CN101644862B - 显示装置及显示装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种显示装置，其特征在于，包括：栅电极GT；包含沟道区和在夹着沟道区的区域形成的2个杂质区并控制源电极ST与漏电极DT间的电流的半导体膜S；介于源电极ST等和2个杂质区之间的2个欧姆接触层DS；以及在以成为半导体膜S的大致中心的位置为中心的部分区域上层叠的绝缘膜ES，半导体膜S包含微晶硅或多晶硅而形成，在未形成绝缘膜ES的区域形成2个杂质区，形成2个欧姆接触层DS，将2个杂质区覆盖，形成源电极ST等，将欧姆接触层DS覆盖。

Description

显示装置及显示装置的制造方法

技术领域

本发明涉及用薄膜晶体管(TFT)进行像素的显示控制的显示装置及显示装置的制造方法。

背景技术

对于改善用非晶硅(a-Si)形成的薄膜晶体管的电气特性等性能之课题，迄今一直在进行研究。例如，为了获得所期望的电气特性，在一边沿用通过尽量维持用非晶硅形成的薄膜晶体管结构而设计的制造工艺、一边增大硅晶体粒径来改善电子迁移率等的方向上进行着研究。

特开平5-55570号公报就是这样的技术之一例，图6表示具有与特开平5-55570号公报中所述的相同的底栅结构的薄膜晶体管。如该图6所示，特开平5-55570号公报中，基于显示装置制造上的理由，多晶硅(p-Si)被层叠在非晶硅的下侧。

来看图6所示的薄膜晶体管，导通电流在电子迁移率大的多晶硅层SP中流动，但截止电流成为问题。这是因为，栅电极GT上一旦加上负电压，就会在多晶硅层SP上诱导出空穴，而漏电极DT及源电极ST与多晶硅层SP之间没有势垒，因此基于空穴的电流照样会流向漏电极DT及源电极ST。

因而，本申请发明人首先研究了图7所示的结构。如图7所示，通过用将多晶硅层SP和非晶硅层SA与杂质一起在非晶硅上成膜的硅掺杂层(Doped-Si)DS覆盖，防止空穴的通过从而抑制截止电流。但是，多晶硅层SP和漏电极DT及源电极ST之间经由硅掺杂层DS连接，由于该连接部分狭窄而接触电阻大，导通电流不充分。

因而，本申请发明人研究了图8所示的结构。为了使图7的结构中的导通电流增大，如图8所示，将漏电极DT及源电极ST和半导体膜S之间的连接部分扩大来使接触电阻降低。在该加工处理中，首先取代非晶硅层SA而形成绝缘膜ES，使半导体膜S中未被绝缘膜ES覆盖的部分与硅掺杂层DS接触。

但是，在图8所示的结构中，如图9A的表示栅极电压和漏极电流特性的曲线所示，在漏极电压为1V时，导通电流可充分确保，且截止电流也可抑制，但是在漏极电压为10V时，截止电流不能被抑制而有漏电流流动。因此，必须将适用于薄膜晶体管的漏极电压限于例如5V以下，要解决的课题是使漏极电压设于较高电压时的截止电流得到抑制。

发明内容

本发明之目的在于提供设有这样的薄膜晶体管的显示装置及其制造方法，对于该薄膜晶体管，一方面限制因制造工艺导致的成本上升，通过增大硅晶体粒径来改善显示装置的薄膜晶体管中的电子迁移率等，一方面又获得了合适的导通电流和截止电流。

用以解决上述课题的本发明的显示装置之特征在于，包括：在透明基板的上侧层叠的栅电极；在上述栅电极的上侧层叠的、包含沟道区和在夹着该沟道区的区域掺入杂质而形成2个杂质区的、通过该栅电极发生的电场来控制源电极与漏电极间的电流的半导体膜；分别介于上述源电极及上述漏电极与上述2个杂质区之间的、使它们欧姆接触的2个欧姆接触层；以及在以成为上述半导体膜的大致中心的位置为中心的该半导体膜的部分区域的上侧与上述半导体膜相接而层叠的绝缘膜，上述半导体膜包含微晶硅或多晶硅而形成，上述2个杂质区在上述半导体膜的上侧未形成上述绝缘膜部分的区域上形成，上述2个欧姆接触层形成为分别将上述2个杂质区覆盖，上述源电极及上述漏电极形成后分别将上述2个欧姆接触层覆盖。从而，在使用包含微晶硅或多晶硅的半导体膜时，可通过设置杂质区而形成PN结来抑制截止电流，同时通过在杂质区覆盖欧姆接触层来扩大与漏电极等接触的面积，以确保充分的导通电流。

