JP2009033134A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 半導体装置の作製方法であって、
   表面に、導電膜及び前記導電膜を覆う第１の絶縁膜を有する凸部が設けられた絶縁性基板を形成する工程と、
   前記凸部が設けられた基板表面に、厚さが前記凸部の高さより薄い半導体膜を成膜する工程と、
   前記基板の凸部及びその両側に隣接する領域を覆う前記半導体膜の上に第1のレジストを形成する工程と、
   前記第1のレジストをマスクとして前記半導体膜をエッチングし、前記基板の前記凸部及びその両側に隣接する前記領域を覆う島状半導体膜を形成する工程と、
   前記第1のレジストをエッチングして前記基板の前記凸部の上面を覆う前記半導体膜を露出させるとともに、前記基板の前記凸部の両側に隣接する前記領域上に位置する前記半導体膜は前記第1のレジストで覆われたままとする工程と、
   前記凸部の前記上面を覆う露出された前記半導体膜をエッチングして薄膜化する工程と、
   前記第1のレジストを除去する工程と、
   前記基板の前記凸部の両側に隣接する前記領域上に位置する前記半導体膜に不純物を注入してソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、
   を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 前記第1のレジストを除去する工程の後、
   少なくとも前記薄膜化された半導体膜を覆う第2の絶縁膜を形成する工程と、
   前記第2の絶縁膜上に第2のレジストを形成する工程とを有し、
   前記不純物の注入は前記第2の絶縁膜上の前記第2のレジストをマスクとして行われ、
   前記第2の絶縁膜の厚さ及び前記第2のレジストの幅は、前記第2のレジストをマスクとした不純物の注入において、前記凸部の側面に沿って延在する前記半導体膜の少なくとも一部に前記第2の絶縁膜を介して不純物が注入されるように定められていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の作製方法。
3. 前記第2の絶縁膜上への前記第2のレジストの形成工程は、
   前記第2の絶縁膜上に堆積された前記第2のレジストを前記凸部が有する前記導電膜をマスクとして裏面露光する工程と、
   前記第2のレジストの露光された部分を除去する工程と、
   を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の作製方法。
4. 前記絶縁性基板を形成する工程において、
   前記導電膜を、側面がテーパ形状となるように形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
5. 半導体装置であって、
   表面に、導電膜及び前記導電膜を覆う第１の絶縁膜を有する凸部が設けられた絶縁性基板と、
   前記絶縁性基板の前記凸部とその両側に隣接する領域を覆う、厚さが前記凸部の高さより薄い島状半導体膜と、
   前記基板の前記凸部の両側に隣接する前記領域を覆う前記半導体膜に不純物を注入することにより形成されたソース領域及びドレイン領域とを有し、
   前記基板の前記凸部の上面を覆う前記半導体膜は、前記基板の前記凸部の両側に隣接する前記領域を覆う前記半導体膜より薄いことを特徴とする半導体装置。
6. 前記凸部の側面に沿って延在する前記半導体膜の少なくとも一部に前記ソース領域及びドレイン領域より低濃度に不純物が注入された領域を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
7. 前記導電膜は、側面がテーパ形状であることを特徴とする請求項５または請求項６のいずれかに記載の半導体装置。
8. 請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の半導体装置を有する電子機器。