JP2007013145A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 基板と、
   前記基板上に形成された、チャネル領域と、該チャネル領域の両側にそれぞれ隣接した低濃度ドーピング領域と、該低濃度ドーピング領域にそれぞれ隣接したソース領域及びドレーン領域を含む半導体層と、
   前記半導体層の前記チャネル領域上に形成されたゲート電極と、
   前記半導体層と前記ゲート電極との間に形成された第１のゲート絶縁膜と、
   前記第１のゲート絶縁膜と前記ゲート電極との間に形成された、前記低濃度ドーピング領域と前記ソース領域の境界部に実質的に整列される第１の側壁及び、前記低濃度ドーピング領域と前記ドレーン領域の境界部に実質的に整列される第２の側壁を備える第２のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート電極、前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜上に形成された層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上に形成され、前記層間絶縁膜の第１のコンタクトホールを通じて前記ソース領域と電気的に連結されるソース電極、及び前記層間絶縁膜の第２のコンタクトホールを通じて前記ドレーン領域と電気的に連結されるドレーン電極と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
2. 前記第２のゲート絶縁膜の第１及び第２の両側壁の上部は、前記ゲート電極の側壁に実質的に整列されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
3. 前記第２のゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜の間にキャッピング膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
4. 前記第１のゲート絶縁膜は、各々、前記低濃度ドーピング領域と前記ソース領域の境界部、及び前記低濃度領域と前記ドレーン領域の境界部に実質的に整列される側壁を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
5. 前記第１のゲート絶縁膜は酸化珪素を含み、前記第２のゲート絶縁膜は窒化珪素を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
6. 前記低濃度ドーピング領域の不純物イオン濃度は、前記低濃度ドーピング領域と前記ソース又はドレーン領域の境界部から前記低濃度ドーピング領域と前記チャネル領域の境界部に行くに連れて漸進的に減少することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
7. 基板と、
   前記基板上に形成された、チャネル領域と、該チャネル領域の両側にそれぞれ隣接した低濃度ドーピング領域と、該低濃度ドーピング領域にそれぞれ隣接したソース領域及びドレーン領域を含む半導体層と、
   前記半導体層の前記チャネル領域上に形成されたゲート電極と、
   前記半導体層と前記ゲート電極との間に形成された第１のゲート絶縁膜と、
   前記第１のゲート絶縁膜と前記ゲート電極との間に形成され、上部は前記ゲート電極の側壁に実質的に整列され、下部は各々、前記低濃度ドーピング領域と前記ソース領域の境界部、及び前記低濃度ドーピング領域と前記ドレーン領域の境界部に実質的に整列される側壁を備える第２のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート電極、前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜上に形成された層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上に形成され、前記層間絶縁膜の第１のコンタクトホールを通じて前記ソース領域と電気的に連結されるソース電極、及び前記層間絶縁膜の第２のコンタクトホールを通じて前記ドレーン領域と電気的に連結されるドレーン電極と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
8. 前記低濃度ドーピング領域の不純物イオン濃度は、前記低濃度ドーピング領域と前記ソース又はドレーン領域の境界部から前記低濃度ドーピング領域と前記チャネル領域の境界部に行くに連れて漸進的に減少することを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ基板。
9. 前記第１のゲート絶縁膜の側壁は、前記第２のゲート絶縁膜の側壁の下部に実質的に整列されることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ基板。
10. 基板上に半導体層を形成する段階と、
    前記半導体層上に第１のゲート絶縁膜、第２のゲート絶縁膜、及び金属膜を順次に形成する段階と、
    前記金属膜上に形成された感光膜パターンをエッチングマスクとして前記金属膜をパターニングしてゲート電極を形成する段階と、
    前記感光膜パターンをエッチングマスクとして前記第２のゲート絶縁膜をパターニングして前記ゲート電極よりも幅の広い第２のゲート絶縁膜を形成する段階と、
    前記ゲート電極と前記パターニングされた第２のゲート絶縁膜をイオン注入マスクとして使用して不純物イオンを注入して、前記半導体層の前記ゲート電極の下部に対応する領域にはチャネル領域を、前記パターニングされた第２のゲート絶縁膜のうち前記ゲート電極によって被覆されていない部分の下部に対応する領域には低濃度ドーピング領域を、前記パターニングされた第２のゲート絶縁膜の外側の下部に対応する領域には、ソース領域及びドレーン領域を形成する段階と、
    前記ゲート電極、前記第１のゲート絶縁膜、及び前記第２のゲート絶縁膜上に層間絶縁膜を形成する段階と、
    第１のコンタクトホールを通じて前記ソース領域に電気的に連結されたソース電極を形成する段階と、
    第２のコンタクトホールを通じて前記ドレーン領域に電気的に連結されたドレーン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
11. 前記パターニングされた第２のゲート絶縁膜は、前記ゲート電極から遠くなるほどその厚さが縮小されるように形成されることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
12. 前記第２のゲート絶縁膜がパターニングされた後、前記第１のゲート絶縁膜の両側壁を前記パターニングされた第２のゲート絶縁膜の両側壁に実質的に整列する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
13. 前記第１のゲート絶縁膜は酸化珪素を含み、前記第２のゲート絶縁膜は窒化珪素を含むことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。