絶縁膜と重畳する感光膜パターンとからなる第2イオン注入マスク構造と、を形成する段階と、
ここで、前記第1イオン注入マスク構造及び第2イオン注入マスク構造を形成する段階は、
前記遮断膜上の前記第1半導体層及び第2半導体層上に延在する、第1及び第2ゲート絶縁膜及び導電膜を順次に形成する段階と、
前記導電膜上に、前記第1半導体層内に形成される前記チャンネル領域及び前記低濃度ドーピング領域と重畳される第1厚さを有する単層構造の感光膜パターンを形成し、前記第2半導体層内に形成される前記チャンネル領域と重畳される領域には第1厚さを有し、前記第2半導体層内に形成されるソース/ドレイン領域と重畳される領域には第2厚さを有する2層構造の感光膜パターンを形成する段階と、
前記各感光膜パターンをエッチングマスクとして前記延在する導電膜をパターニングして前記第1ゲート電極及び第2ゲートパターンを形成し、前記各感光膜パターンをエッチングマスクとして前記延在する第2ゲート絶縁膜をパターニングして、前記第1半導体層内に形成されるチャンネル領域及び低濃度ドーピング領域と重畳するようにパターニングされた第3ゲート絶縁膜、並びに前記第2半導体層と重畳するようにパターニングされた第4ゲート絶縁膜を形成する段階と、
以上の段階までに形成された第1及び第2イオン注入マスク構造をイオン注入マスクとして高濃度第1導電型不純物イオンを前記第1半導体層内に注入して第1導電型ソース/ドレイン領域を形成する段階と、
前記2層構造の感光膜パターンの第2厚さ部分を除去する段階と、
前記第2厚さ部分が除去された感光膜パターンをエッチングマスクとして前記第2ゲートパターンをパターニングして、第2ゲート電極を形成する段階と、を含み、
以上の段階までに形成された第1及び第2イオン注入マスク構造をイオン注入マスクとして高濃度第2導電型不純物イオンを前記第2半導体層と前記第1半導体層下部の遮断膜内に注入して第2導電型ソース/ドレイン領域を形成する段階と、前記各感光膜パターンを除去する段階と、前記感光膜パターンが除去された結果構造物をイオン注入マスクとして低濃度第1導電型不純物イオンを前記第1半導体層内に注入して低濃度ドーピング領域を形成する段階と、を有する、ことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 遮断膜と、該遮断膜上に形成される第1半導体層及び第2半導体層とを有する基板を提供する段階と、
前記第1半導体層上に第1ゲート絶縁膜と、前記第1半導体層内に形成されるチャンネル領域及び低濃度ドーピング領域と重畳する第3ゲート絶縁膜と、前記第1半導体層内に形成されるチャンネル領域と重畳する第1ゲート電極と、前記第3ゲート絶縁膜と重畳する感光膜パターンとからなる第1イオン注入マスク構造と、
前記第2半導体層上に第1ゲート絶縁膜と、前記第2半導体層と重畳する第4ゲート絶縁膜と、前記第2半導体層内に形成されるチャンネル領域と重畳する第2ゲート電極と、該第2ゲート電極と重畳する感光膜パターンとからなる第2イオン注入マスク構造とを形成する段階と、
ここで、前記第1イオン注入マスク構造及び第2イオン注入マスク構造を形成する段階は、
前記遮断膜上の前記第1半導体層及び第2半導体層上に延在する、第1及び第2ゲート絶縁膜及び導電膜を順次に形成する段階と、
前記導電膜上に、前記第1半導体層内に形成される前記チャンネル領域及び前記低濃度ドーピング領域と重畳される第1厚さを有する単層構造の感光膜パターンを形成し、前記第2半導体層内に形成される前記チャンネル領域と重畳される領域には第1厚さを有し、前記第2半導体層内に形成されるソース/ドレイン領域と重畳される領域には第2厚さを有する2層構造の感光膜パターンを形成する段階と、
前記各感光膜パターンをエッチングマスクとして前記延在する導電膜をパターニングして前記第1ゲート電極及び第2ゲートパターンを形成し、前記各感光膜パターンをエッチングマスクとして前記延在する第2ゲート絶縁膜をパターニングして、前記第1半導体層内に形成されるチャンネル領域及び低濃度ドーピング領域と重畳するようにパターニングされた第3ゲート絶縁膜、並びに前記第2半導体層と重畳するようにパターニングされた第4ゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記2層構造の感光膜パターンの第2厚さ部分を除去する段階と、
前記第2厚さ部分が除去された感光膜パターンをエッチングマスクとして前記第2ゲートパターンをパターニングして、第2ゲート電極を形成する段階と、
以上の段階までに形成された第1及び第2イオン注入マスク構造をイオン注入マスクとして高濃度第1導電型不純物イオンを前記第1半導体層内に注入して第1導電型ソース/ドレイン領域を形成する段階と、を含み、
以上の段階までに形成された第1及び第2イオン注入マスク構造をイオン注入マスクとして高濃度第2導電型不純物イオンを前記第2半導体層と前記第1半導体層下部の遮断膜内に注入して第2導電型ソース/ドレイン領域を形成する段階と、前記各感光膜パターンを除去する段階と、前記感光膜パターンが除去された結果構造物をイオン注入マスクとして低濃度第1導電型不純物イオンを前記第1半導体層内に注入して低濃度ドーピング領域を形成する段階と、を有する、ことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記第2導電型ソース/ドレイン領域を形成する段階は、前記第2半導体層内に前記第2導電型不純物イオンのドーピング濃度のピークが存在するようにすることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記第2ゲート絶縁膜の厚さは、前記第1ゲート絶縁膜の厚さ以上を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
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