KR101049801B1 - 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층이 형성된 상기 기판을 친수성 가스 또는 소수성 가스 분위기에 위치시키고, 상기 비정질 실리콘층 상에 개구부 및 폐쇄부를 구비하는 마스크를 위치시키고, 상기 마스크를 통하여 UV 램프를 상기 비정질 실리콘층 상에 조사하고, 상기 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치를 제공한다.
결정화, 친수성, 소수성

Description

다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치{Fabrication method of polycrystalline silicon and atomic deposition apparatus used in the same}
본 발명은 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 비정질 실리콘층 표면의 일정 영역을 친수성 또는 소수성으로 개질함으로써, 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속 형성시에 결정화 유도 금속을 정해진 위치 및 균일한 농도로 형성할 수 있으며, 그로 인하여 시드의 형성 위치 및 결정립의 크기를 제어할 수 있는 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
일반적으로 다결정 실리콘층은 높은 전계 효과 이동도와 고속 동작 회로에 적용이 가능하며 CMOS 회로 구성이 가능하다는 장점이 있어 박막트랜지스터용 반도체층의 용도로서 많이 사용되고 있다. 이러한 다결정 실리콘층을 이용한 박막트랜지스터는 주로 능동 행렬 액정 디스플레이 장치(AMLCD)의 능동소자와 유기 전계 발광 소자(OLED)의 스위칭 소자 및 구동 소자에 사용된다.
상기 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화하는 방법은 고상 결정화 법(Solid Phase Crystallization), 엑시머 레이저 결정화법(Excimer Laser Crystallization), 금속 유도 결정화법(Metal Induced Crystallization) 및 금속 유도 측면 결정화법(Metal Induced Lateral Crystallization) 등이 있는데, 고상 결정화법은 비정질 실리콘층을 박막트랜지스터가 사용되는 디스플레이 소자의 기판을 형성하는 물질인 유리의 변형 온도인 약 700℃ 이하의 온도에서 수 시간 내지 수십 시간에 걸쳐 어닐링하는 방법이고, 엑시머 레이저 결정화법은 엑시머 레이저를 비정질 실리콘층에 주사하여 매우 짧은 시간 동안 국부적으로 높은 온도로 가열하여 결정화하는 방법이며, 금속 유도 결정화법은 니켈, 팔라듐, 금, 알루미늄 등의 결정화 유도 금속을 비정질 실리콘층과 접촉시키거나 주입하여 상기 결정화 유도 금속에 의해 비정질 실리콘층이 다결정 실리콘층으로 상 변화가 유도되는 현상을 이용하는 방법이고, 금속 유도 측면 결정화법은 결정화 유도 금속과 실리콘이 반응하여 생성된 실리사이드가 측면으로 계속하여 전파되면서 순차로 비정질 실리콘층의 결정화를 유도하는 방법을 이용하는 결정화 방법이다.
그러나 상기의 고상 결정화법은 공정 시간이 너무 길뿐만 아니라 고온에서 장시간 열처리함으로써 기판의 변형이 발생하기 쉽다는 단점이 있고, 엑시머 레이저 결정화법은 고가의 레이저 장치가 필요할 뿐만 아니라 다결정화된 표면의 돌기(protrusion)가 발생하여 반도체층과 게이트 절연막의 계면 특성이 나쁘다는 단점이 있다.
현재 결정화 유도 금속을 이용하여 비정질 실리콘층을 결정화하는 방법은 고상 결정화보다 낮은 온도에서 빠른 시간 내에 결정화시킬 수 있는 장점을 가지고 있기 때문에 많이 연구되고 있다. 결정화 유도 금속을 이용한 결정화 방법은 금속 유도 결정화 방법과 금속 유도 측면 결정화 방법, SGS 결정화 방법(Super Grain Silicon Crystallization) 등이 있다.