此外，上述显示装置中，根据上述源电极及上述漏电极的形状形成上述2个杂质区的一部分，上述2个欧姆接触层各自按照上述源电极及上述漏电极的形状而形成，从上述绝缘膜的一部分开始延伸，将上述2个杂质区各自的上面和侧面覆盖。从而，有效率地形成欧姆接触层和杂质区，截止电流被抑制，同时确保导通电流。

用以解决上述课题的本发明的显示装置的制造方法之特征在于包括：栅电极层叠工序，在透明基板的上侧层叠栅电极；半导体膜层叠工序，在上述栅电极的上侧包含微晶硅或多晶硅而层叠通过该栅电极发生的电场来控制源电极及漏电极间的电流的半导体膜；杂质注入工序，在上述半导体膜中注入杂质；以及电极形成工序，在上述源电极及上述漏电极和注入上述杂质的区域之间形成使它们欧姆接触的2个欧姆接触层，并且形成上述源电极和上述漏电极。

此外，在上述显示装置的制造方法中，上述杂质注入工序包括：绝缘膜层叠工序，层叠用以覆盖上述半导体膜的绝缘膜；绝缘膜加工工序，在上述绝缘膜上形成光刻胶图案，经侧面蚀刻而加工成上述绝缘膜形成至比该光刻胶图案更内侧；以及半导体膜加工工序，按照上述光刻胶图案用干法蚀刻加工上述半导体膜，将形成至比上述光刻胶图案更内侧的上述绝缘膜作为掩模，向上述半导体膜注入上述杂质。因此，能够有效率地在半导体膜中注入杂质。此时，上述电极形成工序包括：欧姆接触层成膜工序，由非晶硅与杂质掺合而成地形成所述欧姆接触层形成用的膜；电极成膜工序，在上述欧姆接触层形成用膜的上侧，形成上述源电极及上述漏电极形成用的金属膜；电极加工工序，将上述电极成膜工序中成膜的金属加工成上述源电极及上述漏电极的形状；欧姆接触层加工工序，按照所述源电极和所述漏电极的形状，以上述绝缘膜作为蚀刻阻挡层来加工形成所述欧姆接触用的膜，从而形成2个欧姆接触层，上述显示装置的制造方法还包括杂质区加工工序，继续进行上述欧姆接触层加工工序中的加工，根据上述源电极及上述漏电极的形状并将上述绝缘膜作为蚀刻阻挡，将上述半导体膜中形成的注入了上述杂质的区域分断为2个杂质区。因此，能够根据源电极及漏电极的形状有效率地形成欧姆接触层和杂质区。附图说明图1是构成IPS方式的液晶显示装置的TFT基板的等效电路图。图2是表示本实施例的TFT基板的像素区域的放大平面图。图3是图2的III-III处剖切的剖视图。图4A表示本实施例的显示装置中的薄膜晶体管TFT的制造状态。图4B表示本实施例的显示装置中的薄膜晶体管TFT的制造状态。图4C表示本实施例的显示装置中的薄膜晶体管TFT的制造状态。图4D表示本实施例的显示装置中的薄膜晶体管TFT的制造状态。图4E表示本实施例的显示装置中的薄膜晶体管TFT的制造状态。图4F表示本实施例的显示装置中的薄膜晶体管TFT的制造状态。图4G表示本实施例的显示装置中的薄膜晶体管TFT的制造状态。图4H表示本实施例的显示装置中的薄膜晶体管TFT的制造状态。图4I表示本实施例的显示装置中的薄膜晶体管TFT的制造状态。图4J表示本实施例的显示装置中的薄膜晶体管TFT的制造状态。图5A是表示薄膜晶体管TFT的制造状态的俯视图。图5B是表示薄膜晶体管TFT的制造状态的俯视图。图5C是表示薄膜晶体管TFT的制造状态的俯视图。图6表示具有与专利文献1中所述的结构同样的底栅结构的薄膜晶体管。图7表示本申请发明人对图6中的薄膜晶体管的结构作了研究后提出的结构。图8表示本申请发明人对图7中的薄膜晶体管的结构作了研究后提出的结构。图9A是表示图8的薄膜晶体管的栅极电压和漏极电流的特性的曲线图。图9B是表示图3的薄膜晶体管中的栅极电压和漏极电流的特性的曲线图。图10表示构成VA方式及TN方式的显示装置的TFT基板的等效电路图之一例。图11是表示VA方式及TN方式的TFT基板的像素区域之一例的放大平面图。具体实施方式

