JP2007059881A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007059881A5 JP2007059881A5 JP2006186460A JP2006186460A JP2007059881A5 JP 2007059881 A5 JP2007059881 A5 JP 2007059881A5 JP 2006186460 A JP2006186460 A JP 2006186460A JP 2006186460 A JP2006186460 A JP 2006186460A JP 2007059881 A5 JP2007059881 A5 JP 2007059881A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- insulating film
- gate
- source
- polysilicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 27
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 17
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 13
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 12
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 1
Claims (11)
- 半導体基板内にチャネル領域を挟んで形成されたソース/ドレイン領域と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成された金属シリサイドよりなるゲート電極とを有するN型MISFETと、
前記ゲート電極を内包するように前記ゲート電極の側壁部から上面部に渡って形成され、1GPa〜2GPaの引張り応力を有し、前記チャネル領域に引っ張り応力を印加する第1の絶縁膜と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板内にチャネル領域を挟んで形成されたソース/ドレイン領域と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成された金属シリサイドよりなるゲート電極とを有するP型MISFETと、
前記ゲート電極を内包するように前記ゲート電極の側壁部から上面部に渡って形成され、1GPa〜3GPaの圧縮応力を有し、前記チャネル領域に圧縮応力を印加する第1の絶縁膜と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2記載の半導体装置において、
前記ゲート電極が形成された前記半導体基板と前記第1の絶縁膜との間に形成され、前記ソース/ドレイン領域を覆い、前記ゲート電極の前記上面部を露出する第2の絶縁膜を更に有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記ゲート電極よりもゲート長が長い他のゲート電極を有する他のMISFETを更に有し、
前記第2の絶縁膜は、前記他のゲート電極上に延在して形成されており、
前記他のゲート電極は、ポリシリコンゲート構造又はポリサイドゲート構造を有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板内にチャネル領域を挟んで形成されたソース/ドレイン領域と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたポリシリコンよりなるゲート電極とを有するN型MISFETを形成する工程と、
前記N型MISFETが形成された前記半導体基板上に、前記ゲート電極上の膜厚が薄く、前記ソース/ドレイン領域上の膜厚が厚くなるように、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記ソース/ドレイン領域上の前記第1の絶縁膜が残存し、前記ゲート電極が露出するように、前記第1の絶縁膜をエッチングする工程と、
前記ゲート電極を構成するポリシリコンを金属シリサイドに置換する工程と、
前記金属シリサイドに置換された前記ゲート電極を内包するように、前記ゲート電極の側壁部から上面部に渡って、1GPa〜2GPaの引張り応力を有する第2の絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板内にチャネル領域を挟んで形成されたソース/ドレイン領域と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたポリシリコンよりなるゲート電極とを有するP型MISFETを形成する工程と、
前記P型MISFETが形成された前記半導体基板上に、前記ゲート電極上の膜厚が薄く、前記ソース/ドレイン領域上の膜厚が厚くなるように、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記ソース/ドレイン領域上の前記第1の絶縁膜が残存し、前記ゲート電極が露出するように、前記第1の絶縁膜をエッチングする工程と、
前記ゲート電極を構成するポリシリコンを金属シリサイドに置換する工程と、
前記金属シリサイドに置換された前記ゲート電極を内包するように、前記ゲート電極の側壁部から上面部に渡って、1GPa〜3GPaの圧縮応力を有する第2の絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5又は6記載の半導体装置の製造方法において、
前記MISFETを形成する工程では、前記半導体基板上に、前記ゲート電極よりもゲート長が長い他のゲート電極を有する他のMISFETを更に形成し、
前記第1の絶縁膜を形成する工程では、前記ゲート電極上の膜厚が薄く、前記ソース/ドレイン領域上及び前記他のゲート電極上の膜厚が厚くなるように、前記第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜をエッチングする工程では、前記ソース/ドレイン領域上及び前記他のゲート電極上の前記第1の絶縁膜が残存し、前記ゲート電極が露出するように、前記第1の絶縁膜をエッチングする
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に、第1のチャネル領域を挟んで形成された第1のソース/ドレイン領域と、前記第1のチャネル領域上に第1のゲート絶縁膜を介して形成された ポリシリコンよりなる第1のゲート電極を有する第1のMISFETと、第2のチャネル領域を挟んで形成された第2のソース/ドレイン領域と、前記第2の チャネル領域上に第2のゲート絶縁膜を介して形成され、ポリシリコンよりなり前記第1のゲート電極よりもゲート長の長い第2のゲート電極を有する第2の MISFETとを形成する工程と、
前記第1のMISFET及び前記第2のMISFETが形成された前記半導体基板上に、前記第1のゲート電極上及び前記第2のゲート電極の上端部における膜 厚が薄く、前記第1のソース/ドレイン領域上及び前記第2のソース/ドレイン領域上の膜厚が厚くなるように、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1のソース/ドレイン領域上及び前記第2のソース/ドレイン領域上の前記第1の絶縁膜が残存し、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極の少なくとも上端部が露出するように、前記第1の絶縁膜をエッチングする工程と、
金属膜を堆積して熱処理を行うことにより、前記第1のゲート電極を構成する前記ポリシリコン及び前記第2のゲート電極を構成する前記ポリシリコンを金属シリサイドに置換する工程とを有し、
前記ポリシリコンを金属シリサイドに置換する工程では、前記第2のゲート電極のゲート長が前記第1のゲート電極のゲート長よりも長いことを利用して、前記 第1のゲート電極を構成する前記ポリシリコンを総て前記金属シリサイドに置換するとともに、前記第2のゲート電極を構成する前記ポリシリコンの一部を前記 金属シリサイドに置換する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8記載の半導体装置の製造方法において、