상기 결정화 유도 금속을 이용하는 결정화 방법들에 있어서 결정화 유도 금속을 비정질 실리콘층 상에 형성하는 방법으로는 스퍼터링(sputtering)법, 이온 임플렌테이션(ion implantation)법, 열증착(thermal evaporation)법 등이 사용된다. 그러나 상기 방법들은 금속 타켓으로부터 증착시키고자 하는 금속 입자가 무작위 방향으로 퍼져나가므로, 1011 내지 1016atoms/㎠ 정도의 금속 촉매의 농도를 균일하게 증착하기에는 한계점이 있다.
최근 마이크로 전자 기술 시스템(Microelectromechanical Systems: MEMS) 기술을 이용하여 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 균일하게 찍는 기술이 보고되고 있으나, 상기 기술은 양산시 택트 타임(tact time) 등의 한계점을 가지고 있어서 상용화 기술로는 적합하지 않은 문제점이 있다.
본 발명은 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속 형성시에 결정화 유도 금속을 정해진 위치 및 균일한 농도로 형성함으로써, 시드의 형성 위치 및 결정립의 크기를 제어할 수 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치를 제공하는데 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층이 형성된 상기 기판을 친수성 가스 또는 소수성 가스 분위기에 위치시키고, 상기 비정질 실리콘층 상에 개구부 및 폐쇄부를 구비하는 마스크를 위치시키고, 상기 마스크를 통하여 UV 램프를 상기 비정질 실리콘층 상에 조사하고, 상기 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은 챔버; 상기 챔버 내에 위치하는 척; 상기 척 상에 위치하며, 개구부 및 폐쇄부를 포함하는 마스크; 상기 마스크 상에 위치하는 UV 램프; 및 상기 챔버 내에 위치하는 가스 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치를 제공한다.
비정질 실리콘층 표면의 일정 영역을 친수성 또는 소수성으로 개질함으로써, 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속 형성시에 결정화 유도 금속을 정해진 위치에 형성할 수 있으며, 또한 원자층 증착 장비를 이용하여 결정화 유도 금속을 증착하여 결정화 유도 금속을 균일한 농도로 형성함으로써, 시드의 형성 위치 및 결정립의 크기를 제어하여 다결정 실리콘층을 형성할 수 있다. 또한 상기 다결정 실리콘층을 이용하여 박막트랜지스터를 형성함으로써, 결정립 크기의 불균일에서 오는 박막트랜지스터의 특성 산포를 최소화할 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 실리콘층의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 유리 또는 플라스틱과 같은 기판(100)을 준비한다. 상기 기판(100) 상에 버퍼층(110)을 형성할 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)법 또는 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition)법을 이용하여 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 절연막을 이용하여 단층 또는 이들의 복층으로 형성한다. 이때 상기 버퍼층(110)은 상기 기판(100)에서 발생하는 수분 또는 불순물의 확산을 방지하거나, 결정화시 열의 전달 속도를 조절함으로써, 비정질 실리콘층의 결정화가 잘 이루어질 수 있도록 하는 역 할을 한다.
이어서 상기 버퍼층(110) 상에 비정질 실리콘층(120)을 형성한다. 이때 상기 비정질 실리콘층(120)은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition) 또는 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition)을 이용할 수 있다. 또한, 상기 비정질 실리콘층(120)을 형성할 때, 또는, 형성한 후에 탈수소 처리하여 수소의 농도를 낮추는 공정을 진행할 수 있다.
이어서 상기 비정질 실리콘층(120)이 형성된 상기 기판(100)을 친수성 가스 또는 소수성 가스 분위기에 위치시킨다. 도 1b를 참조하면, 상기 비정질 실리콘층(120) 상에 개구부(130a) 및 폐쇄부(130b)를 구비하는 마스크(130) 및 상기 마스크(130) 상에 UV 램프(140)을 위치시킨다. 상기 마스크(130)의 개구부(130a)를 통하여 상기 비정질 실리콘층(120) 상에 UV 램프를 조사한다. 상기 UV 램프가 조사되면, UV 램프가 조사된 상기 비정질 실리콘층(120) 표면의 일정 영역(150)은 친수성 또는 소수성으로 표면이 개질된다.