以下，参照附图就本发明的实施例进行说明。

本发明一实施例的显示装置是IPS(In-Plane Switching：平面转换)方式的液晶显示装置，由设有栅极信号线、漏极信号线、薄膜晶体管、像素电极及对向电极的TFT基板、与该TFT基板相对的、设有滤色器的滤色器基板以及在两基板夹持的区域封入的液晶材料构成。该TFT基板就是在玻璃基板等的透明基板上配置了薄膜晶体管等。

图1是表示上述液晶显示装置的TFT基板SUB的等效电路图。图2是TFT基板SUB的1个像素区域的放大平面图。

如该二图所示，在TFT基板SUB上，许多栅极信号线GL相互等间隔地在图中横向延伸，此外，许多漏极信号线DL相互等间隔地在图中纵向延伸。而且，这些栅极信号线GL和漏极信号线DL将棋盘状排列的像素各自划分。此外，与各栅极信号线GL平行，公共信号线CL在图中横向延伸。

在栅极信号线GL和漏极信号线DL划分出的像素区域的角部，形成具有MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)结构的薄膜晶体管TFT，其栅电极GT与栅极信号线GL连接，漏电极DT与漏极信号线DL连接。此外，在各像素区域形成有成对的像素电极PX和对向电极CT，像素电极PX与薄膜晶体管TFT的源电极ST连接，对向电极CT与公共信号线CL连接。

在以上的电路结构中，各像素的对向电极CT上经由公共信号线CL施加基准电压，在栅极信号线GL上施加栅极电压，从而选择像素行。此外，在该选择的定时，向各漏极信号线DL供给图像信号，从而在各像素的像素电极PX上施加图像信号的电压。因此，像素电极PX和对向电极CT之间发生强度对应于图像信号电压的横向电场，液晶分子的取向取决于该横向电场的强度。

这里，如图2所示，在与栅极信号线GL连接的栅电极GT的上侧形成绝缘膜ES，再在绝缘膜ES的一部分上重叠而形成漏电极DT及源电极ST。

图3是图2的III-III处的剖视图，是与漏极信号线DL延伸的方向垂直的截面。如该图所示，在TFT基板SUB上的薄膜晶体管TFT的栅电极GT的上侧隔着栅极绝缘膜GI1形成半导体膜S。在半导体膜S的上侧与半导体膜S相接而形成绝缘膜ES，在绝缘膜ES的两侧形成漏电极DT和源电极ST。此外，在半导体膜S的两端注入杂质而形成漏极区DR和源极区SR(以下称2个杂质区)。这2个杂质区，经由边掺入杂质边形成非晶硅膜的硅掺杂层DS(以下称欧姆接触层DS)与漏电极DT及源电极ST形成欧姆接触而连接。此外，所谓欧姆接触是指布线层和半导体层等的电气接触部中电压-电流特性呈线性的接触状态。

这里，通过用CVD法等将非晶硅成膜后并进行激光退火等，半导体膜S被晶体化为微晶硅(μc-Si)或多晶硅等的晶体硅。一般，随着半导体膜S中的硅晶体化程度提高，电子迁移率因晶体粒径尺寸变大而提高，但由于工艺温度要求高温，工艺成本增大。

本实施例中的半导体膜S包含微晶硅或多晶硅而形成。

再有，微晶硅的晶体粒径在10nm以上、约100nm以下的范围，半导体膜S中的晶体粒径，可通过反射电子衍射和拉曼光谱法等确认。

然后，在半导体膜S的两端，以绝缘膜ES为掩模注入磷(P)等的N型杂质而形成2个杂质区。在半导体膜S上的绝缘膜ES的下侧区域，形成2个杂质区所夹的、通过栅电极GT发生的电场来控制漏电极DT和源电极ST间的电流的沟道区。