前記ポリシリコンを前記金属シリサイドに置換する熱処理により、金属シリサイドよりなるゲート電極が安定的に形成される最大ゲート長と、ポリサイド構造のゲート電極が安定的に形成される最小ゲート長とを規定し、
前記第1のMISFET及び前記第2のMISFETを形成する工程では、前記最大ゲート長以下のゲート長の前記第1のゲート電極を有する前記第1のMISFETと、前記最小ゲート長以上のゲート長の前記第2のゲート電極を有する前記第2のMISFETとを形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記MISFETを形成する工程は、前記半導体基板上に前記ゲート絶縁膜及びポリシリコン膜を形成する工程と、前記ポリシリコン膜の表面を研磨により平坦化する工程と、前記ポリシリコン膜をパターニングして前記ゲート電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5乃至10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の絶縁膜をエッチングする工程では、マスクを用いることなく前記第1の絶縁膜をエッチングする
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006186460A JP5114881B2 (ja) | 2005-07-26 | 2006-07-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
US11/492,199 US7977194B2 (en) | 2005-07-26 | 2006-07-25 | Method for fabricating semiconductor device with fully silicided gate electrode |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005215479 | 2005-07-26 | ||
JP2005215479 | 2005-07-26 | ||
JP2006186460A JP5114881B2 (ja) | 2005-07-26 | 2006-07-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007059881A JP2007059881A (ja) | 2007-03-08 |
JP2007059881A5 true JP2007059881A5 (ja) | 2009-07-02 |
JP5114881B2 JP5114881B2 (ja) | 2013-01-09 |
Family
ID=37694892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006186460A Expired - Fee Related JP5114881B2 (ja) | 2005-07-26 | 2006-07-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7977194B2 (ja) |
JP (1) | JP5114881B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8860174B2 (en) * | 2006-05-11 | 2014-10-14 | Micron Technology, Inc. | Recessed antifuse structures and methods of making the same |
US20070262395A1 (en) | 2006-05-11 | 2007-11-15 | Gibbons Jasper S | Memory cell access devices and methods of making the same |
US8008144B2 (en) | 2006-05-11 | 2011-08-30 | Micron Technology, Inc. | Dual work function recessed access device and methods of forming |
JP2008140854A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5003515B2 (ja) | 2007-03-20 | 2012-08-15 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
JP2008288364A (ja) | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Sony Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US7867835B2 (en) * | 2008-02-29 | 2011-01-11 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Integrated circuit system for suppressing short channel effects |
JP2009277849A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US7824986B2 (en) | 2008-11-05 | 2010-11-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a plurality of transistor gates, and methods of forming a plurality of transistor gates having at least two different work functions |
US8779551B2 (en) * | 2012-06-06 | 2014-07-15 | International Business Machines Corporation | Gated diode structure for eliminating RIE damage from cap removal |
JP6022377B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2016-11-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN104979198B (zh) * | 2014-04-02 | 2018-03-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 鳍式场效应晶体管的形成方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5194749A (en) | 1987-11-30 | 1993-03-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
JP2621805B2 (ja) * | 1994-07-30 | 1997-06-18 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2848481B2 (ja) | 1995-02-08 | 1999-01-20 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3719618B2 (ja) * | 1996-06-17 | 2005-11-24 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3287403B2 (ja) * | 1999-02-19 | 2002-06-04 | 日本電気株式会社 | Mis型電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2000269458A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3746669B2 (ja) * | 2000-10-17 | 2006-02-15 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
