JP2006054425A5 - - Google Patents
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- 125000005373 siloxane group Chemical group [SiH2](O*)* 0.000 claims 1
Claims (8)
- 基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極を形成し、
前記半導体層、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記層間絶縁膜及び導電膜にドライエッチングによりコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールを介して前記半導体層又は前記ゲート電極に接続する第２の電極を形成し、
前記第２の電極をマスクとして、前記導電膜の一部を自己整合的に除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１において、
前記導電膜は、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ、またはそれらの窒化物を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極を形成し、
前記半導体層、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に第１層間絶縁膜を形成し、
前記第１層間絶縁膜上に第１の導電膜を形成し、
前記第１層間絶縁膜及び第１の導電膜にドライエッチングにより第１のコンタクトホールを形成し、
前記第１のコンタクトホールを介して前記半導体層又は前記ゲート電極に接続する第２の電極を形成し、
前記第２の電極をマスクとして、前記第１の導電膜の一部を自己整合的に除去し、
前記第１層間絶縁膜及び前記第２の電極上に第２層間絶縁膜を形成し、
前記第２層間絶縁膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２層間絶縁膜及び前記第２の導電膜に、ドライエッチングにより第２のコンタクトホールを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項３において、
前記第２の導電膜上に前記第２のコンタクトホールを介して第３の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項３または請求項４において、
前記第２層間絶縁膜は、平坦化膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項３乃至請求項５のいずれか１項において、
前記第１および第２の導電膜は、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ、またはそれらの窒化物を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項３乃至請求項６のいずれか１項において、
前記第２層間絶縁膜は、有機材料を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項３乃至請求項６のいずれか１項において、
前記第２層間絶縁膜は、シロキサンを用いて形成された酸化珪素膜を含むことを特徴する半導体装置の作製方法。
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