此外，为了使漏电极DT及源电极ST与2个杂质区欧姆接触，欧姆接触层DS分为2个区域而形成。欧姆接触层DS用与形成漏电极DT及源电极ST的材料对应的材料形成，将2个杂质区覆盖。由于漏电极DT及源电极ST主要由铝形成，本实施例中的欧姆接触层DS用添加了磷等杂质的非晶硅形成。如图3所示，这2个欧姆接触层DS以延伸于绝缘膜ES的一部分和漏极区DR或源极区SR的方式而设。此外，2个杂质区中也注入磷等杂质，但欧姆接触层DS不同于2个杂质区，用非晶硅形成，具有高于这些区域的杂质浓度。

绝缘膜ES通过CVD法用例如二氧化硅(SiO2等)形成。如后述，该绝缘膜ES起到在2个杂质区注入杂质时用作掩模，并在以漏电极DT等为掩模蚀刻而形成欧姆接触层DS时不使蚀刻到达半导体膜S的作用。

漏电极DT及源电极ST主要用铝等的金属形成，分别将2个欧姆接触层DS覆盖。因而，漏电极DT与漏极区DR之间和源电极ST与源极区SR之间夹入有硅掺杂层DS。

如以上所述，2个杂质区经由2个欧姆接触层DS与漏电极DT及源电极ST连接的面积扩大，因此接触电阻减少，导通电流得以确保。而且，2个杂质区形成具有沟道区功能的绝缘膜ES下侧的半导体膜S的部分及PN结。因而，如果未施加栅极电压，则2个杂质区和沟道区的边界上形成耗尽层，即使漏电极DT和源电极ST施加更高电压时，也能防止泄漏电流(图9B)。

以上，就本实施例中的TFT基板SUB上的薄膜晶体管TFT作了说明。以下用图4A～图4J及图5A～图5C说明这种薄膜晶体管TFT的制造方法。

首先，在玻璃基板等的透明基板GA上形成防污膜GN，并形成栅电极GT(图4A)。防污膜GN例如通过CVD法形成氮化硅(SiN)膜。此外，栅电极GT例如用钼等的导电金属形成，通过公知的光刻工序和蚀刻工序如该图所示加工成该形状。

接着，形成栅极绝缘膜GI1，将栅电极GT覆盖，并在栅极绝缘膜GI1上形成半导体膜S(图4B)。栅极绝缘膜GI1例如是二氧化硅，用CVD法成膜。半导体膜S，首先通过CVD法形成非晶硅膜，再用激光退火或RTA(Rapid Thermal Anneal：快速退火)法结晶为多晶硅。此时，也可通过对非晶硅作热处理而使之结晶为微晶硅。

接着，在结晶化后的半导体膜S的上侧通过CVD法形成二氧化硅膜来层叠绝缘膜ES(图4C)。

然后，经公知的光刻工序在绝缘膜ES上形成光刻胶图案RP(图4D)。在该公知的光刻工序中，首先，将光刻胶涂敷在上述绝缘膜ES上，隔着形成预定图案的光掩模用紫外线等照射该光刻胶。与光掩模上的图案对应的图案被转印到光刻胶上，形成被紫外线等照射的部分和未被照射的部分，在被照射的部分的光刻胶上产生化学反应。然后，通过显影工序将光刻胶上发生了化学反应的部分或未发生化学反应的部分除去，最后形成光刻胶图案RP。本实施例中的光刻胶图案RP的形状，以加工半导体膜S的形状形成。

特别地，以该光刻胶图案RP为掩模，进行氟酸类的湿法蚀刻，对层叠的绝缘膜ES进行加工(图4E)。此时，对绝缘膜ES进行侧面蚀刻，以在光刻胶图案RP的内侧形成绝缘膜ES。对绝缘膜ES作了湿法蚀刻加工后，按照该光刻胶图案RP用干法蚀刻将半导体膜S加工成与光刻胶图案RP相同的形状(图4F)。从光刻胶图案RP的外延部大致均等地侵蚀到其内侧而形成绝缘膜ES，如图4F等所示，绝缘膜ES的截面具有斜度，形成为梯形状。另一方面，以与光刻胶图案RP的形状大致相同的形状形成半导体膜S。因此，绝缘膜ES与半导体膜S的上侧连接，在以成为半导体膜S的大致中心的位置为中心的区域形成。