US6562718B1 (en) | 2000-12-06 | 2003-05-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Process for forming fully silicided gates |
JP2002217410A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-08-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2003229568A (ja) * | 2002-02-04 | 2003-08-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
DE10208164B4 (de) * | 2002-02-26 | 2006-01-12 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zum Steuern einer elektrischen Eigenschaft eines Feldeffekttransistors |
JP4173672B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2008-10-29 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3634320B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2005-03-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
TWI249843B (en) * | 2002-05-14 | 2006-02-21 | Sony Corp | Semiconductor device and its manufacturing method, and electronic apparatus |
DE10234931A1 (de) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zur Herstellung eines Metallsilizidgates in einer standardmässigen MOS-Prozesssequenz |
JP2004315211A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Tsubakimoto Chain Co | ハイブリッド駆動式コンベヤ |
JP4557508B2 (ja) * | 2003-06-16 | 2010-10-06 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
US20050156208A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Device having multiple silicide types and a method for its fabrication |
WO2005064665A1 (en) * | 2003-12-08 | 2005-07-14 | International Business Machines Corporation | REDUCTION OF BORON DIFFUSIVITY IN pFETs |
US6929992B1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-08-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Strained silicon MOSFETs having NMOS gates with work functions for compensating NMOS threshold voltage shift |
JP4457688B2 (ja) * | 2004-02-12 | 2010-04-28 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
US7176530B1 (en) * | 2004-03-17 | 2007-02-13 | National Semiconductor Corporation | Configuration and fabrication of semiconductor structure having n-channel channel-junction field-effect transistor |
US7241674B2 (en) * | 2004-05-13 | 2007-07-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of forming silicided gate structure |
JP4134001B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2008-08-13 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4440080B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2010-03-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
US20060267106A1 (en) * | 2005-05-26 | 2006-11-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Novel semiconductor device with improved channel strain effect |
-
2006
- 2006-07-06 JP JP2006186460A patent/JP5114881B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-25 US US11/492,199 patent/US7977194B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007059881A5 (ja) | ||
TWI384614B (zh) | 形成鰭狀場效電晶體裝置中之結構的方法 | |
JP2009060096A5 (ja) | ||
JP2009506549A5 (ja) | ||
JP2004158593A5 (ja) | ||
JP2008515188A5 (ja) | ||
JP2009224386A5 (ja) | ||
JP2012516036A5 (ja) | ||
JP2005086157A5 (ja) | ||
JP2005086024A5 (ja) | ||
JP2002313810A5 (ja) | ||
JP2008294408A5 (ja) | ||
JP2008504679A5 (ja) | ||
JP2007531268A5 (ja) | ||
JP2009176997A5 (ja) | ||
JP2007500952A5 (ja) | ||
JP2006054425A5 (ja) | ||
JP2006310738A (ja) | 薄膜トランジスター及びその製造方法 | |
JP2004214673A5 (ja) | ||
JP2008103737A5 (ja) | ||
JP2009021568A5 (ja) | ||
JP2006287205A5 (ja) | ||
JP2009520363A5 (ja) | ||
JP2008529301A5 (ja) | ||
DE602005021220D1 (de) | Halbleiter-auf-isolator-halbleiterbauelement und herstellungsverfahren |