상기 기판(100)이 친수성 가스 분위기에 위치하는 경우에는 상기 마스크의 개구부(130a)가 상기 비정질 실리콘층(120) 상에서 결정화 유도 금속이 형성되어야 할 영역에 대응하도록 위치시킨다. 상기 기판(100)이 소수성 가스 분위기에 위치하는 경우에는 상기 마스크의 폐쇄부(130b)가 상기 비정질 실리콘층(120) 상에서 결정화 유도 금속이 형성되어야 할 영역에 대응하도록 위치시킨다. 상기 UV 램프가 조사되는 영역이 상기 마스크의 개구부(130a) 영역과 일치하도록 하기 위하여, 상기 마스크(130)와 상기 UV 램프(120)와의 거리는 상기 UV 램프의 파장이 직진성을 유지할 수 있는 거리 내에 두는 것이 바람직하다. 상기 거리는 공정압력, 램프의 파장, 가스 종류 등에 따라서 변할 수 있다.
상기 친수성 가스로는 O2, N2O 또는 H2O를 이용할 수 있으며, 상기 소수성 가스로는 CxFy(x 및 y는 자연수) 계열의 가스를 이용할 수 있다. 상기 UV램프(120)의 파장은 단파장인 것이 바람직하다. 효율면에서는 진공 UV램프(Vacumm UV램프, VUV 램프)가 바람직하며, 초자외선 램프(Extreme UV 램프, EUV 램프) 등을 사용할 수도 있다.
이어서 상기 비정질 실리콘층(120) 상에 결정화 유도 금속(160)을 형성한다. 도 1c를 참조하면, 상기 결정화 유도 금속 형성시, 친수성으로 개질된 상기 비정질 실리콘층(120) 표면의 일정 영역(150a)으로 상기 결정화 유도 금속(160)이 우선적으로 증착되며, 친수성으로 개질되지 아니한 상기 비정질 실리콘층의 표면의 일정 영역(150b) 상에는 상기 결정화 유도 금속(160)이 증착되지 않는다. 또는 도 1d를 참조하면, 이와 반대로 소수성으로 개질된 상기 비정질 실리콘층(120) 표면의 일정 영역(120c)에는 상기 결정화 유도 금속(160)이 증착되지 않으며, 소수성으로 개질되지 아니한 상기 비정질 실리콘층 표면의 일정 영역(120d) 상에 상기 결정화 유도 금속(160)이 우선적으로 증착된다. 따라서 상기 결정화 유도 금속(160)을 상기 비정질 실리콘층(120) 상의 일정 영역에만 증착할 수 있으므로, 결정화 시드가 형성되는 영역을 제어할 수 있으며, 그로 인하여 결정립의 크기 등도 제어할 수 있다.
상기 결정화 유도 금속(160)은 Ni, Pd, Ti, Ag, Au, Al, Sn, Sb, Cu, Co, Mo, Tr, Ru, Rh, Cd 및 Pt로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 사용할 수 있는데, 바람직하게는 니켈(Ni)을 이용한다. 이때, 결정화 유도 금속은 1011 내지 1015atoms/㎠의 면밀도로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 결정화 유도 금속이 1011atoms/㎠의 면밀도 보다 적게 형성된 경우에는 결정화의 핵인 시드의 양이 적어 상기 비정질 실리콘층(120)이 다결정 실리콘층으로 결정화하기가 어려울 수도 있으며, 상기 결정화 유도 금속이 1015atoms/㎠의 면밀도 보다 많게 형성된 경우에는 비정질 실리콘층으로 확산되는 결정화 유도 금속의 양이 상기 다결정 실리콘층을 패터닝하여 형성되는 반도체층의 누설전류 특성이 저하될 수 있다.