然后，通过使用氧等离子体等的灰化将光刻胶图案RP除去，在半导体膜S中注入例如磷(P)等的N型杂质(图4G)。该杂质通过由离子注入机离子化而被电场加速，在成为加工对象的TFT基板的面内从与TFT基板大致垂直的方向均匀地注入。特别在本实施例中，如图4F所示，以湿法蚀刻形成的绝缘膜ES为掩模，在半导体膜S上未形成绝缘膜ES的部分的区域NR中注入杂质。此外，绝缘膜ES下侧的区域不注入杂质，由多晶硅或微晶硅形成。这里，图5A是表示图4G中的各层加工后的情况的俯视图。如图5A所示，以包围绝缘膜ES的周围的方式通过在形成半导体膜S中注入杂质而形成的区域NR。

在半导体膜S中注入杂质后，形成欧姆接触层DS并形成漏电极DT及源电极ST用的金属膜(图4H)。首先，与例如磷等杂质一起将非晶硅通过PECVD法成膜而形成欧姆接触层DS。本实施例中的欧姆接触层DS的杂质浓度形成得比上述半导体膜S中形成的区域NR高。漏电极DT及源电极ST中，通过溅射法分别形成阻挡金属层MB、主布线层MM、间隙金属层MC。此时，阻挡金属层MB及间隙金属层MC，例如由钛、钨、铬或钼等高熔点金属的导电金属薄膜形成。主布线层MM由铝或含铝的合金形成。此外，铝或铝系合金可跟与杂质一起成膜的非晶硅取得良好的欧姆接触。

然后，通过公知的光刻工序及蚀刻工序将间隙金属层MC、主布线层MM、阻挡金属层MB及欧姆接触层DS加工成漏电极DT及源电极ST的形状(图4I)。本实施例中的漏电极DT及源电极ST由间隙金属层MC、主布线层MM、阻挡金属层MB等3层组成。这里，图5B及图5C是表示图4I中各层加工后的状态的俯视图。首先，形成用以在间隙金属层MC上形成漏电极DT及源电极ST的光刻胶图案，按照该光刻胶图案对间隙金属层MC、主布线层MM、阻挡金属层MB进行湿法蚀刻而形成漏电极DT及源电极ST(图5B)。接着，以所形成的漏电极DT及源电极ST为掩模对欧姆接触层DS进行干法蚀刻，将其加工成与漏电极DT及源电极ST相同的形状。因而，从上侧覆盖漏电极DT等而形成欧姆接触层DS(图5B)。

然后，照样继续进行加工欧姆接触层DS的干法蚀刻，加工从绝缘膜ES露出的半导体膜S中被注入了杂质的区域NR，形成2个杂质区(漏极区DR及源极区SR)(图5C)。通过对欧姆接触层DS进行干法蚀刻，将区域NR的一部分露出。本实施例中，由于区域NR和欧姆接触层DS均用添加磷后的硅形成，因此可用相同的干法蚀刻工艺进行加工。此时，绝缘膜ES起着不使干法蚀刻影响到半导体膜S的蚀刻阻挡的作用。如图5C所示，按照漏电极DT及源电极ST的形状加工区域NR，位于2个杂质区的图中上侧及下侧的侧面，沿着漏电极DT及源电极ST的加工形状而形成。2个欧姆接触层DS分别夹在漏电极DT和源电极ST与2个杂质区之间。2个杂质区分别覆盖2个欧姆接触层DS而形成。而且，在2个欧姆接触层DS的上侧，形成与2个欧姆接触层DS相同形状的漏电极DT及源电极ST，将这2个欧姆接触层覆盖。此时，漏电极DT及源电极ST和2个欧姆接触层DS，从绝缘膜ES的一部分开始延伸，将漏极区DR及源极区SR覆盖。漏极区DR及源极区SR的上面和一个侧面被欧姆接触层DS覆盖，与欧姆接触层DS相接触。如上述，区域NR被加工成2个杂质区，从而，位于漏极区DR和源极区SR之间的区域中的半导体膜S的区域，其上侧由绝缘膜ES覆盖，并用作沟道区。漏极区DR和源极区SR形成在半导体膜S的两端，将具有沟道区功能的区域夹于其间。

