JP2004158593A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 半導体基体と、
   前記半導体基体に設けられ第１及び第２の素子領域を囲む素子分離領域と、
   前記第１の素子領域に形成されると共に、少なくともゲート電極膜におけるゲート絶縁膜に接する領域が、第１の金属シリサイドで構成されたＮチャネル電界効果トランジスタと、
   前記第２の素子領域に形成されると共に、ゲート電極膜が、前記第１の金属シリサイドを構成する金属とは異なる金属からなる第２の金属シリサイドと、前記第１の金属シリサイドの構成材料である金属及び前記第１の金属シリサイドと同じ構成材料であり、かつ、前記第１の金属シリサイドよりもシリコン含有量が少ない第３の金属シリサイドから選ばれる少なくとも一方とから構成されたＰチャネル電界効果トランジスタを有し、
   前記Ｎチャネル電界効果トランジスタのゲート電極膜の仕事関数が、前記Ｐチャネル電界効果トランジスタのゲート電極膜の仕事関数よりも小さいことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置。
2. 前記Ｐチャネル電界効果トランジスタのゲート電極膜におけるゲート絶縁膜に接する領域が、前記第１の金属シリサイドを構成する金属とは異なる金属からなる第２の金属シリサイドと、前記第１の金属シリサイドの構成材料である金属及び前記第１の金属シリサイドと同じ構成材料であり、かつ、前記第１の金属シリサイドよりもシリコン含有量が少ない第３の金属シリサイドから選ばれる少なくとも一方とから構成されていることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置。
3. 前記Ｐチャネル電界効果トランジスタのゲート電極膜におけるゲート絶縁膜に接する領域が、前記第１の金属シリサイドの構成材料である金属、及び前記第１の金属シリサイドと同じ構成材料であり、かつ、前記第１の金属シリサイドよりもシリコン含有量が少ない第３の金属シリサイドから選ばれる少なくとも一方とから構成されていることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置。
4. 半導体基体上に素子分離領域を形成して、前記素子分離領域に囲まれるＮチャネル電界効果トランジスタ領域、及び前記素子分離領域に囲まれるＰチャネル電界効果トランジスタ領域を形成する工程と、
   前記半導体基体上に絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、
   前記導電膜を選択的にパターニングしてゲート領域を形成する工程と、
   パターニングされた前記導電膜に対して自己整合的に、前記Ｎチャネル電界効果トランジスタ領域及び前記Ｐチャネル電界効果トランジスタ領域にソース及びドレイン領域を形成する工程と、
   前記導電膜の周囲に側壁絶縁膜を形成する工程と、
   前記ゲート領域の前記導電膜及び前記絶縁膜を除去し、前記側壁絶縁膜に囲まれる空間領域を形成する工程と、
   前記空間領域に囲まれた前記Ｎチャネル電界効果トランジスタ領域及び前記Ｐチャネル電界効果トランジスタ領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
   前記空間領域内の前記ゲート絶縁膜上に第１の金属シリサイド膜を形成する工程と、
   前記Ｐチャネル電界効果トランジスタ領域上に、前記第１の金属シリサイド膜を構成する金属とは異なる金属膜を形成する工程と、
   前記Ｐチャネル電界効果トランジスタ領域の第１の金属シリサイド膜を、前記第１の金属シリサイドを構成する金属とは異なる金属からなる第２の金属シリサイド、及び前記第１の金属シリサイドの構成材料である金属並びに前記第１の金属シリサイドと同じ構成材料であり、かつ、前記第１の金属シリサイドよりもシリコン含有量が少ない第３の金属シリサイドから選ばれる少なくとも一種とで構成された膜に変換する熱処理の工程とを有することを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置の製造方法。
5. 前記第１の金属シリサイドとして、単位体積当りのシリコンの原子数が、単位体積当りの金属の原子数の２．５倍以上である膜を形成することを特徴とする請求項４に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置の製造方法。