상기 결정화 유도 금속(160)을 균일한 두께 및 저농도로 형성하기 위하여 원자층 증착 방법(atomic layer deposition method)와 같은 화학적 기상 증착법(chemical vapor deposition method)를 이용하는 것이 바람직하다.
이어서 상기 결정화 유도 금속(160)이 형성된 상기 비정질 실리콘층(120)을 포함하는 상기 기판(100)을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층(120)을 다결정 실리콘층으로 결정화한다. 열처리시 상기 비정질 실리콘층(120)의 표면이 친수성으로 개질되거나 소수성으로 개질되지 아니하여 상기 결정화 유도 금속(160)이 증착된 영역(150a, 150c)에서부터 시드가 형성되며, 상기 영역을 중심으로 결정립이 좌우로 성장하게 된다. 따라서 상기 마스크(130)의 개구부(130a)의 위치를 제어하여 시드가 형성되는 영역을 제어함으로써, 결정립의 크기도 제어할 수 있게 된다.
상기 열처리 공정은 로(furnace) 공정, RTA(Rapid Thermal Annealling) 공정, UV 공정 또는 레이저(Laser) 공정 중 어느 하나의 공정을 이용할 수 있으며, 200 내지 900℃의 온도 범위에서 수 초 내지 수 시간 동안 진행할 수 있다. 상기 온도와 시간에서 진행하는 경우에 과다한 열처리 공정으로 인한 기판의 변형 등을 방지할 수 있으며, 제조 비용 및 수율의 면에서도 바람직하다.
본 발명에서는 원자층 증착법에 의해서 상기 결정화 유도 금속(120)을 형성하는 것이 바람직하다. 이하 본 발명에 이용되는 원자층 증착 장비 및 이를 이용하여 결정화 유도 금속을 상기 비정질 실리콘층 상에 형성하는 방법에 대해서 설명한다. 하기에서 특별히 언급하는 것을 제외하고는 상기 실시예에 기재된 것을 참조한다.
도 2는 본 발명의 다결정 실리콘층의 제조방법에 이용될 수 있는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 장치의 단면도이다. 도 3은 도 2의 원자층 증착 장치를 이용하여 다결정 실리콘층을 제조하는 방법을 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 장치는 증착 공정이 수행되는 내부 공간을 갖는 챔버(200)을 포함한다. 상기 챔버(200) 내에 기판을 로딩하기 위한 척(chuck)(210)이 위치한다. 상기 척(210) 상에 UV 램프(220)가 위치한다. 상기 UV 램프(220)와 상기 척(210) 사이에 개구부(230a) 및 폐쇄부(230b)를 포함하는 마스크(230)가 위치한다. 상기 UV램프(220)의 파장은 단파장인 것이 바람직하다. 효율면에서는 진공 UV램프(Vacumm UV램프, VUV 램프)가 바람직하며, 초자외선 램프(Extreme UV 램프, EUV 램프) 등을 사용할 수도 있다.
상기 챔버(200)의 일 측면에는 공정에 이용되는 가스를 공급하기 위한 가스 공급부(240)가 위치한다. 상기 가스 공급부(240)는 상기 챔버(200) 내에 복수 개로 위치할 수 있다. 또한 상기 챔버(200)와 연결되며, 사용된 가스들 또는 부산물들을 외부로 배출하기 위한 배기홀(250)이 상기 척(210) 하부에 위치할 수도 있다.
도 3을 참조하면, 도 1a에서와 같이 상기 비정질 실리콘층(120)이 형성된 상기 기판(100)을 상기 챔버(200) 내의 상기 척(210) 상에 로딩(loading)한다. 이어서 상기 UV 램프(220)를 조사함과 동시에 상기 가스 공급부(240)를 통하여 친수성 가스 또는 소수성 가스를 공급한다.