最后，在以上述方式构成的整体构造上，通过等离子CVD法以氮化硅形成钝化膜PA(图4J)。该钝化膜PA保护上述形成的薄膜晶体管TFT。

以上，作为IPS方式说明了本发明实施例的液晶显示装置的液晶驱动方式，但是，本发明还可采用例如VA(Vertically Aligned：垂直配向)方式或TN(TwistedNematic：扭曲向列)方式等的其他驱动方式。图10表示构成VA方式及TN方式的显示装置的TFT基板SUB的等效电路，图11是表示这些方式的显示装置的TFT基板SUB的像素区域的放大平面图。如果采用VA方式及TN方式，则不是在TFT基板SUB上设置对向电极CT及公共信号线CL，而是在与TFT基板对向的、设置滤色器的对向基板上设置对向电极CT。

还有，以上作为本发明的实施例对液晶显示装置进行了说明，但并不限定于此，本发明当然也适用于例如有机EL(ElectroLuminescence：电致发光)元件等的其他显示装置。自不待言，本发明可在不偏离以上说明的实施例的技术思想的范围内适当变更。

Claims (4)

1.一种显示装置，其特征在于，

包括：在透明基板的上侧层叠的栅电极；

在所述栅电极的上侧层叠的、包含沟道区和在夹着该沟道区的区域注入杂质而形成的2个杂质区的、通过该栅电极发生的电场来控制源电极及漏电极间电流的半导体膜；

分别介于所述源电极和所述漏电极与所述2个杂质区之间而使它们欧姆接触的2个欧姆接触层；以及

在以成为所述半导体膜的大致中心的位置为中心的该半导体膜的部分区域的上侧、与所述半导体膜相接而层叠的绝缘膜，

所述半导体膜包含微晶硅或多晶硅而形成，

在所述半导体膜的上侧未形成所述绝缘膜部分的区域，形成所述2个杂质区，

所述漏电极及所述源电极与所述2个欧姆接触层从所述绝缘膜的一部分开始延伸，以分别覆盖所述杂质区，

所述2个欧姆接触层从所述绝缘膜的一部分开始延伸，以覆盖所述2个杂质区各自的上面和一个侧面，与所述2个杂质区各自接触，

形成所述源电极及所述漏电极，以分别覆盖所述2个欧姆接触层。

2.根据权利要求1的显示装置，其特征在于，

所述绝缘膜包括：与所述半导体膜的一部分区域相接的底面、与所述底面对向的上面、与所述底面的端部以及所述上面的端面相交的侧面，

所述2个欧姆接触层与所述绝缘膜的所述上面和所述侧面相接地形成，

所述源电极和所述漏电极在所述绝缘膜的所述上面上相互对向。

3.一种显示装置的制造方法，其特征在于，

包括：栅电极层叠工序，在透明基板的上侧层叠栅电极；

半导体膜层叠工序，在所述栅电极的上侧以包含微晶硅或多晶硅的方式层叠通过该栅电极发生的电场来控制源电极及漏电极间的电流的半导体膜；

杂质注入工序，在所述半导体膜中注入杂质；以及

电极形成工序，介于所述源电极和所述漏电极与注入了所述杂质的区域之间而形成使它们欧姆接触的2个欧姆接触层，并形成所述源电极和所述漏电极，

所述杂质注入工序包括：

绝缘膜层叠工序，层叠将所述半导体膜覆盖的绝缘膜；

绝缘膜加工工序，加工成在所述绝缘膜上形成光刻胶图案，并通过侧面蚀刻而将所述绝缘膜形成至比该光刻胶图案更内侧；以及

半导体膜加工工序，按照所述光刻胶图案对所述半导体膜通过干法蚀刻进行加工，

以形成至比所述光刻胶图案更内侧的所述绝缘膜为掩模，将所述杂质注入所述半导体膜。

4.根据权利要求3的显示装置的制造方法，其特征在于，

所述电极形成工序包括：

欧姆接触层成膜工序，由非晶硅与杂质掺合而成地形成所述欧姆接触层形成用的膜；

电极成膜工序，在所述欧姆接触层形成用膜的上侧，形成所述源电极和所述漏电极形成用的金属膜；

电极加工工序，将所述电极成膜工序中形成的金属膜加工成所述源电极和所述漏电极的形状；以及

欧姆接触层加工工序，按照所述源电极和所述漏电极的形状，以所述绝缘膜作为蚀刻阻挡来加工用于形成所述欧姆接触的膜，从而形成2个欧姆接触层，

所述显示装置的制造方法还包括杂质区加工工序，继续所述欧姆接触层加工工序中的加工，将所述半导体膜中形成的、注入了所述杂质的区域加工成2个杂质区。

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