친수성 가스를 공급하는 경우에는 상기 마스크의 개구부(230a)가 상기 비정질 실리콘층(120) 상에서 결정화 유도 금속이 형성되어야 할 영역에 대응하도록 위치시킨다. 소수성 가스를 공급하는 경우에는 상기 마스크의 폐쇄부(230b)가 상기 비정질 실리콘층(120) 상에서 결정화 유도 금속이 형성되어야 할 영역에 대응하도록 위치시킨다. 상기 UV 램프(220)가 조사되는 영역이 상기 마스크의 개구부(230a) 영역과 일치하도록 하기 위하여, 상기 마스크(230)와 상기 UV 램프(220)와의 거리는 상기 UV 램프의 파장이 직진성을 유지할 수 있는 거리 내에 두는 것이 바람직하다. 상기 거리는 공정압력, 램프의 파장, 가스 종류 등에 따라서 변할 수 있다.
상기 친수성 가스로는 O2, N2O 또는 H2O를 이용할 수 있으며, 상기 소수성 가스로는 CxFy(x 및 y는 자연수) 계열의 가스를 이용할 수 있다.
이어서 상기 가스 공급부(240) 또는 다른 가스 공급부를 통하여 결정화 유도 금속 전구체를 공급하여 상기 비정질 실리콘층(120) 상에 결정화 유도 금속을 형성한다. 상기 결정화 유도 금속 전구체 공급시, 도 1c에 도시된 바와 같이, 개질된 상기 비정질 실리콘층(120) 표면의 일정 영역으로 결정화 유도 금속이 우선적으로 증착되며, 친수성으로 개질되지 아니한 상기 비정질 실리콘층의 표면의 일정 영역 상에는 결정화 유도 금속이 증착되지 않는다. 또는 이와 반대로 도 1d에 도시된 바와 같이, 소수성으로 개질된 상기 비정질 실리콘층(120) 표면의 일정 영역에는 결정화 유도 금속이 증착되지 않으며, 소수성으로 개질되지 아니한 상기 비정질 실리콘층 표면의 일정 영역 상에 결정화 유도 금속이 우선적으로 증착된다. 따라서 상기 결정화 유도 금속을 상기 비정질 실리콘층 상의 일정 영역에만 증착할 수 있으므로, 결정화 시드가 형성되는 영역을 제어할 수 있으며, 그로 인하여 결정립의 크기 등도 제어할 수 있다.
상기 결정화 유도 금속은 Ni, Pd, Ti, Ag, Au, Al, Sn, Sb, Cu, Co, Mo, Tr, Ru, Rh, Cd 및 Pt로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 사용할 수 있는데, 바람직하게는 니켈(Ni)을 이용한다. 이때, 결정화 유도 금속은 1011 내지 1015atoms/㎠의 면밀도로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 결정화 유도 금속이 1011atoms/㎠의 면밀도 보다 적게 형성된 경우에는 결정화의 핵인 시드의 양이 적어 상기 비정질 실리콘층(120)이 다결정 실리콘층으로 결정화하기가 어려울 수도 있으며, 상기 결정화 유도 금속이 1015atoms/㎠의 면밀도 보다 많게 형성된 경우에는 비정질 실리콘층으로 확산되는 결정화 유도 금속의 양이 상기 다결정 실리콘층을 패터닝하여 형 성되는 반도체층의 누설전류 특성이 저하될 수 있다.
이어서 상기 원자층 증착 장비에서 상기 기판(100)을 언로딩(unloading)하고, 결정화 유도 금속이 형성된 상기 비정질 실리콘층(120)을 포함하는 상기 기판(100)을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화한다.
따라서 본 발명에서는 비정질 실리콘층 표면의 일정 영역을 친수성 또는 소수성으로 개질함으로써, 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속 형성시에 결정화 유도 금속을 정해진 위치에 형성할 수 있으며, 또한 원자층 증착 장비를 이용하여 결정화 유도 금속을 증착하여 결정화 유도 금속을 균일한 농도로 형성함으로써, 시드의 형성 위치 및 결정립의 크기를 제어하여 다결정 실리콘층을 형성할 수 있다. 또한 상기 다결정 실리콘층을 이용하여 박막트랜지스터를 형성함으로써, 결정립 크기의 불균일에서 오는 박막트랜지스터의 특성 산포를 최소화할 수 있다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 실리콘층의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다결정 실리콘층의 제조방법에 이용될 수 있는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 장치의 단면도이다.
도 3은 도 2의 원자층 증착 장치를 이용하여 다결정 실리콘층을 제조하는 방법을 나타낸 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
120: 비정질 실리콘층 130, 230: 마스크
140, 220: UV 램프 160: 결정화 유도 금속
200: 챔버 210: 척
240: 가스 공급부 250: 배기홀

Claims (15)

  1. 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고,
    상기 기판과 상기 비정질 실리콘층을 친수성 가스 분위기에 위치시키고,
    상기 비정질 실리콘층 상에 개구부 및 폐쇄부를 구비하는 마스크를 위치시키고,
    상기 마스크의 개구부를 통하여 UV 램프에서 방출된 자외선을 상기 비정질 실리콘층 상에 조사하고,
    상기 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 형성하고,
    상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 단계들을 포함하며,
    상기 마스크의 개구부는 상기 비정질 실리콘층 상에 상기 결정화 유도 금속이 형성되어야 하는 영역에 대응하여 위치하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 결정화 유도 금속은 상기 마스크의 개구부를 통하여 자외선이 조사된 상기 비정질 실리콘층 영역 상에만 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 친수성 가스는 O2, N2O 또는 H2O인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 결정화 유도 금속은 원자층 증착법에 의해서 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스크와 상기 UV 램프와의 거리는 상기 UV 램프의 파장이 직진성을 유지할 수 있는 거리 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  7. 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고,
    상기 기판과 상기 비정질 실리콘층을 소수성 가스 분위기에 위치시키고,
    상기 비정질 실리콘층 상에 개구부 및 폐쇄부를 구비하는 마스크를 위치시키고,
    상기 마스크의 개구부를 통하여 UV 램프에서 방출된 자외선을 상기 비정질 실리콘층 상에 조사하고,
    상기 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 형성하고,
    상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 단계들을 포함하며,
    상기 마스크의 폐쇄부는 상기 비정질 실리콘층 상에 상기 결정화 유도 금속이 형성되어야 하는 영역에 대응하여 위치하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  8. 삭제
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 결정화 유도 금속은 상기 마스크의 폐쇄부에 의하여 UV 램프가 조사되지 않은 상기 비정질 실리콘층 영역 상에만 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 소수성 가스는 CXFY(x 및 y는 자연수) 계열인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 결정화 유도 금속은 원자층 증착법에 의해서 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 마스크와 상기 UV 램프와의 거리는 상기 UV 램프의 파장이 직진성을 유지할 수 있는 거리 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
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Families Citing this family (292)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
WO2013081242A1 (ko) * 2011-12-01 2013-06-06 주식회사 엘지화학 마스크
JP5771339B2 (ja) * 2012-02-21 2015-08-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 原子層堆積リソグラフィ
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
CN102842620A (zh) * 2012-09-11 2012-12-26 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
CN108448008B (zh) * 2018-04-12 2020-05-01 昆山梦显电子科技有限公司 Oled薄膜封装工艺及oled薄膜封装系统
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
CN111367003A (zh) * 2018-12-26 2020-07-03 中芯集成电路（宁波）有限公司 光学器件制作方法
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100778781B1 (ko) * 2005-12-16 2007-11-27 주식회사 테라세미콘 다결정 실리콘 박막 제조방법 및 그 제조장치

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6333868A (ja) 1986-07-28 1988-02-13 Nec Corp Ｍｉｓ型電界効果トランジスタの製造方法
JPS63304668A (ja) 1987-06-03 1988-12-12 Fujitsu Ltd 絶縁ゲ−ト型トランジスタの製造方法
JPH04135161A (ja) 1990-09-21 1992-05-08 Ietatsu Ono 研磨方法とその研磨加工装置
JP3076119B2 (ja) 1991-12-25 2000-08-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置の製造方法
US5517037A (en) 1992-03-25 1996-05-14 Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. Polysilicon thin film with a particulate product of SiOx
JP3139154B2 (ja) 1992-08-19 2001-02-26 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及びその製造方法
JPH0669515A (ja) 1992-08-19 1994-03-11 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JP3107941B2 (ja) 1993-03-05 2000-11-13 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタおよびその作製方法
JPH0713196A (ja) 1993-06-21 1995-01-17 Toshiba Corp アクティブマトリックス型液晶表示装置
KR100294026B1 (ko) * 1993-06-24 2001-09-17 야마자끼 순페이 전기광학장치
US7081938B1 (en) 1993-12-03 2006-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
JPH0845850A (ja) 1994-07-27 1996-02-16 Oki Electric Ind Co Ltd ドープト多結晶半導体薄膜の成長方法
JP3476320B2 (ja) 1996-02-23 2003-12-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体薄膜およびその作製方法ならびに半導体装置およびその作製方法
TW317643B (ko) 1996-02-23 1997-10-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
KR100205523B1 (ko) 1996-04-08 1999-07-01 구자홍 박막트랜지스터 및 그 제조방법
JPH1174536A (ja) 1997-01-09 1999-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2000031488A (ja) * 1997-08-26 2000-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
KR20000055877A (ko) 1999-02-10 2000-09-15 장진 니켈이 포함된 다결정 실리콘
KR100317638B1 (ko) 1999-03-19 2001-12-22 구본준, 론 위라하디락사 폴리실리콘 박막트랜지스터 소자 및 그 제조방법
US6878968B1 (en) * 1999-05-10 2005-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP3706527B2 (ja) 1999-06-30 2005-10-12 Ｈｏｙａ株式会社 電子線描画用マスクブランクス、電子線描画用マスクおよび電子線描画用マスクの製造方法
JP3715848B2 (ja) 1999-09-22 2005-11-16 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US6294442B1 (en) 1999-12-10 2001-09-25 National Semiconductor Corporation Method for the formation of a polysilicon layer with a controlled, small silicon grain size during semiconductor device fabrication
JP4200618B2 (ja) 1999-12-27 2008-12-24 ソニー株式会社 半導体膜形成方法及び薄膜半導体装置の製造方法
GB2358081B (en) 2000-01-07 2004-02-18 Seiko Epson Corp A thin-film transistor and a method for maufacturing thereof
KR100450595B1 (ko) 2000-02-09 2004-09-30 히다찌 케이블 리미티드 결정실리콘 반도체장치 및 그 장치의 제조방법
JP4769997B2 (ja) 2000-04-06 2011-09-07 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法
JP2001337348A (ja) 2000-05-30 2001-12-07 Toshiba Corp アレイ基板およびその製造方法
KR100387122B1 (ko) 2000-09-15 2003-06-12 피티플러스(주) 백 바이어스 효과를 갖는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
JP2003060209A (ja) 2001-08-08 2003-02-28 Sharp Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2003100629A (ja) 2001-09-19 2003-04-04 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法
JP4135347B2 (ja) * 2001-10-02 2008-08-20 株式会社日立製作所 ポリシリコン膜生成方法
US6933527B2 (en) * 2001-12-28 2005-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and semiconductor device production system
JP4092261B2 (ja) 2002-08-02 2008-05-28 三星エスディアイ株式会社 基板の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR20040036761A (ko) 2002-10-24 2004-05-03 엘지전자 주식회사 고밀도 플라즈마 화학기상증착법에 의한 실리콘 증착방법
JP4115252B2 (ja) 2002-11-08 2008-07-09 シャープ株式会社 半導体膜およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法
KR100470274B1 (ko) 2002-11-08 2005-02-05 진 장 덮개층을 이용한 비정질 물질의 상 변화 방법
JP3904512B2 (ja) 2002-12-24 2007-04-11 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法、並びに半導体装置を備えた電子機器
JP4059095B2 (ja) * 2003-02-07 2008-03-12 セイコーエプソン株式会社 相補型薄膜トランジスタ回路、電気光学装置、電子機器
KR20040098958A (ko) 2003-05-16 2004-11-26 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
JP4578877B2 (ja) 2003-07-31 2010-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
US7358165B2 (en) * 2003-07-31 2008-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR100623228B1 (ko) 2003-11-27 2006-09-18 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터, 상기 박막트랜지스터를 구비하는유기전계발광표시장치 및 상기 박막트랜지스터의 제조방법
KR100579188B1 (ko) 2004-02-12 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 엘디디 구조를 갖는 박막트랜지스터
WO2005119779A1 (en) 2004-06-03 2005-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and manufacturing method of the same
KR100600874B1 (ko) * 2004-06-09 2006-07-14 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법
KR100626007B1 (ko) 2004-06-30 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터의 제조방법, 이박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치, 및 이평판표시장치의 제조방법
KR100611659B1 (ko) * 2004-07-07 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법
KR100611764B1 (ko) 2004-08-20 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터의 제조 방법
KR100611766B1 (ko) * 2004-08-24 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 제조 방법
US7416928B2 (en) 2004-09-08 2008-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR100628989B1 (ko) 2004-09-17 2006-09-27 진 장 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
KR20060026776A (ko) 2004-09-21 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR100689316B1 (ko) 2004-10-29 2007-03-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광다이오드소자 및 그 제조방법
KR100669789B1 (ko) 2004-11-26 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치
US20090239352A1 (en) * 2005-03-31 2009-09-24 Tokyo Electron Limited Method for producing silicon oxide film, control program thereof, recording medium and plasma processing apparatus
US7341907B2 (en) 2005-04-05 2008-03-11 Applied Materials, Inc. Single wafer thermal CVD processes for hemispherical grained silicon and nano-crystalline grain-sized polysilicon
US7652291B2 (en) 2005-05-28 2010-01-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display
TWI401802B (zh) 2005-06-30 2013-07-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜電晶體板及其製造方法
JP4815600B2 (ja) 2005-09-06 2011-11-16 株式会社テラセミコン 多結晶シリコン薄膜製造方法及びその製造装置
CN101331598A (zh) 2005-12-19 2008-12-24 Nxp股份有限公司 绝缘体上硅中的源极和漏极的形成
KR100770269B1 (ko) 2006-05-18 2007-10-25 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터의 제조방법
KR101270168B1 (ko) 2006-09-19 2013-05-31 삼성전자주식회사 유기 전자발광디스플레이 및 그 제조방법
US20080147083A1 (en) 2006-11-09 2008-06-19 Vold Steven D Method and device for fixation of ophthalmic tissue
KR100864884B1 (ko) 2006-12-28 2008-10-22 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 구비한유기전계발광표시장치
KR100864883B1 (ko) 2006-12-28 2008-10-22 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 구비한유기전계발광표시장치.
KR100839735B1 (ko) 2006-12-29 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 평판 표시장치
KR100889626B1 (ko) 2007-08-22 2009-03-20 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 이를 구비한유기전계발광표시장치, 및 그의 제조방법
KR20080086967A (ko) 2008-08-28 2008-09-29 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 이를 구비한 유기전계발광표시장치
KR101015849B1 (ko) 2009-03-03 2011-02-23 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100778781B1 (ko) * 2005-12-16 2007-11-27 주식회사 테라세미콘 다결정 실리콘 박막 제조방법 및 그 제조장치

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ChemPhysChem, 8권, 2007년 10월, S. L. Gras et al., 2036-2050*

Also Published As

Publication number Publication date
US8546248B2 (en) 2013-10-01
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